JPH01105562A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01105562A JPH01105562A JP26184387A JP26184387A JPH01105562A JP H01105562 A JPH01105562 A JP H01105562A JP 26184387 A JP26184387 A JP 26184387A JP 26184387 A JP26184387 A JP 26184387A JP H01105562 A JPH01105562 A JP H01105562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- semiconductor device
- resin
- composition
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐熱衝撃性に優れた樹脂封止型半導体装置に関
するものであり、更に詳しくは急激な温度変化を受けて
も耐クラツク性に非常に優れたエポキシ樹脂組成物によ
って封止された半導体装置に関するものである。
するものであり、更に詳しくは急激な温度変化を受けて
も耐クラツク性に非常に優れたエポキシ樹脂組成物によ
って封止された半導体装置に関するものである。
最近の電気製品における軽薄短小化傾向から半導体装置
の実装密度を向上させるために半導体セットメーカーで
は従来のスルーホール実装から表面実装への移行が進ん
でいる。
の実装密度を向上させるために半導体セットメーカーで
は従来のスルーホール実装から表面実装への移行が進ん
でいる。
表面実装での自動化ラインではリードの半田付は時に半
導体装置は急激な温度変化を受け、このために樹脂成形
部にクランクが生じたり、リード樹脂間の界面が劣化し
、この結果として耐湿性が低下するなどの問題が生じて
しまう。
導体装置は急激な温度変化を受け、このために樹脂成形
部にクランクが生じたり、リード樹脂間の界面が劣化し
、この結果として耐湿性が低下するなどの問題が生じて
しまう。
これらの問題を解決するために半田浸漬時の熱衝撃を緩
和する目的で熱可塑性オリゴマーの添加（特開昭６２−
１１５８４９号公報）や、各種シリコーン化合物の添加
（特開昭６２−１１５８５０号公報、６２−１１６６５
４号公報、６２−１２８１６２号公報）、更にはシリコ
ーン変性（特開昭６２−１３６８６０号公報）などの手
法で対処しているが、いずれも半田浸漬後成形部にクラ
ックが生じてしまい信頼性の優れた樹脂封止型半導体装
置が得られるまでには至らなかった。
和する目的で熱可塑性オリゴマーの添加（特開昭６２−
１１５８４９号公報）や、各種シリコーン化合物の添加
（特開昭６２−１１５８５０号公報、６２−１１６６５
４号公報、６２−１２８１６２号公報）、更にはシリコ
ーン変性（特開昭６２−１３６８６０号公報）などの手
法で対処しているが、いずれも半田浸漬後成形部にクラ
ックが生じてしまい信頼性の優れた樹脂封止型半導体装
置が得られるまでには至らなかった。
特にこれらの添加剤の添加については成形時の作業性が
悪化する問題が生じてしまい、樹脂自体の構造を変えて
特性を改善する方法が考えられてきた。
悪化する問題が生じてしまい、樹脂自体の構造を変えて
特性を改善する方法が考えられてきた。
これらの樹脂自体の構造を変える方法も、反応工程の複
雑化等といろいろの欠点があり、未だ満足するものが得
られていない。
雑化等といろいろの欠点があり、未だ満足するものが得
られていない。
ところで、硬化剤としてシンクロペンタジエン・フェノ
リックポリマーを用いる方法としては特開昭６２−９６
５２１号公報、６２−１０４８３０号公報が、発表され
ているが、これらはいずれも用途目的を異にし製造方法
も異なる。特に特開昭６２−９６５２１号公報について
は積層板や、多層プリント板の製造に関するものであり
、最終組成物が、フェス状である。また特開昭６２−１
０４８３０号公報の方法についてはイミダゾール系の硬
化促進剤を使用しており、耐湿性が、大幅に低下する。
リックポリマーを用いる方法としては特開昭６２−９６
５２１号公報、６２−１０４８３０号公報が、発表され
ているが、これらはいずれも用途目的を異にし製造方法
も異なる。特に特開昭６２−９６５２１号公報について
は積層板や、多層プリント板の製造に関するものであり
、最終組成物が、フェス状である。また特開昭６２−１
０４８３０号公報の方法についてはイミダゾール系の硬
化促進剤を使用しており、耐湿性が、大幅に低下する。
更に最終組成物に充填材が配合されておらず半導体封止
用樹脂組成物としての強度や熱膨張係数の特性を満足す
ることが出来ない。
用樹脂組成物としての強度や熱膨張係数の特性を満足す
ることが出来ない。
本発明は従来の樹脂組成物の使用によって得ることの出
来なかった耐熱衝撃性に優れ、信頼性に優れた樹脂封止
半導体装置を得んとして研究した結果、エポキシ樹脂と
シンクロペンタジエン・フェノリックポリマーを硬化剤
として用い、更にトリフェニルホスフィン、又は１．８
−ジアザビンクロ（５、４、０） ウンデセンを単独
もしくは混合したものを必須成分とするエポキシ樹脂組
成物を使用することにより耐熱衝撃性に優れ、信頼性に
優れる樹脂封止型半導体装置が得られることを見いだし
本願発明を完成したものである。
来なかった耐熱衝撃性に優れ、信頼性に優れた樹脂封止
半導体装置を得んとして研究した結果、エポキシ樹脂と
シンクロペンタジエン・フェノリックポリマーを硬化剤
として用い、更にトリフェニルホスフィン、又は１．８
−ジアザビンクロ（５、４、０） ウンデセンを単独
もしくは混合したものを必須成分とするエポキシ樹脂組
成物を使用することにより耐熱衝撃性に優れ、信頼性に
優れる樹脂封止型半導体装置が得られることを見いだし
本願発明を完成したものである。
本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤として下記の一般式０
）で示されるシンクロペンタジエン・フェノリックポリ
マーをエポキシ樹脂に対して当量比（エポキシ基数／水
酸基数）が、０．５〜１．５となるような量及び硬化促
進剤としてトリフェニルホスフィン、又は１．８−ジア
ザビシクロ（５，４，０） ウンデセンを単独もしくは
１種以上部合したものを必須成分とするエポキシ樹脂組
成物により封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置に関するものである。
）で示されるシンクロペンタジエン・フェノリックポリ
マーをエポキシ樹脂に対して当量比（エポキシ基数／水
酸基数）が、０．５〜１．５となるような量及び硬化促
進剤としてトリフェニルホスフィン、又は１．８−ジア
ザビシクロ（５，４，０） ウンデセンを単独もしくは
１種以上部合したものを必須成分とするエポキシ樹脂組
成物により封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置に関するものである。
一般式（１）
（式中のＲは水素原子、アルキル基、塩素、臭素等のハ
ロゲンなど、を表わす。またｎは０〜１５の整数を表わ
す、） 上記の一般式（１）で表されるシンクロペンタジエン・
フェノリックポリマーは分子中に可撓性構造を存する多
官能ポリマーであり、これを硬化剤とし、更に硬化促進
剤としてトリフェニルホスフィン、又は１．８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０） ウンデセンを単独もしくは
混合したものと併用することにより、従来からは考えら
れなかったような、耐熱衝撃性を向上させることができ
、非常に信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を得るこ
とが出来る。
ロゲンなど、を表わす。またｎは０〜１５の整数を表わ
す、） 上記の一般式（１）で表されるシンクロペンタジエン・
フェノリックポリマーは分子中に可撓性構造を存する多
官能ポリマーであり、これを硬化剤とし、更に硬化促進
剤としてトリフェニルホスフィン、又は１．８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０） ウンデセンを単独もしくは
混合したものと併用することにより、従来からは考えら
れなかったような、耐熱衝撃性を向上させることができ
、非常に信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を得るこ
とが出来る。
本発明で用いるエポキシ樹脂とは、ビスフェノール型、
フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、複
素環型等のエポキシ樹脂であり、これらは単独で用いて
もよいが併用しても良い。
フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、複
素環型等のエポキシ樹脂であり、これらは単独で用いて
もよいが併用しても良い。
本組成物におＣＳて用いる、硬化剤としてはシンクロペ
ンタジエン・フェノリックポリマーと他の硬化剤とを併
用″することは何等差し支えがない。
ンタジエン・フェノリックポリマーと他の硬化剤とを併
用″することは何等差し支えがない。
該シンクロペンタジエン・フェノリックポリマーと他の
硬化剤との併用の場合の使用量はこれを調節することに
よって、その特性を最大限に引き出すことが出来る。耐
熱衝撃性に対する効果を発揮するためには併用する従来
からの硬化剤、例えばノボラック樹脂硬化剤に対して重
量部で５０部以上、さらに好ましくは７５部以上の使用
が望ましい。又、エポキシ樹脂に対するシンクロペンタ
ジエン・フェノリックポリマーの配合量は当量比（エポ
キシ基数／水酸基数）で０．５〜１．５でありさらに好
ましくは０．８〜１．４、更に好ましくは１゜０〜１．
２が望ましい。ｎについては０〜１５、好ましくは０〜
５更に好ましくは２〜３が望ましい。
硬化剤との併用の場合の使用量はこれを調節することに
よって、その特性を最大限に引き出すことが出来る。耐
熱衝撃性に対する効果を発揮するためには併用する従来
からの硬化剤、例えばノボラック樹脂硬化剤に対して重
量部で５０部以上、さらに好ましくは７５部以上の使用
が望ましい。又、エポキシ樹脂に対するシンクロペンタ
ジエン・フェノリックポリマーの配合量は当量比（エポ
キシ基数／水酸基数）で０．５〜１．５でありさらに好
ましくは０．８〜１．４、更に好ましくは１゜０〜１．
２が望ましい。ｎについては０〜１５、好ましくは０〜
５更に好ましくは２〜３が望ましい。
シンクロペンタジエン・フェノリックポリマー硬化剤と
併用する硬化剤とは、フェノールノボラック類が、好適
であるが酸無水物、アミン類を挙げることが出来る。硬
化促進剤としてはトリフェニルホスフィン又は１．８−
ジアザビシクロ（５，４，０） ウンデセンを単独又
は混合系で使用する。
併用する硬化剤とは、フェノールノボラック類が、好適
であるが酸無水物、アミン類を挙げることが出来る。硬
化促進剤としてはトリフェニルホスフィン又は１．８−
ジアザビシクロ（５，４，０） ウンデセンを単独又
は混合系で使用する。
一般に硬化促進剤としては第３級アミン類、イミダゾー
ル類等も使用されているが、これらは電気特性が劣り、
高集積度化した電子部品の封止剤には不向きである。
ル類等も使用されているが、これらは電気特性が劣り、
高集積度化した電子部品の封止剤には不向きである。
硬化促進剤として用いるトリフェニルホスフィン又は１
．８−ジアザビシクロ（５，４，０） ウンデセンは
、シンクロペンタジエン・フェノリックポリマーとの併
用により、電気特性が非常に優れたものが得られ、特に
半田浸漬後の耐湿性に優れる。これは熱衝撃に対してシ
ンクロペンタジエン・フェノリックポリマーの可撓性が
効果を発揮し、トリフェニルホスフィン又はｌ、８−ジ
アザビシクロ（５，４，０）ウンデセンによりリーク電
流等の発生が少なく耐湿性や電気特性が非常に向上する
。硬化促進剤としては特にトリフェニルホスフィシが良
好の結果を示し、より好ましい。
．８−ジアザビシクロ（５，４，０） ウンデセンは
、シンクロペンタジエン・フェノリックポリマーとの併
用により、電気特性が非常に優れたものが得られ、特に
半田浸漬後の耐湿性に優れる。これは熱衝撃に対してシ
ンクロペンタジエン・フェノリックポリマーの可撓性が
効果を発揮し、トリフェニルホスフィン又はｌ、８−ジ
アザビシクロ（５，４，０）ウンデセンによりリーク電
流等の発生が少なく耐湿性や電気特性が非常に向上する
。硬化促進剤としては特にトリフェニルホスフィシが良
好の結果を示し、より好ましい。
充填材については、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム
炭素繊維等の充填材全般を指し、カップリング剤につい
てはシラン系、チタネート系、アルミキレート系等のカ
ップリング剤全般を゛指す。
炭素繊維等の充填材全般を指し、カップリング剤につい
てはシラン系、チタネート系、アルミキレート系等のカ
ップリング剤全般を゛指す。
以上に示される原料をヘンシェルミキサーで混合し、コ
ニーダで混練した後、冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物
とし、−該組成物成形機により樹脂封止型半導体装置を
成形する。
ニーダで混練した後、冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物
とし、−該組成物成形機により樹脂封止型半導体装置を
成形する。
また本発明で用いられる樹脂封止型半導体装置のＩＣに
ついてはバイポーラＩＣ：ＭＯ３ＩＣ等ＩＣ全般を指し
、樹脂封止型半導体装置の形状についてはスタンダード
ＤＩＰをはじめとしてＳＯＰ、ＺＩＰ、ＰＬＣＣ，フラ
ットパッケージ等のパッケージ形状全般に通用できる。
ついてはバイポーラＩＣ：ＭＯ３ＩＣ等ＩＣ全般を指し
、樹脂封止型半導体装置の形状についてはスタンダード
ＤＩＰをはじめとしてＳＯＰ、ＺＩＰ、ＰＬＣＣ，フラ
ットパッケージ等のパッケージ形状全般に通用できる。
このように本発明りよる樹脂封止型半導体装置は急激な
温度変化を受けた後の耐湿性及び耐クラツク性に優れる
ものである。従って最近の表面実装における要求特性、
特に耐熱衝撃性に非常に優れ信顛性の高いものであるこ
とから本発明の産業的意味役割は非常に大きい。
温度変化を受けた後の耐湿性及び耐クラツク性に優れる
ものである。従って最近の表面実装における要求特性、
特に耐熱衝撃性に非常に優れ信顛性の高いものであるこ
とから本発明の産業的意味役割は非常に大きい。
エポキシ樹脂、砿４乙剤、硬化促進剤及び他の原料を第
１表に従って配合し、ヘンシェルミキサーで混合し、コ
ニーダーで混練した後、冷却粉砕し、実施例１〜４及び
比較例１〜７のエポキシ樹脂組成物を得た。
１表に従って配合し、ヘンシェルミキサーで混合し、コ
ニーダーで混練した後、冷却粉砕し、実施例１〜４及び
比較例１〜７のエポキシ樹脂組成物を得た。
第１表の配合によって得られたエポキシ樹脂組成物を用
いてアルミ模擬素子を組み込んだモニターＩＣを成形温
度１７５℃、注入時間１５秒硬化時間９０秒でトランス
ファー成形し、１７５℃、８時間ボストキュアーし、樹
脂封止型半導体装置を得た。
いてアルミ模擬素子を組み込んだモニターＩＣを成形温
度１７５℃、注入時間１５秒硬化時間９０秒でトランス
ファー成形し、１７５℃、８時間ボストキュアーし、樹
脂封止型半導体装置を得た。
得られた樹脂封止型半導体装置について成形物の表面硬
度、耐湿性及び耐クラツク性の評価を行った結果を第２
表に示す。
度、耐湿性及び耐クラツク性の評価を行った結果を第２
表に示す。
第２表に示すように、実施例は比較例に比べ各信鯨性に
優れ、特に半田浸漬後の耐湿性と耐ブラック性に優れて
いることがわかる。
優れ、特に半田浸漬後の耐湿性と耐ブラック性に優れて
いることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エポキシ樹脂、硬化剤として下記の一般式 （１）で示されるシンクロペンタジエン・フェノリック
ポリマーをエポキシ樹脂に対して当量比（エポキシ基数
／水酸基数）が０．５〜１．５となるような量、及び硬
化促進剤としてトリフェニルホスフィン又は１．８−ジ
アザビシクロ（５、４、０）ウンデセンを単独もしくは
混合したものを必須成分とするエポキシ樹脂組成物によ
り封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲは水素原子、アルキル基、塩素、臭素等のハ
ロゲンなどを表わす。またｎは０〜１５の整数を表わす
。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26184387A JPH01105562A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26184387A JPH01105562A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105562A true JPH01105562A (ja) | 1989-04-24 |
| JPH0567650B2 JPH0567650B2 (ja) | 1993-09-27 |
Family
ID=17367518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26184387A Granted JPH01105562A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105562A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03166220A (ja) * | 1989-11-25 | 1991-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH03278450A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| JPH04207057A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| JPH0597970A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH05148410A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
| US6495270B1 (en) | 1998-02-19 | 2002-12-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compounds, hardening accelerator, resin composition, and electronic part device |
| WO2006134865A1 (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | San-Apro Limited | エポキシ樹脂用硬化促進剤 |
| KR200457970Y1 (ko) * | 2008-10-01 | 2012-01-16 | 손성철 | 이쑤시개 케이스 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184020A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-12 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| JPS62201922A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-09-05 | Sanyo Kokusaku Pulp Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01101362A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Sanyo Kokusaku Pulp Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JPH01104615A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Sanyo Kokusaku Pulp Co Ltd | 難燃性エポキシ樹脂組成物 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26184387A patent/JPH01105562A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62201922A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-09-05 | Sanyo Kokusaku Pulp Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
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| JPH01101362A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Sanyo Kokusaku Pulp Co Ltd | 樹脂組成物 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0597970A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH05148410A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
| US6495270B1 (en) | 1998-02-19 | 2002-12-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compounds, hardening accelerator, resin composition, and electronic part device |
| WO2006134865A1 (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | San-Apro Limited | エポキシ樹脂用硬化促進剤 |
| JPWO2006134865A1 (ja) * | 2005-06-16 | 2009-01-08 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂用硬化促進剤 |
| KR200457970Y1 (ko) * | 2008-10-01 | 2012-01-16 | 손성철 | 이쑤시개 케이스 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0567650B2 (ja) | 1993-09-27 |
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