JPH0122237B2 - - Google Patents
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- JPH0122237B2 JPH0122237B2 JP20768584A JP20768584A JPH0122237B2 JP H0122237 B2 JPH0122237 B2 JP H0122237B2 JP 20768584 A JP20768584 A JP 20768584A JP 20768584 A JP20768584 A JP 20768584A JP H0122237 B2 JPH0122237 B2 JP H0122237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- ceramics
- oxide
- metallized layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Products (AREA)
Description
技術分野
本発明は、セラミツクスの簡便なメタライズ法
に関する。 発明の背景 一般に、セラミツクスは、耐熱性、耐磨耗性、
絶縁性等に優れる反面脆く衝撃に弱いため、構造
材料として用いられるときには、金属との接合体
にして使用されることが多い。金属とセラミツク
スを接合する場合には、先ずセラミツクス表面を
メタライズする必要がある。また、セラミツクス
を導電材料として用いる場合には、セラミツクス
表面にメタライズを行つて使用されている。 セラミツクスのメタライズ法としては、テレフ
ンケン法、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソ
ルダー法、炭酸銀法等が知られているが、これら
の内テレフンケン法以外の方法には工程が複雑で
あるのに加えて、メタライズ層の接着強度、耐熱
衝撃性、耐化学薬品性等が充分でない場合がある
ため、現在のところテレフンケン法によるのが一
般的である。テレフンケン法は、セラミツクス表
面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰
囲気中1400〜1700℃という高温で焼付け、その上
に金属メツキを行い、更に被膜の安定化のために
再度非酸化性雰囲気中で加熱することによりメタ
ライズし、次いで必要に応じて金属をロウ接する
ものである。しかし、この方法には、作業工程が
長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるのに
加えて、加熱温度が高いという欠点もある。 本発明者は、上記欠点が解消されたセラミツク
スのメタライズ法を開発するため鋭意研究した結
果、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅
の少くとも1種とSiO2又はカオリンとの混合物
を被覆層として用いる場合には空気等の酸化性雰
囲気中にて比較的低温で焼付けができ、次いで焼
付け層を還元処理すれば極めて簡便にメタライズ
できること、SiO2又はカオリンの併用によりメ
タライズ層の均一性特に表面の平滑性及び光沢が
向上すること、得られたメタライズ層は導電性に
優れ且つ接着強度が高いこと等を見出し、これら
の知見に基づく発明については別途特許出願した
(特願昭58−83721号及び特願昭58−131575号)。 而して、本発明者は、引き続く研究において、
上記混合物に更に酸化スズを併用することにより
メタライズ層の接着強度が顕著に向上することを
見出し、本発明を完成するに至つた。 発明の構成及び効果 本発明は、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及
び塩化銅の少くとも1種、SiO2又は(及び)カ
オリン及び酸化スズの混合物を、セラミツクス表
面に被覆し、酸化性雰囲気中900〜1300℃で加熱
して焼付けた後、焼付け層を還元処理することを
特徴とするセラミツクスのメタライズ法に係る。 本発明においては、被覆層としてSiO2又は
(及び)カオリンを併用したことにより、焼付け
被膜のむらが防止でき、メタライズ層の均一性特
に表面の平滑性及び光沢が向上しているのみなら
ず、被覆層として更に酸化スズを併用したことに
より、メタライズ層の接着強度が顕著に向上して
いる。 本発明において被覆層として用いる炭酸銅、硫
酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅は、いずれも通
常粉末状のものを使用する。粉末の粒度として
は、特に限定されないが、通常100μm以下程度
好ましくは50μm以下程度が適当である。 また、SiO2、カオリン及び酸化スズも、通常
粉末状のものを使用する。粒度は上記と同様であ
る。 各成分の使用割合は炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、
酸化銅及び塩化銅の少くとも1種80〜30重量%程
度に対してSiO2又は(及び)カオリンを5〜30
重量%程度好ましくは5〜20重量%、酸化スズを
10〜60重量%程度好ましくは20〜50重量%とする
のが適当である。SiO2又は(及び)カオリンが
5重量%未満の場合にはメタライズ層表面の平滑
性及び光沢が不充分になることがあり、30重量%
を越えた場合にはメタライズ層の導電性が低下す
る傾向があるので好ましくない。又、酸化スズが
10重量%未満の場合及び60重量%を越えた場合に
は、いずれもメタライズ層の接着強度の向上が不
充分な傾向にあるので好ましくない。 本発明においては、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、
酸化銅及び塩化銅の少くとも1種、SiO2又は
(及び)カオリン及び酸化スズの混合物を粉末状
のまま使用しても良いし、適当なバインダー及び
その溶剤、例えばスクリーンオイル等の印刷用イ
ンキ、バルサム等を適宜の量用いてペースト状に
して使用しても良い。 粉末状又はペースト状の混合物をメタライズが
必要なセラミツクス表面に撤布又は塗付して被覆
する。被覆する量は、特に限定されず、所望のメ
タライズ層の厚さに応じて、適宜決定される。次
に、上記で被覆されたセラミツクスを酸化性雰囲
気中にて加熱して被覆層を焼付ける。酸化性雰囲
気としては、特殊なものを使用する必要はなく、
空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば充分
である。また、加熱条件としては、セラミツクス
の形状、大きさや用いた被覆層の種類、被覆量等
により変化するが、通常900〜1300℃の温度で5
〜60分間程度加熱する。この加熱により炭酸銅、
硫酸銅、硫化銅又は塩化銅は、酸化されて酸化銅
になり、酸化銅及び酸化スズを主体とする被膜が
セラミツクスに密着する。この際、酸化銅の融液
がセラミツクス内に一部浸透することにより接着
強度が高められる。又、酸化スズを併用したこと
によつても接着強度が顕著に向上している。更
に、SiO2又は(及び)カオリンを使用したこと
によりメタライズ層の均一性、表面の平滑性及び
光沢が著しく高められる。加熱温度が900℃より
低い場合は上記浸透が起こらず接着強度が不充分
になり、又1300℃より高い場合は被覆層の粘性が
低下して流出することがあるので好ましくない。 次に、上記により焼付け層が施されたセラミツ
クスを還元処理する。還元方法としては、特に限
定されず、酸化銅及び酸化スズが金属銅及びスズ
に還元されるならばどんな方法でも良く、例えば
水素雰囲気、一酸化炭素雰囲気等の還元性雰囲気
中での加熱、エタノール、メタノール、プロパノ
ール等のアルコール類、ベンジン、ホルマリン等
の還元性溶媒への浸漬、ジメチルアミンボラン水
溶液への浸漬等を挙げることができる。還元性雰
囲気中で加熱する場合の温度は、焼付け層の分
解、変質等を防ぐために前記焼付け温度よりも低
いことが好ましく、通常200〜900℃程度とし、時
間は通常5〜60分間程度とする。また、還元性溶
媒への浸漬による場合は、セラミツクスを通常
200〜500℃程度好ましくは300℃前後に加熱後、
上記還元性溶媒に10〜60秒間程度浸漬すれば良
い。また、ジメチルアミンボラン水溶液への浸漬
による場合は、セラミツクスを通常40〜60℃程度
に加熱後、該水溶液に10〜60秒間程度浸漬すれば
良い。 上記還元処理により、極めて優れた導電性を有
する銅−スズメタライズ層がセラミツクス表面に
形成される。 かくしてメタライズされたセラミツクスには、
必要に応じて、常法例えばロウ接等により、各種
金属を容易に接合することができる。 本発明によりメタライズできるセラミツクスと
しては、特に限定されず、例えば窒化珪素、サイ
アロン、炭化珪素、窒化アルミニウム等の非酸化
物系セラミツクス、アルミナ、ジルコニア、ムラ
イト、ベリリア、マグネシア、コージーライト等
の酸化物系セラミツクスを挙げることができる。 本発明によれば、従来法に比べて低温で焼付け
後、還元処理するという極めて簡便な操作で、セ
ラミツクス表面にメタライズ層が形成でき、得ら
れたメタライズ層は導電性に優れ且つ接着強度が
極めて高く、またメタライズ層の均一性、特に表
面の平滑性及び光沢に優れているので商品価値が
高いという効果が得られる。 本発明によりメタライズされたセラミツクス
は、上記の如き性能を有するので、セラミツクス
パツケージ等の電子部品、セラミツクスを用いた
耐磨耗性部品、耐熱性部品等に好適に使用でき
る。 実施例 以下、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に
説明する。 実施例 1 酸化銅粉末(粒度5μm)45重量%と酸化スズ
粉末(粒度5μm)45重量%とSiO2粉末(粒度5μ
m)10重量%を混合したもの100重量部に対して
バルサム10重量部を混合してペースト状とし、こ
れを平板正方形の窒化珪素(Si3N4)、サイアロ
ン、炭化珪素(SiC)、アルミナ又はジルコニア
の焼結体の表面に0.1g/cm2塗布した。次に、電
気炉を用い空気中にて1100℃で20分間焼成して焼
付け被覆層を形成した。引続き焼成したものを乾
燥器中で50℃に加熱した後、ジメチルアミンボラ
ンの5%水溶液中に浸漬した。これによつて焼付
け被覆層が還元され、金属銅−スズのメタライズ
層が形成された。下記第1表に還元前後におけ
る、1000Vの電圧で測定した電気抵抗値を示し
た。還元後のメタライズ層は、極めて優れた導電
性を有していることが判つた。 かくして得たメタライズ層を有する各セラミツ
クスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接し、秤量
2ton及び荷重速度5mm/minの引張試験器を用い
て、メタライズ層の接着強度を測定したところ、
いずれも極めて強く接着されていることが判つ
た。結果を下記第1表に併記した。
に関する。 発明の背景 一般に、セラミツクスは、耐熱性、耐磨耗性、
絶縁性等に優れる反面脆く衝撃に弱いため、構造
材料として用いられるときには、金属との接合体
にして使用されることが多い。金属とセラミツク
スを接合する場合には、先ずセラミツクス表面を
メタライズする必要がある。また、セラミツクス
を導電材料として用いる場合には、セラミツクス
表面にメタライズを行つて使用されている。 セラミツクスのメタライズ法としては、テレフ
ンケン法、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソ
ルダー法、炭酸銀法等が知られているが、これら
の内テレフンケン法以外の方法には工程が複雑で
あるのに加えて、メタライズ層の接着強度、耐熱
衝撃性、耐化学薬品性等が充分でない場合がある
ため、現在のところテレフンケン法によるのが一
般的である。テレフンケン法は、セラミツクス表
面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰
囲気中1400〜1700℃という高温で焼付け、その上
に金属メツキを行い、更に被膜の安定化のために
再度非酸化性雰囲気中で加熱することによりメタ
ライズし、次いで必要に応じて金属をロウ接する
ものである。しかし、この方法には、作業工程が
長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるのに
加えて、加熱温度が高いという欠点もある。 本発明者は、上記欠点が解消されたセラミツク
スのメタライズ法を開発するため鋭意研究した結
果、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅
の少くとも1種とSiO2又はカオリンとの混合物
を被覆層として用いる場合には空気等の酸化性雰
囲気中にて比較的低温で焼付けができ、次いで焼
付け層を還元処理すれば極めて簡便にメタライズ
できること、SiO2又はカオリンの併用によりメ
タライズ層の均一性特に表面の平滑性及び光沢が
向上すること、得られたメタライズ層は導電性に
優れ且つ接着強度が高いこと等を見出し、これら
の知見に基づく発明については別途特許出願した
(特願昭58−83721号及び特願昭58−131575号)。 而して、本発明者は、引き続く研究において、
上記混合物に更に酸化スズを併用することにより
メタライズ層の接着強度が顕著に向上することを
見出し、本発明を完成するに至つた。 発明の構成及び効果 本発明は、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及
び塩化銅の少くとも1種、SiO2又は(及び)カ
オリン及び酸化スズの混合物を、セラミツクス表
面に被覆し、酸化性雰囲気中900〜1300℃で加熱
して焼付けた後、焼付け層を還元処理することを
特徴とするセラミツクスのメタライズ法に係る。 本発明においては、被覆層としてSiO2又は
(及び)カオリンを併用したことにより、焼付け
被膜のむらが防止でき、メタライズ層の均一性特
に表面の平滑性及び光沢が向上しているのみなら
ず、被覆層として更に酸化スズを併用したことに
より、メタライズ層の接着強度が顕著に向上して
いる。 本発明において被覆層として用いる炭酸銅、硫
酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅は、いずれも通
常粉末状のものを使用する。粉末の粒度として
は、特に限定されないが、通常100μm以下程度
好ましくは50μm以下程度が適当である。 また、SiO2、カオリン及び酸化スズも、通常
粉末状のものを使用する。粒度は上記と同様であ
る。 各成分の使用割合は炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、
酸化銅及び塩化銅の少くとも1種80〜30重量%程
度に対してSiO2又は(及び)カオリンを5〜30
重量%程度好ましくは5〜20重量%、酸化スズを
10〜60重量%程度好ましくは20〜50重量%とする
のが適当である。SiO2又は(及び)カオリンが
5重量%未満の場合にはメタライズ層表面の平滑
性及び光沢が不充分になることがあり、30重量%
を越えた場合にはメタライズ層の導電性が低下す
る傾向があるので好ましくない。又、酸化スズが
10重量%未満の場合及び60重量%を越えた場合に
は、いずれもメタライズ層の接着強度の向上が不
充分な傾向にあるので好ましくない。 本発明においては、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、
酸化銅及び塩化銅の少くとも1種、SiO2又は
(及び)カオリン及び酸化スズの混合物を粉末状
のまま使用しても良いし、適当なバインダー及び
その溶剤、例えばスクリーンオイル等の印刷用イ
ンキ、バルサム等を適宜の量用いてペースト状に
して使用しても良い。 粉末状又はペースト状の混合物をメタライズが
必要なセラミツクス表面に撤布又は塗付して被覆
する。被覆する量は、特に限定されず、所望のメ
タライズ層の厚さに応じて、適宜決定される。次
に、上記で被覆されたセラミツクスを酸化性雰囲
気中にて加熱して被覆層を焼付ける。酸化性雰囲
気としては、特殊なものを使用する必要はなく、
空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば充分
である。また、加熱条件としては、セラミツクス
の形状、大きさや用いた被覆層の種類、被覆量等
により変化するが、通常900〜1300℃の温度で5
〜60分間程度加熱する。この加熱により炭酸銅、
硫酸銅、硫化銅又は塩化銅は、酸化されて酸化銅
になり、酸化銅及び酸化スズを主体とする被膜が
セラミツクスに密着する。この際、酸化銅の融液
がセラミツクス内に一部浸透することにより接着
強度が高められる。又、酸化スズを併用したこと
によつても接着強度が顕著に向上している。更
に、SiO2又は(及び)カオリンを使用したこと
によりメタライズ層の均一性、表面の平滑性及び
光沢が著しく高められる。加熱温度が900℃より
低い場合は上記浸透が起こらず接着強度が不充分
になり、又1300℃より高い場合は被覆層の粘性が
低下して流出することがあるので好ましくない。 次に、上記により焼付け層が施されたセラミツ
クスを還元処理する。還元方法としては、特に限
定されず、酸化銅及び酸化スズが金属銅及びスズ
に還元されるならばどんな方法でも良く、例えば
水素雰囲気、一酸化炭素雰囲気等の還元性雰囲気
中での加熱、エタノール、メタノール、プロパノ
ール等のアルコール類、ベンジン、ホルマリン等
の還元性溶媒への浸漬、ジメチルアミンボラン水
溶液への浸漬等を挙げることができる。還元性雰
囲気中で加熱する場合の温度は、焼付け層の分
解、変質等を防ぐために前記焼付け温度よりも低
いことが好ましく、通常200〜900℃程度とし、時
間は通常5〜60分間程度とする。また、還元性溶
媒への浸漬による場合は、セラミツクスを通常
200〜500℃程度好ましくは300℃前後に加熱後、
上記還元性溶媒に10〜60秒間程度浸漬すれば良
い。また、ジメチルアミンボラン水溶液への浸漬
による場合は、セラミツクスを通常40〜60℃程度
に加熱後、該水溶液に10〜60秒間程度浸漬すれば
良い。 上記還元処理により、極めて優れた導電性を有
する銅−スズメタライズ層がセラミツクス表面に
形成される。 かくしてメタライズされたセラミツクスには、
必要に応じて、常法例えばロウ接等により、各種
金属を容易に接合することができる。 本発明によりメタライズできるセラミツクスと
しては、特に限定されず、例えば窒化珪素、サイ
アロン、炭化珪素、窒化アルミニウム等の非酸化
物系セラミツクス、アルミナ、ジルコニア、ムラ
イト、ベリリア、マグネシア、コージーライト等
の酸化物系セラミツクスを挙げることができる。 本発明によれば、従来法に比べて低温で焼付け
後、還元処理するという極めて簡便な操作で、セ
ラミツクス表面にメタライズ層が形成でき、得ら
れたメタライズ層は導電性に優れ且つ接着強度が
極めて高く、またメタライズ層の均一性、特に表
面の平滑性及び光沢に優れているので商品価値が
高いという効果が得られる。 本発明によりメタライズされたセラミツクス
は、上記の如き性能を有するので、セラミツクス
パツケージ等の電子部品、セラミツクスを用いた
耐磨耗性部品、耐熱性部品等に好適に使用でき
る。 実施例 以下、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に
説明する。 実施例 1 酸化銅粉末(粒度5μm)45重量%と酸化スズ
粉末(粒度5μm)45重量%とSiO2粉末(粒度5μ
m)10重量%を混合したもの100重量部に対して
バルサム10重量部を混合してペースト状とし、こ
れを平板正方形の窒化珪素(Si3N4)、サイアロ
ン、炭化珪素(SiC)、アルミナ又はジルコニア
の焼結体の表面に0.1g/cm2塗布した。次に、電
気炉を用い空気中にて1100℃で20分間焼成して焼
付け被覆層を形成した。引続き焼成したものを乾
燥器中で50℃に加熱した後、ジメチルアミンボラ
ンの5%水溶液中に浸漬した。これによつて焼付
け被覆層が還元され、金属銅−スズのメタライズ
層が形成された。下記第1表に還元前後におけ
る、1000Vの電圧で測定した電気抵抗値を示し
た。還元後のメタライズ層は、極めて優れた導電
性を有していることが判つた。 かくして得たメタライズ層を有する各セラミツ
クスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接し、秤量
2ton及び荷重速度5mm/minの引張試験器を用い
て、メタライズ層の接着強度を測定したところ、
いずれも極めて強く接着されていることが判つ
た。結果を下記第1表に併記した。
【表】
また、得られたメタライズ層は均一性特に表面
の平滑性及び光沢が優れており、商品価値の高い
ものであつた。 比較例 1 酸化銅粉末(粒度5μm)90重量%とSiO2(粒度
5μm)10重量%との混合粉末100重量部を使用す
る以外は実施例1と同様にしてペーストを調製
し、実施例1と同様にして各種セラミツクスのメ
タライズを行なつた。 次いで、得られたメタライズ層を有する各セラ
ミツクスと銅片とを実施例1と同様にしてロウ接
し、メタライズ層の接着強度を測定した。結果を
第2表に示す。 第2表 セラミツクス 接着強度 (Kg/cm2) 窒化珪素 420 サイアロン 440 炭化珪素 425 アルミナ 610 ジルコニア 645 第1表と第2表とを対比すれば、本発明方法に
に従つて酸化スズを配合することにより、メタラ
イズ層の接着強度が大巾に改善されることが明ら
かである。
の平滑性及び光沢が優れており、商品価値の高い
ものであつた。 比較例 1 酸化銅粉末(粒度5μm)90重量%とSiO2(粒度
5μm)10重量%との混合粉末100重量部を使用す
る以外は実施例1と同様にしてペーストを調製
し、実施例1と同様にして各種セラミツクスのメ
タライズを行なつた。 次いで、得られたメタライズ層を有する各セラ
ミツクスと銅片とを実施例1と同様にしてロウ接
し、メタライズ層の接着強度を測定した。結果を
第2表に示す。 第2表 セラミツクス 接着強度 (Kg/cm2) 窒化珪素 420 サイアロン 440 炭化珪素 425 アルミナ 610 ジルコニア 645 第1表と第2表とを対比すれば、本発明方法に
に従つて酸化スズを配合することにより、メタラ
イズ層の接着強度が大巾に改善されることが明ら
かである。
Claims (1)
- 1 炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅
の少くとも1種、SiO2又は(及び)カオリン及
び酸化スズの混合物を、セラミツクス表面に被覆
し、酸化性雰囲気中900〜1300℃で加熱して焼付
けた後、焼付け層を還元処理することを特徴とす
るセラミツクスのメタライズ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768584A JPS6186488A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | セラミツクスのメタライズ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768584A JPS6186488A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | セラミツクスのメタライズ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186488A JPS6186488A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0122237B2 true JPH0122237B2 (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=16543878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20768584A Granted JPS6186488A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | セラミツクスのメタライズ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186488A (ja) |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20768584A patent/JPS6186488A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6186488A (ja) | 1986-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |