JPH01226149A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01226149A JPH01226149A JP63052884A JP5288488A JPH01226149A JP H01226149 A JPH01226149 A JP H01226149A JP 63052884 A JP63052884 A JP 63052884A JP 5288488 A JP5288488 A JP 5288488A JP H01226149 A JPH01226149 A JP H01226149A
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- reaction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体！！！遣工程においてウェハ上に薄膜
を成長させる場合等に好適に利用される気相成長装置に
関するものである。
を成長させる場合等に好適に利用される気相成長装置に
関するものである。
従来の技術
半導体製造工程においては、多結晶シリコン膜、シリコ
ン窒化膜、シリコン酸化膜等が導電膜や絶縁膜として重
要な役割を果たしており、これらの薄膜を製造するため
に、横型又は縦型のバッチ式気相成長装置が利用されて
いる。
ン窒化膜、シリコン酸化膜等が導電膜や絶縁膜として重
要な役割を果たしており、これらの薄膜を製造するため
に、横型又は縦型のバッチ式気相成長装置が利用されて
いる。
第５図を参照しながら、従来の気相Ｉ＆艮装置の一例を
説明すると、１１は石英から成る反応管であり、周囲に
抵抗加熱ヒータ等の加熱手段１２が配設されている。反
応管１１の一端は開口され扉装置１３にて密閉可能に構
成されている。また、この一端近例からＮ、ｌｆス開閉
弁１４や反応ガス開閉弁１５を介してＮ２ガスや反応ガ
スを反応管１１内に供給するように構成されている。反
応管１１の他端には真空遮断弁１６が設けられている。
説明すると、１１は石英から成る反応管であり、周囲に
抵抗加熱ヒータ等の加熱手段１２が配設されている。反
応管１１の一端は開口され扉装置１３にて密閉可能に構
成されている。また、この一端近例からＮ、ｌｆス開閉
弁１４や反応ガス開閉弁１５を介してＮ２ガスや反応ガ
スを反応管１１内に供給するように構成されている。反
応管１１の他端には真空遮断弁１６が設けられている。
１８は半導体のウェハで、キャリアボート１７上に装填
された状態で、前記一端開口から反応管１１内に挿入さ
れる。
された状態で、前記一端開口から反応管１１内に挿入さ
れる。
次に、以上の結成の気相成長装置の勤乍を説明する。
まず、キャリアボート１７上にウェハ１８を装填し、予
め加熱手段１２にて予熱された反応管１１内に扉装置１
３を開いて挿入する。このとき、反応管１１内はＮ２ガ
ス開閉弁１４を介してＮ２ガスが供給され、大気圧とな
っている。挿入完了後、Ｎ２ガス開閉弁１４を閉じ、扉
装置１３で反応管１１内を密閉した状態で真空遮断弁１
６を開き、図示しない真空源によって反応管１１内を減
圧排気する。
め加熱手段１２にて予熱された反応管１１内に扉装置１
３を開いて挿入する。このとき、反応管１１内はＮ２ガ
ス開閉弁１４を介してＮ２ガスが供給され、大気圧とな
っている。挿入完了後、Ｎ２ガス開閉弁１４を閉じ、扉
装置１３で反応管１１内を密閉した状態で真空遮断弁１
６を開き、図示しない真空源によって反応管１１内を減
圧排気する。
＋ ノｆ＆、ウェハ１８が所定温度に到達するまで待磯
し、その間真空遮断弁１６を閉じ、反応管１１内のり−
クチェンクを行う。所定温度に到達したことを確認した
後、真空遮断弁１６及び反応ガス開閉弁１５を開き、反
応ガスを反応管１１内に供給し、ウェハ１８上に気相成
長を行う。
し、その間真空遮断弁１６を閉じ、反応管１１内のり−
クチェンクを行う。所定温度に到達したことを確認した
後、真空遮断弁１６及び反応ガス開閉弁１５を開き、反
応ガスを反応管１１内に供給し、ウェハ１８上に気相成
長を行う。
気相成長にて所定の厚さの薄膜が形成されると、反応ガ
ス開閉弁１５を閉じ、反応管１１内を減圧排気する。次
に、真空遮断弁１６を閉じ、Ｎ２．ｆス開閉弁１４を介
してＮ２ガスを反応管１１内に供給して大気圧とする。
ス開閉弁１５を閉じ、反応管１１内を減圧排気する。次
に、真空遮断弁１６を閉じ、Ｎ２．ｆス開閉弁１４を介
してＮ２ガスを反応管１１内に供給して大気圧とする。
その後、Ｎ２ガス開閉弁１４を閉じ、扉装置１３を開い
てキャリアボート１７上のウェハ１８を反応管１１内か
ら取り出して気相成長処理は完了する。
てキャリアボート１７上のウェハ１８を反応管１１内か
ら取り出して気相成長処理は完了する。
ところで、気相成長時の生成膜の膜成長速度は、反応ガ
ス濃度と反応温度に大きく影響されることが知られてい
る。
ス濃度と反応温度に大きく影響されることが知られてい
る。
即ち、膜成長速度Ｗは、次式で与えられる。
Ｗ＝Ａ ｅｘｐ（Ｅ／ＲＴ）Ｘに
こで、Ｃ：反応ガス濃度、Ｔ：反応温度、Ｅ：活性化エ
ネルギー、Ｒ：ガス定数、Ａ：定数である。
ネルギー、Ｒ：ガス定数、Ａ：定数である。
しかるに、上記のような構成の気相成長装置においては
、供給された反応ガスは上流側から消費され、下流側に
至るほど反応ガス濃度が低下することになり、ウェハ１
８上に形成されるｒＪ膜の膜厚が反応管１１内の配置位
置によって不均一となる。
、供給された反応ガスは上流側から消費され、下流側に
至るほど反応ガス濃度が低下することになり、ウェハ１
８上に形成されるｒＪ膜の膜厚が反応管１１内の配置位
置によって不均一となる。
そこで、下流側で反応ガス濃度が低下しても、ウェハ１
８上に均一な膜厚の薄膜を形成するためには、加熱手段
１２に温度勾配を設けて、反応管１１内の温度分布を、
反応管１１の一端側、即ち反応ガス流れの上流側を低く
、！端側、即ち下流側を高く設定すれば良く、従来がら
そのような手段が講じられていた。
８上に均一な膜厚の薄膜を形成するためには、加熱手段
１２に温度勾配を設けて、反応管１１内の温度分布を、
反応管１１の一端側、即ち反応ガス流れの上流側を低く
、！端側、即ち下流側を高く設定すれば良く、従来がら
そのような手段が講じられていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、例えば多結晶シリコン膜においては、生
成される気相成長膜の結晶粒は、反応温度によってその
大きさが異なってしまい、結晶粒の大きさが異なると、
後工程のエツチング工程において、エツチング速度が異
なる。そのため、同一のエツチングを行うためには、エ
ツチングを複数回に分けて、それぞれ最適なエツチング
条件を定めて行う必要があり、着しく能率を低下させる
という問題がある。又、シリコン窒化膜においては、上
流側と下流側の温度差ガストレスの不均一性をもたらし
、この不均一性のため後工程のエツチング工程を複数回
に分けなくてはならないという問題がある。
成される気相成長膜の結晶粒は、反応温度によってその
大きさが異なってしまい、結晶粒の大きさが異なると、
後工程のエツチング工程において、エツチング速度が異
なる。そのため、同一のエツチングを行うためには、エ
ツチングを複数回に分けて、それぞれ最適なエツチング
条件を定めて行う必要があり、着しく能率を低下させる
という問題がある。又、シリコン窒化膜においては、上
流側と下流側の温度差ガストレスの不均一性をもたらし
、この不均一性のため後工程のエツチング工程を複数回
に分けなくてはならないという問題がある。
また、温度を均一にしなから膜厚を一定にする方法とし
て、反応ガスが消費されてもその濃度に大きな影響が生
じない程度に、反応ガスの供給量を大幅に増加する方法
がある。しかし、大量の反応ガスを未利用のまま廃棄し
なければならず、さらに大量の反応ガスを排気するため
に大型の排気ポンプが必要になるという問題がある。
て、反応ガスが消費されてもその濃度に大きな影響が生
じない程度に、反応ガスの供給量を大幅に増加する方法
がある。しかし、大量の反応ガスを未利用のまま廃棄し
なければならず、さらに大量の反応ガスを排気するため
に大型の排気ポンプが必要になるという問題がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、反応管内の温度を均
一にできて後工程に悪影響を与えないで済み、かつ比較
的少ない反応ガスの供給量でもって均一な膜厚の薄膜を
形成することができる気相成長装置を提供することを目
的とする。
一にできて後工程に悪影響を与えないで済み、かつ比較
的少ない反応ガスの供給量でもって均一な膜厚の薄膜を
形成することができる気相成長装置を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため、減圧可能でかつ反応
ガスの供給口を一端部に排出口を他端韻に各々形成され
た反応管と、反応管の周囲に配設された加熱手段と、ウ
ェハを装填して反応管内に挿入されるウェハ担持手段と
を備えた気相成長装置において、前記ウェハ担持手段に
おけるウェハの配置ピッチを、反応管内の反応ガスの流
れ方向の上流側を密に、下流側を粗にしている。
ガスの供給口を一端部に排出口を他端韻に各々形成され
た反応管と、反応管の周囲に配設された加熱手段と、ウ
ェハを装填して反応管内に挿入されるウェハ担持手段と
を備えた気相成長装置において、前記ウェハ担持手段に
おけるウェハの配置ピッチを、反応管内の反応ガスの流
れ方向の上流側を密に、下流側を粗にしている。
また、前記ウェハ担持手段におけるウェハの姿勢を、反
応管内の反応ガスの流れ方向の上流側では反応ガスの流
れ方向に討して略垂直な姿勢に、下流側では反応ガスの
流れ方向に対して傾斜した姿勢にしてもよい。
応管内の反応ガスの流れ方向の上流側では反応ガスの流
れ方向に討して略垂直な姿勢に、下流側では反応ガスの
流れ方向に対して傾斜した姿勢にしてもよい。
作用
本発明によれば、ウェハの配置ピッチを反応管内の反応
ガスの流れ方向の上流側で密に、下流側で粗にすること
によって、ウェハとフェノ）の間に流入する反応ガス量
が上流側では少な（、下流側では多くなり、上流側で反
応ガス；農度が高く、下流側で低（なっても、均一な膜
厚の気−相成艮膜を形成できる。
ガスの流れ方向の上流側で密に、下流側で粗にすること
によって、ウェハとフェノ）の間に流入する反応ガス量
が上流側では少な（、下流側では多くなり、上流側で反
応ガス；農度が高く、下流側で低（なっても、均一な膜
厚の気−相成艮膜を形成できる。
詳細に説明すると、ガス流れ方向に討して垂直に短いピ
ッチで並べられたウェハとウェハのｖＪｌに挟まれた狭
い空間に流入する反応ガス量Ｑは、ガス流動が生じず、
分子拡散の形でのみ流入するのて゛、フィックの法則に
より、次式で与えられる。
ッチで並べられたウェハとウェハのｖＪｌに挟まれた狭
い空間に流入する反応ガス量Ｑは、ガス流動が生じず、
分子拡散の形でのみ流入するのて゛、フィックの法則に
より、次式で与えられる。
ここで、Ｃ：反応ガス濃度、Ｄ：拡散定数、ｄ：ウェハ
直径、１１：ウェハピンチ、ｒ：ウェハ半径方向にとっ
た座標系である（第２図参照）。
直径、１１：ウェハピンチ、ｒ：ウェハ半径方向にとっ
た座標系である（第２図参照）。
従って、反応ガスの流れ方向の上流側でウェハピッチｈ
を小さくすると、ウェハ間に分子拡散で移動する反応ガ
ス量を抑えることができ、結果として気相成長膜の膜厚
を小さく抑えることができる。逆に、下流側でフェハビ
ッチｈを大きくすると、ウェハ間に移動する反応ガス量
を増加させて膜厚を増すことができる。この結果、反応
温度を均一にしたままで、大量の反応ガスを流すことな
く均一な膜厚の気相成長膜を形成することができ、後工
程を簡略化できる。
を小さくすると、ウェハ間に分子拡散で移動する反応ガ
ス量を抑えることができ、結果として気相成長膜の膜厚
を小さく抑えることができる。逆に、下流側でフェハビ
ッチｈを大きくすると、ウェハ間に移動する反応ガス量
を増加させて膜厚を増すことができる。この結果、反応
温度を均一にしたままで、大量の反応ガスを流すことな
く均一な膜厚の気相成長膜を形成することができ、後工
程を簡略化できる。
また、ウェハの姿勢を上流側では反応ガスの流れ方向に
対して略垂直姿勢に、下流側では傾斜姿勢にすると、上
流側ではウェハ間には分子拡散によってのみ反応ガスが
流入するが、下流側ではガス流動によっても流入するの
で、流入ガス量が増加し、その結果上記と同様に反応温
度を均一にしたまま均一な膜厚の気相成長膜を形成でき
る。
対して略垂直姿勢に、下流側では傾斜姿勢にすると、上
流側ではウェハ間には分子拡散によってのみ反応ガスが
流入するが、下流側ではガス流動によっても流入するの
で、流入ガス量が増加し、その結果上記と同様に反応温
度を均一にしたまま均一な膜厚の気相成長膜を形成でき
る。
詳細に説明すると、ウェハを傾斜させたときに、ガス主
流部からウェハ間に流れる流速Ｖのガス流れによって流
入する反応ガス量及び分子拡散で流入する反応ガス量の
総和Ｑは、近似的に次式で表される。
流部からウェハ間に流れる流速Ｖのガス流れによって流
入する反応ガス量及び分子拡散で流入する反応ガス量の
総和Ｑは、近似的に次式で表される。
十ｖ◆ｄＩＩ１１ｃｏｓθ
ここで、Ｖ：ウェハ間の流速、θ：ガス流れ方向に垂直
な姿勢に対するウェハの傾斜角であり、その池は上記と
同じである。
な姿勢に対するウェハの傾斜角であり、その池は上記と
同じである。
なお、傾斜角θが小さいときは流速Ｖは小さい。
一方、θガスきくなりすぎると、ｂ ｃｏｓθ が小さ
くなってウェハピッチが小さくなったのと同じになり芳
しくない。
くなってウェハピッチが小さくなったのと同じになり芳
しくない。
従って、下流側でウェハを適当に傾斜させることによっ
て、ウェハ間を流れるガスによって運び込まれる反応ガ
ス量を増加させることができ、気相成長膜の膜厚を均一
にすることができる。
て、ウェハ間を流れるガスによって運び込まれる反応ガ
ス量を増加させることができ、気相成長膜の膜厚を均一
にすることができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
ｔｊＳ１図及び第２図は、本発明の第１実施例を示す、
ｆ：ｔＳ１図において、１は石英から成る反応管であり
、周囲に抵抗加熱ヒータ等の加熱手段２が配設されてい
る。反応管１の一端は開口されるとともに扉装置３にて
密閉可能に構成されている。また、この一端近傍からＮ
：！〃ガス開閉弁や反応ガス開閉弁５を介してＮ２！ｆ
スや反応ガスを反応管１内に供給するように構成されて
いる。反応管１の他端には真空遮断弁６が設けられてい
る。８は半導体のウェハで、キャリアボート７上に装填
された状態で、前記一端開口から反応管１内に挿入され
る。前記ウェハ８は、反応ガスの流れ方向上流側の領域
Ａでは密に、下流側の領域Ｂでは粗にキャリアボート７
上に装填されている。
ｆ：ｔＳ１図において、１は石英から成る反応管であり
、周囲に抵抗加熱ヒータ等の加熱手段２が配設されてい
る。反応管１の一端は開口されるとともに扉装置３にて
密閉可能に構成されている。また、この一端近傍からＮ
：！〃ガス開閉弁や反応ガス開閉弁５を介してＮ２！ｆ
スや反応ガスを反応管１内に供給するように構成されて
いる。反応管１の他端には真空遮断弁６が設けられてい
る。８は半導体のウェハで、キャリアボート７上に装填
された状態で、前記一端開口から反応管１内に挿入され
る。前記ウェハ８は、反応ガスの流れ方向上流側の領域
Ａでは密に、下流側の領域Ｂでは粗にキャリアボート７
上に装填されている。
次に、以上の構成の気相成長装置の動作を説明する。
まず、キャリアボート７上にウェハ８を上記の如く装填
し、予め加熱手段２にて約６１５℃前後に予熱された反
応管１内に扉装置３を開いて挿入する。このとき、反応
管１内はＮ２ガス開閉弁４を介してＮ２ｆｆスが供給さ
れ、大気圧となっている。挿入完了後Ｎ２ガス開閉弁４
を閉じ、扉装置３で反応管１内を密閉した状態で真空遮
断弁６を開き、図示しない排気ポンプによって反応管１
内を減圧排気する。
し、予め加熱手段２にて約６１５℃前後に予熱された反
応管１内に扉装置３を開いて挿入する。このとき、反応
管１内はＮ２ガス開閉弁４を介してＮ２ｆｆスが供給さ
れ、大気圧となっている。挿入完了後Ｎ２ガス開閉弁４
を閉じ、扉装置３で反応管１内を密閉した状態で真空遮
断弁６を開き、図示しない排気ポンプによって反応管１
内を減圧排気する。
その後、ウェハ８が所定温度に到達するまで、約１０〜
１５分待機し、その間真空遮断弁６を閉じ、反応管１内
のり−クチニックを行う。所定温度に到達したことを確
認した後、真空遮断ｆＰ６及び反応ガス開閉弁５を開き
、反応ガス（多結晶シリコン膜を形成する場合には、モ
ノシランガス（Ｓｉｌｌ＝））を反応管１内に供給し、
約０．２〜０゜３Ｔｏｒｒの圧力でウェハ８上に気相成
長膜を形成する。
１５分待機し、その間真空遮断弁６を閉じ、反応管１内
のり−クチニックを行う。所定温度に到達したことを確
認した後、真空遮断ｆＰ６及び反応ガス開閉弁５を開き
、反応ガス（多結晶シリコン膜を形成する場合には、モ
ノシランガス（Ｓｉｌｌ＝））を反応管１内に供給し、
約０．２〜０゜３Ｔｏｒｒの圧力でウェハ８上に気相成
長膜を形成する。
このとき加熱手段２の設定温度は反応管１の軸心方向に
均一であり、キャリアボート７上のウェハ８はほぼ均一
な温度である。しかし、ウェハ８の配置ピッチを反応ガ
スの流れ方向の上流側で密に、下流側で粗にしているの
で、上記の如く分子拡散によりウェハ８．８間に流入す
る反応ガス量は、上流側では少なく、下流側では多くな
り、したがって反応ガスが上流側で消費されて下流側で
反応ガス濃度が低くなっても、気相成長膜が均一に形成
される。
均一であり、キャリアボート７上のウェハ８はほぼ均一
な温度である。しかし、ウェハ８の配置ピッチを反応ガ
スの流れ方向の上流側で密に、下流側で粗にしているの
で、上記の如く分子拡散によりウェハ８．８間に流入す
る反応ガス量は、上流側では少なく、下流側では多くな
り、したがって反応ガスが上流側で消費されて下流側で
反応ガス濃度が低くなっても、気相成長膜が均一に形成
される。
気相成長を所定時間継続して所定の厚さの薄膜が形成さ
れると、反応ガス開閉弁５を閉じ、反応管１内を減圧排
気する。次に、真′ｇ！遮断弁６を閉じ、Ｎ２ガス開閉
弁４を介してＮ２ガスを反応管１内に供給して大気圧と
する。その後、Ｎ２ガス開閉弁４を閉じ、扉装置３を開
いてキャリアボート７上のウェハ８を反応管１内から取
り出すことによってすべての気相成長処理が完了する。
れると、反応ガス開閉弁５を閉じ、反応管１内を減圧排
気する。次に、真′ｇ！遮断弁６を閉じ、Ｎ２ガス開閉
弁４を介してＮ２ガスを反応管１内に供給して大気圧と
する。その後、Ｎ２ガス開閉弁４を閉じ、扉装置３を開
いてキャリアボート７上のウェハ８を反応管１内から取
り出すことによってすべての気相成長処理が完了する。
次に、本実施例に基づく実験例を従来例と比較して説明
する。
する。
まず、反応ガス（Ｈｅ ｆｆスがベースでＳｉＨ，を２
０％含む）を毎分５００ｃｃ供給し、圧力０．３７ｏｒ
ｒ、温度６２５℃一定の条件で、直径６インチのウェハ
をピッチ４．８■で１５０枚装填して１５分間多結晶シ
リコン膜を気相成長させると、ガス導入側から２６枚目
〜１２５枚目までの１００枚について、平均膜厚５２ｏ
１、誤差±３６％であった。
０％含む）を毎分５００ｃｃ供給し、圧力０．３７ｏｒ
ｒ、温度６２５℃一定の条件で、直径６インチのウェハ
をピッチ４．８■で１５０枚装填して１５分間多結晶シ
リコン膜を気相成長させると、ガス導入側から２６枚目
〜１２５枚目までの１００枚について、平均膜厚５２ｏ
１、誤差±３６％であった。
一方、ガス導入側を６００°Ｃ１排気側を６５０℃とし
て略直線的に温度勾配を付け、他の条件は同一で気相成
長させると、平均膜厚１１５０人、誤差±２％となった
。しかし、この場合結晶粒の大きさが異なり、エツチン
グ速度が異なってしまう。
て略直線的に温度勾配を付け、他の条件は同一で気相成
長させると、平均膜厚１１５０人、誤差±２％となった
。しかし、この場合結晶粒の大きさが異なり、エツチン
グ速度が異なってしまう。
そこで、反応ガスを毎分４３００ｃｃとして、池の条件
を同一にして気相成長させると、平均Ｉ１５！厚１２９
０人、誤差±５％となった。この場合、大量の反応ガス
を必要とする。
を同一にして気相成長させると、平均Ｉ１５！厚１２９
０人、誤差±５％となった。この場合、大量の反応ガス
を必要とする。
これに対して、ウェハピッチを１枚目〜９０枚目までは
１１１１鶴、９１枚目〜１５０枚目は７ＷＩ１１とし、
反応ガスを毎分２７００ｃｃ供給し、他の条件は同一に
して気相成長させると、平均膜厚１２３０λ、誤差±５
′！６となった。即ち、温度を均一にしたままで、上記
反応ガス量を単に増加する場合に比して６３％のガス量
で同一の膜厚のばらつきに抑えることができた。
１１１１鶴、９１枚目〜１５０枚目は７ＷＩ１１とし、
反応ガスを毎分２７００ｃｃ供給し、他の条件は同一に
して気相成長させると、平均膜厚１２３０λ、誤差±５
′！６となった。即ち、温度を均一にしたままで、上記
反応ガス量を単に増加する場合に比して６３％のガス量
で同一の膜厚のばらつきに抑えることができた。
次に、第３図により本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
この第２実施例と上記第１実施例と異なる点は、上流側
の領域Ｃではウェハ８の配置ピッチを相対的に小さくす
るとともにその姿勢を反応ガスの流れ方向に対して略垂
直姿勢にし、下流側の領域りでは配置ピンチを相対的に
大きくするとともに姿勢をθ°傾斜させたことにある。
の領域Ｃではウェハ８の配置ピッチを相対的に小さくす
るとともにその姿勢を反応ガスの流れ方向に対して略垂
直姿勢にし、下流側の領域りでは配置ピンチを相対的に
大きくするとともに姿勢をθ°傾斜させたことにある。
この場合も、既に詳細に説明した如く、上流側のウェハ
８．８間には分子拡散によらてのみ反応ガスが流入する
が、下流側のウェハ８．８間には、その傾斜のためにガ
ス流動によっても反応ガスが流入するので、流入が入量
が増加し、その結果上記と同様に反応温度を均一にした
ままで均一な膜１７の気相成長膜を形成できるのである
。
８．８間には分子拡散によらてのみ反応ガスが流入する
が、下流側のウェハ８．８間には、その傾斜のためにガ
ス流動によっても反応ガスが流入するので、流入が入量
が増加し、その結果上記と同様に反応温度を均一にした
ままで均一な膜１７の気相成長膜を形成できるのである
。
発明の効果
本発明の気相成長装置によれば、以上のようにウェハの
配置ピッチを反応管内の反応ガスの流れ方向の上流側で
密に、下流側で岨にしているので、ウェハとウェハの間
に流入する反応ガス量が上流側では少なく、下流側では
多くなり、反応ガスの消費によって反応ガス濃度が下流
側で低くなっても、温度を均一にしたままで均一な膜厚
の気相成長膜を形成でさ、また例えば多結晶シリコン膜
においては結晶粒の大きさが均一となる等、後工程のエ
ツチング工程を簡略化できる。
配置ピッチを反応管内の反応ガスの流れ方向の上流側で
密に、下流側で岨にしているので、ウェハとウェハの間
に流入する反応ガス量が上流側では少なく、下流側では
多くなり、反応ガスの消費によって反応ガス濃度が下流
側で低くなっても、温度を均一にしたままで均一な膜厚
の気相成長膜を形成でさ、また例えば多結晶シリコン膜
においては結晶粒の大きさが均一となる等、後工程のエ
ツチング工程を簡略化できる。
また、ウェハの姿勢を上流側では反応ガスの流れ方向に
対して略垂直姿勢に、下流側では傾斜姿勢にしても、上
流側ではｔエバ間には分子拡散によってのみ反応ガスが
流入し、下流側ではガス流動によっても流入するので、
流入ガス量が増加し、上記と同様の効果が得られる。
対して略垂直姿勢に、下流側では傾斜姿勢にしても、上
流側ではｔエバ間には分子拡散によってのみ反応ガスが
流入し、下流側ではガス流動によっても流入するので、
流入ガス量が増加し、上記と同様の効果が得られる。
ｔｊＳ１図は本発明の一実施例の、概略構成図、第２図
は同作用説明図、ｆｊＳ３図は本発明の第２実施例の概
略構成図、第４図は同作用説明図、第５図は従来例の概
略構成図て゛ある。 １・・・・・・・・・反応管 ２・・・・・・・・・加熱手段 ５・・・・・・・・・反応ガス開閉性 ６・・・・・・・・・真空遮断弁 ７・・・・・・・・・キャリアボート ８・・・・・・・・・ウェハ。 代理Ｍ嶋弁理士 中尾敏男 ほか１名 人 第２図 １ 、／ し−一一一一一＝ 第 ３１ し＝＝＝二＝≦
は同作用説明図、ｆｊＳ３図は本発明の第２実施例の概
略構成図、第４図は同作用説明図、第５図は従来例の概
略構成図て゛ある。 １・・・・・・・・・反応管 ２・・・・・・・・・加熱手段 ５・・・・・・・・・反応ガス開閉性 ６・・・・・・・・・真空遮断弁 ７・・・・・・・・・キャリアボート ８・・・・・・・・・ウェハ。 代理Ｍ嶋弁理士 中尾敏男 ほか１名 人 第２図 １ 、／ し−一一一一一＝ 第 ３１ し＝＝＝二＝≦
Claims (2)
- （１）減圧可能でかつ反応ガスの供給口を一端部に排出
口を他端部に各々形成された反応管と、反応管の周囲に
配設された加熱手段と、ウェハを装填して反応管内に挿
入されるウェハ担持手段とを備えた気相成長装置におい
て、前記ウェハ担持手段におけるウェハの配置ピッチを
、反応管内の反応ガスの流れ方向の上流側を密に、下流
側を粗にしたことを特徴とする気相成長装置。 - （２）減圧可能でかつ反応ガスの供給口を一端部に排出
口を他端部に各々形成された反応管と、反応管の周囲に
配設された加熱手段と、ウェハを装填して反応管内に挿
入されるウェハ担持手段とを備えた気相成長装置におい
て、前記ウェハ担持手段におけるウェハの姿勢を、反応
管内の反応ガスの流れ方向の上流側では反応ガスの流れ
方向に対して略垂直な姿勢に、下流側では反応ガスの流
れ方向に対して傾斜した姿勢にしたことを特徴とする気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052884A JPH0834185B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052884A JPH0834185B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226149A true JPH01226149A (ja) | 1989-09-08 |
| JPH0834185B2 JPH0834185B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=12927304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052884A Expired - Lifetime JPH0834185B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834185B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246836A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JP2015145317A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | ヤマハ株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165626A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for arranging substrate in chemical evaporating apparatus |
| JPS56155529A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Toshiba Corp | Forming method of film for semiconductor wafer |
| JPS57149726A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63052884A patent/JPH0834185B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165626A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for arranging substrate in chemical evaporating apparatus |
| JPS56155529A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Toshiba Corp | Forming method of film for semiconductor wafer |
| JPS57149726A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246836A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JP2015145317A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | ヤマハ株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834185B2 (ja) | 1996-03-29 |
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