JPH01222492A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01222492A JPH01222492A JP63048048A JP4804888A JPH01222492A JP H01222492 A JPH01222492 A JP H01222492A JP 63048048 A JP63048048 A JP 63048048A JP 4804888 A JP4804888 A JP 4804888A JP H01222492 A JPH01222492 A JP H01222492A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser device
- resin
- reflectance
- thickness
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンパクトディスクを始めとする光デイスク
装置や、レーザプリンタなどの光情報処理装置のレーザ
光源に用いる半導体レーザ装置に関するものである。
装置や、レーザプリンタなどの光情報処理装置のレーザ
光源に用いる半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
］ンパクトディスクに用いられている半導体レーザを例
にとり、その断面構造図を第３図に示す。
にとり、その断面構造図を第３図に示す。
半導体レーザ素子１は、その両県振器端面から光出力が
得られるように端面反射率を同じにしている。即ち通常
は、結晶物開時と同じ約３２％の反射率となるように、
アルミナを二分の一波長相当の膜厚で端面にパシベーシ
ヨンしている。一方の端面からの出射光はホトダイオー
ド３で受光し、光出力のモニタ信号を得る。半導体レー
ザ素子１及びホトダイオード３はベース４にマウントさ
れ、リード線６を通して外部と接続される。ベース４は
、窓ガラス１ｏを持つキャップ９によって密封され、キ
ャップ内には、乾燥窒素ガスが封入されている。
得られるように端面反射率を同じにしている。即ち通常
は、結晶物開時と同じ約３２％の反射率となるように、
アルミナを二分の一波長相当の膜厚で端面にパシベーシ
ヨンしている。一方の端面からの出射光はホトダイオー
ド３で受光し、光出力のモニタ信号を得る。半導体レー
ザ素子１及びホトダイオード３はベース４にマウントさ
れ、リード線６を通して外部と接続される。ベース４は
、窓ガラス１ｏを持つキャップ９によって密封され、キ
ャップ内には、乾燥窒素ガスが封入されている。
発明が解決しようとする課題
半導体レーザ装置はコンパクトディスクに用いられるよ
うになり、て量産が開始され、今日ではその生産個数は
年間−千万個に達している。量産に伴い、素子自体のコ
ストはどんどん低下してきた。
うになり、て量産が開始され、今日ではその生産個数は
年間−千万個に達している。量産に伴い、素子自体のコ
ストはどんどん低下してきた。
これは他の半導体素子と同様、量産効果が期待できるた
めである。しかし、素子をマウントするベースやキャッ
プ自体は低コスト化が進んでいない。
めである。しかし、素子をマウントするベースやキャッ
プ自体は低コスト化が進んでいない。
即ち金メツキしたベースを使用し、面精度の高い窓ガラ
スを持つキャップを使用している。マウント方法での低
コスト化を図るには、発光ダイオードで既に行なわれて
いる樹脂封止の方法がある。
スを持つキャップを使用している。マウント方法での低
コスト化を図るには、発光ダイオードで既に行なわれて
いる樹脂封止の方法がある。
この場合、プラスチック樹脂の屈折率が１．３から１．
６程度であるので、臂開面をそのまま持つレーザ素子を
樹脂に埋め込んだ場合、端面反射率は１６〜２２％に落
ちてしまう。すると、レーザ発振のしきい電流が増加し
、信頼性も悪くなる。従って樹脂に埋め込んでも、反射
率が３２％となる端面パシベーシヨンを行なう必要があ
る。
６程度であるので、臂開面をそのまま持つレーザ素子を
樹脂に埋め込んだ場合、端面反射率は１６〜２２％に落
ちてしまう。すると、レーザ発振のしきい電流が増加し
、信頼性も悪くなる。従って樹脂に埋め込んでも、反射
率が３２％となる端面パシベーシヨンを行なう必要があ
る。
課題を解決するだめの手段
本発明の半導体レーザ装置は、端面にアｌレミナ膜が四
分の一波長に相当する膜厚（波長をλ、屈折率をｎとす
ると、膜厚ｄ＝λ／４ｎ）だけコーティングされた上に
、百分の七から百分の八波長膜厚のシリコン嘆がコーテ
ィングされ、屈折率が１．３から１．６の透明プラスチ
ック樹脂で封止されて構成されている。
分の一波長に相当する膜厚（波長をλ、屈折率をｎとす
ると、膜厚ｄ＝λ／４ｎ）だけコーティングされた上に
、百分の七から百分の八波長膜厚のシリコン嘆がコーテ
ィングされ、屈折率が１．３から１．６の透明プラスチ
ック樹脂で封止されて構成されている。
作 用
プラスチック樹脂の屈折率が１．３の場合、２層目のシ
リコン膜の膜厚が百分の七波長で、反射率は約３２％と
なり、百分の八波長で３２％より少し大きくなる。また
、プラスチックの屈折率が１．６の場合は、２層目のシ
リコン膜の膜厚が百分の八波長で、反射率が約３２％と
なシ、百分の七波長で３２％より少し小さくなる。した
がって、百分の七から百分の八波長の膜厚で、約３２％
の反射率が得られる。
リコン膜の膜厚が百分の七波長で、反射率は約３２％と
なり、百分の八波長で３２％より少し大きくなる。また
、プラスチックの屈折率が１．６の場合は、２層目のシ
リコン膜の膜厚が百分の八波長で、反射率が約３２％と
なシ、百分の七波長で３２％より少し小さくなる。した
がって、百分の七から百分の八波長の膜厚で、約３２％
の反射率が得られる。
実施例
本発明の一実施例による半導体レーザ装置の断面図を第
１図に示す。第３図に示す従来の半導体レーザ装置と異
なり、窓ガラスを有するキャップのかわりに透明プラス
チック樹脂２で半導体レーザ素子１とホトダイオード３
を埋め込んでいる。
１図に示す。第３図に示す従来の半導体レーザ装置と異
なり、窓ガラスを有するキャップのかわりに透明プラス
チック樹脂２で半導体レーザ素子１とホトダイオード３
を埋め込んでいる。
半導体レーザ素子１のパンベージ目ン膜の拡大図を第２
図に示す。両端面に、四分の一波長膜厚のアルミナ嘆７
と百分の七から百分の八波長膜厚のシリコン膜８が積層
されることによシ、両端面の反射率は、屈折率が１．３
から１．６の樹脂に埋め込んだ時に約３２％になる。従
って、レーザ発振のしきい電流や、微分量子効率は従来
の素子と同じになり、レーザ特性は変わらない。但し、
樹脂と空気との界面で屈折角が小さくなるため、平面の
樹脂形状だと、ビームの広がυ角が狭くなる。
図に示す。両端面に、四分の一波長膜厚のアルミナ嘆７
と百分の七から百分の八波長膜厚のシリコン膜８が積層
されることによシ、両端面の反射率は、屈折率が１．３
から１．６の樹脂に埋め込んだ時に約３２％になる。従
って、レーザ発振のしきい電流や、微分量子効率は従来
の素子と同じになり、レーザ特性は変わらない。但し、
樹脂と空気との界面で屈折角が小さくなるため、平面の
樹脂形状だと、ビームの広がυ角が狭くなる。
そこで、樹脂２の先端に適当な曲率を持たせることで、
半導体レーザ素子１からの出射光の広がυ角や、広がυ
角の縦横比を変えることも可能である。
半導体レーザ素子１からの出射光の広がυ角や、広がυ
角の縦横比を変えることも可能である。
発明の効果
本発明の半導体レーザ装置によれば、パッケージのコス
トを下げることが可能となるばかりでなく、広がり角の
制御も可能で、熱放散や気密シールの点からも優れてお
シ、コンパクトディスク等の応用に際して大なる効果を
有する。
トを下げることが可能となるばかりでなく、広がり角の
制御も可能で、熱放散や気密シールの点からも優れてお
シ、コンパクトディスク等の応用に際して大なる効果を
有する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の断面図、第２図は
レーザ素子の端面パシペーシッンを示す図、第３図は従
来の半導体レーザ装置の断面図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・透明
プラスチック樹脂、３・・・・・・ホトダイオード、４
・・・・・・ペース、６・・・・・・リード線、６・・
・・・・半導体レーザ結晶、７・・・・・・アルミナ膜
、８・・・・・・シリコン膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一牛」１４レーア衆子 ２−・−透明プラスチックお１驕 ３−・ホトグイオード 肇・−ベース ６・−半薄俸５レーｆｓ＠轟 ｌ−・−午導りドレープ素子 ３−−−ホトタンオード ４−・−へ−ス δ−・ソー）殊 デ・−キャップ
レーザ素子の端面パシペーシッンを示す図、第３図は従
来の半導体レーザ装置の断面図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・透明
プラスチック樹脂、３・・・・・・ホトダイオード、４
・・・・・・ペース、６・・・・・・リード線、６・・
・・・・半導体レーザ結晶、７・・・・・・アルミナ膜
、８・・・・・・シリコン膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一牛」１４レーア衆子 ２−・−透明プラスチックお１驕 ３−・ホトグイオード 肇・−ベース ６・−半薄俸５レーｆｓ＠轟 ｌ−・−午導りドレープ素子 ３−−−ホトタンオード ４−・−へ−ス δ−・ソー）殊 デ・−キャップ
Claims (1)
- 共振器端面の少なくとも一方に、アルミナ膜が、発振波
長の四分の一に相当する厚さに形成され、さらにその上
に、シリコン膜が、発振波長の百分の七から百分の八に
相当する厚さに形成された半導体レーザ素子が、屈折率
が１．３から１．６の透明樹脂で封止されていることを
特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048048A JPH0793474B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048048A JPH0793474B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01222492A true JPH01222492A (ja) | 1989-09-05 |
| JPH0793474B2 JPH0793474B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=12792445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048048A Expired - Fee Related JPH0793474B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793474B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109362U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-11 | ||
| EP0845839A1 (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices |
| US5905750A (en) * | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package and method of fabrication |
| WO2000079659A1 (en) * | 1999-03-24 | 2000-12-28 | Cielo Communications, Inc. | Encapsulated optoelectronic devices with controlled properties |
| FR2798518A1 (fr) * | 1998-09-08 | 2001-03-16 | Fujitsu Ltd | Procede de fabrication d'un film de reflexion et dispositifs laser et optique utilisant le film de reflexion |
| US6845118B1 (en) | 1999-01-25 | 2005-01-18 | Optical Communication Products, Inc. | Encapsulated optoelectronic devices with controlled properties |
| JP2010045404A (ja) * | 1999-03-16 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | レーザ装置及び反射膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP63048048A patent/JPH0793474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109362U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-11 | ||
| US5905750A (en) * | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package and method of fabrication |
| EP0845839A1 (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices |
| FR2798518A1 (fr) * | 1998-09-08 | 2001-03-16 | Fujitsu Ltd | Procede de fabrication d'un film de reflexion et dispositifs laser et optique utilisant le film de reflexion |
| US6845118B1 (en) | 1999-01-25 | 2005-01-18 | Optical Communication Products, Inc. | Encapsulated optoelectronic devices with controlled properties |
| JP2010045404A (ja) * | 1999-03-16 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | レーザ装置及び反射膜の製造方法 |
| WO2000079659A1 (en) * | 1999-03-24 | 2000-12-28 | Cielo Communications, Inc. | Encapsulated optoelectronic devices with controlled properties |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793474B2 (ja) | 1995-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |