JPH01219574A - レーザダイオードの特性測定方法とその装置 - Google Patents
レーザダイオードの特性測定方法とその装置Info
- Publication number
- JPH01219574A JPH01219574A JP63045029A JP4502988A JPH01219574A JP H01219574 A JPH01219574 A JP H01219574A JP 63045029 A JP63045029 A JP 63045029A JP 4502988 A JP4502988 A JP 4502988A JP H01219574 A JPH01219574 A JP H01219574A
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- JP
- Japan
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- laser diode
- switch
- measured
- diode
- diodes
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザダイオードの製造時などにおける
特性測定方法とその装置に関するものである。
特性測定方法とその装置に関するものである。
従来の技術
半導体レーザダイオードは耐サージ特性が悪くて、数１
０ｍ Ａ〜数１００ｍＡのサージで簡単に破壊されてし
まう、そのため従来では、測定すべきし−ザダイオード
を特性測定に必要な電流源に接続して直ちに測定を開始
するようなことはせずに、徐々に電流値を増加させて必
要電流を流して特性を測定し、特性の測定後は徐々に電
流値を減少させて、サージの影響を受けない電流値まで
減少させてからレーザダイオードを電流源から取り外す
ようにして特性の測定が行われている。
０ｍ Ａ〜数１００ｍＡのサージで簡単に破壊されてし
まう、そのため従来では、測定すべきし−ザダイオード
を特性測定に必要な電流源に接続して直ちに測定を開始
するようなことはせずに、徐々に電流値を増加させて必
要電流を流して特性を測定し、特性の測定後は徐々に電
流値を減少させて、サージの影響を受けない電流値まで
減少させてからレーザダイオードを電流源から取り外す
ようにして特性の測定が行われている。
発明が解決しようとする課題
このような従来の特性測定方法では、１個のレーザダイ
オードの測定に際して電流値を徐々に増加させ、徐々に
減少させる関係上、測定の所要時間が長くなり、多数の
レーザダイオードの特性測定には適さないものである。
オードの測定に際して電流値を徐々に増加させ、徐々に
減少させる関係上、測定の所要時間が長くなり、多数の
レーザダイオードの特性測定には適さないものである。
本発明はレーザダイオードをサージから保護することが
でき、しかも１個当りの測定の所要時間を従来よりも短
縮することができる特性測定方法ならびにその装置を提
供することを目的とする。
でき、しかも１個当りの測定の所要時間を従来よりも短
縮することができる特性測定方法ならびにその装置を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明のレーザダイオードの特性測定方法は、測定すべ
き複数個のレーザダイオードの両端をそれぞれ短絡回路
で短絡しておき、測定を実行するレーザダイオードとそ
のレーザダイオードに接続された前記短絡回路との並列
回路に通電し、その後に測定を実行するレーザダイオー
ドに接続されている前記短絡回路だけを開状態に切り換
えて特性を測定し、測定終了時には通電をオフするに先
立ってそのレーザダイオードに接続されている前記短絡
回路を閉状態に戻して、レーザダイオードをサージ電流
から保護することを特徴とする。
き複数個のレーザダイオードの両端をそれぞれ短絡回路
で短絡しておき、測定を実行するレーザダイオードとそ
のレーザダイオードに接続された前記短絡回路との並列
回路に通電し、その後に測定を実行するレーザダイオー
ドに接続されている前記短絡回路だけを開状態に切り換
えて特性を測定し、測定終了時には通電をオフするに先
立ってそのレーザダイオードに接続されている前記短絡
回路を閉状態に戻して、レーザダイオードをサージ電流
から保護することを特徴とする。
本発明の特性測定装置は、測定すべき複数個のレーザダ
イオードの中から通電すべきレーザダイオードを選択す
る第１のスイッチと、前記複数個のレーザダイオードに
それぞれ並列接続された複数個の第２のスイッチとを設
けたことを特徴とする。
イオードの中から通電すべきレーザダイオードを選択す
る第１のスイッチと、前記複数個のレーザダイオードに
それぞれ並列接続された複数個の第２のスイッチとを設
けたことを特徴とする。
また、本発明の特性測定装置は、測定すべき複数個のレ
ーザダイオードの中から通電すべきレーザダイオードを
選択する第１のスイッチと、前記複数個のレーザダイオ
ードにそれぞれ並列接続された複数個の第２のスイッチ
と、第１のスイッチで通電状態になったレーザダイオー
ドに介装された第２のスイッチを所定時間だけ遅れてオ
ープン状態に切り換える制御器とを設けたことを特徴と
する。
ーザダイオードの中から通電すべきレーザダイオードを
選択する第１のスイッチと、前記複数個のレーザダイオ
ードにそれぞれ並列接続された複数個の第２のスイッチ
と、第１のスイッチで通電状態になったレーザダイオー
ドに介装された第２のスイッチを所定時間だけ遅れてオ
ープン状態に切り換える制御器とを設けたことを特徴と
する。
作用
この特性測定方法によると、レーザダイオードに通電す
る開始時と終了時には、レーザダイオードの両端は短絡
回路によって短絡されており、特性の測定中に短絡回路
が開かれる。
る開始時と終了時には、レーザダイオードの両端は短絡
回路によって短絡されており、特性の測定中に短絡回路
が開かれる。
第１、第２のスイッチを使用した特性測定装置によると
、レーザダイオードへの通電開始時と終了時には、レー
ザダイオードの両端が第２のスイッチで短絡されている
。別のレーザダイオードの測定においては第１のスイッ
チによって通電回路を切り換える。
、レーザダイオードへの通電開始時と終了時には、レー
ザダイオードの両端が第２のスイッチで短絡されている
。別のレーザダイオードの測定においては第１のスイッ
チによって通電回路を切り換える。
第１、第２のスイッチならびに制御器を使用した特性測
定装置によると、第１のスイッチの切り換え操作に連動
して第２のスイッチが制御器によって自動的に開閉され
る。
定装置によると、第１のスイッチの切り換え操作に連動
して第２のスイッチが制御器によって自動的に開閉され
る。
実施例
以下、本発明の特性測定方法を具体的な実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明の特性測定方法を実施する特性測定装置
を示す、測定すべき複数の半導体レーザダイオード〔以
下、ダイオードと称す〕１１゜１２・・・、ＩＮの一端
、ここではカソードには、１回路Ｎ接点の第１のスイッ
チ２と保護抵抗器３とを介して、電流源に接続される電
源端子４に接続されている。ダイオード１１〜ＩＮの他
端のアノードは互いに接続して、保護抵抗器５を介して
電源端子６に接続されている。ダイオード１１〜ＩＮの
各両端には、それぞれ第２のスイッチ７１゜７２・・・
７Ｎが並列接続されている。
を示す、測定すべき複数の半導体レーザダイオード〔以
下、ダイオードと称す〕１１゜１２・・・、ＩＮの一端
、ここではカソードには、１回路Ｎ接点の第１のスイッ
チ２と保護抵抗器３とを介して、電流源に接続される電
源端子４に接続されている。ダイオード１１〜ＩＮの他
端のアノードは互いに接続して、保護抵抗器５を介して
電源端子６に接続されている。ダイオード１１〜ＩＮの
各両端には、それぞれ第２のスイッチ７１゜７２・・・
７Ｎが並列接続されている。
今、ダイオード１１〜ＩＮの前記各種特性を測定する際
には、第２のスイッチ７１〜７Ｎが閉じていることを確
認し、電源端子４．６を電流源（図示せず）に接続する
。ダイオード１１〜ＩＮのうちのダイオード１１を測定
する場合には、第１のスイッチ２を、ダイオード１１の
カソードが接続されている接点Ｐ１に切り換えて、次に
第２のスイッチ７１〜７Ｎのうちでダイオード１１に接
続されている第２のスイッチ７１だけをオフ状態とする
。その後に、電源端子４．６の間に通電し、そのときの
駆動電流値の大きさが保護抵抗器３あるいは５での電圧
降下の値によって読み取られる。この駆動電流値を零か
ら徐々に増加させると、ダイオード１１は閾値電流Ｉ。
には、第２のスイッチ７１〜７Ｎが閉じていることを確
認し、電源端子４．６を電流源（図示せず）に接続する
。ダイオード１１〜ＩＮのうちのダイオード１１を測定
する場合には、第１のスイッチ２を、ダイオード１１の
カソードが接続されている接点Ｐ１に切り換えて、次に
第２のスイッチ７１〜７Ｎのうちでダイオード１１に接
続されている第２のスイッチ７１だけをオフ状態とする
。その後に、電源端子４．６の間に通電し、そのときの
駆動電流値の大きさが保護抵抗器３あるいは５での電圧
降下の値によって読み取られる。この駆動電流値を零か
ら徐々に増加させると、ダイオード１１は閾値電流Ｉ。
以上で発振して発光する。このときの発光出力が光パワ
ーメータ〔図示せず〕によって測定する。このようにし
てダイオード１１の電流（１）−光出力（Ｌ）特性、微
分量子効率＜ｄＬ／ｄｉ） 、電流−電圧特性などの各
種の特性を測定終了したのち、第２のスイッチを再びメ
イク状態としてダイオード１１をサージ電流から保護す
る。
ーメータ〔図示せず〕によって測定する。このようにし
てダイオード１１の電流（１）−光出力（Ｌ）特性、微
分量子効率＜ｄＬ／ｄｉ） 、電流−電圧特性などの各
種の特性を測定終了したのち、第２のスイッチを再びメ
イク状態としてダイオード１１をサージ電流から保護す
る。
第１図の実施例では短絡回路が第２のスイッチ７１〜７
Ｎによって構成されていたが、測定待機中の半導体レー
ザダイオードのアノード・カソード間をリード線で短絡
しておき、各種の特性の測定ごとに、測定の待機中の半
導体レーザダイオードを除く測定中の半導体レーザダイ
オードに付いている前記のリード線を取り外し、１つの
半導体レーザダイオードの測定が終了すると、測定に際
して取り外したリード線を再び短絡状態に戻して、順々
に各半導体レーザダイオードの特性を測定することによ
っても、本発明の特性測定方法を実施できる。
Ｎによって構成されていたが、測定待機中の半導体レー
ザダイオードのアノード・カソード間をリード線で短絡
しておき、各種の特性の測定ごとに、測定の待機中の半
導体レーザダイオードを除く測定中の半導体レーザダイ
オードに付いている前記のリード線を取り外し、１つの
半導体レーザダイオードの測定が終了すると、測定に際
して取り外したリード線を再び短絡状態に戻して、順々
に各半導体レーザダイオードの特性を測定することによ
っても、本発明の特性測定方法を実施できる。
第２図は本発明の特性方法を実施する別の実施例を示す
もので、第１図と同様の作用をなすものには同一の符号
を付けて説明する。なお、説明の簡単化のために１ケの
半導体レーザダイオードについて示しである。
もので、第１図と同様の作用をなすものには同一の符号
を付けて説明する。なお、説明の簡単化のために１ケの
半導体レーザダイオードについて示しである。
第２図において、半導体レーザダイオード１１に並列に
接続された第２のスイッチ７１は手動による操作のスイ
ッチではなくて、制御信号Ｓによって切換えられる電子
式スイッチ８１が使用されている。この電子式スイッチ
８１は各電子式スイッチ８１〜８Ｎ （８２〜８Ｎに
ついては図示せず〕ごとに設けられた制御器９１〜９Ｎ
のうちの制御器９１により制御される。制御器９１は、
第１のスイッチ２の接点Ｐ１を介してダイオード１１に
電圧が印加されたことを検出して、これよりも所定時間
〔数分の１秒程度〕だけ遅れて電子式スイッチ８１への
制御信号を切り換えて、第２のスイッチ７１を自動的に
オープン状態とする。第１のスイッチ２を接点Ｐ１から
他ポジションに切り換えると、制御器９１は直ちに第２
のスイッチ７１を自動的にメーク状態に切り換えてサー
ジから保護するように構成されている。その他のダイオ
ード１２〜ＩＮに対して設けられた電子式スイッチ８２
〜８Ｎおよび制御器９２〜９Ｎについても上記と同様で
ある。
接続された第２のスイッチ７１は手動による操作のスイ
ッチではなくて、制御信号Ｓによって切換えられる電子
式スイッチ８１が使用されている。この電子式スイッチ
８１は各電子式スイッチ８１〜８Ｎ （８２〜８Ｎに
ついては図示せず〕ごとに設けられた制御器９１〜９Ｎ
のうちの制御器９１により制御される。制御器９１は、
第１のスイッチ２の接点Ｐ１を介してダイオード１１に
電圧が印加されたことを検出して、これよりも所定時間
〔数分の１秒程度〕だけ遅れて電子式スイッチ８１への
制御信号を切り換えて、第２のスイッチ７１を自動的に
オープン状態とする。第１のスイッチ２を接点Ｐ１から
他ポジションに切り換えると、制御器９１は直ちに第２
のスイッチ７１を自動的にメーク状態に切り換えてサー
ジから保護するように構成されている。その他のダイオ
ード１２〜ＩＮに対して設けられた電子式スイッチ８２
〜８Ｎおよび制御器９２〜９Ｎについても上記と同様で
ある。
このように構成したため、第１のスイッチ２の操作に連
動して電子式スイッチ８１〜８Ｎが自動的に切り換えら
れて操作性が向上する。さらに、その構成は図示されて
いないが、前記第１のスイッチ２を各半導体レーザダイ
オード１１〜ＩＮの測定の順序にしたがって自動的に切
換動作させることによって複数個の半導体レーザダイオ
ード１１〜ＩＮの自動測定が可能となることは言うまで
もない。
動して電子式スイッチ８１〜８Ｎが自動的に切り換えら
れて操作性が向上する。さらに、その構成は図示されて
いないが、前記第１のスイッチ２を各半導体レーザダイ
オード１１〜ＩＮの測定の順序にしたがって自動的に切
換動作させることによって複数個の半導体レーザダイオ
ード１１〜ＩＮの自動測定が可能となることは言うまで
もない。
発明の効果
以上のように本発明の特性測定方法によると、レーザダ
イオードに通電する開始時と終了時には、レーザダイオ
ードの両端が短絡回路によって短絡されているため、従
来のように徐々に電流を増加させたり、徐々に電流を減
少させたすせずともレーザダイオードをサージから確実
に保護することができ、１個当りの測定の所要時間を大
幅に短縮することができるため、多数のレーザダイオー
ドの特性の測定に適する。
イオードに通電する開始時と終了時には、レーザダイオ
ードの両端が短絡回路によって短絡されているため、従
来のように徐々に電流を増加させたり、徐々に電流を減
少させたすせずともレーザダイオードをサージから確実
に保護することができ、１個当りの測定の所要時間を大
幅に短縮することができるため、多数のレーザダイオー
ドの特性の測定に適する。
特性測定装置を、測定すべき複数個のレーザダイオード
の中から通電すべきレーザダイオードを選択する第１の
スイッチと、前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ
並列接続された複数個の第２のスイッチで構成すると、
第１、第２のスイッチの繰作によって半導体レーザダイ
オードをサージから保護した状態で特性を測定すること
ができ、リード線の取り外し、付は替えを手作業で行う
場合に比べて操作性の向上、ならびに測定のスピードア
ップを図ることができる。
の中から通電すべきレーザダイオードを選択する第１の
スイッチと、前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ
並列接続された複数個の第２のスイッチで構成すると、
第１、第２のスイッチの繰作によって半導体レーザダイ
オードをサージから保護した状態で特性を測定すること
ができ、リード線の取り外し、付は替えを手作業で行う
場合に比べて操作性の向上、ならびに測定のスピードア
ップを図ることができる。
さらに、制御器によって第２のスイッチを第１のスイッ
チの操作に連動して切り換えた場合には、上記の効果に
加えて特性の測定時の操作性がさらに向上するとともに
、半導体レーザダイオードをサージから保護する信頼性
が向上するものである。
チの操作に連動して切り換えた場合には、上記の効果に
加えて特性の測定時の操作性がさらに向上するとともに
、半導体レーザダイオードをサージから保護する信頼性
が向上するものである。
第１図は本発明の特性測定方法を実施する特性測定装置
の構成図、第２図は特性測定装置の別の実施例を示す構
成図である。 １１〜ＩＮ・・・半導体レーザダイオード、２・・・第
１のスイッチ、７１〜７Ｎ・・・第２のスイッチ、９１
・・・制御器。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
の構成図、第２図は特性測定装置の別の実施例を示す構
成図である。 １１〜ＩＮ・・・半導体レーザダイオード、２・・・第
１のスイッチ、７１〜７Ｎ・・・第２のスイッチ、９１
・・・制御器。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、測定すべき複数個のレーザダイオードの両端をそれ
ぞれ短絡回路で短絡しておき、測定を実行するレーザダ
イオードとそのレーザダイオードに接続された前記短絡
回路との並列回路に通電し、その後に測定を実行するレ
ーザダイオードに接続されている前記短絡回路だけを開
状態に切り換えて特性を測定し、測定終了時には通電を
オフするに先立つてそのレーザダイオードに接続されて
いる前記短絡回路を閉状態に戻して、レーザダイオード
をサージ電流から保護するレーザダイオードの特性測定
方法。 ２、測定すべき複数個のレーザダイオードの中から通電
すべきレーザダイオードを選択する第１のスイッチと、
前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ並列接続され
た複数個の第２のスイッチとを設けたレーザダイオード
の特性測定装置。 ３、測定すべき複数個のレーザダイオードの中から通電
すべきレーザダイオードを選択する第１のスイッチと、
前記複数個のレーザダイオードにそれぞれ並列接続され
た複数個の第２のスイッチと、第１のスイッチで通電状
態になったレーザダイオードに介装された第２のスイッ
チを所定時間だけ遅れてオープン状態に切り換える制御
器とを設けたレーザダイオードの特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045029A JPH01219574A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | レーザダイオードの特性測定方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045029A JPH01219574A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | レーザダイオードの特性測定方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219574A true JPH01219574A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12707908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045029A Pending JPH01219574A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | レーザダイオードの特性測定方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008520113A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-12 | インテル コーポレイション | 光モジュールにおけるｖｃｓｅｌ逆バイアスリークを測定する方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045029A patent/JPH01219574A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008520113A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-12 | インテル コーポレイション | 光モジュールにおけるｖｃｓｅｌ逆バイアスリークを測定する方法 |
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