JPH0122716B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光感応素子を含む測光積分回路からの
制御信号によつて閃光管の閃光の停止をする自動
制御電子閃光装置に関するものである。

自動調光機能を有する、いわゆるオートストロ
ボの一般のオートストロボにおいては、近距離に
おける露光量が遠距離側の露光量に比して多くな
る。すなわち、発光ガイドナンバー（写真用フラ
ツシユ光源の光量を実用的に表示した値）が低い
方で露出オーバーになる傾向にあり、これを防ぐ
方式が種々提案されている。

その一つの方式として、発光制御信号がフイル
ムの適正露光になる前に出るようにして、近距離
側の露光を抑えるという手段が採られている。し
かしながら、このような方式においては、遠距離
になるにしたがつて露光不足になるという欠点が
ある。

本発明は以上の点に鑑み、このような欠点を除
去すべくなされたもので、その目的は遠距離側の
露光不足を補い、さらに近距離から遠距離までの
全域に亘つて適正な露光が得られる電子閃光装置
を提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明は、
閃光管の発光、すなわち、閃光発生から測光積分
回路からの制御信号の発生までの時間に対応した
遅延時間を有する遅延回路を設け、上記制御信号
を受けてから遅延回路の遅延時間後に閃光管の閃
光を停止させるようにしたもので、以下、図面に
基づき本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明による電子閃光装置の一実施例
を示す回路図で、高圧発生部、主コンデンサおよ
び発光起動部などは従来のオートストロボとなん
ら変わらないので省略し、説明に必要な部分のみ
を示す。

図において、X_eは閃光管、T_h1は第１のスイツ
チング素子を形成するサイリスタ、T_h2は発光停
止のための第２のスイツチング素子を形成するサ
イリスタ、R₁〜R₁₀は抵抗で、その内抵抗R₂は発
光停止回路部分の電源V₂を発生させるための小
抵抗で、その抵抗値は約30mΩ位に設定されてい
る。P_dは受光素子（光感応素子）、C₁〜C₇はコン
デンサであつて、コンデンサC₅は光電流を積分
する積分用のコンデンサで、このコンデンサC₅
は受光素子P_dと共に測光積分回路を構成してい
る。また、コンデンサC₆と抵抗R₈およびコンデ
ンサC₇と抵抗R₁₀によつて時定回路を構成してい
る。COMPは比較器、Q₁はトランジスタ、Q₂は
電界効果トランジスタ（FET）、Q₃はトランジス
タである。

そしては印加される高電圧電源、TCはトリ
ガーコイルTCLの１次側と直列に接続されたト
リガーコンデンサ、Ｓは閃光管X_eを閃光発生
（以下、これを発光という）させるためのスイツ
チ、R₁およびC₁は直列接続された抵抗およびコ
ンデンサで、この抵抗R₁とコンデンサC₁の直列
回路は閃光管X_eに並列接続されている。

第１のスイツチング素子であるサイリスタT_h1
のアノード側は閃光管X_eとトリガーコイルTCL
およびコンデンサC₁の接続点に接続され、カソ
ード側は抵抗R₂を介して接地されると共に、ダ
イオードＤを介してツエナーダイオードZDとコ
ンデンサC₃の並列接続よりなる定電圧回路に接
続され、ゲート電極は抵抗R₃を介して接地され
ると共に、コンデンサC₂と抵抗R₄を直列に介し
て上記抵抗R₁とコンデンサC₁の接続点に接続さ
れている。また、発光停止のための第２のスイツ
チング素子であるサイリスタT_h2のアノード側は
抵抗R₁とコンデンサC₁の接続点に接続され、カ
ソード側は接地され、ゲート電極はコンデンサ
C₄と抵抗R₅を並列に介して接地されている。

比較器COMPの非反転入力端（正電位入力端）
（＋）は電源V₁と接地間に直列接続された受光素
子P_dと積分用コンデンサC₅の接続点に接続され、
反転入力端（負電位入力端）（−）は電源V₁と接
地間に接続され参照電圧（比較電圧）V_thを発生
する可変抵抗器VRの摺動子に接続されている。
そして、積分用のコンデンサC₅には閃光管X_eが
発光すると同時に“オフ”する誤動作防止用のス
イツチSWが並列に接続されている。ここで、こ
のスイツチSWは機械的または電子的スイツチに
よつて構成される。

トランジスタQ₁はFETQ₂のドレインに接続さ
れ、エミツタは接地され、ベースは抵抗R₆を介
して比較器COMPの出力端に接続されると共に、
抵抗R₇を介して接地されている。また、FETQ₂
のソースはトランジスタQ₃のベースに接続され、
ゲートはコンデンサC₆と抵抗R₈の並列接続から
なる時定回路を介して上記ツエナーダイオード
ZDとコンデンサC₃とからなる定電圧回路に接続
されると共に、抵抗R₉を介して接地されている。
そして、トランジスタQ₃のエミツタは上記定電
圧回路に接続され、コレクタは上記第２のスイツ
チング素子であるサイリスタT_h2のゲート電極に
接続され、ベースはコンデンサC₇と抵抗R₁₀の並
列接続よりなる時定回路を介して上記定電圧回路
に接続されている。そして、オンをする時間を変
えるFETQ₂と、コンデンサC₆と抵抗R₈およびコ
ンデンサC₇と抵抗R₁₀の時定回路とによつて、閃
光管X_eの発光から測光積分回路からの制御信号
の発生までの時間に対応した遅延時間を有する遅
延回路を構成している。

つぎにこの第１図に示す実施例の動作を第２図
乃至第６図を参照して説明する。まず、スイツチ
Ｓを閉じるとトリガーコンデンサTCの電荷がト
リガーコイルTCLの１次側を通つて急激に放電
するため、トリガーコイルTCLの２次側には数
KVの高圧が発生し、閃光管X_e内のガスを一部イ
オン化して内部抵抗が下がるため主放電を誘発し
閃光管X_eは発光する。これと同時にスイツチSW
は“オフ”し、被写体から反射して来た光を受光
素子P_dが受光し、その光電流をコンデンサC₅に
よつて積分する。そして、コンデンサC₅の端子
電圧が可変抵抗器VRによつて設定される参照電
圧（一定値）V_thに達すると、比較器COMPから
高レベル“Ｈ”の制御信号が送出され、トランジ
スタQ₁をオン状態に移行させる。

このように、本発明においては、受光素子P_d
の光電流またはそれに対応する電流をコンデンサ
C₅によつて積分し、その電圧が一定値V_thになつ
たとき制御信号を発する比較器COMPなどを有
しているが、この制御信号はフイルム面の露光が
適正値になる前に発生されるように構成されてい
る。この方法としては、積分用のコンデンサC₅
の容量を小さめにするか、参照電圧（比較電圧）
V_thを低めにすることによつて達成される。

一方、閃光管X_eの発光と同時に、コンデンサ
C₁の放電によつてサイリスタT_h1はオン状態に移
行し、抵抗R₂の両端に発生した電圧はダイオー
ドＤを介してツエナーダイオードZDとコンデン
サC₃とからなる定電圧回路に印加され、その定
電圧回路の出力電圧が電源V₂となり、この電源
V₂によつてコンデンサC₆を充電し始める。ここ
で、このコンデンサC₆と抵抗R₈の交点の電位V_G
はFETQ₂のゲートに印加されている。そして、
その電位V_Gは横軸に時間ｔ、縦軸に電位V_Gをと
つて表わした動作説明図である第２図に示すよう
に、時間の経過と共に降下してくる。

比較器COMPから高レベル“Ｈ”の制御信号
が発せられ、トランジスタQ₁がオンすると、
FETQ₂のソース・ドレイン間抵抗R_SDはそのとき
の電位V_Gに依存し、第３図に示すように時間と
共に増大する。そして、このように、トランジス
タQ₁がオンし、FETQ₂のソース・ドレイン間抵
抗R_SDを通してコンデンサC₇が充電される。この
充電電流はFETQ₂のソース・ドレイン間抵抗R_SD
に依存するため、トランジスタQ₃がオンする時
間、すなわち、比較器COMPから制御信号が入
つてからトランジスタQ₃がオンするまでの遅延
時間Ｔは発光からの時間に対応して変化する。

そして、トランジスタQ₃がオンすると、サイ
リスタT_h2のゲート電極には電源V₂が印加される
ので、サイリスタT_h2はオン状態に移行し、これ
に伴つてサイリスタT_h1はオフし、閃光管X_eは消
灯する。

第４図は閃光管X_eの発光から制御信号が入る
までの時間ｔと発光からトランジスタQ₃がオン
するまでの遅延時間Ｔとの関係を示し、第５図イ
は閃光管X_eの発光波形で、a′，b′，c′はそれぞれ
第５図ロに示す時間t₁，t₂，t₃に制御信号が入つ
たときの発光停止の態様を示す。なお、T₁，T₂，
T₃は制御信号が入つてから発光停止までの時間
を示し、時間T₁は明るい場合、すなわち近距離
の場合の遅延時間を示したものであり、時間T₂
は中距離の場合の遅延時間を示し、時間T₃は遠
距離の場合の遅延時間を示したものである。

この第５図から明らかなように、遠距離側また
は発光ガイドナンバーの大きい方では、制御信号
が入つてから発光停止までの遅延時間T₃が伸び
ているため、遠距離側の露光不足を軽減すること
ができる。

第６図にその態様を示す。図において、点線の
ａは補正しない、すなわち、フイルム面が適正露
光になつたとき制御信号を発して閃光管X_eの発
光を停止させた場合を示したものであり、鎖線ｃ
は遠距離側が余りオーバーにならないようにする
ため、フイルム面の露光が適正になる前に制御信
号を発して閃光管X_eの発光を停止させた場合を
示し、実線ｂは本発明による場合を示したもの
で、フイルム面の露光が適正になる前に制御信号
を発し、遠距離側になるにしたがつて遅延時間を
長くして閃光管X_eの発光を停止させた場合を示
したものである。なお、図において、E_Vはフイ
ルム面の露光量を示し、Ｏは適正レベル、DISは
距離を示す。

この第６図から明らかなように、光電流積分用
のコンデンサC₅の容量を小さめにするか、参照
電圧（比較電圧）V_thを低めにすることによつて
得られる制御信号によつて閃光管X_eの発光を停
止させると、第６図の鎖線ｃに示すように、近距
離側においては発光停止回路や閃光管の残光など
によつて発光光量が増加して適正発光量になる。
しかし、中距離から遠距離の範囲に亘つては上記
の増加される光量は光電流積分用コンデンサC₅
の容量を小さくしたことによる光量減少に比し小
さいため露光不足になる。この露光不足を補うた
めには、中距離〜遠距離になるにしたがつて、制
御信号が入つてきてもすぐには発光停止させず、
時定回路と相俟つてトランジスタQ₃をオンする
時間を変えるFETQ₂からなる遅延回路により所
定の遅延時間をおいてから閃光管X_eの発光を停
止させるように構成されている。すなわち、遠距
離になるにしたがつて、または制御信号が入つて
くるまでの時間が長くなるにしたがつて遅延時間
を長くするように構成されている。このように構
成された本発明の電子閃光装置の特性を第６図の
実線ｂに示す。

以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、複雑な手段を用いることなく、受光素子の光
電流またはそれに対応する電流をコンデンサに積
分し、その電圧が一定値になつたとき発生する制
御信号によつてオンをする時間を変えるトランジ
スタを制御し、所定の遅延時間をおいて閃光管の
発光を停止させるようにしたものであるから、遠
距離側の露光不足を補うと共に、近距離から遠距
離の全域に亘つて適切な露光を得ることができる
ので、実用上の効果は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子閃光装置の一実施例
を示す回路図、第２図乃至第６図は第１図の動作
説明に供する説明図である。 X_e…閃光管、P_d…受光素子、COMP…比較器、
Q₁…トランジスタ、Q₂…電界効果トランジスタ、
Q₃…トランジスタ、C₅〜C₇…コンデンサ、R₈，
R₁₀…抵抗。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 制御信号によつて閃光管の閃光の停止をする
   自動制御電子閃光装置において、前記閃光管の閃
   光発生から前記制御信号の発生までの時間に対応
   した遅延時間を有する遅延回路を設け、前記制御
   信号を受けてから前記遅延時間後に前記閃光管の
   閃光を停止せしめるようにしたことを特徴とする
   電子閃光装置。 ２ 閃光管の閃光発生から制御信号の発生までの
   時間に対応した遅延時間を有する遅延回路とし
   て、電界効果トランジスタとこの電界効果トラン
   ジスタに接続されたコンデンサとを備え、前記電
   界効果トランジスタのゲート・ソース間の電圧が
   前記閃光管の閃光発生からの時間と共に変化する
   ようになし、これに基いて該電界効果トランジス
   タのソース・ドレイン間の抵抗が閃光発生からの
   時間と共に変わるようになし、前記制御信号が前
   記電界効果トランジスタのソース・ドレイン間抵
   抗を通して前記コンデンサを充電せしめ、その蓄
   積電荷が一定電圧になつたとき閃光を停止せしめ
   るようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の電子閃光装置。