JPH01220415A - Ａｃラインフィルタ - Google Patents
ＡｃラインフィルタInfo
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- JPH01220415A JPH01220415A JP63044200A JP4420088A JPH01220415A JP H01220415 A JPH01220415 A JP H01220415A JP 63044200 A JP63044200 A JP 63044200A JP 4420088 A JP4420088 A JP 4420088A JP H01220415 A JPH01220415 A JP H01220415A
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- windings
- winding
- auxiliary
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/02—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions for non-linear operation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
- H03H7/425—Balance-balance networks
- H03H7/427—Common-mode filters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波のコモンモードノイズおよびノーマル
モードノイズを広帯域にわたり阻止するＡＣラインフィ
ルタに関するものであり、例えば高周波ウエルダなどの
高周波機器から商用電力線へ誘導し機器へ進入する４０
ＭＨｚ程度のノイズやスイッチング電源を有する機器か
：）ＡＣ線へ送出される０、 １〜数１０ＭＨｚ程度の
低周波の放射ノイズに対して特に有効である。
モードノイズを広帯域にわたり阻止するＡＣラインフィ
ルタに関するものであり、例えば高周波ウエルダなどの
高周波機器から商用電力線へ誘導し機器へ進入する４０
ＭＨｚ程度のノイズやスイッチング電源を有する機器か
：）ＡＣ線へ送出される０、 １〜数１０ＭＨｚ程度の
低周波の放射ノイズに対して特に有効である。
口従来の技術］
従来、この種のＡＣラインフィルタは、第１５図に示す
ような、円形状閉磁路コアに巻線を施すものが用いられ
ている。
ような、円形状閉磁路コアに巻線を施すものが用いられ
ている。
この第１５図およびその等価回路を示す第１６図におい
て、１，１′および２．２′は１対の巻線４゜４′の端
子であり、この図では端子１．１′には負荷Ｌ１端子２
．２′にはＡＣラインＰが接続されているものとして示
しであるが、負荷りとＡＣラインＰとを入れ替えて接続
してもよい。
て、１，１′および２．２′は１対の巻線４゜４′の端
子であり、この図では端子１．１′には負荷Ｌ１端子２
．２′にはＡＣラインＰが接続されているものとして示
しであるが、負荷りとＡＣラインＰとを入れ替えて接続
してもよい。
３は低周波数領域から所定の高周波領域まで一定値以上
の実効透磁率を有する円環状閉磁路コア、４．４′は端
子１．１′または端子２．２′から同を目で流入する高
周波のコモンモード電流に対して互いに同方向の磁束が
生じるように互いに逆方向に捲回されるとともに閉磁路
の対向する位置に設けた巻線、５．５′は端子１．１′
または端子２．２′から互いに逆相で流入する高周波の
ノーマルモード電流をバイパスさせるコンデンサ、７は
アース端子、Ｃｇは端子１．１′または端子２゜２′か
ろ同相で流入する高周波のコモンモード電流をアースに
バイパスさせるコンデンサ、Ｃ８は各巻線４．４′の入
力端と出力側の間の浮遊容量である。
の実効透磁率を有する円環状閉磁路コア、４．４′は端
子１．１′または端子２．２′から同を目で流入する高
周波のコモンモード電流に対して互いに同方向の磁束が
生じるように互いに逆方向に捲回されるとともに閉磁路
の対向する位置に設けた巻線、５．５′は端子１．１′
または端子２．２′から互いに逆相で流入する高周波の
ノーマルモード電流をバイパスさせるコンデンサ、７は
アース端子、Ｃｇは端子１．１′または端子２゜２′か
ろ同相で流入する高周波のコモンモード電流をアースに
バイパスさせるコンデンサ、Ｃ８は各巻線４．４′の入
力端と出力側の間の浮遊容量である。
上記のような構成からなる従来のＡＣラインフィルタの
高周波コモンモードノイズ電流に対する阻止特性は、ア
ース端子７をアースした通常の状態においては、巻線４
，４′の各自己インダクタンスＬとこれら巻線間の相互
インダクタンスＭとの和であるインダクタンスＬ十Ｍ
（実際上、Ｌ十Ｍ＃２Ｌである。）と、バイパスコンデ
ンサＣｇとの共振特性によって決まる。
高周波コモンモードノイズ電流に対する阻止特性は、ア
ース端子７をアースした通常の状態においては、巻線４
，４′の各自己インダクタンスＬとこれら巻線間の相互
インダクタンスＭとの和であるインダクタンスＬ十Ｍ
（実際上、Ｌ十Ｍ＃２Ｌである。）と、バイパスコンデ
ンサＣｇとの共振特性によって決まる。
しかしながら、アース端子７のアース不良や非アース時
には上記バイパスコンデンサＣｇの効果がなくなり、阻
止特性は主として上記インダクタンスのみに依存するよ
うになる。
には上記バイパスコンデンサＣｇの効果がなくなり、阻
止特性は主として上記インダクタンスのみに依存するよ
うになる。
上記のような円環状閉磁路コアに捲回された巻線の自己
インダクタンスしは、コアの透磁率をμ、コアの断面債
をＳ、巻線の巻数をＮ、平均磁路長をβとしたとき、Ｌ
−μＳＮ２／βて表されることから、インダクタンスを
大きくすることによって特性の改善を図る場合には、外
形寸法などの制約上、巻線の巻数Ｎを多くすることが行
われる。
インダクタンスしは、コアの透磁率をμ、コアの断面債
をＳ、巻線の巻数をＮ、平均磁路長をβとしたとき、Ｌ
−μＳＮ２／βて表されることから、インダクタンスを
大きくすることによって特性の改善を図る場合には、外
形寸法などの制約上、巻線の巻数Ｎを多くすることが行
われる。
しかしながら、このように巻数を増加させると巻線自体
の分布容量が増大するばかりでなく、円形状閉磁路コア
を用いていることから特にその内側において巻線の入力
側と出力側との間の距離が近くなって端子間容量Ｃｓも
増加し、これによって高域特性の低下を招くことになる
。
の分布容量が増大するばかりでなく、円形状閉磁路コア
を用いていることから特にその内側において巻線の入力
側と出力側との間の距離が近くなって端子間容量Ｃｓも
増加し、これによって高域特性の低下を招くことになる
。
このように従来のＡＣラインフィルタは、アース端子を
アースせずに使用すると、バイパスコンデンサＣｇの効
果がなくなるため特にその高域特性での雑音阻止特性が
悪化する。
アースせずに使用すると、バイパスコンデンサＣｇの効
果がなくなるため特にその高域特性での雑音阻止特性が
悪化する。
また、アース端子をアースして使用する場合であっても
、巻線の巻数を増加させたときに円形状磁路コアに捲回
した各巻線の入出力端子間に存在する端子間容量Ｃｓが
増加して高域特性が悪化する点については、アースを使
用しない場合と同嘩である。
、巻線の巻数を増加させたときに円形状磁路コアに捲回
した各巻線の入出力端子間に存在する端子間容量Ｃｓが
増加して高域特性が悪化する点については、アースを使
用しない場合と同嘩である。
第１図の原理的実施例を引用すれば、閉磁路を構成する
コア８上の対向位置に互いに逆方向に捲回された１対の
巻線４．４′を設け、これら巻線をＡＣラインとして用
いるＡＣラインフィルタにおいて、低い周波数領域にお
ける実効透磁率が上記コアより高くかつ磁路長が短い補
助コア９を上記コア８に隣接して配置し、上記１対の巻
線４゜４′のそれぞれの一部１１．１１’が上記コア８
および上記補助コア９を同時に囲むように集中的に捲回
してＡＣラインフィルタを構成した。
コア８上の対向位置に互いに逆方向に捲回された１対の
巻線４．４′を設け、これら巻線をＡＣラインとして用
いるＡＣラインフィルタにおいて、低い周波数領域にお
ける実効透磁率が上記コアより高くかつ磁路長が短い補
助コア９を上記コア８に隣接して配置し、上記１対の巻
線４゜４′のそれぞれの一部１１．１１’が上記コア８
および上記補助コア９を同時に囲むように集中的に捲回
してＡＣラインフィルタを構成した。
なお、前記の従来例に示したように、上記１対の巻線の
対応する端子１．１′および２．２′間にコンデンサ５
．５′を接続してもよく、また、ＡＣライン側の端子間
に２つのバイパスコンデンサＣｇ ｌ ＋ Ｃｇ ２を
直列に接続し、これらバイパスコンデンサＣ９，、Ｃ４
２の接続点をアースするようにしてもよいことはいうま
でもない。
対応する端子１．１′および２．２′間にコンデンサ５
．５′を接続してもよく、また、ＡＣライン側の端子間
に２つのバイパスコンデンサＣｇ ｌ ＋ Ｃｇ ２を
直列に接続し、これらバイパスコンデンサＣ９，、Ｃ４
２の接続点をアースするようにしてもよいことはいうま
でもない。
第１図の原理的実施例の動作を、端子１．１′側から同
相のコモンモードノイズ電流Ｎｃが流入したときの動作
原理を説明するための第２図、通常のＡＣ電流などのよ
うな逆相の電流、すなわちノーマルモードの電流Ｓが流
入したときの動作原理を説明するための第３図を参照し
ながら説明する。なお、同一の構成要素には各図とも同
一の符号を付しである。
相のコモンモードノイズ電流Ｎｃが流入したときの動作
原理を説明するための第２図、通常のＡＣ電流などのよ
うな逆相の電流、すなわちノーマルモードの電流Ｓが流
入したときの動作原理を説明するための第３図を参照し
ながら説明する。なお、同一の構成要素には各図とも同
一の符号を付しである。
第２図において、巻線端子１，１′から同相のコモンモ
ードノイズ電流Ｎｃが巻線に流入したときには、巻線４
を構成するこの巻線の３つの部分１０、１１．１２によ
り生じる磁束Φい、Φ２１１＋ Φ３Ｎと巻線４′を
構成するこの巻線の３つの部分１０′。
ードノイズ電流Ｎｃが巻線に流入したときには、巻線４
を構成するこの巻線の３つの部分１０、１１．１２によ
り生じる磁束Φい、Φ２１１＋ Φ３Ｎと巻線４′を
構成するこの巻線の３つの部分１０′。
１１’ 、 １２’ により生じる磁束Φ′１１．Φ′
２Ｎ、Φ′鎮とはコア８の閉磁路内で図中に矢印で示し
たように同方向に生じるので、これらの磁束は強め合っ
てコモンモードノイズ電流ＮＣに対して大きなインダク
タンスを示す。
２Ｎ、Φ′鎮とはコア８の閉磁路内で図中に矢印で示し
たように同方向に生じるので、これらの磁束は強め合っ
てコモンモードノイズ電流ＮＣに対して大きなインダク
タンスを示す。
一方、第３図：二示すように、巻線端子ｌ、１′からノ
ーマルモードのＡＣ電流Ｓがコイル巻線に流入したとき
には、巻線４を構成するこの巻線の３つの部分１０．１
１．１２により生じる磁束Φ１８．Φ２５．Φ３．と巻
線４′を構成するこの巻線の３つの部分１０’ 、 １
１’ 、 １２’により生じる磁束Φ′２．。
ーマルモードのＡＣ電流Ｓがコイル巻線に流入したとき
には、巻線４を構成するこの巻線の３つの部分１０．１
１．１２により生じる磁束Φ１８．Φ２５．Φ３．と巻
線４′を構成するこの巻線の３つの部分１０’ 、 １
１’ 、 １２’により生じる磁束Φ′２．。
Φ′２３．Φ′３．とはコア８の閉磁路内で図中に矢印
で示したように逆方向に生じるので、これらの磁束は互
いに弱めあってノーマルモードのＡＣ電流に対して小さ
なインダクタンスを示す。
で示したように逆方向に生じるので、これらの磁束は互
いに弱めあってノーマルモードのＡＣ電流に対して小さ
なインダクタンスを示す。
本発明によって設けられた補助コア９と上記コア８の双
方に集中的に捲回された巻線の部分１１゜１１′におい
ては、この補助コア９の実効透磁率、特に低い周波数領
域での実効透磁率がコア８よりも大きいため、この部分
で低い周波数成分に対して特に大きなインダクタンスを
呈して低周波数領域での特性が改善されるばかりでなく
、この原理的実施例の斜視図である第４図に示すように
、領域１２に捲回されている巻線部分１１．１１’が集
中的に捲回されるので領域β２．β３に捲回されている
他の巻線部分１０．１０’ 、 １２．１２’の巻線を
粗く捲回することができ、これらの巻線部分１０．１０
’ 。
方に集中的に捲回された巻線の部分１１゜１１′におい
ては、この補助コア９の実効透磁率、特に低い周波数領
域での実効透磁率がコア８よりも大きいため、この部分
で低い周波数成分に対して特に大きなインダクタンスを
呈して低周波数領域での特性が改善されるばかりでなく
、この原理的実施例の斜視図である第４図に示すように
、領域１２に捲回されている巻線部分１１．１１’が集
中的に捲回されるので領域β２．β３に捲回されている
他の巻線部分１０．１０’ 、 １２．１２’の巻線を
粗く捲回することができ、これらの巻線部分１０．１０
’ 。
１２、１２’の分布容量および端子間浮遊容量を減少さ
せることができる。
せることができる。
この原理的実施例の等価回路を示す第５図にはこの分布
容量および端子間浮遊容量に相当する容量Ｃ１，Ｃ２，
Ｃ３，Ｃ’ ＋、Ｃ’ ２．Ｃ’ ３を巻線の部分ごと
に示しであるが、集中的に捲回されている巻線部分１１
．１１’での分布容量Ｃ２，Ｃ’２が増加したにしても
、この容量と等価的に直列接続される巻線部分１０．１
０’ 、 １２．１２’の分布容量および端子間浮遊容
量が減少するため、端子１から端子２問および端子１′
から端子２′間の容量が著しく減少し、高い周波数領域
における周波数特性も向上する。
容量および端子間浮遊容量に相当する容量Ｃ１，Ｃ２，
Ｃ３，Ｃ’ ＋、Ｃ’ ２．Ｃ’ ３を巻線の部分ごと
に示しであるが、集中的に捲回されている巻線部分１１
．１１’での分布容量Ｃ２，Ｃ’２が増加したにしても
、この容量と等価的に直列接続される巻線部分１０．１
０’ 、 １２．１２’の分布容量および端子間浮遊容
量が減少するため、端子１から端子２問および端子１′
から端子２′間の容量が著しく減少し、高い周波数領域
における周波数特性も向上する。
なお、巻線領域の幅β１およびｌ、をβ２に比べて大き
く設定して巻線１０．１０’ 、 １２．１２’を捲回
すれば容量ＣＩ、Ｃ３がさらに減少する。
く設定して巻線１０．１０’ 、 １２．１２’を捲回
すれば容量ＣＩ、Ｃ３がさらに減少する。
また、端子１，１′ と端子２．２′間の全容量はこれ
ら容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の直列合成値となってほとんど
容量Ｃ１，Ｃ３で定まるので、たとえ巻線１１、１１’
が集中的に捲回されたことによってその容量Ｃ２が大き
くなっても高周波領域に対する影響は小さい。
ら容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の直列合成値となってほとんど
容量Ｃ１，Ｃ３で定まるので、たとえ巻線１１、１１’
が集中的に捲回されたことによってその容量Ｃ２が大き
くなっても高周波領域に対する影響は小さい。
この原理的実施例のように閉磁路が長方形状である場合
には低周波領域において漏洩磁束は増加するが、それ以
上に巻線１１．１１’の補助コアによるインダクタンス
を大きくできるので良好なインピーダンス特性を低域側
へ拡大することが可能であり、したがって、高域側およ
び低域側へこの良好なインピーダンス特性を拡大してフ
ィルタの雑音阻止特性を広帯域化することができる。
には低周波領域において漏洩磁束は増加するが、それ以
上に巻線１１．１１’の補助コアによるインダクタンス
を大きくできるので良好なインピーダンス特性を低域側
へ拡大することが可能であり、したがって、高域側およ
び低域側へこの良好なインピーダンス特性を拡大してフ
ィルタの雑音阻止特性を広帯域化することができる。
以上に説明した原理的実施例について更に詳細に説明す
る。
る。
先に引用した第４図の斜視図において、８は所定の高周
波領域まで一定値以上の実効透磁率を有する長方形状の
閉磁路を形成する主コア、９はこの主コアと低周波領域
で同等以上の実効透磁率を有する長方形状の閉磁路を形
成する補助コア、１０゜１０′および１２．１２’は主
コアの長辺の長さ１．および！３部分にそれぞれ対向し
て均等に捲回した巻線、１１．１１’は主コアの長辺の
長さ１２部分て補助コア９の閉磁路の一部とを同時に囲
むように捲回しである巻線である。
波領域まで一定値以上の実効透磁率を有する長方形状の
閉磁路を形成する主コア、９はこの主コアと低周波領域
で同等以上の実効透磁率を有する長方形状の閉磁路を形
成する補助コア、１０゜１０′および１２．１２’は主
コアの長辺の長さ１．および！３部分にそれぞれ対向し
て均等に捲回した巻線、１１．１１’は主コアの長辺の
長さ１２部分て補助コア９の閉磁路の一部とを同時に囲
むように捲回しである巻線である。
この２つの巻線１１．１１’はそれぞれ対向させてこれ
らのコア８，９に巻かれ、密で集中的に捲回するために
単層巻または多層巻の密着巻とした巻線であり、巻線１
０．１０’ 、 １２．１２’は上記巻線１１゜１１’
よりも粗に捲回しである。
らのコア８，９に巻かれ、密で集中的に捲回するために
単層巻または多層巻の密着巻とした巻線であり、巻線１
０．１０’ 、 １２．１２’は上記巻線１１゜１１’
よりも粗に捲回しである。
これら巻線１０．１０’ 、１２．１２’ と巻線１１
．１１’はそれぞれ端子１，１′または端子２，２′か
ら流入するコモンモード電流に対して、主コアおよび補
助コア内で互いに同方向の磁束が生じるように１在回し
である。
．１１’はそれぞれ端子１，１′または端子２，２′か
ら流入するコモンモード電流に対して、主コアおよび補
助コア内で互いに同方向の磁束が生じるように１在回し
である。
第６図は、第４図に示した原理的実施例を具体化した組
立て斜視図であり、第７図はその分解斜視図である。
立て斜視図であり、第７図はその分解斜視図である。
第６図および第７図において、５．５′はコンデンサ、
３ａ、３ｂはコの字形に２分割された主コア、９ａ、９
ｂはコの字形に２分割された補助コア、１０．１０’お
よび１２．１２’ は主コアを捲回するようにボビン１
８．１８’に捲回された巻線、１１゜１１′は主コアの
一部と補助コアの一部とを同時に囲むようにそれぞれ対
向して捲回した巻線、１５ａ。
３ａ、３ｂはコの字形に２分割された主コア、９ａ、９
ｂはコの字形に２分割された補助コア、１０．１０’お
よび１２．１２’ は主コアを捲回するようにボビン１
８．１８’に捲回された巻線、１１゜１１′は主コアの
一部と補助コアの一部とを同時に囲むようにそれぞれ対
向して捲回した巻線、１５ａ。
１５ｂはコアを押えるバネ、１６ａ、 、１６ｂ、 １
６ｃ、 １６ｄは端子、１９は基台、２０はケースであ
る。
６ｃ、 １６ｄは端子、１９は基台、２０はケースであ
る。
第７図の分解図において、主コア８ａが挿通する孔を有
するボビン１８．１８’には巻線１０．１０’がそれぞ
れ捲回され、また巻線１２．１２’ も同様に主コア８
ｂが挿通する孔を有するボビンに捲回されており、これ
らボビン間には巻線１１が捲回されるとともに主コア８
および補助コア９が挿通する孔を有するボビンが介挿さ
れている。
するボビン１８．１８’には巻線１０．１０’がそれぞ
れ捲回され、また巻線１２．１２’ も同様に主コア８
ｂが挿通する孔を有するボビンに捲回されており、これ
らボビン間には巻線１１が捲回されるとともに主コア８
および補助コア９が挿通する孔を有するボビンが介挿さ
れている。
第６図から明らかなように、これらボビンの孔に主コア
３ａ’、８ｂおよび補助コア９ａ、９ｂを両側から挿入
して組立体を構成した後、主コア８が基台１９の奥側の
壁面１９、とこれに対向するバネ１５ａを挿入するため
の溝を備えたコの字状断面の柱１９２間に、また、補助
コア９が基台１９の手前側に設けた柱状部１９３とこれ
に対向するバネ１５ｂを挿入するための溝を備えたコの
字状断面の柱１９゜間に配置されるよう基台に挿入し、
上記バネ１５ａ。
３ａ’、８ｂおよび補助コア９ａ、９ｂを両側から挿入
して組立体を構成した後、主コア８が基台１９の奥側の
壁面１９、とこれに対向するバネ１５ａを挿入するため
の溝を備えたコの字状断面の柱１９２間に、また、補助
コア９が基台１９の手前側に設けた柱状部１９３とこれ
に対向するバネ１５ｂを挿入するための溝を備えたコの
字状断面の柱１９゜間に配置されるよう基台に挿入し、
上記バネ１５ａ。
１５ｂを上記溝にそれぞれ押入れることによって主コア
、補助コアおよび巻線からなる上記組立体を基台１９に
固定する。
、補助コアおよび巻線からなる上記組立体を基台１９に
固定する。
次いで、端子１６ａ、 １６ｂ、 １６Ｃ，１６ｄをそ
れぞれ基台１９に設けた係合部に挿入するとともにコン
デンサ５．５′を上記柱状部１９３．１９．およびこれ
と対向する基台１９の壁面間に挿入するとともに所定の
配線を行い、その後、カバー２０を装着することによっ
てＡＣラインフィルタが完成する。
れぞれ基台１９に設けた係合部に挿入するとともにコン
デンサ５．５′を上記柱状部１９３．１９．およびこれ
と対向する基台１９の壁面間に挿入するとともに所定の
配線を行い、その後、カバー２０を装着することによっ
てＡＣラインフィルタが完成する。
この実施例においては、コンデンサ５，５′を補助コア
９ａ、９ｂを固定するための柱状１１９ｓ。
９ａ、９ｂを固定するための柱状１１９ｓ。
１９、と基台１９の壁面間の空間部に収納することがで
きるので、実装スペースを小さくできる利点がある。
きるので、実装スペースを小さくできる利点がある。
第８図は池の実施例を示すもので、同図かみ明らかなよ
うに第２図の主コア８をほぼ菱形に形成し、磁路間の距
離が最も大きな短軸お分に補助コア９を重ねて、両コア
を同時に囲むように巻線１１゜１１′を施したものであ
る。
うに第２図の主コア８をほぼ菱形に形成し、磁路間の距
離が最も大きな短軸お分に補助コア９を重ねて、両コア
を同時に囲むように巻線１１゜１１′を施したものであ
る。
巻線１１．１１’は対向する磁路間の距離が最も遠いβ
２の箇所に捲回しているので２．．１１３部分に比べて
反対側の磁路に捲回されている巻線と接触するまでには
多くの巻線を捲回することができる。このように集中的
に密に巻線を捲回することによって巻線１１．１１’の
浮遊容量が増加しても、先に説明したように粗に捲回し
た巻線１２．１２’および１０．１０’の各浮遊容量を
小さくすれば各浮遊容量の直列合成値の増加は抑えられ
、したがって１２部分への巻数増加によりインダクタン
スが増加することによって雑音阻止帯域が低域側に拡大
できる利点がある。
２の箇所に捲回しているので２．．１１３部分に比べて
反対側の磁路に捲回されている巻線と接触するまでには
多くの巻線を捲回することができる。このように集中的
に密に巻線を捲回することによって巻線１１．１１’の
浮遊容量が増加しても、先に説明したように粗に捲回し
た巻線１２．１２’および１０．１０’の各浮遊容量を
小さくすれば各浮遊容量の直列合成値の増加は抑えられ
、したがって１２部分への巻数増加によりインダクタン
スが増加することによって雑音阻止帯域が低域側に拡大
できる利点がある。
なお、本実施例における主コア８は菱形形状をしたもの
について説明したが、この菱形形状に代えて長袖と短軸
とを有して対向する磁路間の距離が短軸部分で最大とな
る楕円形などのコア形状によっても同様の効果を達成し
得ることは明るかであろう。
について説明したが、この菱形形状に代えて長袖と短軸
とを有して対向する磁路間の距離が短軸部分で最大とな
る楕円形などのコア形状によっても同様の効果を達成し
得ることは明るかであろう。
第９図は他の実施例を示すもので、２つの補助コア９’
、９″を主コア８の両端に設けたものであり、必要に応
じて主コア８および２つの補助コア９′、９“０３つの
コアの実効透磁率とコア寸法および／または巻線のｊ２
．、β２９！！３の領域における巻数を変えることによ
って任意の広帯域特性を得ることができる。なお、巻線
が補助コアと主コアとに捲回される１、、１．０領域で
は巻線が集中的に行われることは上述の実施例における
と同様である。
、９″を主コア８の両端に設けたものであり、必要に応
じて主コア８および２つの補助コア９′、９“０３つの
コアの実効透磁率とコア寸法および／または巻線のｊ２
．、β２９！！３の領域における巻数を変えることによ
って任意の広帯域特性を得ることができる。なお、巻線
が補助コアと主コアとに捲回される１、、１．０領域で
は巻線が集中的に行われることは上述の実施例における
と同様である。
第１０図は第９図に示す実施例を具体化した組立て斜視
図、第１１図は第１０図の分解斜視面である。
図、第１１図は第１０図の分解斜視面である。
この第１０図および第１１図に示した実施例と第６図お
よび第７図に示した実施例との相違は、集中的に捲回さ
れた巻線１１．１１’ 、１４．１４’が比較的粗に捲
回された巻線１０．１０’の両側に設けられていること
であり、上記の集中的に捲回された巻線１１、１１’
、１４．１４’ にそれぞれ挿入される補助コア９ａ、
９ｂ、９ａ’、９ｂ’ は基台１９に設けられた柱状ｆ
［９５，１９６とこれら柱状部と対向する基台１９の壁
面間に挿入され、第７図に示したコイルハネ１５ａ、１
５ｂに代えた板バネ１５ａ〜１５ｃを押入れることによ
って上記柱状部と対向する基台１９の壁面間に固定され
る。
よび第７図に示した実施例との相違は、集中的に捲回さ
れた巻線１１．１１’ 、１４．１４’が比較的粗に捲
回された巻線１０．１０’の両側に設けられていること
であり、上記の集中的に捲回された巻線１１、１１’
、１４．１４’ にそれぞれ挿入される補助コア９ａ、
９ｂ、９ａ’、９ｂ’ は基台１９に設けられた柱状ｆ
［９５，１９６とこれら柱状部と対向する基台１９の壁
面間に挿入され、第７図に示したコイルハネ１５ａ、１
５ｂに代えた板バネ１５ａ〜１５ｃを押入れることによ
って上記柱状部と対向する基台１９の壁面間に固定され
る。
このため、コンデンサ５．５′を第６図の実施例に示し
たように、補助コア９ａ、９ｂ’ と基台１９の対向す
る壁面間に配置することが困難であるので、主コア８の
端部と対向する壁面と補助コア９の端部と対向する壁面
との間に凹部１９□、１９Ｂを設け、この空間に上記コ
ンデンサ５．５′を収容するようにしである。
たように、補助コア９ａ、９ｂ’ と基台１９の対向す
る壁面間に配置することが困難であるので、主コア８の
端部と対向する壁面と補助コア９の端部と対向する壁面
との間に凹部１９□、１９Ｂを設け、この空間に上記コ
ンデンサ５．５′を収容するようにしである。
第１２図および第１３ｒ’ｌは主コア８の閉磁路の形成
方法についての上述の実施例とは異なる他の実施例を示
す分解斜視図であり、この閉磁路の形成方法は補助コア
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄについても適用することができ
る。
方法についての上述の実施例とは異なる他の実施例を示
す分解斜視図であり、この閉磁路の形成方法は補助コア
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄについても適用することができ
る。
第１２図の実施例では、同図（ａ）に示すように、Ｌ字
形をした主コア３ａ、３ｂをバネ１５ｅ、１５ｆの力で
挾むようにして同図（ｂ）に示すように固定するもので
あり、また、第１３図は同図（ａ）に示すようなコの字
形をした主コア８ａと８ｂとを対向させ、非導電体から
なる押え板２１ａ、２１ｂの係合穴部２１−１．２１−
２．２１ｂ＋、 ２１ｂ２に板ばね１５ｇ、１５ｈの舌
片部分１５９１１１５９２１１５１１１＋ １５ｈ２を
挿入した後に上記舌片の先端部分を折曲げて主コア８ａ
と８ｂを締付けることにより同図（ｂ）に示すように固
定する方法を示している。
形をした主コア３ａ、３ｂをバネ１５ｅ、１５ｆの力で
挾むようにして同図（ｂ）に示すように固定するもので
あり、また、第１３図は同図（ａ）に示すようなコの字
形をした主コア８ａと８ｂとを対向させ、非導電体から
なる押え板２１ａ、２１ｂの係合穴部２１−１．２１−
２．２１ｂ＋、 ２１ｂ２に板ばね１５ｇ、１５ｈの舌
片部分１５９１１１５９２１１５１１１＋ １５ｈ２を
挿入した後に上記舌片の先端部分を折曲げて主コア８ａ
と８ｂを締付けることにより同図（ｂ）に示すように固
定する方法を示している。
これらの固定方法による閉磁路形成法はいずれもボビン
にコアを挿入した後の取付けが簡単で確実に固定できる
こと、および各コイル１１．１１’、１０、１０’およ
び１４．１４’のコイルの近くに導電体が接近しないか
ら浮遊容量Ｃｓの増加がなく、従つて高周波特性をより
高域まで改善できる利点がある。
にコアを挿入した後の取付けが簡単で確実に固定できる
こと、および各コイル１１．１１’、１０、１０’およ
び１４．１４’のコイルの近くに導電体が接近しないか
ら浮遊容量Ｃｓの増加がなく、従つて高周波特性をより
高域まで改善できる利点がある。
この実施例では、必要に応じて、３つのコアの実効透磁
率とコア寸法および各巻数を変えることによって任意の
広帯域特性とすることができるが、これら３つのコアを
すべて同じ実効透磁率からなる材質で構成しても、従来
のものに比べ広帯域化できることは明らかである。
率とコア寸法および各巻数を変えることによって任意の
広帯域特性とすることができるが、これら３つのコアを
すべて同じ実効透磁率からなる材質で構成しても、従来
のものに比べ広帯域化できることは明らかである。
第１６図は主コアおよび補助コアの両端の巻線を施さな
い磁路部分の幅を拡げることによって、この磁路部分の
断面債を変更することな（その厚みを減少させたもので
あり、主コアおよび補助コアの実効長を短くすることが
できる。
い磁路部分の幅を拡げることによって、この磁路部分の
断面債を変更することな（その厚みを減少させたもので
あり、主コアおよび補助コアの実効長を短くすることが
できる。
これにより第１４図のＲｒ、Ｉ！３が小さくできるから
、コア９．９′の対向距離でもあるｌｚを相対的に大き
くすることができ、これによって巻線１１．１４間の距
離も大きくなるので、これら巻線間の容量Ｃｓが減少し
高域側へ特性を拡大させることができる。
、コア９．９′の対向距離でもあるｌｚを相対的に大き
くすることができ、これによって巻線１１．１４間の距
離も大きくなるので、これら巻線間の容量Ｃｓが減少し
高域側へ特性を拡大させることができる。
本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明
は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論である
。
は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論である
。
以上説明したように、本発明は主コアと少なくとも１つ
の補助コアとを用いて複合形コアを構成し、この主コア
と補助コアとの両方を囲むように巻線の一部を集中して
捲回するものであり、これによって、その余の巻線部分
を比較的粗に捲回するとともに各巻線の入力端と出力端
との距離を長くすることができる。
の補助コアとを用いて複合形コアを構成し、この主コア
と補助コアとの両方を囲むように巻線の一部を集中して
捲回するものであり、これによって、その余の巻線部分
を比較的粗に捲回するとともに各巻線の入力端と出力端
との距離を長くすることができる。
これによって、入力端と出力端との間の浮遊容量を少な
くして高域側の雑音阻止特性を改善し、また、主コアと
補助コアとを同時に囲むように巻線を施してインダクタ
ンスを増加させることにより低域側にも雑音阻止特性を
拡大できる。
くして高域側の雑音阻止特性を改善し、また、主コアと
補助コアとを同時に囲むように巻線を施してインダクタ
ンスを増加させることにより低域側にも雑音阻止特性を
拡大できる。
このように本発明による複合形コアを用いればアースを
用いないでも雑音阻止特性を高域側および低域側に拡大
できるので、従来用いられてきたアースバイパスコンデ
ンサＣｇ等は不要となり非アース状態で使用したときに
も広帯域で良好な雑音阻止性能が得られる利点がある。
用いないでも雑音阻止特性を高域側および低域側に拡大
できるので、従来用いられてきたアースバイパスコンデ
ンサＣｇ等は不要となり非アース状態で使用したときに
も広帯域で良好な雑音阻止性能が得られる利点がある。
第１図は長方形状の閉磁路コアを用いたＡＣラインフィ
ルタの原理的実施例、 第２図、第３図はその動作原理を説明する図、第４図は
上記原理的実施例の斜視図、 第５図は上記原理的実施例の等価回路、第６図は上記原
理的実施例を具体化した斜視図、第７図は第６図の実施
例の分解斜視図、第８図、第９図はそれぞれ本発明の他
の実施例を示す斜視図、 第１０図は第９図に示した実施例を具体化した斜視図、 第１１図は第１０図の実施例の分解斜視図、第１２図、
第１３図は矩形状の閉磁路コアを構成する手段を示す図
、 第１４図は本発明の他の実施例を示す図、第１５図は従
来のＡＣラインフィルタを示す図、第１６図は第１５図
の等価回路である。 特許出願人 日本電信電話株式会社同 三立
電機株式会社 第６図 第１０図 第１４図 第１５図 第１６図
ルタの原理的実施例、 第２図、第３図はその動作原理を説明する図、第４図は
上記原理的実施例の斜視図、 第５図は上記原理的実施例の等価回路、第６図は上記原
理的実施例を具体化した斜視図、第７図は第６図の実施
例の分解斜視図、第８図、第９図はそれぞれ本発明の他
の実施例を示す斜視図、 第１０図は第９図に示した実施例を具体化した斜視図、 第１１図は第１０図の実施例の分解斜視図、第１２図、
第１３図は矩形状の閉磁路コアを構成する手段を示す図
、 第１４図は本発明の他の実施例を示す図、第１５図は従
来のＡＣラインフィルタを示す図、第１６図は第１５図
の等価回路である。 特許出願人 日本電信電話株式会社同 三立
電機株式会社 第６図 第１０図 第１４図 第１５図 第１６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 閉磁路を構成する主コア上の対向位置に互いに逆方向に
捲回された１対の巻線を設け、これら巻線をＡＣライン
として用いるＡＣラインフィルタにおいて、 低い周波数領域における実効透磁率が上記主コアより高
くかつ磁路長が短い閉磁路を構成する補助コアを上記コ
アに隣接して配置し、上記１対の巻線のそれぞれの一部
が上記主コアおよび上記補助コアを同時に囲むように集
中的に捲回したことを特徴とするＡＣラインフィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63044200A JPH01220415A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Ａｃラインフィルタ |
| CA000577469A CA1299256C (en) | 1988-02-29 | 1988-09-15 | Ac line filter |
| US07/246,854 US4910482A (en) | 1988-02-29 | 1988-09-20 | AC line filter |
| GB8823396A GB2215547B (en) | 1988-02-29 | 1988-10-05 | Ac line filter |
| DE3834076A DE3834076A1 (de) | 1988-02-29 | 1988-10-06 | Wechselstromnetzfilter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63044200A JPH01220415A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Ａｃラインフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220415A true JPH01220415A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12684929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63044200A Pending JPH01220415A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Ａｃラインフィルタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4910482A (ja) |
| JP (1) | JPH01220415A (ja) |
| CA (1) | CA1299256C (ja) |
| DE (1) | DE3834076A1 (ja) |
| GB (1) | GB2215547B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109518U (ja) * | 1991-03-11 | 1992-09-22 | スタンレー電気株式会社 | 障害波防止用フイルタ装置 |
| WO2008072352A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | コモンモードチョークコイル |
| JP2012209341A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リアクトル |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220907A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ａｃラインフィルタ |
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| JPH065448A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チョークコイルおよび電源装置 |
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-
1988
- 1988-02-29 JP JP63044200A patent/JPH01220415A/ja active Pending
- 1988-09-15 CA CA000577469A patent/CA1299256C/en not_active Expired
- 1988-09-20 US US07/246,854 patent/US4910482A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-05 GB GB8823396A patent/GB2215547B/en not_active Expired
- 1988-10-06 DE DE3834076A patent/DE3834076A1/de active Granted
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Also Published As
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| GB2215547A (en) | 1989-09-20 |
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| DE3834076C2 (ja) | 1992-04-09 |
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