JPH0122725B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0122725B2 JPH0122725B2 JP10192284A JP10192284A JPH0122725B2 JP H0122725 B2 JPH0122725 B2 JP H0122725B2 JP 10192284 A JP10192284 A JP 10192284A JP 10192284 A JP10192284 A JP 10192284A JP H0122725 B2 JPH0122725 B2 JP H0122725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- exposure amount
- independent
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路のチツプパターンを
形成されるフオトマスク等の素子寸法を正確に管
理したレジストパターンの形成方法に関する。 （発明の技術的背景とその問題点） 集積回路の高密度化にともなつて、集積回路の
原図パターンが遮光膜として透明基板上に形成さ
れてなるフオトマスクのパターン精度や素子寸法
は極めて高い精度が要請されている。しかしなが
ら、フオトマスクを作製するとき、諸条件は一定
にはなりにくく、フオトレジストパターンをサブ
ミクロンオーダーで管理することは困難性があつ
た。 例えば、フオトレジストの感度、フオトレピー
ターの照度、現像条件などで素子寸法をコントロ
ールするのであるが、現状ではフオトレピーター
の照度は安定しているが、他の二要素は不安定で
ある。つまり、レジスト感度は経時変化があり、
現像条件は現像液の濃度、温度、および現像時間
の長短によつて、不安定化しやすい。 しかも、フオトマスクにおいて、集積回路チツ
プパターンは一種類のパターンからなるものでは
なく、例えば、メインパターン、レジストパター
ン、ターゲツトパターン等、別種複数のパターン
から構成されるのが普通である。ここで言う、メ
インパターンとは半導体集積回路に相当するパタ
ーンのことであり、レジストパターンは集積回路
を作成する時に用いる複数のフオトマスク間の位
置合わせのためのパターンである。また、ターゲ
ツトパターンはフオトマスクに多数設けられてい
るチツプパターン間の位置やパターンの精度をチ
エツクするためのパターンである。これらそれぞ
れのパターンの作成条件も相互に一定化しにくい
ということがあり、問題は複雑である。 （発明の目的） 本発明は、以上のようなフオトマスク製造時の
問題を踏まえ、フオトパターンの素子寸法を管理
せんとして案出したパターンの形成方法である。 （発明の概要） すなわち、本発明は、フオトマスクの素子パタ
ーンを構成する別種複数のパターンのそれぞれに
対して、その露光量を順次変化させたフオトレジ
ストからなるパターン群を配列し、かつそれらと
は別に、同様に露光量を順次変えたフオトレジス
トからなる目視可能な大きさの独立パターンを配
列してなるテストマスクを作成してなり、該テス
トマスクを適宜の進度で現像終点とした際の状態
から、前記の別種複数のパターンのそれだけに対
する適性露光量を決定し、かつ上記目視可能な大
きさの独立パターンにより現像の適性進度を決定
することを特徴とするパターンの形成方法であ
る。 （発明の詳述） 以下、図面に基いて詳細に説明すると、第１図
は本発明に用いるテストマスク１の一例を示すも
ので、図において、テストマスクの片面にはメイ
ンパターン２について、その露光量を順次変化さ
せたフオトレジストからなるパターン列２ａがあ
る。例えば、左端のメインパターン２１は露光時
間0.145秒でフオトレピーターにて殖版されたも
のであり、以下右方へ行くに従がい露光量を0.05
秒ずつ増やし右端のメインパターン２９において
0.190秒の露光時間とする。フオトマスクを構成
するその他のパターン、すなわちレジスタパター
ン３およびターゲツトパターン４についても、同
様に左端より右端へ露光時間を0.145秒から0.190
秒まで0.05秒きざみに増加させる。 これらフオトマスクを構成する別種複数のパタ
ーンとは別に、目視可能な大きさの独立パターン
５を露光量を順次変えた状態で配列する。独立パ
ターン５は例えば左端の独立パターン５１の露光
時間を0.110秒でフオトレピーターで殖版したと
すると、0.010秒きざみで右方へ露光時間を増加
させると良い。独立パターン５は、将来現像終止
マーカー（Development Ending Marker：以下
DEMという）となるものである。 このようにしてテストマスク１上のフオレレジ
ストを露光して潜像を形成した後、現像を行な
う。現像を行ないパターン化した時には、各パタ
ーンの露光時間は異なるから、現像されたレジス
トパターンの素子形状は、露光不足または露光過
剰な不不良パターンが大部分となるが、その中で
ひとつは適性露光量による良好なパターンが得ら
れるものである。 第１図の左から第７番目のメインパターン２
７、左から第２番目のレジスタパターン３２、左
から第５番目のターゲツトパターン４５が、パタ
ーン検査の結果、良好なパターンであることが示
されている。この時、独立パターン５は左から３
番目の独立パターン５３まで現像されたとする
と、この独立パターンの露光量は0.130秒である
から、下記のような関係が成り立つ。
形成されるフオトマスク等の素子寸法を正確に管
理したレジストパターンの形成方法に関する。 （発明の技術的背景とその問題点） 集積回路の高密度化にともなつて、集積回路の
原図パターンが遮光膜として透明基板上に形成さ
れてなるフオトマスクのパターン精度や素子寸法
は極めて高い精度が要請されている。しかしなが
ら、フオトマスクを作製するとき、諸条件は一定
にはなりにくく、フオトレジストパターンをサブ
ミクロンオーダーで管理することは困難性があつ
た。 例えば、フオトレジストの感度、フオトレピー
ターの照度、現像条件などで素子寸法をコントロ
ールするのであるが、現状ではフオトレピーター
の照度は安定しているが、他の二要素は不安定で
ある。つまり、レジスト感度は経時変化があり、
現像条件は現像液の濃度、温度、および現像時間
の長短によつて、不安定化しやすい。 しかも、フオトマスクにおいて、集積回路チツ
プパターンは一種類のパターンからなるものでは
なく、例えば、メインパターン、レジストパター
ン、ターゲツトパターン等、別種複数のパターン
から構成されるのが普通である。ここで言う、メ
インパターンとは半導体集積回路に相当するパタ
ーンのことであり、レジストパターンは集積回路
を作成する時に用いる複数のフオトマスク間の位
置合わせのためのパターンである。また、ターゲ
ツトパターンはフオトマスクに多数設けられてい
るチツプパターン間の位置やパターンの精度をチ
エツクするためのパターンである。これらそれぞ
れのパターンの作成条件も相互に一定化しにくい
ということがあり、問題は複雑である。 （発明の目的） 本発明は、以上のようなフオトマスク製造時の
問題を踏まえ、フオトパターンの素子寸法を管理
せんとして案出したパターンの形成方法である。 （発明の概要） すなわち、本発明は、フオトマスクの素子パタ
ーンを構成する別種複数のパターンのそれぞれに
対して、その露光量を順次変化させたフオトレジ
ストからなるパターン群を配列し、かつそれらと
は別に、同様に露光量を順次変えたフオトレジス
トからなる目視可能な大きさの独立パターンを配
列してなるテストマスクを作成してなり、該テス
トマスクを適宜の進度で現像終点とした際の状態
から、前記の別種複数のパターンのそれだけに対
する適性露光量を決定し、かつ上記目視可能な大
きさの独立パターンにより現像の適性進度を決定
することを特徴とするパターンの形成方法であ
る。 （発明の詳述） 以下、図面に基いて詳細に説明すると、第１図
は本発明に用いるテストマスク１の一例を示すも
ので、図において、テストマスクの片面にはメイ
ンパターン２について、その露光量を順次変化さ
せたフオトレジストからなるパターン列２ａがあ
る。例えば、左端のメインパターン２１は露光時
間0.145秒でフオトレピーターにて殖版されたも
のであり、以下右方へ行くに従がい露光量を0.05
秒ずつ増やし右端のメインパターン２９において
0.190秒の露光時間とする。フオトマスクを構成
するその他のパターン、すなわちレジスタパター
ン３およびターゲツトパターン４についても、同
様に左端より右端へ露光時間を0.145秒から0.190
秒まで0.05秒きざみに増加させる。 これらフオトマスクを構成する別種複数のパタ
ーンとは別に、目視可能な大きさの独立パターン
５を露光量を順次変えた状態で配列する。独立パ
ターン５は例えば左端の独立パターン５１の露光
時間を0.110秒でフオトレピーターで殖版したと
すると、0.010秒きざみで右方へ露光時間を増加
させると良い。独立パターン５は、将来現像終止
マーカー（Development Ending Marker：以下
DEMという）となるものである。 このようにしてテストマスク１上のフオレレジ
ストを露光して潜像を形成した後、現像を行な
う。現像を行ないパターン化した時には、各パタ
ーンの露光時間は異なるから、現像されたレジス
トパターンの素子形状は、露光不足または露光過
剰な不不良パターンが大部分となるが、その中で
ひとつは適性露光量による良好なパターンが得ら
れるものである。 第１図の左から第７番目のメインパターン２
７、左から第２番目のレジスタパターン３２、左
から第５番目のターゲツトパターン４５が、パタ
ーン検査の結果、良好なパターンであることが示
されている。この時、独立パターン５は左から３
番目の独立パターン５３まで現像されたとする
と、この独立パターンの露光量は0.130秒である
から、下記のような関係が成り立つ。
【表】
上式中DEMは、現像終止マーカのことであり
ここでは３番目のDEMまで現像した時、適性な
現像進度であることが示され、しかも、フオトマ
スクを構成する別種３個の各パターンについても
それらの適性露光量が示されていることになる。 以上のような知見から、フオトマスクを作成す
る。すなわち、第２図に示すように、フオトマス
ク６において、その個々のチツプパターン７の一
個一個には、前述のメイン、レジスタ、ターゲツ
トの３種のパターンが組合わされて構成されてい
るが、各パターンの適性露光量は、前記の式によ
り、メインパターン0.175秒、レジスタパターン
0.150秒、ターゲツトパターン0.165秒に設定す
る。さらに、これらチツプパターン７とは別所に
前述の独立パターンに相当するDEM８を配置す
る。DEM８によつて適性な現像進度を知ること
ができる。すなわち、DEM８の独立パターン群
のうち左から３番目まで現像される時点で、現像
操作を終止することで、適性な現像状態のレジス
トパターンが得られるものである。 （発明の効果） 本発明は以上のようなものであり、メイン、レ
ジスタ、ターゲツトの各パターンの適性寸法を得
るための最適露光量がわかると同時に、現像終止
マーカー（DEM）も何秒のところが現像されて
いるかが知られ、DEMと各パターンの関連結び
つきを把握することができる。 本発明によれば、フオトマスクの素子寸法が良
好な状態で管理できるものであり、パターン不良
が激減し、パターン修正の手間も軽減するなど、
実用上極めて優れたパターンの形成方法である。
ここでは３番目のDEMまで現像した時、適性な
現像進度であることが示され、しかも、フオトマ
スクを構成する別種３個の各パターンについても
それらの適性露光量が示されていることになる。 以上のような知見から、フオトマスクを作成す
る。すなわち、第２図に示すように、フオトマス
ク６において、その個々のチツプパターン７の一
個一個には、前述のメイン、レジスタ、ターゲツ
トの３種のパターンが組合わされて構成されてい
るが、各パターンの適性露光量は、前記の式によ
り、メインパターン0.175秒、レジスタパターン
0.150秒、ターゲツトパターン0.165秒に設定す
る。さらに、これらチツプパターン７とは別所に
前述の独立パターンに相当するDEM８を配置す
る。DEM８によつて適性な現像進度を知ること
ができる。すなわち、DEM８の独立パターン群
のうち左から３番目まで現像される時点で、現像
操作を終止することで、適性な現像状態のレジス
トパターンが得られるものである。 （発明の効果） 本発明は以上のようなものであり、メイン、レ
ジスタ、ターゲツトの各パターンの適性寸法を得
るための最適露光量がわかると同時に、現像終止
マーカー（DEM）も何秒のところが現像されて
いるかが知られ、DEMと各パターンの関連結び
つきを把握することができる。 本発明によれば、フオトマスクの素子寸法が良
好な状態で管理できるものであり、パターン不良
が激減し、パターン修正の手間も軽減するなど、
実用上極めて優れたパターンの形成方法である。
第１図は、本発明のレジストパターン作成方法
を行なうに適したテストマスクの一例を示す平面
図であり、第２図は、本発明の方法をフオトマス
クに適用した際のフオトマスクの一例を示す平面
図である。 １……テストマスク、２……メインパターン、
３……レジスタパターン、４……ターゲツトパタ
ーン、５……独立パターン、６……フオトマス
ク、７……チツプパターン、８……DEM。
を行なうに適したテストマスクの一例を示す平面
図であり、第２図は、本発明の方法をフオトマス
クに適用した際のフオトマスクの一例を示す平面
図である。 １……テストマスク、２……メインパターン、
３……レジスタパターン、４……ターゲツトパタ
ーン、５……独立パターン、６……フオトマス
ク、７……チツプパターン、８……DEM。
Claims (1)
- １ フオトマスクの素子パターンを構成する別種
複数のパターンのそれぞれに対して、その露光量
を順次変化させたフオトレジストからなるパター
ン群を配列し、かつそれらとは別に、同様に露光
量を順次変えたフオトレジストからなる目視可能
な大きさの独立パターンを配列してなるテストマ
スクを作成してなり、該テストマスクを適宜の進
度で現像終点とした際の状態から、前記の別種複
数のパターンのそれぞれに対する適性露光量を決
定し、かつ上記目視可能な大きさの独立パターン
により現像の適性進度を決定することを特徴とす
るパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101922A JPS60245226A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101922A JPS60245226A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245226A JPS60245226A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0122725B2 true JPH0122725B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=14313399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101922A Granted JPS60245226A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245226A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8502624A (nl) * | 1985-09-26 | 1987-04-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het bepalen van de belichtingsdosis van een lichtgevoelige laklaag. |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59101922A patent/JPS60245226A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60245226A (ja) | 1985-12-05 |
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