JPH01220490A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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- JPH01220490A JPH01220490A JP4432888A JP4432888A JPH01220490A JP H01220490 A JPH01220490 A JP H01220490A JP 4432888 A JP4432888 A JP 4432888A JP 4432888 A JP4432888 A JP 4432888A JP H01220490 A JPH01220490 A JP H01220490A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、光通信用レーザ光の発振が可能である半導
体レーザ素子に関する。
体レーザ素子に関する。
（従来の技術）
光通信用のレーザ素子として、 ＧａＩｎＡｓＰを活性
層としＩｎＰをクラッド層とするダブルへテロ接合レー
ザがあり、様々な構造の素子が提案されている。ＧａＩ
ｎＡｓＰを活性層としたレーザでは、ＧａＩｎＡｓＰ結
品の組成を変えることにより、ＩｎＰ結晶に格子整合す
る範囲内でそのレーザ光の発振波長を０．９２μｓから
１．６５．まで自由に変化させることができる。この発
振波長内には、光通信用に用いられる光ファイバの最も
損失の小さい波長である１、５５μｓと最も分散の小さ
い波長である１、３−が含まれているため、光通信用の
光源として有望な半導体レーザ素子である。
層としＩｎＰをクラッド層とするダブルへテロ接合レー
ザがあり、様々な構造の素子が提案されている。ＧａＩ
ｎＡｓＰを活性層としたレーザでは、ＧａＩｎＡｓＰ結
品の組成を変えることにより、ＩｎＰ結晶に格子整合す
る範囲内でそのレーザ光の発振波長を０．９２μｓから
１．６５．まで自由に変化させることができる。この発
振波長内には、光通信用に用いられる光ファイバの最も
損失の小さい波長である１、５５μｓと最も分散の小さ
い波長である１、３−が含まれているため、光通信用の
光源として有望な半導体レーザ素子である。
従来、これらの半導体レーザ素子は、主に液相成長法（
ＬＰＥ）を用いて製造されており、最近になって気相成
長法によっても製造されるようになってきた。しかし、
このようにＧａＩｎＡｓＰ結品から成るクラッド層を用
いた場合、ＧａＩｎＡｓＰが蒸気圧の高い■族元素とし
てＡｓとＰの２種類を含んでいるため、ある発振波長を
定めるべくＧａＩｎＡｓＰ結品の組成を制御することが
困難であった。また、ＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰの界面に
おいて■族元素の種類と組成が変化するため、充分に制
御されたヘテロ界面を成長することが困難であった。ま
た、伝導帯のバンド不連続量も小さくキャリアの閉じ込
めが充分でなかった。
ＬＰＥ）を用いて製造されており、最近になって気相成
長法によっても製造されるようになってきた。しかし、
このようにＧａＩｎＡｓＰ結品から成るクラッド層を用
いた場合、ＧａＩｎＡｓＰが蒸気圧の高い■族元素とし
てＡｓとＰの２種類を含んでいるため、ある発振波長を
定めるべくＧａＩｎＡｓＰ結品の組成を制御することが
困難であった。また、ＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰの界面に
おいて■族元素の種類と組成が変化するため、充分に制
御されたヘテロ界面を成長することが困難であった。ま
た、伝導帯のバンド不連続量も小さくキャリアの閉じ込
めが充分でなかった。
（発明が解決しようとする課題）
前記したように、Ｇ ａ Ｉ ｎ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ
ｎ Ｐ糸材料を用いた半導体レーザ素子では、発振波
長を０．９２゜から１．６５−まで連続的にかつ任意に
変化させることが可能であるという利点はあったが、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ結晶の組成制御性が難しいこと、また充分
に制御されたＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰへテロ界面を成長
することが困難であること、キャリアの閉じ込めが充分
でないこと等の問題点があった。
ｎ Ｐ糸材料を用いた半導体レーザ素子では、発振波
長を０．９２゜から１．６５−まで連続的にかつ任意に
変化させることが可能であるという利点はあったが、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ結晶の組成制御性が難しいこと、また充分
に制御されたＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰへテロ界面を成長
することが困難であること、キャリアの閉じ込めが充分
でないこと等の問題点があった。
本発明は、この様な問題点を考慮しつつ、発振波長はＧ
ａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた場合と同材料の範
囲で変化させることができ、活性層の組成制御性をよく
してレーザ光の発振波長の制御性をよくし、活性層／ク
ラッド層界面の制御を容易にすることができ、キャリア
の閉じ込めの良い半導体レーザ素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
ａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた場合と同材料の範
囲で変化させることができ、活性層の組成制御性をよく
してレーザ光の発振波長の制御性をよくし、活性層／ク
ラッド層界面の制御を容易にすることができ、キャリア
の閉じ込めの良い半導体レーザ素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明に係る半導体レーザ素子は、活性層がＡ Ｑｌ
−ｙ−２Ｇ ａｚ Ｉ ｎｙ Ａ ｓ結晶からなり、
クラッド層がＡＮよ−ｙ Ｉ ｎｙＡｓ結晶からなるダ
ブルへテロ接合を形成する少なくとも３つの層を含む構
造とすることにより、 ＩｎＰに格子整合する材料系の
組合せのみで半導体レーザ素子が製造でき、発振波長範
囲は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた半導体同
材料索子とほぼ同程度にすることができ、かつ発振波長
の制御性をよくシ、活性層とクラッド層界面の形成を容
易にし、伝導帯のバンド不連続量を大きくしたものであ
る。 ＩｎＰ基板と格子整合させるためには、クラッ
ド層となるＡｌ１−ウＩ ｎ ｙ Ａ ｓ結晶の組成Ｘ
は、はぼ０．５２である必要があり、活性層となるＡＱ
、−ｙ−２Ｇａｚ Ｉ ｎｙＡｓ結品の組成ｙは、はぼ
０．５２〜０．５３であることが必要である。
−ｙ−２Ｇ ａｚ Ｉ ｎｙ Ａ ｓ結晶からなり、
クラッド層がＡＮよ−ｙ Ｉ ｎｙＡｓ結晶からなるダ
ブルへテロ接合を形成する少なくとも３つの層を含む構
造とすることにより、 ＩｎＰに格子整合する材料系の
組合せのみで半導体レーザ素子が製造でき、発振波長範
囲は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた半導体同
材料索子とほぼ同程度にすることができ、かつ発振波長
の制御性をよくシ、活性層とクラッド層界面の形成を容
易にし、伝導帯のバンド不連続量を大きくしたものであ
る。 ＩｎＰ基板と格子整合させるためには、クラッ
ド層となるＡｌ１−ウＩ ｎ ｙ Ａ ｓ結晶の組成Ｘ
は、はぼ０．５２である必要があり、活性層となるＡＱ
、−ｙ−２Ｇａｚ Ｉ ｎｙＡｓ結品の組成ｙは、はぼ
０．５２〜０．５３であることが必要である。
（作用）
本発明の構成とすれば、 ■族元素としてＡｓのみを含
む化合物半導体結晶だけでダブルへテロ接合が形成でき
るため１ｍ族構成元素の材料の供給量を制御するだけで
活性層の組成制御並びに活性層／クラッド層界面の形成
ができるため、特に有機金属気層成長法（ＭＯＣＶＤ）
で製造した場合に、急峻なヘテロ界面の形成、充分な活
性層の組成制御性、大きい伝導帯のバンド不連続量を得
ることができる。活性層をＡ Ｑｘ −ｙ−Ｚ Ｇ ａ
ｚ Ｉ ｎｙ Ａ ８とすることにより、 ＩｎＰに格
子整合する範囲で、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料とほ
ぼ同じ発振波長筒ＩＦＩ０．９２ｍ”１．６５−内の任
意の発振波長を有する半導体レーザ素子が得られる。ま
た、活性層とクラッド層の界面での■族元素の種類、組
成の変化が無いため、界面でのイオン度の変化を小さく
抑えることができ、界面電荷の影響を抑制することがで
きる。
む化合物半導体結晶だけでダブルへテロ接合が形成でき
るため１ｍ族構成元素の材料の供給量を制御するだけで
活性層の組成制御並びに活性層／クラッド層界面の形成
ができるため、特に有機金属気層成長法（ＭＯＣＶＤ）
で製造した場合に、急峻なヘテロ界面の形成、充分な活
性層の組成制御性、大きい伝導帯のバンド不連続量を得
ることができる。活性層をＡ Ｑｘ −ｙ−Ｚ Ｇ ａ
ｚ Ｉ ｎｙ Ａ ８とすることにより、 ＩｎＰに格
子整合する範囲で、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料とほ
ぼ同じ発振波長筒ＩＦＩ０．９２ｍ”１．６５−内の任
意の発振波長を有する半導体レーザ素子が得られる。ま
た、活性層とクラッド層の界面での■族元素の種類、組
成の変化が無いため、界面でのイオン度の変化を小さく
抑えることができ、界面電荷の影響を抑制することがで
きる。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第１図は一実施例の半導体レーザ素子の断面図である。
ｎ型ＩｎＰ基板１０１を用いて、この上にｎ型ＡＱ６．
４＠ Ｉ ｎｏ、５２ Ａｓクラッド層兼活性層１０２
を約１１１ｍ５ Ａｆｆｉｏ、ｏ、Ｇａｏ、、３Ｉ ｎ
ｏ−５ｓＡｓ活性層１０３を約０．１ｇ、ｐ型ＡＱｏ、
＊ｓ Ｉ’ｎｇ、ＢＡｓＡｓクララ１０４を約１虜、ｐ
型Ｇａ０，４７ Ｉ ｎｏ、ｓａ Ａｓコンタクト層１
０５を約０．５μｌ順に積層形成してダブルへテロ接合
が形成されている。各半導体層は、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）によりエピタキシャル成長される。次
に、幅約１．５−のＳｉＯ□ストライプ膜をマスクとし
てｎ型Ａ１．３．、Ｉｎ、、、２Ａｓクラッド層の途中
までエツチングすることにより、活性領域が形成される
。次に、前記ＳｉＯ□ストライプ膜をマスりとじて、高
抵抗のＡＮｏ、４．Ｉｎ。０．□Ａｓ １０６’ｔ”活
性領域を埋め込む。この埋め込み成長には、有機金属気
相成長法が用いられる。活性領域及び埋め込み領域を有
機金属気相成長法で成長する場合の原料としては、ＴＭ
Ａｆｆ、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ２を用いた。最後
に、前記Ｓｉ○２ストライプ膜を除去し、活性領域以外
の部分に新たにＳｉｎ、膜１０７を形成し、金属の蒸着
によりｎ側のオーミックコンタクト１０８と、ｐ側のオ
ーミックコンタクト１０９を形成する。 ｎ側のオーミ
ック電極１０８としてはＡｕ／ＡｕＧｅが、ｐ側のオー
ミック電極１０９としてはＡｕ／ＡｕＺｎが各々用いら
れる。へき開によって形成される共振器長の長さは、約
２５０１Ｅａである。
４＠ Ｉ ｎｏ、５２ Ａｓクラッド層兼活性層１０２
を約１１１ｍ５ Ａｆｆｉｏ、ｏ、Ｇａｏ、、３Ｉ ｎ
ｏ−５ｓＡｓ活性層１０３を約０．１ｇ、ｐ型ＡＱｏ、
＊ｓ Ｉ’ｎｇ、ＢＡｓＡｓクララ１０４を約１虜、ｐ
型Ｇａ０，４７ Ｉ ｎｏ、ｓａ Ａｓコンタクト層１
０５を約０．５μｌ順に積層形成してダブルへテロ接合
が形成されている。各半導体層は、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）によりエピタキシャル成長される。次
に、幅約１．５−のＳｉＯ□ストライプ膜をマスクとし
てｎ型Ａ１．３．、Ｉｎ、、、２Ａｓクラッド層の途中
までエツチングすることにより、活性領域が形成される
。次に、前記ＳｉＯ□ストライプ膜をマスりとじて、高
抵抗のＡＮｏ、４．Ｉｎ。０．□Ａｓ １０６’ｔ”活
性領域を埋め込む。この埋め込み成長には、有機金属気
相成長法が用いられる。活性領域及び埋め込み領域を有
機金属気相成長法で成長する場合の原料としては、ＴＭ
Ａｆｆ、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ２を用いた。最後
に、前記Ｓｉ○２ストライプ膜を除去し、活性領域以外
の部分に新たにＳｉｎ、膜１０７を形成し、金属の蒸着
によりｎ側のオーミックコンタクト１０８と、ｐ側のオ
ーミックコンタクト１０９を形成する。 ｎ側のオーミ
ック電極１０８としてはＡｕ／ＡｕＧｅが、ｐ側のオー
ミック電極１０９としてはＡｕ／ＡｕＺｎが各々用いら
れる。へき開によって形成される共振器長の長さは、約
２５０１Ｅａである。
この実施例による半導体レーザ素子の発振しきい値電流
密度は、約２０＋＋＋ ＡでＧａ Ｉ ｎＡｓＰ ／
Ｉ ｎＰ系材料で制作したものとほとんど同じ値であっ
た。しかし、発振の微分量子効率は約４０％であり、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系で得られている約３０％をしの
ぐ値であった。また、発振の特性温度は１００℃近い値
で、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料で得られている系材
−６０℃をしのぐ値であった。これらの理由は、ＧａＩ
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料に比べて。
密度は、約２０＋＋＋ ＡでＧａ Ｉ ｎＡｓＰ ／
Ｉ ｎＰ系材料で制作したものとほとんど同じ値であっ
た。しかし、発振の微分量子効率は約４０％であり、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系で得られている約３０％をしの
ぐ値であった。また、発振の特性温度は１００℃近い値
で、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料で得られている系材
−６０℃をしのぐ値であった。これらの理由は、ＧａＩ
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料に比べて。
／１系材−ｎＡｓ／ＡＱＩｎＡｓ系材料は、前記したよ
うにそのヘテロ界面の急峻性を良くできるため、また伝
導帯のバンド不連続量を大きくすることができるため活
性層へのキャリアの閉じ込め効果が増大したことによる
ものである。発振波長は、１．５５μｍで、その波長の
制御性は、±０．５％と非常に良いものが得られた。こ
れは、前記したようにＡＱＧａＩｎＡｓの組成が■族原
料の供給量のみで制御できるため、特に有機金属気相成
長法で作製した場合その組成制御性が極めて良くなった
ことによるものである。
うにそのヘテロ界面の急峻性を良くできるため、また伝
導帯のバンド不連続量を大きくすることができるため活
性層へのキャリアの閉じ込め効果が増大したことによる
ものである。発振波長は、１．５５μｍで、その波長の
制御性は、±０．５％と非常に良いものが得られた。こ
れは、前記したようにＡＱＧａＩｎＡｓの組成が■族原
料の供給量のみで制御できるため、特に有機金属気相成
長法で作製した場合その組成制御性が極めて良くなった
ことによるものである。
本発明は、上記実施例に限らない。例えば、実施例を示
す第１図の高抵抗埋め込み層１０６はＩｎＰであっても
よい。また、第２図に示すように、埋め込み部分をＩｎ
Ｐ、或はＡＱｏ、４＠ Ｉ ｎｏ＊ｓ２ Ａｓ、或はこ
れらの積層膜で形成されるｐｎ逆接合で形成してもよい
。その他、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
す第１図の高抵抗埋め込み層１０６はＩｎＰであっても
よい。また、第２図に示すように、埋め込み部分をＩｎ
Ｐ、或はＡＱｏ、４＠ Ｉ ｎｏ＊ｓ２ Ａｓ、或はこ
れらの積層膜で形成されるｐｎ逆接合で形成してもよい
。その他、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
以上述べたように本発明によれば、Ａｌ１−ｙ−７，Ｇ
ａｚＩ ｎｙＡｓ／ Ａｌ２１−）ｌ Ｉ ｎｙＡｓ系
材料でダブルへテロ接合を形成し、半導体レーザ素子と
することにより、組成制御性の良い活性層、及び急峻な
活性層／クラッド層へテロ界面が得られ、もって発振波
長制御性が良く、微分量子効率が高く特性温度の高い半
導体レーザ素子を得ることができる。
ａｚＩ ｎｙＡｓ／ Ａｌ２１−）ｌ Ｉ ｎｙＡｓ系
材料でダブルへテロ接合を形成し、半導体レーザ素子と
することにより、組成制御性の良い活性層、及び急峻な
活性層／クラッド層へテロ界面が得られ、もって発振波
長制御性が良く、微分量子効率が高く特性温度の高い半
導体レーザ素子を得ることができる。
第１図、第２図は本発明の実施例の半導体レーザ素子の
構成断面図である。 １０１−ｎ型ＩｎＰ基板 １０２−ｎ型Ａ ”Ｑ＋４１１ Ｉ ｎｏ、ｓｚ Ａｓ
１０３− Ａｊ！。、、、 Ｇａｏ、。Ｉ ｎ、、、、
Ａｓ１０４・＝ｐ型Ａ Ｑｌ１１４１１ Ｉ ｎｏ＋
５２ Ａｓ１０５−＝ｐ型Ｇａｏ、４． Ｉ ｎ。、、
、 Ａｓ１０６・・・高抵抗ＡＱ６，４１ＩＩ ｎａ＊
ｓｚ ”’１０７・・・ＳｉＯ２膜 １０８−
Ａ ｕ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ電極１０９−Ａｕ／ＡｕＺ
ｎ？！！極 ２０１−ｎ型ＩｎＰ基板２０２・・・ｎ
ｍ ＡＱｏ、４ａ Ｉ ｎａ、ａｚ Ａｓ゛２０３−
Ａｊ！、、。４Ｇａ、、４３Ｉ ｎ、、、、 Ａｓ２０
４−ｐ型Ａ Ｑ６．４＠ Ｉ ｎＱ＋ｓ２ Ａｓ２０５
− ｐ型Ｇ”ｆ＋ 、４ｔ Ｉ ｎＯ＊ Ｓ ３ Ａ
５２０６− ｐ型／ｌ。、４１ Ｉ”６＊５２ Ａｓ２
０７−ｎ型Ａ ”ｎ ＊ ４＠ Ｉ ｎｏ 、Ｓ ２
Ａ ５２０８− Ｓ ｉｏ□膜 ２０９−Ａｕ／Ａ
ｕＧｅ電極２１０−Ａｕ／ＡｕＺｎ電極 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 第２図
構成断面図である。 １０１−ｎ型ＩｎＰ基板 １０２−ｎ型Ａ ”Ｑ＋４１１ Ｉ ｎｏ、ｓｚ Ａｓ
１０３− Ａｊ！。、、、 Ｇａｏ、。Ｉ ｎ、、、、
Ａｓ１０４・＝ｐ型Ａ Ｑｌ１１４１１ Ｉ ｎｏ＋
５２ Ａｓ１０５−＝ｐ型Ｇａｏ、４． Ｉ ｎ。、、
、 Ａｓ１０６・・・高抵抗ＡＱ６，４１ＩＩ ｎａ＊
ｓｚ ”’１０７・・・ＳｉＯ２膜 １０８−
Ａ ｕ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ電極１０９−Ａｕ／ＡｕＺ
ｎ？！！極 ２０１−ｎ型ＩｎＰ基板２０２・・・ｎ
ｍ ＡＱｏ、４ａ Ｉ ｎａ、ａｚ Ａｓ゛２０３−
Ａｊ！、、。４Ｇａ、、４３Ｉ ｎ、、、、 Ａｓ２０
４−ｐ型Ａ Ｑ６．４＠ Ｉ ｎＱ＋ｓ２ Ａｓ２０５
− ｐ型Ｇ”ｆ＋ 、４ｔ Ｉ ｎＯ＊ Ｓ ３ Ａ
５２０６− ｐ型／ｌ。、４１ Ｉ”６＊５２ Ａｓ２
０７−ｎ型Ａ ”ｎ ＊ ４＠ Ｉ ｎｏ 、Ｓ ２
Ａ ５２０８− Ｓ ｉｏ□膜 ２０９−Ａｕ／Ａ
ｕＧｅ電極２１０−Ａｕ／ＡｕＺｎ電極 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 第２図
Claims (3)
- （１）ＩｎＰ基板上に第１導電型のＡｌ＿１＿−＿ｘＩ
ｎ＿ｘＡｓバッファ層兼クラッド層、Ａｌ＿１＿−＿ｙ
＿−＿ｚＧａ＿ｚＩｎ＿ｙＡｓ活性層、第２導電型のＡ
ｌ＿１＿−＿ｘＩｎ＿ｘＡｓクラッド層の少なくとも３
層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。 - （２）前記活性層を所定の幅に制限するべくメサエッチ
ングして活性領域とし、該活性領域を高抵抗の半導体層
若しくはｐｎ逆接合層を結晶成長して埋め込むことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。 - （３）ＩｎＰ上に形成される第１導電型のバッファ層、
活性層、第２導電型のクラッド層の少なくとも３層を結
晶成長される工程、及び高抵抗半導体或はｐｎ逆接合を
含む半導体多層膜を埋め込み成長させる工程を有機金属
気相成長法で行うことを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432888A JPH01220490A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432888A JPH01220490A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220490A true JPH01220490A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12688439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4432888A Pending JPH01220490A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044564A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130492A (en) * | 1980-12-23 | 1982-08-12 | Western Electric Co | Double heterostructure light emitting device |
| JPS60260181A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4432888A patent/JPH01220490A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130492A (en) * | 1980-12-23 | 1982-08-12 | Western Electric Co | Double heterostructure light emitting device |
| JPS60260181A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044564A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
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