JPH01219574A - Method and device for measuring characteristic of laser diode - Google Patents

Method and device for measuring characteristic of laser diode

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JPH01219574A
JPH01219574A JP63045029A JP4502988A JPH01219574A JP H01219574 A JPH01219574 A JP H01219574A JP 63045029 A JP63045029 A JP 63045029A JP 4502988 A JP4502988 A JP 4502988A JP H01219574 A JPH01219574 A JP H01219574A
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JP
Japan
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laser diode
switch
measured
diode
diodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP63045029A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Kasahara
笠原 征夫
Hidehiko Negishi
根岸 英彦
Shinichi Wakabayashi
信一 若林
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To securely protect a laser diode against a surge and to shorten the required measurement time for each diode by short-circuiting both ends of the laser diode at the start and end of electric feeding. CONSTITUTION:One-terminal sides of laser diodes 11, 12..., 1N to be measured are connected to a power terminal through the 1st switch 2 of the N contact of one circuit and a protective resistor 3 and the other-terminal sides are connected mutually and connected to a power terminal 6 through a protective resistor 5. Then it is confirmed that 2nd switches 71, 72...7N connected to the diodes 11, 12..., 1N are closed and then when the diode 11 is measured, the switch 2 is switched to a contact P1 and only the switch 71 among the switches 71, 72...7N is turned off; and a driving current is increased gradually and the characteristics are measured. Then the switch 71 is turned on again after the measurement to protect the diode 11 against a surge current.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザダイオードの製造時などにおける
特性測定方法とその装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method and apparatus for measuring characteristics during the manufacture of semiconductor laser diodes.

従来の技術 半導体レーザダイオードは耐サージ特性が悪くて、数1
0m A〜数100mAのサージで簡単に破壊されてし
まう、そのため従来では、測定すべきし−ザダイオード
を特性測定に必要な電流源に接続して直ちに測定を開始
するようなことはせずに、徐々に電流値を増加させて必
要電流を流して特性を測定し、特性の測定後は徐々に電
流値を減少させて、サージの影響を受けない電流値まで
減少させてからレーザダイオードを電流源から取り外す
ようにして特性の測定が行われている。
Conventional technology semiconductor laser diodes have poor surge resistance characteristics,
It is easily destroyed by a surge of 0 mA to several 100 mA, so in the past, the diode should be measured without connecting it to the current source necessary for characteristic measurement and immediately starting measurement. , measure the characteristics by gradually increasing the current value and passing the required current, and after measuring the characteristics, gradually decrease the current value until it reaches a current value that is not affected by surges, and then reduce the laser diode current. Characteristics are measured by removing it from the source.

発明が解決しようとする課題 このような従来の特性測定方法では、1個のレーザダイ
オードの測定に際して電流値を徐々に増加させ、徐々に
減少させる関係上、測定の所要時間が長くなり、多数の
レーザダイオードの特性測定には適さないものである。
Problems to be Solved by the Invention In such a conventional characteristic measuring method, the current value is gradually increased and then gradually decreased when measuring one laser diode, which increases the time required for measurement and requires multiple measurements. It is not suitable for measuring the characteristics of laser diodes.

本発明はレーザダイオードをサージから保護することが
でき、しかも1個当りの測定の所要時間を従来よりも短
縮することができる特性測定方法ならびにその装置を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a characteristic measuring method and apparatus that can protect laser diodes from surges and shorten the time required for measuring each laser diode compared to the conventional method.

課題を解決するための手段 本発明のレーザダイオードの特性測定方法は、測定すべ
き複数個のレーザダイオードの両端をそれぞれ短絡回路
で短絡しておき、測定を実行するレーザダイオードとそ
のレーザダイオードに接続された前記短絡回路との並列
回路に通電し、その後に測定を実行するレーザダイオー
ドに接続されている前記短絡回路だけを開状態に切り換
えて特性を測定し、測定終了時には通電をオフするに先
立ってそのレーザダイオードに接続されている前記短絡
回路を閉状態に戻して、レーザダイオードをサージ電流
から保護することを特徴とする。
Means for Solving the Problems The laser diode characteristic measuring method of the present invention short-circuits both ends of a plurality of laser diodes to be measured with a short circuit, and connects the laser diode to the laser diode to be measured. energize the parallel circuit with the short-circuit that was connected to the laser diode, and then measure the characteristics by switching only the short-circuit connected to the laser diode to the open state, and at the end of the measurement, before turning off the energization. The short circuit connected to the laser diode is then returned to a closed state to protect the laser diode from surge current.

本発明の特性測定装置は、測定すべき複数個のレーザダ
イオードの中から通電すべきレーザダイオードを選択す
る第1のスイッチと、前記複数個のレーザダイオードに
それぞれ並列接続された複数個の第2のスイッチとを設
けたことを特徴とする。
The characteristic measuring device of the present invention includes a first switch for selecting a laser diode to be energized from among a plurality of laser diodes to be measured, and a plurality of second switches connected in parallel to the plurality of laser diodes, respectively. It is characterized by being equipped with a switch.

また、本発明の特性測定装置は、測定すべき複数個のレ
ーザダイオードの中から通電すべきレーザダイオードを
選択する第1のスイッチと、前記複数個のレーザダイオ
ードにそれぞれ並列接続された複数個の第2のスイッチ
と、第1のスイッチで通電状態になったレーザダイオー
ドに介装された第2のスイッチを所定時間だけ遅れてオ
ープン状態に切り換える制御器とを設けたことを特徴と
する。
Further, the characteristic measuring device of the present invention includes a first switch for selecting a laser diode to be energized from among a plurality of laser diodes to be measured, and a plurality of switches connected in parallel to each of the plurality of laser diodes. The present invention is characterized in that it is provided with a second switch and a controller that switches the second switch interposed in the laser diode that is energized by the first switch to an open state after a predetermined time delay.

作用 この特性測定方法によると、レーザダイオードに通電す
る開始時と終了時には、レーザダイオードの両端は短絡
回路によって短絡されており、特性の測定中に短絡回路
が開かれる。
According to this characteristic measuring method, both ends of the laser diode are short-circuited by a short circuit at the start and end of energizing the laser diode, and the short circuit is opened during characteristic measurement.

第1、第2のスイッチを使用した特性測定装置によると
、レーザダイオードへの通電開始時と終了時には、レー
ザダイオードの両端が第2のスイッチで短絡されている
。別のレーザダイオードの測定においては第1のスイッ
チによって通電回路を切り換える。
According to the characteristic measuring device using the first and second switches, both ends of the laser diode are short-circuited by the second switch when starting and ending energization of the laser diode. When measuring another laser diode, the energizing circuit is switched by the first switch.

第1、第2のスイッチならびに制御器を使用した特性測
定装置によると、第1のスイッチの切り換え操作に連動
して第2のスイッチが制御器によって自動的に開閉され
る。
According to the characteristic measuring device using the first and second switches and the controller, the second switch is automatically opened and closed by the controller in conjunction with the switching operation of the first switch.

実施例 以下、本発明の特性測定方法を具体的な実施例に基づい
て説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the characteristic measuring method of the present invention will be explained based on specific examples.

第1図は本発明の特性測定方法を実施する特性測定装置
を示す、測定すべき複数の半導体レーザダイオード〔以
下、ダイオードと称す〕11゜12・・・、INの一端
、ここではカソードには、1回路N接点の第1のスイッ
チ2と保護抵抗器3とを介して、電流源に接続される電
源端子4に接続されている。ダイオード11〜INの他
端のアノードは互いに接続して、保護抵抗器5を介して
電源端子6に接続されている。ダイオード11〜INの
各両端には、それぞれ第2のスイッチ71゜72・・・
7Nが並列接続されている。
FIG. 1 shows a characteristic measuring device for carrying out the characteristic measuring method of the present invention, in which a plurality of semiconductor laser diodes (hereinafter referred to as diodes) to be measured (hereinafter referred to as diodes) 11°, 12..., one end of IN, here the cathode is , is connected to a power supply terminal 4 connected to a current source via a first switch 2 with one circuit N contacts and a protective resistor 3. The anodes at the other ends of the diodes 11 to IN are connected to each other and connected to a power supply terminal 6 via a protective resistor 5. Second switches 71, 72, . . . are connected to both ends of the diodes 11 to IN, respectively.
7N are connected in parallel.

今、ダイオード11〜INの前記各種特性を測定する際
には、第2のスイッチ71〜7Nが閉じていることを確
認し、電源端子4.6を電流源(図示せず)に接続する
。ダイオード11〜INのうちのダイオード11を測定
する場合には、第1のスイッチ2を、ダイオード11の
カソードが接続されている接点P1に切り換えて、次に
第2のスイッチ71〜7Nのうちでダイオード11に接
続されている第2のスイッチ71だけをオフ状態とする
。その後に、電源端子4.6の間に通電し、そのときの
駆動電流値の大きさが保護抵抗器3あるいは5での電圧
降下の値によって読み取られる。この駆動電流値を零か
ら徐々に増加させると、ダイオード11は閾値電流I。
Now, when measuring the various characteristics of the diodes 11-IN, it is confirmed that the second switches 71-7N are closed, and the power supply terminal 4.6 is connected to a current source (not shown). When measuring diode 11 among diodes 11 to IN, first switch 2 is switched to contact P1 to which the cathode of diode 11 is connected, and then one of the second switches 71 to 7N is switched. Only the second switch 71 connected to the diode 11 is turned off. Thereafter, current is applied between the power supply terminals 4 and 6, and the magnitude of the drive current value at that time is read from the value of the voltage drop across the protective resistor 3 or 5. When this drive current value is gradually increased from zero, the diode 11 reaches a threshold current I.

以上で発振して発光する。このときの発光出力が光パワ
ーメータ〔図示せず〕によって測定する。このようにし
てダイオード11の電流(1)−光出力(L)特性、微
分量子効率<dL/di) 、電流−電圧特性などの各
種の特性を測定終了したのち、第2のスイッチを再びメ
イク状態としてダイオード11をサージ電流から保護す
る。
Above this, it oscillates and emits light. The light emission output at this time is measured by an optical power meter (not shown). After measuring various characteristics of the diode 11 in this way, such as the current (1) vs. optical output (L) characteristics, differential quantum efficiency <dL/di), and current vs. voltage characteristics, the second switch is closed again. As a condition, the diode 11 is protected from surge current.

第1図の実施例では短絡回路が第2のスイッチ71〜7
Nによって構成されていたが、測定待機中の半導体レー
ザダイオードのアノード・カソード間をリード線で短絡
しておき、各種の特性の測定ごとに、測定の待機中の半
導体レーザダイオードを除く測定中の半導体レーザダイ
オードに付いている前記のリード線を取り外し、1つの
半導体レーザダイオードの測定が終了すると、測定に際
して取り外したリード線を再び短絡状態に戻して、順々
に各半導体レーザダイオードの特性を測定することによ
っても、本発明の特性測定方法を実施できる。
In the embodiment of FIG. 1, the short circuit is connected to the second switch 71-7.
However, the anode and cathode of the semiconductor laser diode that is waiting for measurement is short-circuited with a lead wire, and after each measurement of various characteristics, the semiconductor laser diode that is being measured except for the semiconductor laser diode that is waiting for measurement is Once the lead wires attached to the semiconductor laser diodes are removed and the measurement of one semiconductor laser diode is completed, the lead wires that were removed during the measurement are shorted again and the characteristics of each semiconductor laser diode are measured in turn. The characteristic measuring method of the present invention can also be carried out by doing the following.

第2図は本発明の特性方法を実施する別の実施例を示す
もので、第1図と同様の作用をなすものには同一の符号
を付けて説明する。なお、説明の簡単化のために1ケの
半導体レーザダイオードについて示しである。
FIG. 2 shows another embodiment for carrying out the characteristic method of the present invention, and parts having the same functions as those in FIG. 1 are given the same reference numerals and will be explained. Note that for the sake of simplicity of explanation, only one semiconductor laser diode is shown.

第2図において、半導体レーザダイオード11に並列に
接続された第2のスイッチ71は手動による操作のスイ
ッチではなくて、制御信号Sによって切換えられる電子
式スイッチ81が使用されている。この電子式スイッチ
81は各電子式スイッチ81〜8N  (82〜8Nに
ついては図示せず〕ごとに設けられた制御器91〜9N
のうちの制御器91により制御される。制御器91は、
第1のスイッチ2の接点P1を介してダイオード11に
電圧が印加されたことを検出して、これよりも所定時間
〔数分の1秒程度〕だけ遅れて電子式スイッチ81への
制御信号を切り換えて、第2のスイッチ71を自動的に
オープン状態とする。第1のスイッチ2を接点P1から
他ポジションに切り換えると、制御器91は直ちに第2
のスイッチ71を自動的にメーク状態に切り換えてサー
ジから保護するように構成されている。その他のダイオ
ード12〜INに対して設けられた電子式スイッチ82
〜8Nおよび制御器92〜9Nについても上記と同様で
ある。
In FIG. 2, the second switch 71 connected in parallel to the semiconductor laser diode 11 is not a manually operated switch, but an electronic switch 81 that is switched by a control signal S. This electronic switch 81 is connected to a controller 91 to 9N provided for each electronic switch 81 to 8N (82 to 8N is not shown).
It is controlled by a controller 91 of the two. The controller 91 is
It detects that a voltage is applied to the diode 11 via the contact P1 of the first switch 2, and sends a control signal to the electronic switch 81 after a predetermined time delay (about a fraction of a second). Then, the second switch 71 is automatically opened. When the first switch 2 is switched from contact P1 to another position, the controller 91 immediately switches to the second position.
The switch 71 is automatically switched to the make state to protect it from surges. Electronic switch 82 provided for other diodes 12 to IN
-8N and controllers 92-9N are also the same as above.

このように構成したため、第1のスイッチ2の操作に連
動して電子式スイッチ81〜8Nが自動的に切り換えら
れて操作性が向上する。さらに、その構成は図示されて
いないが、前記第1のスイッチ2を各半導体レーザダイ
オード11〜INの測定の順序にしたがって自動的に切
換動作させることによって複数個の半導体レーザダイオ
ード11〜INの自動測定が可能となることは言うまで
もない。
With this configuration, the electronic switches 81 to 8N are automatically switched in conjunction with the operation of the first switch 2, improving operability. Further, although the configuration is not shown, by automatically switching the first switch 2 according to the order of measurement of each semiconductor laser diode 11 to IN, automatic switching of a plurality of semiconductor laser diodes 11 to IN is performed. Needless to say, measurement is possible.

発明の効果 以上のように本発明の特性測定方法によると、レーザダ
イオードに通電する開始時と終了時には、レーザダイオ
ードの両端が短絡回路によって短絡されているため、従
来のように徐々に電流を増加させたり、徐々に電流を減
少させたすせずともレーザダイオードをサージから確実
に保護することができ、1個当りの測定の所要時間を大
幅に短縮することができるため、多数のレーザダイオー
ドの特性の測定に適する。
Effects of the Invention As described above, according to the characteristic measuring method of the present invention, both ends of the laser diode are shorted by a short circuit at the start and end of energizing the laser diode, so the current is gradually increased as in the conventional method. Laser diodes can be reliably protected from surges even if the current is gradually reduced, and the time required to measure each laser diode can be greatly reduced. Suitable for measuring characteristics.

特性測定装置を、測定すべき複数個のレーザダイオード
の中から通電すべきレーザダイオードを選択する第1の
スイッチと、前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ
並列接続された複数個の第2のスイッチで構成すると、
第1、第2のスイッチの繰作によって半導体レーザダイ
オードをサージから保護した状態で特性を測定すること
ができ、リード線の取り外し、付は替えを手作業で行う
場合に比べて操作性の向上、ならびに測定のスピードア
ップを図ることができる。
The characteristic measuring device includes a first switch for selecting a laser diode to be energized from among a plurality of laser diodes to be measured, and a plurality of second switches connected in parallel to each of the plurality of laser diodes. When configured,
Characteristics can be measured while protecting the semiconductor laser diode from surges by repeatedly operating the first and second switches, which improves operability compared to manually removing, attaching, and replacing lead wires. , as well as speeding up the measurement.

さらに、制御器によって第2のスイッチを第1のスイッ
チの操作に連動して切り換えた場合には、上記の効果に
加えて特性の測定時の操作性がさらに向上するとともに
、半導体レーザダイオードをサージから保護する信頼性
が向上するものである。
Furthermore, when the second switch is switched in conjunction with the operation of the first switch by a controller, in addition to the above effects, operability during characteristic measurement is further improved, and the semiconductor laser diode is This improves the reliability of protection from

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の特性測定方法を実施する特性測定装置
の構成図、第2図は特性測定装置の別の実施例を示す構
成図である。 11〜IN・・・半導体レーザダイオード、2・・・第
1のスイッチ、71〜7N・・・第2のスイッチ、91
・・・制御器。 代理人   森  本  義  弘 第1図 第2図
FIG. 1 is a block diagram of a characteristic measuring apparatus for carrying out the characteristic measuring method of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the characteristic measuring apparatus. 11-IN... Semiconductor laser diode, 2... First switch, 71-7N... Second switch, 91
...Controller. Agent Yoshihiro Morimoto Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、測定すべき複数個のレーザダイオードの両端をそれ
ぞれ短絡回路で短絡しておき、測定を実行するレーザダ
イオードとそのレーザダイオードに接続された前記短絡
回路との並列回路に通電し、その後に測定を実行するレ
ーザダイオードに接続されている前記短絡回路だけを開
状態に切り換えて特性を測定し、測定終了時には通電を
オフするに先立つてそのレーザダイオードに接続されて
いる前記短絡回路を閉状態に戻して、レーザダイオード
をサージ電流から保護するレーザダイオードの特性測定
方法。 2、測定すべき複数個のレーザダイオードの中から通電
すべきレーザダイオードを選択する第1のスイッチと、
前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ並列接続され
た複数個の第2のスイッチとを設けたレーザダイオード
の特性測定装置。 3、測定すべき複数個のレーザダイオードの中から通電
すべきレーザダイオードを選択する第1のスイッチと、
前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ並列接続され
た複数個の第2のスイッチと、第1のスイッチで通電状
態になったレーザダイオードに介装された第2のスイッ
チを所定時間だけ遅れてオープン状態に切り換える制御
器とを設けたレーザダイオードの特性測定装置。
[Claims] 1. Both ends of a plurality of laser diodes to be measured are each short-circuited with a short circuit, and the laser diode to be measured is connected to a parallel circuit with the short circuit connected to the laser diode. The short circuit connected to the laser diode that is energized and then connected to the laser diode to be measured is then switched to an open state to measure the characteristics, and at the end of the measurement, the short circuit connected to the laser diode is turned off. A method for measuring the characteristics of a laser diode that closes the short circuit and protects the laser diode from surge current. 2. A first switch that selects a laser diode to be energized from among a plurality of laser diodes to be measured;
A laser diode characteristic measuring device comprising: a plurality of second switches connected in parallel to each of the plurality of laser diodes. 3. A first switch for selecting a laser diode to be energized from among a plurality of laser diodes to be measured;
A plurality of second switches each connected in parallel to the plurality of laser diodes, and a second switch interposed in the laser diode energized by the first switch are opened after a predetermined time delay. A laser diode characteristic measuring device equipped with a controller that switches to
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008520113A (en) * 2004-11-15 2008-06-12 インテル コーポレイション Method for measuring VCSEL reverse bias leakage in an optical module

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