JPH01220197A - ストライプ磁区の固定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プロッホラインメモリに関わり、プロッホラ
イン転送路となるストライプ磁区の固定方法に関する。

（従来の技術） 従来のストライプ磁区の固定方法に関しては、特許６１
−２９０８８７において述べられている。これを第５図
〜第７図に示す。

まず、ストライプ磁区保持層１の磁化をバイアス磁界１
０を加えることによって、溝４の周囲に安定化する磁区
内の磁化と同じ向きに飽和させておく。

磁区発生器８に矢印の向きの電流を与えてその磁界によ
って８の上側のエツジ１２に沿って磁区１１を発生させ
（第５図）、さらに電流を強くしてノツチ１３の中にも
磁区を発生させる（第６図）。バイアス磁界１０の絶対
値を小さくすることにより、磁区１１を溝掘り部４には
さまれた領域を通り越して磁区発生器８と反対側の領域
２１まで伸長させる。その後磁区発生器９に電流を与え
てその磁界によって、領域２１まで伸びてきた磁区１１
を切断し、溝掘り部４を取り囲む閉磁壁に囲まれた磁区
を形成する。

しかし、実験してみると、この方法では溝掘り部が平行
に並んでいる領域と溝掘り部がない領域とでバブル磁区
がストライプ磁区に変化するバイアス磁界の大きさにか
なりの違いがあり、溝掘り部領域では他の領域に比べて
バイアス磁界をもっと低くしないと、磁区が伸長しない
欠点があることがわかった。溝掘り部を含む領域で磁区
が溝と溝との間の領域を伸長するまでバイアス磁界を下
げると、溝掘り部領域の内のどれか一箇所を伸びて磁区
発生器８がある側と反対側、つまり磁区結合用の導体バ
タン９がある領域２１に出た途端にその磁区が広がって
領域２１に迷図状磁区ができてしまう（第７図）。この
ため、いま伸びた磁区に遅れて溝掘り領域を伸びてきた
磁区は迷図状磁区に邪魔されて磁区接合用の導体バタン
９の下を横切るところまで伸び出せない。したがって、
磁区発生器で一旦形成した磁区をバイアス磁界を下げる
ことによって、溝掘り領域の一方の先端部領域から他方
の先端部領域まで制御性よく伸ばすことは困難であった
。また、従未の方法ではバイアス磁界を変化させる必要
があり、プロッホラインメモリにおいてプロッホライン
転送路となるストライプ磁区を容易に形成できない欠点
があった。

（発明が解決しようとする課題） 上述の方法は多数本の磁区を安定性よく配列するために
は問題であった。本発明はこれらの欠点を取り除き、ス
トライプ磁区を安定性よく配列するための外部磁界の印
加条件を単純化できるようにしたストライプ磁区固定方
法を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 上記目的は、情報読み出し手段、情報書き込み手段およ
び情報蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直方向を磁化容易
方向とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に、少な
くとも一部に設けた帯状の溝を囲む磁壁をもつストライ
プ磁区を固定する方法において、政情の一方先端部領域
に設けた局所磁界発生手段を用いて局所磁界を発生させ
、バイアス磁界を予め所定の範囲に設定し、該先端部領
域からもう一方の先端部領域にわたる磁区を発生させる
ことによりストライプ磁区を固定することにより達成さ
れる。

（実施例） 第１図から第３図までを使ってストライプ磁区安定化の
動作例を説明する。まず、ストライプ磁区保持層の磁化
をバイアス磁界１０を加えることによって溝４の周囲に
安定化する磁区内の磁化と同じ向きに飽和させておく。

その後、磁区発生器８に矢印の向きの電流を与えてその
磁界によって第１図に１１で示す磁区を発生する。この
とき、バイアス磁界１０を予め所定の範囲にしておくこ
とが大切であり、このことによってバタンノツチ１３に
入り込んだ磁区は溝掘り部を通り越して補助溝７がある
領域にまで達する状態を、バイアス磁界一定のままで実
現できる。このバイアス磁界は、ストライプ磁区が自然
状態（局所磁界を加えない状態）で存在しうる範囲にあ
ればよい。また、磁区発生器８にはパルス状の電流を与
えることが望ましい。これは、ストライプ磁区保持層の
一旦飽和された磁化（バイアス磁界１０と同じ向き）を
局所的に反転されて形成される磁区１１（磁区１１内の
磁化はバイアス磁界１０と反対向き）を発生させるため
である。発生器８の形状としては、８の上側のエツジ１
２に沿いバタンノツチ１３に入り込んだ磁区を発生する
形状とした（第４図）。磁区は第１図に示すように溝掘
り部を通り越して補助溝７がある領域まで伸長する。そ
の後、磁区発生器９に第２図に示す矢印の向きのパルス
電流を与え、第２図に示すような磁区を形成する。これ
らの磁界によって、磁区１１は溝掘り部の両方の端部で
互いに接合し、逆に溝掘り部を取り囲む閉磁壁に囲まれ
た磁区１２が形成される。外部印加磁界を零にし、さら
にその向きを逆にし、１０で示す向きにして磁界の強さ
を増加していくと、第３図に示すように溝を取り囲む磁
壁をもつ磁区が形成される。１４は中抜き磁区、１５は
磁区外周磁壁である。

この磁区がプロッホラインメモリにおけるプロッホライ
ン対保持用に使われる。このようにして、溝４の周囲を
取り囲む磁壁によって囲まれた磁区を安定化できた。

ＧｄａＧａｓ０１２（１１１）基板上に４ｐｍバブル材
料（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）５０．２ガーネツ
ト膜を２ｐｍの厚さＬＰＥ成長した。第１図は、本発明
の方法を用いた時のストライプ磁区保持層の主要部の一
例である。

ここで、４．６．７は磁区保持層くり抜き部、１０はバ
イアス磁界である。ストライプ磁区保持層１上の磁区を
保持したい領域に溝４を、またこの溝に沿って分離した
領域をはさんで補助用の溝７を形成する。

溝４．６．７は溝を掘りたい部分に選択的にイオン注入
をした後、リン酸を使い、エツチングして形成した。で
きた溝の深さは２．１１１ｍであった。溝４は、幅３１
１ｍ、配置周期装２μｍである。その上に、ＳｉＯ□ス
ペーサ０．５ｐｍを介して、第４図に示す形状の磁区発
生器を配置した。溝４の両端部に配置した磁区発生器お
よび局所面内磁界発生用手段８．９にはパルス電流発生
器および直流電流源が各々接続され、所望の局所磁界が
印加できる。また、８．９には、１１で示す櫛形状の櫛
のめが溝部の各溝の間の領域の入り口に位置するように
、磁区を制御性よく発生でき、溝部４から伸び出した互
いに隣り合う磁区１１を縫い合わせることができるよう
に、第４図に示す形状の磁区発生器を用いた。第４図に
おいて、１２はパタンエツジ、１３はパタンのノツチで
ある。

ここでは、９に示す縫い合わせ用導体パタンのノツチ部
に補助溝７を設け、第１図に示す磁区１１の先端を制御
性よくまっすぐに伸長する構造を示しているが、補助溝
７のない場合でも本方法を用いて第１図の形状の磁区を
えられる。第１図の状態の磁区を起点にして、上述の磁
区発生から始まる一連の動作により、第３図に示す溝掘
り部４を取り囲む閉磁壁をもつ磁区１４を制御性よく形
成できた。

（発明の効果） 本発明によれば、バイアス磁界を変えることなく磁区発
生器に与えた電流のつくる局所磁界により、溝掘り部の
一端からもう片方の端まで伸びる磁区を形成できるので
、溝掘り部を囲むストライプ磁区を制御性よく形成する
ことができ、プロッホラインメモリにおけるプロッホラ
イン対の転送路を容易に形成できるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を用いた磁区保持のための主要構造の例
を示す図。第２．３図は本発明の磁区形成過程を示す図
。第４図は本発明に用いた磁区発生器の例を示す図。第
５〜７図は溝掘り部を取り囲む閉磁壁をもつ磁区安定化
法の従来法の一例を示す図。 図において、１・・・磁区保持層、４・・・磁区保持層
くり抜き部、６・・・ガード用磁区保持層くり抜き部、
７・・・補助用の磁区保持層くりぬき部、８．９・・・
磁区発生用導体パタン、１０・・・バイアス磁界、１１
・・・磁区発生器８により発生した磁区、１２・・・磁
区発生器用導体パタンのエツジ、１３・・・磁区発生用
導体パタンのノツチ、１４・・・中抜き磁区、１５・・
・磁区外周磁壁。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報読み出し手段、情報書き込み手段および情報
   蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直方向を磁化容易方向と
   する強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に、少なくとも
   一部に設けた帯状の溝を囲む磁壁をもつストライプ磁区
   を固定する方法において、該溝の一方の先端部領域に設
   けた局所磁界発生手段により局所磁界を発生させ、バイ
   アス磁界を所定の範囲に設定することにより発生する該
   先端部領域からもう一方の先端部領域にわたるストライ
   プ磁区を用いて、溝を囲む磁壁をもつストライプ磁区を
   固定することを特徴とするストライプ磁区の固定方法。
2. （２）前記局所磁界はパルス状磁界であることを特徴と
   する前記第１項記載のストライプ磁区の固定方法。