JPH01221901A - 高周波可変減衰器 - Google Patents
高周波可変減衰器Info
- Publication number
- JPH01221901A JPH01221901A JP4715688A JP4715688A JPH01221901A JP H01221901 A JPH01221901 A JP H01221901A JP 4715688 A JP4715688 A JP 4715688A JP 4715688 A JP4715688 A JP 4715688A JP H01221901 A JPH01221901 A JP H01221901A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupler
- variable attenuator
- output
- delay
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高周波信号を入力して可変の減衰量を与える
高周波可変減衰器の改良に関するものである。
高周波可変減衰器の改良に関するものである。
（従来の技術）
第４図は従来の高周波可変減衰器の一例を示す回路図で
ある。これはＰＩＮダイオードＤを直並列接続でＴパッ
ド構成とし、そのＤＣバイアスラインＬ及びＤＣカット
用のキャパシタＣからなる。
ある。これはＰＩＮダイオードＤを直並列接続でＴパッ
ド構成とし、そのＤＣバイアスラインＬ及びＤＣカット
用のキャパシタＣからなる。
この減衰器の減衰量は２つのバイアス電流１１＋１２の
制御により第５図に示すように変化させることができる
。
制御により第５図に示すように変化させることができる
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、２つの電流制御は題５図に示すように複
雑であり、また、ＤＣバイアスラインの影響やダイオー
ドの容量等を考慮する必要があり、反射特性や減衰特性
を要求通りに設計・実装することは容易でない。
雑であり、また、ＤＣバイアスラインの影響やダイオー
ドの容量等を考慮する必要があり、反射特性や減衰特性
を要求通りに設計・実装することは容易でない。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたも
ので、電流制御が簡単で、設計・実装が容易な高周波可
変減衰器を実現することを目的とする。
ので、電流制御が簡単で、設計・実装が容易な高周波可
変減衰器を実現することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は高周波信号を入力して可変の減衰量を与える高
周波可変減衰器に係るもので、その特徴とするところは
入力信号パワーを２つに分割する第１の結合器と、この
第１の結合器の一方の出力に遅延を与える遅延素子と、
この遅延素子の出力と前期筒１の結合器の他方の出力と
を合成する第２の結合器とを備え、遅延素子の遅延量を
変えることにより減衰量を可変とするように構成する点
にある。
周波可変減衰器に係るもので、その特徴とするところは
入力信号パワーを２つに分割する第１の結合器と、この
第１の結合器の一方の出力に遅延を与える遅延素子と、
この遅延素子の出力と前期筒１の結合器の他方の出力と
を合成する第２の結合器とを備え、遅延素子の遅延量を
変えることにより減衰量を可変とするように構成する点
にある。
（作用）
第２の結合器で２つの信号が干渉し、その干渉信号の振
幅が遅延量に対応するので、遅延量を変えることにより
減衰量を可変にできる。
幅が遅延量に対応するので、遅延量を変えることにより
減衰量を可変にできる。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る高周波可変減衰器を示す構成斜視
図である。誘電体基板１上において、２は入力マイクロ
波信号を入力するマイクロストリップライン、３はこの
マイクロストリップライン２がその一方の入力ボートに
接続し第１の結合器を構成するインタディジタル形カプ
ラ、４はこのインタディジタル形カプラ３の他方の入力
ボートに接続する終端抵抗、５は前期インタディジタル
形カプラ３の一方の出力ボートに接続する５０Ωマイク
ロストリツプライン、６は前期インタディジタル形カプ
ラ３の他方の出力ボートに接続するマイクロストリップ
ライン、７はこのマイクロストリップライン６に接続す
る静磁波素子（静磁波：Ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ
Ｗａｖｅ、以下ＭＳＷ素子と呼ぶ）の入カドランスジ
ューサ、８はこの入カドランスジューサ７からマイクロ
波を入射するＭＳＷ素子、８１はこのＭＳＷ素子の基板
、８２はこの基板８１上（図では基板８１の下面上）に
形成されたＹＩＧ薄膜、９はＭＳＷ素子８の出カドラン
スジューサ、１０はこの出カドランスジューサ９が接続
するマイクロストリップライン、１１はマイクロストリ
ップライン１０およびマイクロストリップライン６をそ
れぞれの入力ボートに接続するインタディジタル形カプ
ラ、１２はこのインタディジタル形カプラ１１の一方の
出力ボートに接続する終端抵抗、１３は前期インタディ
ジタル形カプラ１１の他方の出力ボートに接続するマイ
クロストリップラインである。マイクロストリップライ
ン、インタディジタル形カプラ、トランスジューサ等は
蒸着およびエツチングにより誘電体基板１上に形成され
る０Ｍ５Ｗ素子８の両端面は静磁波の反射の影響を防止
するために、トランスジューサ７．９の方向に対して斜
めにカットされている。基板１の裏面は全面接地されて
いる。トランスジューサ７．９およびＭＳＷ素子８は遅
延素子を構成する。
図である。誘電体基板１上において、２は入力マイクロ
波信号を入力するマイクロストリップライン、３はこの
マイクロストリップライン２がその一方の入力ボートに
接続し第１の結合器を構成するインタディジタル形カプ
ラ、４はこのインタディジタル形カプラ３の他方の入力
ボートに接続する終端抵抗、５は前期インタディジタル
形カプラ３の一方の出力ボートに接続する５０Ωマイク
ロストリツプライン、６は前期インタディジタル形カプ
ラ３の他方の出力ボートに接続するマイクロストリップ
ライン、７はこのマイクロストリップライン６に接続す
る静磁波素子（静磁波：Ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ
Ｗａｖｅ、以下ＭＳＷ素子と呼ぶ）の入カドランスジ
ューサ、８はこの入カドランスジューサ７からマイクロ
波を入射するＭＳＷ素子、８１はこのＭＳＷ素子の基板
、８２はこの基板８１上（図では基板８１の下面上）に
形成されたＹＩＧ薄膜、９はＭＳＷ素子８の出カドラン
スジューサ、１０はこの出カドランスジューサ９が接続
するマイクロストリップライン、１１はマイクロストリ
ップライン１０およびマイクロストリップライン６をそ
れぞれの入力ボートに接続するインタディジタル形カプ
ラ、１２はこのインタディジタル形カプラ１１の一方の
出力ボートに接続する終端抵抗、１３は前期インタディ
ジタル形カプラ１１の他方の出力ボートに接続するマイ
クロストリップラインである。マイクロストリップライ
ン、インタディジタル形カプラ、トランスジューサ等は
蒸着およびエツチングにより誘電体基板１上に形成され
る０Ｍ５Ｗ素子８の両端面は静磁波の反射の影響を防止
するために、トランスジューサ７．９の方向に対して斜
めにカットされている。基板１の裏面は全面接地されて
いる。トランスジューサ７．９およびＭＳＷ素子８は遅
延素子を構成する。
なおここでＭＳＷ素子の原理を簡単に説明する。
磁気モーメントが直流磁界の方向に並んだＹＩＧ単結晶
にトランスジューサからマイクロ波が供給されると、Ｙ
ＩＧ薄膜内で磁気モーメントが歳差運動を始める。この
歳差運動の回転周波数を磁気共鳴周波数という。マイク
ロ波の周波数がこの磁気共鳴周波数に接近すると、マイ
クロ波は歳差運動に引込まれ速度が急に落ちる。このよ
うなマイクロ波を特に静磁波といい、その共鳴周波数は
直流磁界に比例する。静磁波の連行先にさらに他のトラ
ンスジューサを設けることにより、静磁波を再び電気信
号に変えること、ができ、このようにして静磁波遅延線
が形成される。静磁波遅延線の遅延量は外部磁場強度で
変えることができる。
にトランスジューサからマイクロ波が供給されると、Ｙ
ＩＧ薄膜内で磁気モーメントが歳差運動を始める。この
歳差運動の回転周波数を磁気共鳴周波数という。マイク
ロ波の周波数がこの磁気共鳴周波数に接近すると、マイ
クロ波は歳差運動に引込まれ速度が急に落ちる。このよ
うなマイクロ波を特に静磁波といい、その共鳴周波数は
直流磁界に比例する。静磁波の連行先にさらに他のトラ
ンスジューサを設けることにより、静磁波を再び電気信
号に変えること、ができ、このようにして静磁波遅延線
が形成される。静磁波遅延線の遅延量は外部磁場強度で
変えることができる。
第２図は第１図装置をブロック図で表したもので、第１
図の矢印１４で示される均一な静磁場Ｂ。を電磁石１５
およびこれを駆動する可変電流源１６で発生する。
図の矢印１４で示される均一な静磁場Ｂ。を電磁石１５
およびこれを駆動する可変電流源１６で発生する。
上記のような構成の高周波可変減衰器の動作を次に説明
する。マイクロストリップライン２に入力するマイクロ
波入力信号は、入力側インタディジタル形カプラ３によ
り半分づつのパワーに分割され、マイクロストリップラ
イン５と６の間に９０°の位相差を生じる。マイクロス
トリップライン６上の信号はトランスジューサ７を介し
て静磁波としてＹＩＧ薄膜８２を伝搬し、さらにトラン
スジューサ９に入力する。このときＭＳＷ素子８に印加
される静磁場Ｂ。の強度に対応して信号の遅延量は変化
する。トランスジューサ９からの遅延した出力信号はマ
イクロストリップライン１゜を介しマイクロストリップ
ライン５からの信号と９０°の位相差を伴って出力側イ
ンタディジタル形カプラ１１で合波され、マイクロスト
リップライン１３を介して外部に出力される。
する。マイクロストリップライン２に入力するマイクロ
波入力信号は、入力側インタディジタル形カプラ３によ
り半分づつのパワーに分割され、マイクロストリップラ
イン５と６の間に９０°の位相差を生じる。マイクロス
トリップライン６上の信号はトランスジューサ７を介し
て静磁波としてＹＩＧ薄膜８２を伝搬し、さらにトラン
スジューサ９に入力する。このときＭＳＷ素子８に印加
される静磁場Ｂ。の強度に対応して信号の遅延量は変化
する。トランスジューサ９からの遅延した出力信号はマ
イクロストリップライン１゜を介しマイクロストリップ
ライン５からの信号と９０°の位相差を伴って出力側イ
ンタディジタル形カプラ１１で合波され、マイクロスト
リップライン１３を介して外部に出力される。
この出力信号のパワーがＭＳＷ素子における遅延量に従
って変化することを以下に説明する。但しカプラ３，１
１と遅延素子における損失がないものとし、相対的な位
相関係のみに着目するものとする。インタディジタル形
カプラ３からマイクロストリップライン５上に出力され
る信号を（１／２）ｓｉｎωｔ とし、マイクロストリップライン６上に出力される信号
を （１／２）ｓ ｉ ｎ （ωｔ＋９０’ ）とすると
、遅延素子における遅延ｄによりマイクロストリップラ
イン１０を介してインタディジタル形カプラ１１へ入力
する信号は （１／２）ｓ ｉ ｎ （ωｔ＋９０’ 十ｄ）となる
、インタディジタル形カプラ１１においてマイクロスト
リップライン５からの出力が９０゜位相差を生じてこれ
に加わると、合成される信号は （１／２）ｓ ｉ ｎ （ωｔ＋９０° ）＋（
１／２）ｓｉｎ（ωｔ＋９０° ＋ｄ） ＝ｃｏｓｄ−ｓｉｎ （ωｔ＋９０°＋ｄ）となり、振
幅はｃｏｓｄに比例する０例えば、ｄ＝９０°のときの
減衰量ωｄＢと、ｄ＝ｏ°のときの減衰量ＯｄＢとの間
の任意の減衰量を得ることができる。従って電磁石１５
の励磁電流を制御して遅延量ｄを変えることにより、減
衰量を変化することができる。
って変化することを以下に説明する。但しカプラ３，１
１と遅延素子における損失がないものとし、相対的な位
相関係のみに着目するものとする。インタディジタル形
カプラ３からマイクロストリップライン５上に出力され
る信号を（１／２）ｓｉｎωｔ とし、マイクロストリップライン６上に出力される信号
を （１／２）ｓ ｉ ｎ （ωｔ＋９０’ ）とすると
、遅延素子における遅延ｄによりマイクロストリップラ
イン１０を介してインタディジタル形カプラ１１へ入力
する信号は （１／２）ｓ ｉ ｎ （ωｔ＋９０’ 十ｄ）となる
、インタディジタル形カプラ１１においてマイクロスト
リップライン５からの出力が９０゜位相差を生じてこれ
に加わると、合成される信号は （１／２）ｓ ｉ ｎ （ωｔ＋９０° ）＋（
１／２）ｓｉｎ（ωｔ＋９０° ＋ｄ） ＝ｃｏｓｄ−ｓｉｎ （ωｔ＋９０°＋ｄ）となり、振
幅はｃｏｓｄに比例する０例えば、ｄ＝９０°のときの
減衰量ωｄＢと、ｄ＝ｏ°のときの減衰量ＯｄＢとの間
の任意の減衰量を得ることができる。従って電磁石１５
の励磁電流を制御して遅延量ｄを変えることにより、減
衰量を変化することができる。
このような構成の高周波可変減衰器によれば、１電流制
御により減衰量を変化することができるので、電流制御
が容易である。
御により減衰量を変化することができるので、電流制御
が容易である。
また誘電体基板上に実装できるなめ、マイクロ波帯域で
用いられる増幅器等の他の回路との結合が容易である。
用いられる増幅器等の他の回路との結合が容易である。
なお上記の実施例では静磁場Ｂ０をＹＩＧ面および静磁
波の進行方向に対して直角の方向に印加しているので、
静磁波素子８上で静磁波表面波が発生するが、直流磁界
を他の方向に印加して静磁波体積波等を発生させてもよ
い。
波の進行方向に対して直角の方向に印加しているので、
静磁波素子８上で静磁波表面波が発生するが、直流磁界
を他の方向に印加して静磁波体積波等を発生させてもよ
い。
また上記の実施例において、結合器（カプラ）としては
インタディジタル形カプラに限らず、マイクロ波パワー
を２分割できるものであれば任意のものでよく、例えば
第３図に示すような１／４波長分布結合形カプラを用い
ることもできる。
インタディジタル形カプラに限らず、マイクロ波パワー
を２分割できるものであれば任意のものでよく、例えば
第３図に示すような１／４波長分布結合形カプラを用い
ることもできる。
また適用する入力信号としてマイクロ波以外の高周波信
号を減衰させることもできる。
号を減衰させることもできる。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、電流制御が簡単で、
設計・実装が容易な高周波可変減衰器を簡単な構成で実
現することができる。
設計・実装が容易な高周波可変減衰器を簡単な構成で実
現することができる。
第１図は本発明に係る高周波可変減衰器の一実施例を示
す構成斜視図、第２図は第１図装置の構成ブロック図、
第３図は第１図装置のカプラ部分の変形例を示す図、第
４図は従来の高周波可変減衰器の一例を示す回路図、第
５図は第４図回路の動作を説明するための特性曲線図で
ある。 ３・・・第１の結合器、７．９・・・トランスジューサ
、８・・・ＭＳＷ素子、１１・・・第２の結合器。
す構成斜視図、第２図は第１図装置の構成ブロック図、
第３図は第１図装置のカプラ部分の変形例を示す図、第
４図は従来の高周波可変減衰器の一例を示す回路図、第
５図は第４図回路の動作を説明するための特性曲線図で
ある。 ３・・・第１の結合器、７．９・・・トランスジューサ
、８・・・ＭＳＷ素子、１１・・・第２の結合器。
Claims (1)
- 高周波信号を入力して可変の減衰量を与える高周波可変
減衰器において、入力信号パワーを２つに分割する第１
の結合器と、この第１の結合器の一方の出力に遅延を与
える遅延素子と、この遅延素子の出力と前記第１の結合
器の他方の出力とを合成する第２の結合器とを備え、遅
延素子の遅延量を変えることにより減衰量が可変となる
ように構成したことを特徴とする高周波可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4715688A JPH01221901A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 高周波可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4715688A JPH01221901A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 高周波可変減衰器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8607588A Division JPS63267808A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 液体燃料燃焼装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01221901A true JPH01221901A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12767223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4715688A Pending JPH01221901A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 高周波可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01221901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440252B1 (ko) * | 2002-05-15 | 2004-07-15 | 한국전자통신연구원 | 에스엔 강화기 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4715688A patent/JPH01221901A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440252B1 (ko) * | 2002-05-15 | 2004-07-15 | 한국전자통신연구원 | 에스엔 강화기 |
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