JPH01219099A - Ｂｉ↓１↓２ＧｅＯ↓２↓０単結晶の熱処理方法 - Google Patents
Ｂｉ↓１↓２ＧｅＯ↓２↓０単結晶の熱処理方法Info
- Publication number
- JPH01219099A JPH01219099A JP4449388A JP4449388A JPH01219099A JP H01219099 A JPH01219099 A JP H01219099A JP 4449388 A JP4449388 A JP 4449388A JP 4449388 A JP4449388 A JP 4449388A JP H01219099 A JPH01219099 A JP H01219099A
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- JP
- Japan
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- heat treatment
- single crystal
- crystal
- temperature
- bi12geo20
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、音速の小さい表面弾性波用材料として知られ
るＢｉ１２ＧｅＯ２０（以下ＢＧＯと呼ぶ）単結晶の熱
処理方法に関するものである。
るＢｉ１２ＧｅＯ２０（以下ＢＧＯと呼ぶ）単結晶の熱
処理方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、ＢＧＯは通常の引上法（チョクラルスキー法）に
よって育成した後に切断し、研磨し、電極作成する等の
加工工程を経て、表面弾性波用素子となる。しかし、こ
の結晶は、結晶生成時の歪みが結晶内に残存していると
、切断、研磨工程における機械的衝撃あるいは、熱衝撃
に敏感で有るため、クラックが発生しやすく、歩留り低
下の原因と成っている。また、このような結晶育成によ
る歪みを除去す−るため、結晶育成後の加工前に熱処理
を行う方法が通常行われている。
よって育成した後に切断し、研磨し、電極作成する等の
加工工程を経て、表面弾性波用素子となる。しかし、こ
の結晶は、結晶生成時の歪みが結晶内に残存していると
、切断、研磨工程における機械的衝撃あるいは、熱衝撃
に敏感で有るため、クラックが発生しやすく、歩留り低
下の原因と成っている。また、このような結晶育成によ
る歪みを除去す−るため、結晶育成後の加工前に熱処理
を行う方法が通常行われている。
一般に、この歪み除去のための熱処理は、結晶の融点に
近いほど効果があることが知られており、ＢＧＯ単結晶
においても融点９３０℃に対して８５０〜９００℃の範
囲内の温度での熱処理が行われている。
近いほど効果があることが知られており、ＢＧＯ単結晶
においても融点９３０℃に対して８５０〜９００℃の範
囲内の温度での熱処理が行われている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、結晶内に残存する歪みを除去する目的で
行った熱処理によってもクラックが発生する事があり、
特に直径３インチ以上の大口径結晶において顕著であっ
た。
行った熱処理によってもクラックが発生する事があり、
特に直径３インチ以上の大口径結晶において顕著であっ
た。
本発明の技術的課題は、上述の欠点を除き、結晶の熱処
理工程及び加工工程においてクラックの発生しないＢＧ
Ｏ単結晶の熱処理方法を提供することにある。
理工程及び加工工程においてクラックの発生しないＢＧ
Ｏ単結晶の熱処理方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、Ｂ ｉ １２Ｇ ｅ ０２０単結晶を
実質的に７００〜７８０℃の範囲内の温度で加熱するこ
とを特徴とするＢｉ１２ＧｅＯ□。単結晶の熱処理方法
かえられる。
実質的に７００〜７８０℃の範囲内の温度で加熱するこ
とを特徴とするＢｉ１２ＧｅＯ□。単結晶の熱処理方法
かえられる。
本発明において熱処理温度を７００〜７８０℃としたの
は、固相を生成する７００’Ｃ以下の範囲の温度におい
ては、単結晶育成の際の歪みを除去するには、温度保持
時間を長時間要し実用的でない。また、７８０℃以上の
範囲の温度において準安定相を生成する領域があり、こ
の領域を通過する熱処理が施されると、結晶内に残存す
る微少領域での組成のずれ等による歪みが増大し、クラ
ックや加工工程でクラックを発生するからである。
は、固相を生成する７００’Ｃ以下の範囲の温度におい
ては、単結晶育成の際の歪みを除去するには、温度保持
時間を長時間要し実用的でない。また、７８０℃以上の
範囲の温度において準安定相を生成する領域があり、こ
の領域を通過する熱処理が施されると、結晶内に残存す
る微少領域での組成のずれ等による歪みが増大し、クラ
ックや加工工程でクラックを発生するからである。
［実施例〕
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
直径８５ｍ＋、長さ２００ ｍ＋のＢＧＯ単結晶を通常
の引上法で育成したのち、熱処理炉内にて加熱処理を行
なった。熱処理条件は６２０〜９００℃の範囲内の一定
温度で行い熱処理時の昇温速度は、結晶への熱ショック
を防止するため共に２０℃／■「程度の大きさで行った
。さらに、熱処理後、通常の方法により、切断、研磨を
行った。
の引上法で育成したのち、熱処理炉内にて加熱処理を行
なった。熱処理条件は６２０〜９００℃の範囲内の一定
温度で行い熱処理時の昇温速度は、結晶への熱ショック
を防止するため共に２０℃／■「程度の大きさで行った
。さらに、熱処理後、通常の方法により、切断、研磨を
行った。
第１図は、ＢＧＯ単結晶の６００〜９００℃の範囲内の
温度で熱処理を行った時のクラック発生率を示す、この
図において、曲線１１は、熱処理でのクラック発生率、
曲線１２は、加工工程でのクラック発生率を示している
。第１図から明らかな通り、８２０℃以上の熱処理温度
にて、４０％以上のＢＧＯ単結晶が熱処理によってクラ
ックが発生した。また６６０℃以下の熱処理温度におい
ては、熱処理によるクラックが発生しな、７００〜７８
０℃の範囲内の温度においては、熱処理によるクラック
は発生せず、加工工程においてもクラックの発生率は１
０％以下と良好であり、更に切断方法を改善することに
よってクラックの発生を抑えることが可能である。
温度で熱処理を行った時のクラック発生率を示す、この
図において、曲線１１は、熱処理でのクラック発生率、
曲線１２は、加工工程でのクラック発生率を示している
。第１図から明らかな通り、８２０℃以上の熱処理温度
にて、４０％以上のＢＧＯ単結晶が熱処理によってクラ
ックが発生した。また６６０℃以下の熱処理温度におい
ては、熱処理によるクラックが発生しな、７００〜７８
０℃の範囲内の温度においては、熱処理によるクラック
は発生せず、加工工程においてもクラックの発生率は１
０％以下と良好であり、更に切断方法を改善することに
よってクラックの発生を抑えることが可能である。
第２図は、Ｂ ｉ ２０ｘ’ Ｇｅ０ｔ系の状態図で
ある。この図において、直線２１は、ＢＧＯ単結晶のス
トイキオメトリツク組成である。この組成において、７
８０〜８２０℃の温度範囲内において７８０℃以下では
特に問題となる相は無い０図中、斜線部１で示した７８
０℃〜８２０℃の範囲に準安定相と呼ばれる領域が見ら
れる。熱処理の際には、この領域を通過することによっ
て、結晶内に残存する微小領域での組成のずれ等による
歪みは、この準安定相内で増大する方向へと変動し、ク
ラックの発生の引金となることが判明した。この第２図
からも明らかなように、７８０℃を越える温度の熱処理
がクラック発生の原因となることがわかり、これは第１
図の結果とよく一致する。
ある。この図において、直線２１は、ＢＧＯ単結晶のス
トイキオメトリツク組成である。この組成において、７
８０〜８２０℃の温度範囲内において７８０℃以下では
特に問題となる相は無い０図中、斜線部１で示した７８
０℃〜８２０℃の範囲に準安定相と呼ばれる領域が見ら
れる。熱処理の際には、この領域を通過することによっ
て、結晶内に残存する微小領域での組成のずれ等による
歪みは、この準安定相内で増大する方向へと変動し、ク
ラックの発生の引金となることが判明した。この第２図
からも明らかなように、７８０℃を越える温度の熱処理
がクラック発生の原因となることがわかり、これは第１
図の結果とよく一致する。
尚、実施例においては、直径８５面、長さ２００ｍのＢ
ＧＯ単結晶の熱処理のクラック発生率について調べたが
、ＢＧＯ単結晶の径は小なるにしたがってクラックの発
生率は減少する傾向を示し、特に直径３０關程度のＢＧ
Ｏ単結晶においては、数％以上クラツクの発生率が減少
する。また温度保持時間を長くすることにより、７００
℃以下の熱処理温度でも加工工程でのクラック発生率を
減少させる事が可能である。
ＧＯ単結晶の熱処理のクラック発生率について調べたが
、ＢＧＯ単結晶の径は小なるにしたがってクラックの発
生率は減少する傾向を示し、特に直径３０關程度のＢＧ
Ｏ単結晶においては、数％以上クラツクの発生率が減少
する。また温度保持時間を長くすることにより、７００
℃以下の熱処理温度でも加工工程でのクラック発生率を
減少させる事が可能である。
［発明の効果］
以上のべたとおり、本発明によれば、ＢＧＯ単結晶を育
成後７００〜７８０℃の範囲内の温度で加熱処理するこ
とにより、この熱処理工程及び熱処理工程に続く加工工
程においても、クラックを発生しないＢＧＯ単結晶の熱
処理方法が提供できる。
成後７００〜７８０℃の範囲内の温度で加熱処理するこ
とにより、この熱処理工程及び熱処理工程に続く加工工
程においても、クラックを発生しないＢＧＯ単結晶の熱
処理方法が提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係わるＢｉ、’２Ｇ６０２
０単結晶の熱処理方法の温度とクラック発生率との関係
を示す図、第２図は本発明の一実施例に係わるＢ ｉ
２０ ｓ Ｇ ｅ Ｏ２系の状態図である。 図中１は準安定相、２は液晶、３及び３′は固相、１４
ハＢ ｉ ２０３ｆ）融点、１５は共晶点、１６は融点
、２１はストイキオメトリツク組成を示す。
０単結晶の熱処理方法の温度とクラック発生率との関係
を示す図、第２図は本発明の一実施例に係わるＢ ｉ
２０ ｓ Ｇ ｅ Ｏ２系の状態図である。 図中１は準安定相、２は液晶、３及び３′は固相、１４
ハＢ ｉ ２０３ｆ）融点、１５は共晶点、１６は融点
、２１はストイキオメトリツク組成を示す。
Claims (1)
- １、Ｂｉ＿１＿２ＧｅＯ＿２＿０単結晶を実質的に７０
０〜７８０℃の範囲内の温度で加熱することを特徴とす
るＢｉ＿１＿２ＧｅＯ＿２＿０単結晶の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4449388A JPH0678200B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Ｂｉ▲下１▼▲下２▼ＧｅＯ▲下２▼▲下０▼単結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4449388A JPH0678200B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Ｂｉ▲下１▼▲下２▼ＧｅＯ▲下２▼▲下０▼単結晶の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219099A true JPH01219099A (ja) | 1989-09-01 |
| JPH0678200B2 JPH0678200B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=12693079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4449388A Expired - Fee Related JPH0678200B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Ｂｉ▲下１▼▲下２▼ＧｅＯ▲下２▼▲下０▼単結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678200B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107268086A (zh) * | 2016-04-06 | 2017-10-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4449388A patent/JPH0678200B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107268086A (zh) * | 2016-04-06 | 2017-10-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678200B2 (ja) | 1994-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |