JPH06208991A - 半導体基板の処理方法及び装置 - Google Patents
半導体基板の処理方法及び装置Info
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- JPH06208991A JPH06208991A JP1966693A JP1966693A JPH06208991A JP H06208991 A JPH06208991 A JP H06208991A JP 1966693 A JP1966693 A JP 1966693A JP 1966693 A JP1966693 A JP 1966693A JP H06208991 A JPH06208991 A JP H06208991A
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 2
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理室の室壁に付着しているパーティクルや
不純物を巻き上げて被処理物に付着する量を大幅に軽減
する。 【構成】 被処理物の設置された処理室を，置換用ガス
を流しながら大気圧から所望の処理圧力まで減圧した
後、被処理物を処理し、又処理室をガス置換する場合、
置換用ガスを流しながら減圧排気し、しかる後大気圧に
戻すことを特徴とする。
不純物を巻き上げて被処理物に付着する量を大幅に軽減
する。 【構成】 被処理物の設置された処理室を，置換用ガス
を流しながら大気圧から所望の処理圧力まで減圧した
後、被処理物を処理し、又処理室をガス置換する場合、
置換用ガスを流しながら減圧排気し、しかる後大気圧に
戻すことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の処理におい
てウェーハ等の被処理物にパーティクルや不純物を付着
させない処理方法及び装置に関する。
てウェーハ等の被処理物にパーティクルや不純物を付着
させない処理方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来方法の１例を説明するための
図である。従来方法は、処理室内で被処理物を減圧下で
処理する場合、置換用ガスの供給下で被処理物を処理室
内に搬入した後、図４に示すように処理室の圧力が７６
０Torr（大気圧）で、置換用ガスを流さずに排気をｔ1
時点でスタートし、到達圧力Ｐ1 になるまで真空排気す
る。しかる後、ｔ2 時点で置換用ガス, 処理用ガスなど
を流し始めて被処理物を処理し始め、所望の圧力Ｐ2 に
してＣＶＤ膜生成などの処理を行っている。
図である。従来方法は、処理室内で被処理物を減圧下で
処理する場合、置換用ガスの供給下で被処理物を処理室
内に搬入した後、図４に示すように処理室の圧力が７６
０Torr（大気圧）で、置換用ガスを流さずに排気をｔ1
時点でスタートし、到達圧力Ｐ1 になるまで真空排気す
る。しかる後、ｔ2 時点で置換用ガス, 処理用ガスなど
を流し始めて被処理物を処理し始め、所望の圧力Ｐ2 に
してＣＶＤ膜生成などの処理を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法にあっては、ｔ2 時点で置換用ガス等を流し始め、
このガスの流し始めにガスが処理室内に突入するため、
ガス流量及び圧力がＱa，Ｐa で示すように急変するこ
とにより処理室の室壁等に付着しているパーティクルや
不純物を巻き上げ、被処理物の表面に付着するという課
題がある。
方法にあっては、ｔ2 時点で置換用ガス等を流し始め、
このガスの流し始めにガスが処理室内に突入するため、
ガス流量及び圧力がＱa，Ｐa で示すように急変するこ
とにより処理室の室壁等に付着しているパーティクルや
不純物を巻き上げ、被処理物の表面に付着するという課
題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、被処理物の設置された処理室を，置換用ガ
スを流しながら大気圧から所望の処理圧力まで減圧した
後、被処理物を処理し、又処理室をガス置換する場合、
置換用ガスを流しながら減圧排気し、しかる後大気圧に
戻すことを特徴とする。
決するため、被処理物の設置された処理室を，置換用ガ
スを流しながら大気圧から所望の処理圧力まで減圧した
後、被処理物を処理し、又処理室をガス置換する場合、
置換用ガスを流しながら減圧排気し、しかる後大気圧に
戻すことを特徴とする。
【０００５】このように処理室内で被処理物を減圧下で
処理する場合も、処理室を大気圧に戻す場合も置換用ガ
スを流しながら行うことにより従来技術の課題である真
空排気後のガスの流し始めに発生するパーティクルや不
純物の巻き上げを防止できることにな、被処理物にパー
ティクルや不純物が付着する量を大幅に軽減できること
になる。
処理する場合も、処理室を大気圧に戻す場合も置換用ガ
スを流しながら行うことにより従来技術の課題である真
空排気後のガスの流し始めに発生するパーティクルや不
純物の巻き上げを防止できることにな、被処理物にパー
ティクルや不純物が付着する量を大幅に軽減できること
になる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の構成
を説明するための図である。まず、本実施例の構成を説
明する。図１において１は被処理物を減圧下で処理する
処理室、２，３はそれぞれ処理室１の供給口に接続され
た置換用ガス供給管及び処理用ガス供給管、４，５はそ
れぞれ各ガス供給管２，３に挿設された置換用ガス供給
バルブ及び処理用ガス供給バルブ、９，１０はそれぞれ
各ガス供給バルブ４，５に直列に挿設された流量制御器
である。８は処理室１の排気口に接続された排気管で、
主排気、補助排気バルブ６，７が並列に連結されて挿設
されている。１１は排気管８に接続された真空ポンプで
ある。
を説明するための図である。まず、本実施例の構成を説
明する。図１において１は被処理物を減圧下で処理する
処理室、２，３はそれぞれ処理室１の供給口に接続され
た置換用ガス供給管及び処理用ガス供給管、４，５はそ
れぞれ各ガス供給管２，３に挿設された置換用ガス供給
バルブ及び処理用ガス供給バルブ、９，１０はそれぞれ
各ガス供給バルブ４，５に直列に挿設された流量制御器
である。８は処理室１の排気口に接続された排気管で、
主排気、補助排気バルブ６，７が並列に連結されて挿設
されている。１１は排気管８に接続された真空ポンプで
ある。
【０００７】次に上記構成において本実施例の作用を説
明する。図２は本発明におけるガス置換シーケンスの１
例を示す説明図、図３は同じく成膜シーケンスの１例を
示す説明図である。図３に示すように処理室１に置換用
ガス供給バルブ４を開いて置換用ガスを流しておき、こ
の状態で処理室１内に被処理物を搬入する。しかる後、
図２及び図３に示すように置換用ガスを流しながら補助
排気バルブ７を開き、真空ポンプ１１により排気をｔ1
時点でスタートし、処理室１の圧力を，７６０Torr（大
気圧）から減圧する。
明する。図２は本発明におけるガス置換シーケンスの１
例を示す説明図、図３は同じく成膜シーケンスの１例を
示す説明図である。図３に示すように処理室１に置換用
ガス供給バルブ４を開いて置換用ガスを流しておき、こ
の状態で処理室１内に被処理物を搬入する。しかる後、
図２及び図３に示すように置換用ガスを流しながら補助
排気バルブ７を開き、真空ポンプ１１により排気をｔ1
時点でスタートし、処理室１の圧力を，７６０Torr（大
気圧）から減圧する。
【０００８】処理室１の圧力がｔ12時点で所定圧力にな
ったら、主排気バルブ６を開き、到達圧力Ｐ1 になるま
で排気する。しかる後、図３に示すようにｔ2 時点で処
理用ガス供給バルブ５を開き、処理用ガスを処理室１に
流し始め、例えば被処理物に成膜する処理をスタート
し、所望の圧力Ｐ2 にして被処理物に成膜する。従来方
法では図４に示すように成膜開始時点ｔ2 で置換用ガス
と処理用ガスを流し始め、それ迄ガスを流していないの
で、ガスの流し始めにガスが処理室１内に突入してガス
流量及び圧力がＱa ，Ｐa で示すように急変するが、本
発明では成膜開始時点ｔ2 前に置換用ガスを流してある
ので、処理用ガスの流し始めにガスが処理室１内に突入
してガス流量及び圧力がＱc ，Ｐc で示すように緩やか
に変化し急変することがないため、処理室１の室壁等に
付着しているパーティクルや不純物を巻き上げることが
殆どなくなり、被処理物にこれらが付着する量を大幅に
軽減できることになる。
ったら、主排気バルブ６を開き、到達圧力Ｐ1 になるま
で排気する。しかる後、図３に示すようにｔ2 時点で処
理用ガス供給バルブ５を開き、処理用ガスを処理室１に
流し始め、例えば被処理物に成膜する処理をスタート
し、所望の圧力Ｐ2 にして被処理物に成膜する。従来方
法では図４に示すように成膜開始時点ｔ2 で置換用ガス
と処理用ガスを流し始め、それ迄ガスを流していないの
で、ガスの流し始めにガスが処理室１内に突入してガス
流量及び圧力がＱa ，Ｐa で示すように急変するが、本
発明では成膜開始時点ｔ2 前に置換用ガスを流してある
ので、処理用ガスの流し始めにガスが処理室１内に突入
してガス流量及び圧力がＱc ，Ｐc で示すように緩やか
に変化し急変することがないため、処理室１の室壁等に
付着しているパーティクルや不純物を巻き上げることが
殆どなくなり、被処理物にこれらが付着する量を大幅に
軽減できることになる。
【０００９】例えばエピタキシャル成長装置等の置換用
ガスに多量の水素ガスを使用し、処理用ガスとしてＳｉ
Ｈ4 （モノシラン）ガスを使用する場合、処理室（反応
室）の室壁にシリコンポリマーが多量に付着するため、
本発明の場合、減圧プロセスで特に有効であり、従来、
１枚の被処理物に数百個付着していたのを数個にまで大
幅に軽減することができる。又、半導体基板カセットの
ロードロック室等には、機械的機構のパーティクル発生
源，例えば半導体基板搬送機構が存在するため、このよ
うな真空容器の真空不活性ガス置換を行う場合にも本発
明は好適であり、従来、１枚の被処理物に数十個付着し
ていたのを数個に低減することができる。
ガスに多量の水素ガスを使用し、処理用ガスとしてＳｉ
Ｈ4 （モノシラン）ガスを使用する場合、処理室（反応
室）の室壁にシリコンポリマーが多量に付着するため、
本発明の場合、減圧プロセスで特に有効であり、従来、
１枚の被処理物に数百個付着していたのを数個にまで大
幅に軽減することができる。又、半導体基板カセットの
ロードロック室等には、機械的機構のパーティクル発生
源，例えば半導体基板搬送機構が存在するため、このよ
うな真空容器の真空不活性ガス置換を行う場合にも本発
明は好適であり、従来、１枚の被処理物に数十個付着し
ていたのを数個に低減することができる。
【００１０】処理室から処理された被処理物を取り出す
ため、処理室１内をガス置換する場合、処理用ガス供給
バルブ５を閉じてから図２に示すように主排気バルブ６
をｔ3 時点で閉じ、次いでｔ4 時点で補助排気バルブ７
を閉じることになるが、その間、置換用ガスを流しなが
ら減圧排気し、大気圧に戻すことになる。なお、本実施
例では図２から判るように置換用ガス，処理用ガスの全
ガス量は、常に一定の流量になるよう流量制御器９，１
０により制御される。本発明方法及び装置は、減圧式の
ＣＶＤ装置，エピタキシャル成長装置，拡散装置，熱処
理装置等の処理室に適応できることは勿論である。
ため、処理室１内をガス置換する場合、処理用ガス供給
バルブ５を閉じてから図２に示すように主排気バルブ６
をｔ3 時点で閉じ、次いでｔ4 時点で補助排気バルブ７
を閉じることになるが、その間、置換用ガスを流しなが
ら減圧排気し、大気圧に戻すことになる。なお、本実施
例では図２から判るように置換用ガス，処理用ガスの全
ガス量は、常に一定の流量になるよう流量制御器９，１
０により制御される。本発明方法及び装置は、減圧式の
ＣＶＤ装置，エピタキシャル成長装置，拡散装置，熱処
理装置等の処理室に適応できることは勿論である。
【００１１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、被処理物
の設置された処理室を，置換用ガスを流しながら大気圧
から所望の処理圧力まで減圧した後、被処理物を処理
し、又処理室をガス置換する場合、置換用ガスを流しな
がら減圧排気し、しかる後大気圧に戻すことを特徴とす
る半導体基板の処理方法及び装置であるから、置換用ガ
スを流しておくことにより処理室の室壁に付着している
パーティクルや不純物が巻き上げられて被処理物に付着
する量を大幅に軽減することができる。
の設置された処理室を，置換用ガスを流しながら大気圧
から所望の処理圧力まで減圧した後、被処理物を処理
し、又処理室をガス置換する場合、置換用ガスを流しな
がら減圧排気し、しかる後大気圧に戻すことを特徴とす
る半導体基板の処理方法及び装置であるから、置換用ガ
スを流しておくことにより処理室の室壁に付着している
パーティクルや不純物が巻き上げられて被処理物に付着
する量を大幅に軽減することができる。
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の構成を説明す
るための図である。
るための図である。
【図２】本発明におけるガス置換シーケンスの１例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】同じく成膜シーケンスの１例を示す説明図であ
る。
る。
【図４】従来方法の１例を説明するための図である。
１ 処理室 ２ 置換用ガス供給管 ３ 処理用ガス供給管 ４ 置換用ガス供給バルブ ５ 処理用ガス供給バルブ ６ 主排気バルブ ７ 補助排気バルブ ８ 排気管 ９ 流量制御器 １０ 流量制御器 １１ 真空ポンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室内で被処理物を減圧下で処理する
方法において、処理室を置換用ガスを流しながら大気圧
から所望の処理圧力まで減圧した後、被処理物を処理す
ることを特徴とする半導体基板の処理方法。 - 【請求項２】 処理室内で被処理物を減圧下で処理する
方法において、被処理物の設置された処理室をガス置換
する場合、置換用ガスを流しながら減圧排気した後、大
気圧に戻すことを特徴とする半導体基板の処理方法。 - 【請求項３】 処理室（１）内で被処理物を減圧下で処
理する装置において、処理室（１）のガス供給口に、置
換用ガス供給管（２）及び処理用ガス供給管（３）をそ
れぞれ接続し、各ガス供給管（２，３）に置換用ガス供
給バルブ（４）及び処理用ガス供給バルブ（５）を挿設
し、処理室（１）の排気口に、主排気，補助排気バルブ
（６，７）を並列に接続して挿設した排気管（８）を接
続してなる半導体基板の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1966693A JP3197969B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1966693A JP3197969B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208991A true JPH06208991A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3197969B2 JP3197969B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=12005572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1966693A Expired - Lifetime JP3197969B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197969B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146781A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空／パージ方法 |
| JP5436429B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-03-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP1966693A patent/JP3197969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146781A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空／パージ方法 |
| JP5436429B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-03-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3197969B2 (ja) | 2001-08-13 |
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