JPH01215114A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH01215114A JPH01215114A JP63041161A JP4116188A JPH01215114A JP H01215114 A JPH01215114 A JP H01215114A JP 63041161 A JP63041161 A JP 63041161A JP 4116188 A JP4116188 A JP 4116188A JP H01215114 A JPH01215114 A JP H01215114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- current flowing
- increased
- temperature
- operating speed
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に周囲温度の変化に
対し動作速度が問題となる相補型ＭＯＳ集積回路に関す
る。
対し動作速度が問題となる相補型ＭＯＳ集積回路に関す
る。
従来の技術としては第５図のように、Ｐ型ＦＥＴとＮ型
ＦＥＴと抵抗とダイオードとを用いた回路がある。これ
は、温度が上昇するとダイオードを流れる電流は増加す
ることを利用して、回路のノ（イアスミ流を増加させて
いる。
ＦＥＴと抵抗とダイオードとを用いた回路がある。これ
は、温度が上昇するとダイオードを流れる電流は増加す
ることを利用して、回路のノ（イアスミ流を増加させて
いる。
上述した従来の半導体集積回路はダイオードと電界効果
トランジスタ（ＰＥＴ）を組み合わせているため、設計
がむずかしく、回路自信も複雑であるという欠点がある
。
トランジスタ（ＰＥＴ）を組み合わせているため、設計
がむずかしく、回路自信も複雑であるという欠点がある
。
〔課題を解決するた玩の手段〕 ・本発明の
半導体集積回路は、ＭＯＳ集積回路内の所定のＭＯＳト
ランジスタに流れる電流の温度補償を担う回路がＭＯＳ
型トランジスタと抵抗とを直列に接続した回路を有して
構成されている。 ・本発明はＭＯＳ型トランジス
タの温度特性そのものを利用して、動作速度の温度補償
を行わさせる。
半導体集積回路は、ＭＯＳ集積回路内の所定のＭＯＳト
ランジスタに流れる電流の温度補償を担う回路がＭＯＳ
型トランジスタと抵抗とを直列に接続した回路を有して
構成されている。 ・本発明はＭＯＳ型トランジス
タの温度特性そのものを利用して、動作速度の温度補償
を行わさせる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例である比較回路（コンパレー
タ）の回路図である。ここでＭｌｌ−Ｍ２Ｓは電界効果
トランジスタである。Ｐ型電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）、Ｍｌｌと外付は抵抗Ｒ１を流れる電流工が温度に
よりどのように変化するかを示したのが第２図である。
タ）の回路図である。ここでＭｌｌ−Ｍ２Ｓは電界効果
トランジスタである。Ｐ型電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）、Ｍｌｌと外付は抵抗Ｒ１を流れる電流工が温度に
よりどのように変化するかを示したのが第２図である。
電界効果トランシタＭｌｌの寸法（デイメンジョン）を
変えることにより、第２図の３本の電界効果トランシタ
Ｍｌｌの曲線が交わる点Ｐ（温度を変えても電流の変わ
らない点）を移動させることが出来る。調整させた結果
、第２図のように、温度が上がると電界効果トランシタ
Ｍｌｌを流れる電流が増えるため、電界効果トランシタ
Ｍｌ ２．Ｍｌ ３を流れる電流も増える。
変えることにより、第２図の３本の電界効果トランシタ
Ｍｌｌの曲線が交わる点Ｐ（温度を変えても電流の変わ
らない点）を移動させることが出来る。調整させた結果
、第２図のように、温度が上がると電界効果トランシタ
Ｍｌｌを流れる電流が増えるため、電界効果トランシタ
Ｍｌ ２．Ｍｌ ３を流れる電流も増える。
したがって温度が上がって動作速度が遅くなるという効
果と電流が増えて動作速度が速くなる効果が相殺され、
動作速度の変動を小さく出来る。
果と電流が増えて動作速度が速くなる効果が相殺され、
動作速度の変動を小さく出来る。
第３図は本発明の他の実施例のフンパレータを示したも
のであり、第１図のコンパレータの極性を変えたもので
ある。ここでＭ３１〜Ｍ３８は電界効果トランシタであ
る。第１図のコンパレータは入力電圧は低い電圧しか入
力できないため、高い入力電圧が必要なときは第３図の
コンパレータを使用する。
のであり、第１図のコンパレータの極性を変えたもので
ある。ここでＭ３１〜Ｍ３８は電界効果トランシタであ
る。第１図のコンパレータは入力電圧は低い電圧しか入
力できないため、高い入力電圧が必要なときは第３図の
コンパレータを使用する。
第４図は、第３図の電界効果トランシタＭ３１と抵抗Ｒ
３の’Ｖ＋ Ｉ特性を示している。これより、温度が
高くなると電流工は多く流れるようになっており、遅延
時間の変動は小さくなる。
３の’Ｖ＋ Ｉ特性を示している。これより、温度が
高くなると電流工は多く流れるようになっており、遅延
時間の変動は小さくなる。
以上説明したように本発明は定電流源としてのＭＯＳト
ランジスタの寸法（デイメンジョン）だけを調整するこ
とにより簡単に温度補償できるという効果がある。
ランジスタの寸法（デイメンジョン）だけを調整するこ
とにより簡単に温度補償できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例であるフンパレータの回路図
、第２図は第１図に示したコンパレータのトランジスタ
Ｍｌｌと抵抗Ｒの電圧電流特性（ＶＩ Ｉ特性）を示
した図、第３図は本発明の他の実施例であるコンパレー
タの回路図、第４図は第３図に示したコンパレータのト
ランジスタＭ１と抵抗Ｒの電圧電流特性（Ｖ−Ｉ特性）
を示した図、第５図は従来の温度補償用回路を示した回
路図である。 Ｍｌｌ〜Ｍｌ ８．Ｍ３１〜Ｍ３８・・・・・・ＦＥＴ
。 Ｒ１，Ｒｓ・・・・・・抵抗。 代理人 弁理士 内 原 音 生 ｌ 団 ＄ ２ 図 茅 ３’ａ 弗 ４ 図 ＄５ＷＪ
、第２図は第１図に示したコンパレータのトランジスタ
Ｍｌｌと抵抗Ｒの電圧電流特性（ＶＩ Ｉ特性）を示
した図、第３図は本発明の他の実施例であるコンパレー
タの回路図、第４図は第３図に示したコンパレータのト
ランジスタＭ１と抵抗Ｒの電圧電流特性（Ｖ−Ｉ特性）
を示した図、第５図は従来の温度補償用回路を示した回
路図である。 Ｍｌｌ〜Ｍｌ ８．Ｍ３１〜Ｍ３８・・・・・・ＦＥＴ
。 Ｒ１，Ｒｓ・・・・・・抵抗。 代理人 弁理士 内 原 音 生 ｌ 団 ＄ ２ 図 茅 ３’ａ 弗 ４ 図 ＄５ＷＪ
Claims (1)
- ＭＯＳ集積回路内の所定のＭＯＳトランジスタに流れ
る電流の温度補償を担う回路がＭＯＳ型トランジスタと
抵抗とを直列に接続した回路を有して構成されることを
特徴とする半導体集積回路
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041161A JPH01215114A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041161A JPH01215114A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215114A true JPH01215114A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12600700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041161A Pending JPH01215114A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215114A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177062A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 差動形電流源回路 |
| JP2006060977A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Renesas Technology Corp | 電源制御用半導体集積回路およびスイッチング電源装置 |
| JP2006352741A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nec Electronics Corp | デッドタイム制御回路 |
| JP2008524962A (ja) * | 2004-12-21 | 2008-07-10 | アクテル・コーポレイシヨン | 電圧補償及び温度補償されたｒｃ発振回路 |
| JP2013183268A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Denso Corp | コンパレータ |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63041161A patent/JPH01215114A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177062A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 差動形電流源回路 |
| JP2006060977A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Renesas Technology Corp | 電源制御用半導体集積回路およびスイッチング電源装置 |
| JP2008524962A (ja) * | 2004-12-21 | 2008-07-10 | アクテル・コーポレイシヨン | 電圧補償及び温度補償されたｒｃ発振回路 |
| JP2006352741A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nec Electronics Corp | デッドタイム制御回路 |
| JP2013183268A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Denso Corp | コンパレータ |
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