JPH01223529A - 半導体ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、データの高い信頼性を保持するために二重化
された半導体ディスク装置に関する。

（従来の技術） コンピュータ等に使用される記憶装置としては、磁気デ
ィスクや光ディスクあるいは半導体メモリ等がある。こ
のうち、磁気ディスクや光ディスクは、データの記録密
度やビットあたりのコストが低いことが特徴で、大容量
のファイル装置として今日広く使用されている。

一方、半導体メモリは、高速アクセスや高速データ転送
が可能な特徴を持っており、半導体製造技術の向上と共
に、高集積化によってビットあたりのコストも低下の一
途をたどり、その特徴を生かす多くの分野に使用され、
磁気ディスク等と同様に、大容量記憶装置としての用途
も広がってきている。

ここで、保存データの信頼性を高めるために、磁気ディ
スク装置等においては同一のデータを別々のディスクに
書き込み、一方に障害が起きた場合に他方でそのバック
アップをするという、いわゆるファイル二重化システム
が採用されている。

半導体メモリをあたかもディスクと同様に使用する、い
わゆる半導体ディスク装置は、機械的駆動を持たない静
止型のファイルとして種々の利点を持ち、これも磁気デ
ィスク装置等と同様にファイル二重化システムが採用さ
れるに至っている。

第２図に、従来のファイル二重化を施した半導体ディス
ク装置の概略ブロック図を示す。

図において、ホストコンピュータ等から成る上位装置１
０には、半導体ディスク装置２０が接続されており、こ
の半導体ディスク装置２０は、半導体ディスク制御装置
２１が主半導体ディスク２２と副半導体ディスク２３と
を制御するよう構成されている。この主半導体ディスク
２２と副半導体ディスク２３とは、いずれも互いに同一
メモリ構成の半導体メモリからなる。半導体ディスク制
御装置２１は、これらの両半導体ディスクに対してデー
タの読み書き制御を行なう回路である。

第３図には、このような従来の二重化半導体ディスク装
置の動作シーケンスチャートを示した。尚、図において
、主半導体ディスクを＃０、副半導体ディスクを＃１と
表示し、書き込み制御をＷｒｉｔｅ、読み書き制御なＲ
ｅａｄと表示した。

先ず、上位装置１０は、平常時、半導体ディスク制御装
置２１を介して、主半導体ディスク２２に対しデータの
書き込み制御を行ない（ステップ■）、次いで同一のデ
ータを用い、副半導体ディスク２３に対し書き込み制御
を行なう（ステップ■）。このような動作が繰り返され
た後（ステップ■、■）、データの読み出し制御は、主
半導体ディスク２２のみから行なう（ステップ■）。

ここで、主半導体ディスク２２に対する読み出しの際、
障害発生が検知されたとする（ステップ■）。この場合
には、上位装置１０は直ちに同一データの副半導体ディ
スク２３からの読み出しを行なう（ステップ■）。そし
て、その後は、読み出しも書き込みも副半導体ディスク
２３のみを使用して（ステップ■、■）、若し副半導体
ディスク２３にも障害が発生したような場合には、シス
テムダウンする（ステップ＠ｌ）。

（発明が解決しようとする課題） ところで、以上のような従来の半導体ディスク装置の場
合、第３図を用いて説明したように、上位装置１０がそ
の読み書きプログラムによって、その都度、主半導体デ
ィスク２２あるいは副半導体ディスク２３を選択して読
み書き制御を行なっていた。従って、そのプログラムも
複雑で上位装置の負担が大きいという問題があった。

又、主半導体ディスク２２をデータの読み書き用とし、
副半導体ディスク２３をそのバックアップ用として設定
し、主半導体ディスク２２の一部に障害が発生した場合
に、副半導体ディスク２３にその制御を切り換え、副半
導体ディスク２３の一部にも障害が発生した場合には、
そのまま直ちにシステムダウンとなってしまうという欠
点があった。

本発明は以上の点に着目してなされたもので、上位装置
の読み書き制御のためのプログラムの負担を軽減し、更
に主半導体ディスクと副半導体ディスクを効果的に使用
することによってシステムダウンの確率を減少させ、そ
の信頼性を高めた半導体ディスク装置を提供することを
目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明の半導体ディスク装置は、ファイル二重化のため
に用意された互いに同一メモリ構成の主半導体ディスク
および副半導体ディスクと、前記両半導体ディスクに対
してデータの読み書き制御を行なう半導体ディスク制御
装置とを備え、この半導体ディスク制御装置は、前記両
半導体ディスクに対して同一のデータを書き込み、前記
主半導体ディスクからそのデータを読み出すよう制御を
行なう第１のモードと、前記両半導体ディスクに対して
同一のデータを書き込み、前記副半導体ディスクからそ
のデータを読み出すよう制御を行なう第２のモードの動
作を可能とする一方、前記主半導体ディスクを構成する
メモリを複数のブロックに区分し、これら全てのブロッ
クについてそのメモリ障害発生の有無を判別する管理テ
ーブルを設け、この管理テーブルを参照して、前記主半
導体ディスクの正常なブロックに対する読み書き制御を
行なう場合には、前記第１のモードを選定し、前記主半
導体ディスクにおいて障害の発生したブロックに対する
読み書き制御を行なう場合には、前記第２のモードを選
択することを特徴とするものである。

（作用） 以上の装置においては、半導体ディスク制御装置が上位
装置に変わって主半導体ディスクと副半導体ディスクと
を管理し、データの書き込みは両ディスクに対して同時
に行なうが、その読み出し先はメモリ障害発生の有無を
判断して選択する。

このメモリ障害の発生を判別するために、主半導体ディ
スクを構成するメモリを複数のブロックに区分し、ブロ
ック毎に障害が発生しているか否かを判定するデータを
管理テーブルに格納している。この管理テーブルを参照
し、主半導体ディスクにおいて、障害の発生したブロッ
クのみについて副半導体ディスクを使用する。他の部分
は主半導体ディスク装置が健全な限り、主半導体ディス
クを使用するようにするため、二重化による信頼性も一
層向上する。

（実施例） 第１図は、本発明の半導体ディスク装置の実施例を示す
ブロック図である。

図において、この装置は、上位装置１０に対し、半導体
ディスク制御装置３０を介し、主半導体ディスク４０と
副半導体ディスク５０とが接続されている。

上位装置１０は、ホストコンピュータ等から成る装置で
、半導体ディスク制御装置３ｏに対し起動信号１００と
読み書き信号１０２とを出力し、読み書きデータ１０１
の入出力を行なうよう動作する回路である。主半導体デ
ィスク４ｏと副半導体ディスク５ｏとは、互いに同一メ
モリ構成の半導体メモリから構成されている。

半導体ディスク制御装置３０は、その中に主半導体ディ
スク４０のメモリ障害発生の有無を判別する管理テーブ
ル３１を備えており、上位装置１０からデータの書き込
み要求があった場合には、主半導体ディスク４０及び副
半導体ディスク５０に同時にそのデータの書き込みを行
なう一方、上位装置１０からデータの読み出し要求があ
った場合に、管理テーブル３１を参照して、主半導体デ
ィスク４ｏの該当するメモリブロックが正常な場合には
そこからデータを読み出し、障害が発生している場合に
は、副半導体ディスク５０の該当するメモリブロックか
らデータを読み出すよう動作する回路である。本発明に
おいては、前者の動作を第１のモード、後者の動作を第
２のモードと呼んでいる。

次に、第４図から第７図を用いて、この第１図の各部の
詳細な結線例を説明する。

先ず、第４図は、主半導体ディスク４ｏと副半導体ディ
スク５０の読み書き制御回路、いわゆるインタフェース
部分の説明図である。

図のように、主半導体ディスク４０には、書き込み用の
バッファアンプ４１と読み出し用のバッファアンプ４２
とが設けられ、副半導体ディスク５０にも同様に、書き
込み用のバッファアンプ５１と読み出し用のバッファア
ンプ５２とが設けられている。

この装置では、読み出しデータと書き込みデータとは共
通のパスラインを伝送され、図のように、読み書きデー
タ１０１として書き込み用のバッファアンプ４１．５１
の入力端子に入力するよう結線されている。又、半導体
ディスク４０あるいは５０側から読み出されたデータ４
３あるいは５３は、それぞれ読み出し用のバッファアン
プ４２．５２を介して出力されるよう結線されている。

書き込み用アンプ４１及び５１には、書き込み動作の際
、両者を同時に動作させる読み書き指示信号１０２がハ
イレベルとなって入力する。又、読み出し用バッファア
ンプ４２．５２には、読み出し動作の際、いずれか一方
を選択的に動作させるデバイス指定信号１０３が入力す
る。尚、これらの信号は第１図に示した半導体ディスク
制御装置３ｏで生成される。

ところで、この実施例においては、デバイス指定信号１
０３が“０”即ちロウレベルのとき、主半導体ディスク
４０からの読み出しが選択され、デバイス指定信号１０
３が“１”、即ちハイレベルのとき、副半導体ディスク
５０からの読み出しが選択されるものとする。尚、この
主半導体ディスク４０や副半導体ディスク５ｏには、こ
の他にアドレス信号１０４も入力するよう結線されてい
る。

第５図は、第１図に示した半導体ディスク制御装置３０
の、管理テーブル３１とその周辺回路の説明図である。

この管理テーブル３１には、半導体ディスク４０．５０
に対して出力されるアドレス信号１０４の上位ビットが
入力するよう結線されている。

尚、この実施例において、主半導体ディスク４０と副半
導体ディスク５０とは、いずれも１ギガバイト（ＧＢ）
のメモリ容量を有するものとし、これを６４キロバイト
（ＫＢ）の容量のブロックに区分して、その各ブロック
にメモリ障害がない場合には”０”、メモリ障害が発生
している場合には”１”のデータがこの管理テーブルに
格納されるものとする。

この管理テーブル３１の入力側には、アンドゲート３２
と、３人カアンドゲート３３及び２つのオアゲート３４
．３５が配置されている。

先ず、アンドゲート３２は、管理テーブル３１を初期化
する際のテーブル書き込みデータを生成するためのゲー
トである。ここには、初期化用テーブル書き込みデータ
１０５とテーブル書き込み指示信号１０６とが入力する
。これらの信号は、半導体ディスク制御装置３０（第１
図）に内蔵された図示しないコントローラにより生成さ
れる。

又、３人カアンドゲート３３は、主半導体ディスク４ｏ
に障害が発生した場合に、管理テーブル３１の書き換え
を行なうためのデータを生成するゲートである。このゲ
ート３３には、メモリから１ブロック分のデータの読み
出しが終了した場合にハイレベルとなるメモリ終了信号
（ＭＥＭ　ＥＮＤ）１０７と、メモリ障害が発見された
場合にハイレベルとなるメモリ（ＭＥＭ）障害信号１０
８と、管理テーブル３１から出力されるデバイス指定信
号１０３を反転した信号とが入力する。

オアゲート３４は、アンドゲート３２とアンドゲート３
３の出力を、テーブル書き込みデータ１０９として管理
テーブル３１に向けて出力するゲートで、オアゲート３
５は、アンドゲート３３の出力とテーブル書き込み指示
信号１０６とを受は入れて、テーブル書き込み指示信号
１１０として管理テーブル３１に向けて出力する回路で
ある。

即ち、この管理テーブル３１は、テーブル書き込み指示
信号１１０がハイレベルになると、アドレス信号１０４
ａで指定されたアドレスにテーブル書き込みデータ１０
９を書き込み、テーブル書き込み指示信号がロウレベル
の場合には、アドレス信号１０４ａで指定されたアドレ
スから、主半導体ディスク４０あるいは副半導体ディス
ク５０のいずれのデバイスからデータを読み出すかを指
定するための、デバイス指定信号１０３を出力するよう
動作する。尚、上記メモリ終了信号１０７もメモリ障害
信号１０８も、半導体ディスク制御装置３ｏに内蔵され
たコントローラから出力される。

第６図は、半導体ディスク制御装置３０に含まれ、読み
出しあるいは書き込み動作の起動を制御するための読み
書き起動信号１１１を生成するための回路である。

半導体ディスク装置では一般に、上位装置ｌＯから起動
信号１００が入力すると、上位装置は続いて１ブロック
分のデータを基準クロック信号に同期させて、半導体デ
ィスク制御装置３ｏに向けて送り込む。

半導体ディスク制御装置３０は、その起動信号１００の
入力にタイミングを合わせて、図示しないアドレスカウ
ンタを起動させ、アドレス信号１０４（第５図）を生成
する。１ブロック分の書き込みが終了すると、メモリ終
了信号１０７を生成し、自動的に動作を停止する。読み
出し動作の場合も全く同様である。

本発明の装置において、読み出し動作は、主半導体ディ
スク４ｏに対してのみ行なわれるが、そのメモリに障害
が発生した場合、読み出し先を副半導体ディスク５０に
切り換える。この場合、再度読み出し動作を起動させる
必要があり、その起動信号生成のためにこの回路が使用
される。

即ち、この回路には、起動信号１００をそのまま通過さ
せて読み書き起動信号１１１を生成するオアゲート６１
と、メモリ障害発生の場合に再度読み出しを行なわせる
ための起動信号を生成するアンドゲート６２及び遅延回
路６３とが設けられている。アンドゲート６２には、メ
モリ終了信号１０７と、メモリ障害信号１０８と、デバ
イス指定信号１０３を反転した信号とが入力する。この
アンヒゲ−トロ２で生成された起動信号は、遅延回路６
３によって所定時間遅延され、オアゲート６１を介して
読み書き起動信号１１１として出力される。

次に第７図は、半導体ディスク制御装置３０自身の動作
のために、読み書き動作が終了した旨の読み書き終了信
号１１２と、いわゆるシステムダウンにつながるメモリ
異常が生じた場合のメモリ異常信号１１３とを生成する
回路である。

ここには、アンドゲート７１と、３人カアンドゲート７
２と、４人カアンドゲート７３とが設けられ、これらの
アンドゲート７１，７２．７３の出力がオアゲート７４
を介して出力され、読み書き終了信号１１２が生成され
るよう構成されている。尚、アンドゲート７１には、読
み書き指示信号１０２とメモリ終了信号１０７がハイレ
ベルとなって入力し、ここで書き込み動作が正常終了し
た場合の読み書き終了信号１１２が生成される。又、ア
ンドゲート７２には、読み書き指示信号１０２を反転し
たものとメモリ終了信号１０７とメモリ障害信号１０８
を反転したものが入力し、ここで読み出し動作が正常に
終了した場合の読み書き終了信号１１２が生成される。

最後に、アンドゲート７３には、読み書き指示信号１０
２を反転したものと、メモリ終了信号１０７と、メモリ
障害信号１０８と、デバイス指定信号１０３とが入力し
、ここで障害が発生した場合の読み書き終了信号１１２
が生成される一方、その信号はそのままメモリ異常信号
１１３として取り出される。上記読み書き終了信号１１
２とメモリ異常信号１１３とは、いずれも半導体ディス
ク制御装置３゜のコントローラに入力し、動作終了処理
に使用される。

以上の構成の本発明の半導体ディスク装置は、次のよう
に動作する。

第８図は、この装置の動作シーケンスチャートである。

これによって、先ず、動作の概略を説明する。このシー
ケンスチャートの記載方法は第３図の場合と同様である
。

先ず、上位装置１０からデータ書き込み指示があると（
ステップ■）、半導体ディスク制御装置３ｏは主半導体
ディスク４ｏと副半導体ディスク５０とに同一のデータ
を書き込む。上位装置１０からの書き込み指示に対して
は、常にこのような動作が繰り返される（ステップ■）
。又、上位装置１０から読み出し指示があった場合には
、主半導体ディスク４０が正常である限り、専ら主半導
体ディスク４０からのデータ読み出しが行なわれる（ス
テップ■）。以上が、先に説明した第１のモードの動作
である。

ここで、主半導体ディスク４ｏに障害が発生した場合、
半導体ディスク制御装置３０はこれを検知し、その管理
テーブル３１の内容を書き換える一方、読み出し対象を
副半導体ディスク５０に切り換え、読み出された正常な
データを上位装置１０に向けて出力する（ステップ■）
、この場合、図を見て分るように、上位装置は通常通り
読み出し指示を発し、読み出されたデータを受は取るだ
けで、障害発生の認、識やディスクの選択は専ら半導体
ディスク制御装置３０が実行する。

又、その後、主半導体ディスク４０の障害の発生してな
いブロックに対する読み出し指示があった場合には、そ
のまま主半導体ディスク４０のデータ読み出しを実行す
る（ステップ■）。そして、主半導体ディスク４０に既
に障害の発生しているデータの読み出し要求があった場
合には、先に書き換えた管理テーブル３１を参照し、直
接副半導体ディスク５０から該当するデータの読み出し
を実行する（ステップ■）。又、その後、データの書き
込み指示があった場合には、無条件で主半導体ディスク
４０及び副半導体ディスク５０にデータの書き込みを行
なう。これが、先に説明した第２のモードの動作である
。その後の読み出しについてはメモリ障害がない限り、
主半導体ディスク４０が専ら使用される（ステップ■）
。

即ち、上記実施例の場合、第１図に示したデバイス指定
信号１０３は、読み出し動作の場合にのみ有効に作用す
る。

第９図は、第１図に示した半導体ディスク装置の読み出
し動作時における詳細なタイムチャートである。

この第９図にそって、第４図、第５図、第６図、第７図
の回路の具体的な動作説明を進める。

先ず、図示しない電源が投入されると、半導体ディスク
制御装置３０の第５図に示した管理テーブル３１を初期
化するために、この制御装置内に内蔵された図示しない
コントローラから、テーブル書き込みデータ１０５とテ
ーブル書き込み指示信号１０６とが出力される。この場
合のテーブル書き込みデータ１０５は“Ｏ”即ちロウレ
ベル、テーブル書き込み指示信号１０６は“１”即ちハ
イレベルである。テーブル書き込みデータ１０５及びテ
ーブル書き込み指示信号１１０は、初期化動作中一定に
保持され、この間アドレス信号１０４ａが、ゼロ番地か
ら順にインクリメントされる。これによって、管理テー
ブル３１の全てのデータがゼロクリアされる。こうして
管理テーブル３１から、全てのアドレスについてデバイ
ス指定信号１０３がゼロという出力が得られる状態にな
る。

次に、上位装置１０から、書き込み動作を起動させるた
めに、第６図に示す回路に起動信号１００が入力し読み
書き起動信号１１１が生成される。これにより、半導体
ディスク制御装置３０中で書き込み制御動作が開始され
る。又、主半導体ディスク４０及び副半導体ディスク５
０に対し、アドレス信号１０４と共に書き込み信号１０
２が入力する。

このアドレス信号１０４の上位ビット１０４ａが管理テ
ーブル３１に入力するため、そのアドレスのデバイス指
定信号１０３が出力される。これも、両半導体ディスク
の４０．５０に入力する。ここでは、管理テーブル３１
が初期化された直後であるため、デバイス指定信号１０
３の内容はゼロとなる。しかし、この場合書き込み指示
であるため、このデバイス指定信号１０３は無視され、
両ディスクに対し同時に書き込み動作が実行される。

１ブロック分の書き込みが終了すると、メモリ終了信号
１０７が図示しないコントローラから出力され、第７図
に示したアンドゲート７１に入力する。この場合、読み
書き指示信号１０２がハイレベルであり、メモリ終了信
号１０７がハイレベルであるから、アンドゲート７１の
出力はハイレベルとなり、オアゲート７４から書き込み
終了信号１１２がコントローラに向けて出力される。

第９図は、読み出し動作の具体的なタイムチャートを示
す。

始めに、第９図（ａ）に示した正常読み出し動作につい
て説明する。

先ず、上位装置１０から読み出し指示、即ち、ロウレベ
ルの読み書き指示信号１０２が入力すると、これと同時
に入力した読み書き起動信号１１１が、第６図に示した
オアゲート６１より生成される。又、アドレス信号１０
４も両半導体ディスクに向けて出力される。

ここで、そのアドレスの上位とット１０４ａが第５図の
管理テーブル３１に入力すると、管理テーブル３１から
デバイス指定信号１０３が出力される。

この場合、先に説明した通り初期化直後のデバイス指定
信号は”０”であるから、主半導体ディスク４０が読み
出し先として選択され、データの読み出しが行なわれる
。読み出しが終了すると、メモリ終了信号１０７が生成
され第７図に示したアンドゲート７２に入力する。この
アンドゲート７２にはこの他に、読み書き指示信号１０
２を反転した即ち読み出し指示と、メモリ障害信号１０
８を反転した信号とが入力している。従って、メモリ障
害がない場合にはアンドゲート７２の出力がハイレベル
となり、読み出し動作の終了した読み書き（Ｒｅａｄ／
Ｗｒ　１ｔｅ）終了信号１１２がコントローラに出力さ
れる。

次に、第９図の（ｂ）により、読み出し時にメモリ障害
があった場合の説明をする。

この場合、当初、第９図（ａ）に示した場合と同様の動
作が実行されるが、メモリ終了信号１０７が出力された
後、メモリ障害信号１０８がハイレベルとなるため、第
７図のアンドゲート７２の出力がロウレベルとなり読み
書き終了信号１１２が出力されない。

又、第６図に示したアンドゲート６２に、メモリ終了信
号１０７とメモリ障害信号１０８とデバイス指定信号１
０３を反転した信号が入力し、メモリ終了信号１０７が
ハイレベル、メモリ障害信号１０８がハイレベル、デバ
イス指定信号１０３は“Ｏ”であってこれが反転すると
ハイレベルであるから、アンドゲート６２からはハイレ
ベルの起動信号が生成され、遅延回路６３を経てオアゲ
ート６１を通り、所定時間後、再び読み書き起動信号１
１１が出力されることになる。

又一方、第５図において、メモリ終了信号１０７とメモ
リ障害信号１０８が共にハイレベルとなってアンドゲー
ト３３に入力し、管理テーブル３１の出力したデバイス
指定信号１０３が反転してハイレベルとなって入力する
ため、アンドゲート３３からはハイレベルのテーブル書
き込みデータ１０９とハイレベルのテーブル書き込み指
示信号１１０とが生成されて、管理テーブル３１に入力
する。これによって、主半導体ディスク４０の該当する
ブロックについて、その障害発生を示すデータが管理テ
ーブル３１に格納されたことになる。

その後、第６図に示した回路から再生成された読み書き
起動信号１１１によって、再び読み出し動作が開始され
るが、この場合、管理テーブル３１からはデバイス指定
信号１０３の内容が“１”となって出力される。これに
より、今度は副半導体ディスク５０が読み出し先に指定
され、その後の読み出し動作が実行される。読み出し動
作が終了した後は、既に説明したように、第７図のアン
ドゲート７２を介して読み書き終了信号１１２が生成さ
れ出力される。こうして、第８図ステップ■に相当する
動作が終了する。

次に、第９図（Ｃ）に示すように、その後この同一のブ
ロックに対し読み出し指示があった場合には、管理テー
ブル３１からデバイス指定信号１０３の内容が“１”と
なる信号が出力され、このブロックについてのみ副半導
体ディスク５０からの読み出しが実行される。この動作
は、第６図ステップ■に相当する。

最後に、第９図（ｄ）には、この副半導体ディスク５０
についても障害が発生した場合の動作を示す。

主半導体ディスク４０に過去に障害が発生したブロック
について、管理テーブル３１を参照して、副半導体ディ
スク５０の読み出しを行なった場合に、メモリ障害信号
１０８がハイレベルになると、第７図に示したアンドゲ
ート７３に、読み書き指示信号１０２がハイレベルにな
って入力し、メモ’）終了信号１０７がノ＼イレベル、
メモリ障害信号１０８がハイレベル、デバイス指定信号
１０３もハイレベルとなって入力する。従って、このア
ンドゲート７３からはメモリ異常信号１１３が出力され
る。そして、同時にオアゲート７４から読み書き終了信
号１１２が出力される。この信号を半導体ディスク制御
装置３０の内部のコントローラが受は取ると、異常終了
が認識されシステムダウンとなる。

このように、本発明の装置においても、主半導体ディス
ク４０と副半導体ディスク５ｏの同一のブロックについ
て障害が発生した場合には、システムダウンとなる。し
かし、確率的にはこのようなケースは非常に稀であり、
実際には上記のようにしてこの２つの半導体ディスクを
使用することにより、従来よりもはるかに高い信頼性で
データの読み書きを実行することができる。

（発明の効果） 以上説明した本発明の半導体ディスク装置においては、
上位装置は見掛は上書き込みと読み出し指示を行なうだ
けで、２つの半導体ディスクの読み出し先の選択は専ら
半導体ディスク制御装置の側によって行なう。従って、
上位装置のプログラムの負担が減少し、又、その処理速
度も高速化される。更に、主半導体ディスクの各ブロッ
クのメモリ障害を即時に認識することができる管理テー
ブルを設けたので、プログラム等の判断によらず、自動
的に高速に読み出し先のディスクの選択を行なうことが
できる。

又、従来は、主半導体ディスクの一部だけに障害が発生
した場合でも、主半導体ディスク全体を直ちに使用不能
とし、その後は専ら副半導体ディスクのみを使用するよ
うにしていたが、本発明の場合、主半導体ディスクの障
害の発生したブロックのみを使用不能とするいう構成に
したので、両半導体ディスクの正常なブロックを最大限
に利用し、システムダウンとなるケースを十分減少する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体ディスク装置の実施例を示すブ
ロック図、第２図は従来の半導体ディスク装置の概略を
示すブロック図、第３図はその従来の半導体ディスク装
置の動作シーケンスチャート、第４図は本発明の装置の
半導体ディスク内の読み書き制御回路説明図、第５図は
その管理テーブル及び周辺制御回路の説明図、第６図は
半導体ディスク読み書き起動信号生成のための回路の説
明図、第７図は半導体ディスク読み書き終了信号生成の
ための回路の説明図、第８図は本発明の装置の動作シー
ケンスチャート、第９図は本発明の装置の読み出し動作
時の具体的なタイムチャートである。 １０・・・上位装置、 ３ｏ・・・半導体ディスク制御装置、 ３１・・・管理テーブル、４０−・・主半導体ディスク
、５０−・・副半導体ディスク、１００−・・起動信号
、１０１−・・読み書き指示信号、 １０３・・・デバイス指定信号、１０４・・・アドレス
信号。 Ｎ、＋＋１ 半Ｊｋディスク苫見λ璽之耕了儒号生爪回格第　７匁 大発明〇二重化半導体ディスク装置の酊穎〉−ケ／スチ
セート第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ファイル二重化のために用意された互いに同一メモリ構
   成の主半導体ディスクおよび副半導体ディスクと、 前記両半導体ディスクに対してデータの読み書き制御を
   行なう半導体ディスク制御装置とを備え、 この半導体ディスク制御装置は、 前記両半導体ディスクに対して同一のデータを書き込み
   、前記主半導体ディスクからそのデータを読み出すよう
   制御を行なう第１のモードと、前記両半導体ディスクに
   対して同一のデータを書き込み、前記副半導体ディスク
   からそのデータを読み出すよう制御を行なう第２のモー
   ドの動作を可能とする一方、 前記主半導体ディスクを構成するメモリを複数のブロッ
   クに区分し、これら全てのブロックについてそのメモリ
   障害発生の有無を判別する管理テーブルを設け、 この管理テーブルを参照して、 前記主半導体ディスクの正常なブロックに対する読み書
   き制御を行なう場合には、前記第１のモードを選定し、 前記主半導体ディスクにおいて障害の発生したブロック
   に対する読み書き制御を行なう場合には、前記第２のモ
   ードを選択することを特徴とする半導体ディスク装置。