JPH0122130Y2 - - Google Patents

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JPH0122130Y2
JPH0122130Y2 JP1982186477U JP18647782U JPH0122130Y2 JP H0122130 Y2 JPH0122130 Y2 JP H0122130Y2 JP 1982186477 U JP1982186477 U JP 1982186477U JP 18647782 U JP18647782 U JP 18647782U JP H0122130 Y2 JPH0122130 Y2 JP H0122130Y2
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sampling
valve
temperature
probe
steam supply
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  • Treatment Of Liquids With Adsorbents In General (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はプロセスガスクロマトグラフのサン
プリング装置に関し、特にプローブの内壁面に付
着する堆積物を積極的に除去する機能を持つプロ
セスガスクロマトグラフのサンプリング装置を提
供しようとするものである。
<従来技術の説明> 第1図に従来のガスクロマトグラフのサンプリ
ング装置を示す。図中101はプロセス流路を示
す。このプロセス流路101を被測定流体が矢印
の方向に流れているものとする。プロセス流路1
01にはプローブ102が挿入され、プローブ1
02を通じて被測定流体を取出し、サンプリング
ボツクス103に導入する。サンプリングボツク
ス103の内部にはサンプリングバルブ104が
設けられ、このサンプリングバルブ104により
所定の時間毎に定量の被測定流体を配管105を
通じてガスクロマトグラフ(ここでは特に図示し
ない)に送給する。
つまりサンプリングバルブ104は通常配管1
05と106を連絡した状態に保持され、配管1
06からキヤリヤガスが与えられ、このキヤリヤ
ガスがサンプリングバルブ104を通じて配管1
05に出力され、この配管105を通じてガスク
ロマトグラフにキヤリヤガスを供給している。
107は計量管を示す。計量管107にはプロ
ーブ102を通じて取出した被測定流体をセパレ
ータ108とフイルタ109を介して流し、排気
口111から大気に放出されている。
定量の被測定流体をガスクロマトグラフに送給
するにはサンプリングバルブ104が切換られ、
計量管107が配管105と106の間に接続さ
れる。従つて計量管107を流れていた被測定流
体は配管106から与えられるキヤリヤガスの圧
力により計量管107に存在する量だけ切出され
て配管105を通じてキヤリヤガスによつてガス
クロマトグラフに送られる。
このようにサンプリングボツクス103をプロ
セス流路101の近くに設置する方式をリモート
サンプリング方式と称し、被測定流体の温度が例
えば400℃程度の高温度の場合に採られる方式で
ある。このためサンプリングボツクス103には
スチーム供給口112が設けられ、このスチーム
供給口112を通じて供給されたスチームが配管
113を通り、サンプリングボツクス103内の
温度と一定温度、例えば180℃程度の一定温度に
保持するようにしている。114はその温度を確
認するための温度計を示す。
ここでサンプリングボツクス103内の温度が
180℃程度に規定される理由はサンプリングボツ
クス103内に使用する部品特にサンプリングバ
ルブ104の耐熱温度による。
これに対し被測定流体の温度が400℃程度の高
温である場合、この被測定流体を直接サンプリン
グボツクス103に導入することはサンプリング
バルブ107の耐熱温度により不可能である。こ
のためプローブ102の外周にアダプタ115を
設け、このアダプタ115に例えば150℃〜200℃
程度のスチームを流し、プローブ102を介して
取出される被測定流体の温度を低下させてサンプ
リングボツクス103に被測定流体を取込むよう
にしている。
このようにプローブ102において被測定流体
を冷却するものであるため被測定流体に例えば沸
点200℃以上の高沸点が含まれる場合は、プロー
ブ102を通過する間にこの高沸点物が液化し、
プローブ102の内壁にタール状に付着すること
となる。プローブ102の内壁に付着したタール
は逐次堆積し管路を閉塞させるに至る。
このため従来はプローブ102とサンプリング
ボツクス103の間を結ぶ連結管116にスチー
ム供給路117を接続し、サンプリング動作を終
了する毎に弁118を開に制御し、150℃〜180℃
程度の温度を持つスチームS1を連結管116に供
給する。連結管116に供給されたスチームS1は
プローブ102とサンプリングボツクス103の
二方向に分岐され各流路を流れて洗浄する。ここ
で特にプローブ102側に分岐したスチームS1に
よりプローブ102の内壁に付着した堆積物を除
去するものであるが、この堆積物は上記したよう
に高沸点物であるため、ここで供給するスチーム
S1の温度では溶解がむずかしく、有効に除去する
ことができない欠点がある。
つまりスチーム供給路117を通じて供給する
スチームS1はサンプリングボツクス103側にも
供給され、サンプリングボツクス103内の流路
も洗浄する。このためスチームS1の温度はサンプ
リングボツクス103内の部品、特にサンプリン
グバルブ104の耐熱温度を越える温度にするこ
とはできない。このような理由から洗浄用スチー
ムS1の温度は150℃〜180℃程度に制限され、プロ
ーブ102の内壁に付着した堆積物を有効に除去
できない不都合があつた。
尚第1図において119はゲートバルブを示
し、プローブ102が例えば堆積物により閉塞さ
れたような場合はプローブをアダプタ115から
引抜きプローブ102を引抜いた後にゲートバル
ブ119を閉じてプロセス流路101と外気とを
遮断するようにしている。また連結管116に挿
入したバルブ121と122はメンテナンス時に
使用するバルブである。
<考案の目的> この考案はプローブ102の内壁に付着する堆
積物を有効に除去することができるガスクロマト
グラフのサンプリング装置を提供しようとするも
のである。
<考案の実施例> 第2図はこの考案の一実施例を示す。第2図に
おいて第1図と対応する部分には同一符号を付し
て示す。
この第2図に示す実施例では従来と同様にスチ
ームS1によつてプローブ102とサンプリングボ
ツクス103の流路を洗浄する動作を行なうと共
にスチームS1より温度が高いスチームS2を用意
し、この高温のスチームS2をプローブ102側だ
けに流し、この高温度のスチームS2によりプロー
ブ102の内壁を洗浄するように構成した場合を
示す。
このためにはスチーム供給路117に第2の制
御弁201を接続し、この第2の制御弁201に
高温度例えば200℃以上のスチームS2の供給管を
接続する。更にスチーム供給路117とサンプリ
ングボツクス103との間にも制御弁202を設
け、制御弁201と202を互に同期して逆の関
係で開・閉制御するように構成する。よつて制御
弁201と202及び高温スチームS2によつて、
堆積物を積極的に除去する手段203を構成して
いるものとすることができる。
<考案の動作説明> 上記した構造において被測定流体を一定量サン
プリングした後に第1洗浄を行なう。この第1洗
浄は制御弁202が開いている状態において制御
弁118を開に制御する。制御弁118が開けら
れることにより150℃〜180℃程度の温度を持つス
チームS1がプローブ102とサンプリングボツク
ス103に流れ流路を洗浄する。
次に第2洗浄動作に入る。第2洗浄動作では制
御弁118を閉じるのと同時に弁202も閉じ、
代つて制御弁201を開に制御する。制御弁20
1が開かれると200℃以上の高温度のスチームS2
がプローブ102を通つてプロセス流路101に
排出される。
<考案の効果> このように第2洗浄動作時はプローブ102だ
けにスチームS2を流すため、そのスチームS2の温
度はサンプリングボツクス103内の部品の耐熱
によつて制限されることなく高温度に採ることが
できる。よつてプローブ102の内壁に付着した
堆積物を溶解させるだけの温度にすることができ
るため堆積物を有効に除去できる。
尚上述した第1洗浄動作と第2洗浄動作はその
順序を逆にしてもよい。
以上説明したようにこの考案によれば高沸点体
を含む被測定流体を分析するガスクロマトグラフ
において、プローブ102の部分の洗浄を有効に
行なうことができる。よつて保守が容易になり、
その効果は実用に供して頗る大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のプロセスガスクロマトグラフの
サンプリング装置を説明するための系統図、第2
図はこの考案の一実施例を示す系統図である。 101:プロセス流路、102:プローブ、1
03:サンプリングボツクス、104,107:
サンプリングバルブ、117:スチーム供給路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 プロセス流路101に挿入されたプローブ10
    2より高沸点物を含む高温の被測定流体を取出
    し、このプローブの外周に設けたアダプタ115
    に流した低温のスチームで前記被測定流体の温度
    を低下させ、連結管116を通じ、この被測定流
    体を、耐熱温度の低いサンプリングバルブ107
    を含むサンプリングボツクス103に与えるプロ
    セスガスクロマトグラフのサンプリング装置にお
    いて、 A 前記連結管116に接続されたスチーム供給
    路117と、 B 非採取状態にあるとき開とされる第1の弁1
    18と、 C 前記第1の弁118を介し前記スチーム供給
    路117に接続された低温スチーム供給源S1
    と、 D 前記連結管116の前記スチーム供給路11
    7との接続箇所と前記サンプリングボツクス1
    03との間に設けられ、非採取状態にあつて前
    記サンプリングボツクス103が洗浄されてい
    るときに開とされる第2の弁202と、 E 非採取状態にあつて前記サンプリングボツク
    ス103が洗浄される期間以外において開とさ
    れる第3の弁201と、 F 前記第3の弁201を介し前記スチーム供給
    路117に接続された高温スチーム供給源S2と を具備してなるプロセスガスクロマトグラフのサ
    ンプリング装置。
JP18647782U 1982-12-08 1982-12-08 プロセスガスクロマトグラフのサンプリング装置 Granted JPS5989263U (ja)

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JP18647782U JPS5989263U (ja) 1982-12-08 1982-12-08 プロセスガスクロマトグラフのサンプリング装置

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JP18647782U JPS5989263U (ja) 1982-12-08 1982-12-08 プロセスガスクロマトグラフのサンプリング装置

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Publication Number Publication Date
JPS5989263U JPS5989263U (ja) 1984-06-16
JPH0122130Y2 true JPH0122130Y2 (ja) 1989-06-29

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JP18647782U Granted JPS5989263U (ja) 1982-12-08 1982-12-08 プロセスガスクロマトグラフのサンプリング装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57114853A (en) * 1981-01-08 1982-07-16 Yokogawa Hokushin Electric Corp Sampling device sor process gas chromatography

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JPS5989263U (ja) 1984-06-16

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