JPH01227431A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01227431A JPH01227431A JP63053899A JP5389988A JPH01227431A JP H01227431 A JPH01227431 A JP H01227431A JP 63053899 A JP63053899 A JP 63053899A JP 5389988 A JP5389988 A JP 5389988A JP H01227431 A JPH01227431 A JP H01227431A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- light source
- light
- exposure
- chromatic aberration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アライメント技術に関し、特に半導体装置の
製造における縮小投影露光工程におけるマスクに対する
半導体ウェハ(以下単に、「ウェハ」と略称する)のア
ライメントに適用して有効な技術に関する。
製造における縮小投影露光工程におけるマスクに対する
半導体ウェハ(以下単に、「ウェハ」と略称する)のア
ライメントに適用して有効な技術に関する。
レチクル−等のマスク上に遮光膜で形成された回路パタ
ーンをウェハ上に転写する技術としては、縮小投影露光
装置を用いた技術が一般的であるが、このときのウェハ
とマスクとの位置合わせは、たとえば以下のようにして
行なわれる。
ーンをウェハ上に転写する技術としては、縮小投影露光
装置を用いた技術が一般的であるが、このときのウェハ
とマスクとの位置合わせは、たとえば以下のようにして
行なわれる。
すなわち、ウェハの表面に凹凸の段差形状によって形成
されたアライメントマークに対して、縮小投影レンズを
通じて照明光を照射し、上記アライメントマークからの
反射光をビームスブリッタなどを介してTVカメラに入
射させ、この反射光の光単に基づいて電気信号を検出す
ることにより上記アライメントマークの位置を把握し、
マスクに対するウニへの目的露光領域の位置決めを行な
うものである。このような位置決め技術は、一般にスル
ー・ザ・レンズ(TTL>方式と呼ばれている。
されたアライメントマークに対して、縮小投影レンズを
通じて照明光を照射し、上記アライメントマークからの
反射光をビームスブリッタなどを介してTVカメラに入
射させ、この反射光の光単に基づいて電気信号を検出す
ることにより上記アライメントマークの位置を把握し、
マスクに対するウニへの目的露光領域の位置決めを行な
うものである。このような位置決め技術は、一般にスル
ー・ザ・レンズ(TTL>方式と呼ばれている。
ところで上記TTL方式による今後の課題点を指摘した
文献としては、日経マグロウヒル社、昭和62年12月
1日発行、「日経マイクロデバイセス」P80〜P81
がある。
文献としては、日経マグロウヒル社、昭和62年12月
1日発行、「日経マイクロデバイセス」P80〜P81
がある。
ここで、−船釣なTTL方式のアライメント技術を第7
図の系統図によって説明する。
図の系統図によって説明する。
すなわち、第7図において71は非露光対象物であるウ
ェハ、その直上に位置される72は露光用の縮小投影レ
ンズ、73は原版としてのレチクル、74は認識部とし
てのTVカメラ、75は露光光源と照明光源とを兼ねた
水銀ランプである。
ェハ、その直上に位置される72は露光用の縮小投影レ
ンズ、73は原版としてのレチクル、74は認識部とし
てのTVカメラ、75は露光光源と照明光源とを兼ねた
水銀ランプである。
上記縮小投影レンズ72とTVカメラ74との光路上に
は反射鏡76、中継レンズ77およびビームスプリッタ
78がそれぞれ配置されており、当該ビームスプリッタ
78によって透過された光はTVカメラ74に入射され
る構造となっている。
は反射鏡76、中継レンズ77およびビームスプリッタ
78がそれぞれ配置されており、当該ビームスプリッタ
78によって透過された光はTVカメラ74に入射され
る構造となっている。
一方、水銀ランプ75とビームスブリフタ78との間に
は水銀ランプ75からの波長中、E線(546nm)の
みを通過させるバンドパスフィルタ80およびコンデン
サレンズ81がそれぞれ配置されている。
は水銀ランプ75からの波長中、E線(546nm)の
みを通過させるバンドパスフィルタ80およびコンデン
サレンズ81がそれぞれ配置されている。
以上のように、パターン検出のために照明光として、単
色光であるE線が用いられており、露光時は露光光であ
るG線(436nm)が用いられる構造とされていた。
色光であるE線が用いられており、露光時は露光光であ
るG線(436nm)が用いられる構造とされていた。
照明光はビームスプリッタ78より中継レンズ77、反
射鏡76、縮小投影レンズ72を経てウェハ71上に照
射され、この反射光が上記経路を逆進してTVカメラ7
4に入射し、当該TVカメラ74の認識画像に基づいて
波形検出を行い、第6図(a)に示すようなウェハ71
上のアライメントマーク6の中心位置を算出する構造と
なっていた。
射鏡76、縮小投影レンズ72を経てウェハ71上に照
射され、この反射光が上記経路を逆進してTVカメラ7
4に入射し、当該TVカメラ74の認識画像に基づいて
波形検出を行い、第6図(a)に示すようなウェハ71
上のアライメントマーク6の中心位置を算出する構造と
なっていた。
ところが上記構造における縮小投影露光装置では以下の
ような問題のあることが本発明者によって見い出された
。
ような問題のあることが本発明者によって見い出された
。
すなわち、露光対象物であるウェハは、フォトレジスト
膜82が塗布された状態で上記縮小投影露光装置に提供
されるが、フォトレジスト膜32の塗布はウェハ71を
回転状態としてレジスト液を滴下し、該レジスト液の遠
心力による広がりを利用して行なっている。
膜82が塗布された状態で上記縮小投影露光装置に提供
されるが、フォトレジスト膜32の塗布はウェハ71を
回転状態としてレジスト液を滴下し、該レジスト液の遠
心力による広がりを利用して行なっている。
このため、上記回転時の遠心力によりアライメントマー
クの段差周辺でフォトレジスト膜82の塗布厚が不均衡
となり、特に段差パターンの中心に対してフォトレジス
ト膜82の堆積形状が非対称となる。ここで、上記アラ
イメントのための照明光としては露光に用いられるG線
(436nm)を単一波長く単色光)で用いることが一
般的であるため、本来の段差パターン上からの反射光と
フォトレジスト膜82上からの反射光とによって生じろ
干渉縞が非対称となり、TVカメラの認識画像である該
干渉縞から得られろ信号電圧波形も非対称かつ複雑とな
り、この結果、アライメントマークの段差パターンの検
出が困難となる場合もあった。
クの段差周辺でフォトレジスト膜82の塗布厚が不均衡
となり、特に段差パターンの中心に対してフォトレジス
ト膜82の堆積形状が非対称となる。ここで、上記アラ
イメントのための照明光としては露光に用いられるG線
(436nm)を単一波長く単色光)で用いることが一
般的であるため、本来の段差パターン上からの反射光と
フォトレジスト膜82上からの反射光とによって生じろ
干渉縞が非対称となり、TVカメラの認識画像である該
干渉縞から得られろ信号電圧波形も非対称かつ複雑とな
り、この結果、アライメントマークの段差パターンの検
出が困難となる場合もあった。
この点に関して、上記文献ではいくつかの解決手段が紹
介されているが、いずれも十分な解決手段を提供するも
のとはいえなかった。
介されているが、いずれも十分な解決手段を提供するも
のとはいえなかった。
本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的はフォトレジスト膜を被着したウェハにおけるパ
ターン検出を確実に行い、高精度なアライメントを実現
できる技術を提供することにある。
の目的はフォトレジスト膜を被着したウェハにおけるパ
ターン検出を確実に行い、高精度なアライメントを実現
できる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、少なくとも2波長以上の連続スペクトル光を
投影縮小レンズを介して露光対象物に対して照光する光
源と、該露光対象物からの反射光を入射して位置認識を
行なう認識部と、当該露光対象物と認識部との間の反射
光の光路上に設けられた色収差補正レンズ機構とを備え
た構造とするものである。
投影縮小レンズを介して露光対象物に対して照光する光
源と、該露光対象物からの反射光を入射して位置認識を
行なう認識部と、当該露光対象物と認識部との間の反射
光の光路上に設けられた色収差補正レンズ機構とを備え
た構造とするものである。
上記した手段によれば、照明光の光路に色収差補正レン
ズ機構を設け、各波長に対応して焦点距離を調整するこ
とによって、パターン照明光として2以上の波長あるい
はそれ以上の連続スペクトル光を用いることが可能とな
る。このため、たとえば検出部分のアライメントパター
ンに対してフォトレジスト膜厚が不均一かつ非対称であ
る場合にも、単一波長光のような干渉縞の非対称にとも
なう検出不能を防止でき、アライメント時の位置決め精
度を高めることができる。
ズ機構を設け、各波長に対応して焦点距離を調整するこ
とによって、パターン照明光として2以上の波長あるい
はそれ以上の連続スペクトル光を用いることが可能とな
る。このため、たとえば検出部分のアライメントパター
ンに対してフォトレジスト膜厚が不均一かつ非対称であ
る場合にも、単一波長光のような干渉縞の非対称にとも
なう検出不能を防止でき、アライメント時の位置決め精
度を高めることができる。
第1図は本発明の一実施例である縮小投影露光装置を示
す要部斜視図、第2図は本実施例の光学系を示す系統図
、第3図(a)およびら)は、それぞれ色収差補正レン
ズを示す説明図、第4図は本実施例に用いられる非点収
差補正レンズを示す斜視図、第5図(a)〜(C)は、
実施例における色収差補正レンズによる補正原理を概念
的に示した説明図、第6図(a) Jよび(b)はウェ
ハ上に形成されたアライメントマークと検出波形との関
係を示す説明図である。
す要部斜視図、第2図は本実施例の光学系を示す系統図
、第3図(a)およびら)は、それぞれ色収差補正レン
ズを示す説明図、第4図は本実施例に用いられる非点収
差補正レンズを示す斜視図、第5図(a)〜(C)は、
実施例における色収差補正レンズによる補正原理を概念
的に示した説明図、第6図(a) Jよび(b)はウェ
ハ上に形成されたアライメントマークと検出波形との関
係を示す説明図である。
本実施例の縮小投影露光装置は、水銀ランプからなる露
光光源lと、この露光光源1から照射される図示されな
い露光光を集束する集光レンズ2と、縮小投影レンズ3
とからなる露光光学系を有している。
光光源lと、この露光光源1から照射される図示されな
い露光光を集束する集光レンズ2と、縮小投影レンズ3
とからなる露光光学系を有している。
上記集光レンズ2と縮小投影レンズ3との間には、透明
な石英ガラス基板等にクロム(Cr)等の遮光膜で集積
回路パターンを形成したレチクル(原版)4が着脱可能
に配置されている。
な石英ガラス基板等にクロム(Cr)等の遮光膜で集積
回路パターンを形成したレチクル(原版)4が着脱可能
に配置されている。
一方、上記縮小投影レンズ3の下方には、図示されない
XYステージ上において水平面内において移動自在とさ
れたウェハ(露光対象物)5が載置されている。当該ウ
ェハ5は、所定のアライメントマーク6等が第6図(a
)に示されるように段差状に形成されており、さらにそ
の上面にフォトレジスト膜7が回転塗−布技術によって
被着された状態となっている。すなわち第1図において
、露光光ifから照射されレチクル4を透過した露光光
が縮小投影レンズ3によって所定の倍率(たとえば11
5)に縮小されてウェハ5に投影されることにより、当
該ウェハ5の表面に塗布されたフォトレジスト膜7が所
定パターンに露光されるものである。
XYステージ上において水平面内において移動自在とさ
れたウェハ(露光対象物)5が載置されている。当該ウ
ェハ5は、所定のアライメントマーク6等が第6図(a
)に示されるように段差状に形成されており、さらにそ
の上面にフォトレジスト膜7が回転塗−布技術によって
被着された状態となっている。すなわち第1図において
、露光光ifから照射されレチクル4を透過した露光光
が縮小投影レンズ3によって所定の倍率(たとえば11
5)に縮小されてウェハ5に投影されることにより、当
該ウェハ5の表面に塗布されたフォトレジスト膜7が所
定パターンに露光されるものである。
上記露光光学系の近傍には、照明光源8が設けられてお
り、この照明光源8からの照明光がその光路上に設けら
れたバンドパスフィルタ10およびコンデンサレンズ1
1を介してハーフミラ−構造のビームスプリッタ12に
入射される構造となっている。
り、この照明光源8からの照明光がその光路上に設けら
れたバンドパスフィルタ10およびコンデンサレンズ1
1を介してハーフミラ−構造のビームスプリッタ12に
入射される構造となっている。
本実施例においては、上記照明光源8は、露光光源1か
ら光フアイバ13等の導光手段によって導かれ、その先
端に装着された円筒鏡14で構成されている。
ら光フアイバ13等の導光手段によって導かれ、その先
端に装着された円筒鏡14で構成されている。
上記バンドパスフィルタ10は、たとえば露光光源1で
ある水銀ランプの放光波長のうち、E線(546nm)
とD線(589nm)のみを透過させるものであり、該
バンドパスフィルタ10を通過した照明光は、可視光範
囲における連続スペクトル光としてビームスプリッタ1
2に入射される。ビームスプリッタ12の光軸上には、
中継レンズ15、色収差補正レンズ16および非点収差
補正レンズ1′7がそれぞれ設けられており、上記縮小
投影レンズ3の側上に設けられた反射鏡18に達する構
造となっている。
ある水銀ランプの放光波長のうち、E線(546nm)
とD線(589nm)のみを透過させるものであり、該
バンドパスフィルタ10を通過した照明光は、可視光範
囲における連続スペクトル光としてビームスプリッタ1
2に入射される。ビームスプリッタ12の光軸上には、
中継レンズ15、色収差補正レンズ16および非点収差
補正レンズ1′7がそれぞれ設けられており、上記縮小
投影レンズ3の側上に設けられた反射鏡18に達する構
造となっている。
一方、ビームスプリッタ12の光軸上において、上記中
継レンズ15と対称位置には、中継レンズ15を経て認
識部としてのTVカメラ20が配置されている。
継レンズ15と対称位置には、中継レンズ15を経て認
識部としてのTVカメラ20が配置されている。
次に、本実施例の特徴的な構成要素である色収差補正レ
ンズ16について詳説する。
ンズ16について詳説する。
説明に先だって、色収差について第8図(a)および(
ハ)に基づいて説明すると、同図中aおよびbはそれぞ
れレンズ21から結像位置までの距離を示している。こ
こで、当該レンズ21の焦点距離をfとすると、a、b
、fの関係式は − + −= − a b f △b= □△f 21の焦点距離fと屈折率nの関係式は、下記のように
なる。
ハ)に基づいて説明すると、同図中aおよびbはそれぞ
れレンズ21から結像位置までの距離を示している。こ
こで、当該レンズ21の焦点距離をfとすると、a、b
、fの関係式は − + −= − a b f △b= □△f 21の焦点距離fと屈折率nの関係式は、下記のように
なる。
f=□
(n−1>
ける半径長を示している。
この(3)式より、屈折率の変化Δnにともなう焦ら、
上記(5)式は、
〔6〕
となる。
この(6)式より、屈折率の変化Δnにより結像位置も
Δbだけ変化することが理解できる。ここで、光の波長
と屈折率nとは反比例するため、波長が長くなると、結
像位置はΔbだけレンズ21の方向にシフトする。これ
が色収差である。一般に縮小投影露光装置で用いられる
縮小投影レンズ3は、露光光であるG線に体して最適な
光学特性となるよう設計されているため、照明光として
E線あるいはD線を用いた場合の焦点距離のずれについ
てまでは考慮されていない。
Δbだけ変化することが理解できる。ここで、光の波長
と屈折率nとは反比例するため、波長が長くなると、結
像位置はΔbだけレンズ21の方向にシフトする。これ
が色収差である。一般に縮小投影露光装置で用いられる
縮小投影レンズ3は、露光光であるG線に体して最適な
光学特性となるよう設計されているため、照明光として
E線あるいはD線を用いた場合の焦点距離のずれについ
てまでは考慮されていない。
したがって、干渉縞による検出不能を防止するためE線
とD線とによる連続スペクトル光を用いた場合、波長の
短いE線は比較的レンズの近傍で結像し、波長の長いD
線はレンズの遠方で結像する結果となり、本発明者の算
出によればアライメント光学系を通過した同波長のTV
カメラ20における結像位置の差は数十1程度にまでな
ってしまっている。
とD線とによる連続スペクトル光を用いた場合、波長の
短いE線は比較的レンズの近傍で結像し、波長の長いD
線はレンズの遠方で結像する結果となり、本発明者の算
出によればアライメント光学系を通過した同波長のTV
カメラ20における結像位置の差は数十1程度にまでな
ってしまっている。
本実施例では、この点を色収差補正レンズ1Gによって
解決している。
解決している。
すなわち、色収差補正レンズ16は、入射波長の大小に
かかわらず結像位置を一定に維持する機能を有するもの
であり、入射波長が大、すなわち屈折率の小さな光に対
しては結像距離を小とし、一方、入射波長が小、すなわ
ち屈折率の大きな光に対しては結像距離を大とするよう
調整されている。
かかわらず結像位置を一定に維持する機能を有するもの
であり、入射波長が大、すなわち屈折率の小さな光に対
しては結像距離を小とし、一方、入射波長が小、すなわ
ち屈折率の大きな光に対しては結像距離を大とするよう
調整されている。
この色収差補正レンズ16は、たとえば第3図(a)、
(b)に示されるように、フリシトガラスからなる凹レ
ンズ16aとクラウンガラスからなる凸レンズ16bと
を組み合わせて構成されているものであり、本実施例で
は上記構成の一対の色収差補正レンズ16.16が用い
られている。なお、同図(b)に示される組み合わせと
してもよい。当該色収差補正レンズ16は、本実施例で
は色収差補正範囲として波長λ=500nm〜590n
m程度のE線とD線を包含する波長帯域での包収等を補
正できるものであればよく、該色収差補正可能範囲につ
いては一対の色収差補正レンズ16間の間隔を変更する
ことにより調整可能である。
(b)に示されるように、フリシトガラスからなる凹レ
ンズ16aとクラウンガラスからなる凸レンズ16bと
を組み合わせて構成されているものであり、本実施例で
は上記構成の一対の色収差補正レンズ16.16が用い
られている。なお、同図(b)に示される組み合わせと
してもよい。当該色収差補正レンズ16は、本実施例で
は色収差補正範囲として波長λ=500nm〜590n
m程度のE線とD線を包含する波長帯域での包収等を補
正できるものであればよく、該色収差補正可能範囲につ
いては一対の色収差補正レンズ16間の間隔を変更する
ことにより調整可能である。
以上の色収差補正レンズ16の原理を概念的に示したの
が第5図(a)〜(C)であり、同図(a)は色収差補
正前のE線の単色光が入射された場合にあける結像距離
feS(b)は同じくD線における結像距離fd、(C
)は光路上に色収差補正レンズ16を配置して色収差補
正を行なった場合のE線とD線の結像距離fsをそれぞ
れ示している。同図では結像距離fsは、(a)と(b
)との結像距離の中間点、すなわちほぼf s= (f
e+ f d)/2となるように調整されている。し
たがって、照明光としてE線とD線との連続スペクトル
光を用いた場合において、色収差を抑制して、結像位置
を一定に保つことができる。このため、E線あるいはD
線のみの単色光を用いた場合に生じる干渉縞の非対称に
起因した位置検出不能が防止でき、TVカメラ20によ
る高精度なアライメントパターンの検出が可能となる。
が第5図(a)〜(C)であり、同図(a)は色収差補
正前のE線の単色光が入射された場合にあける結像距離
feS(b)は同じくD線における結像距離fd、(C
)は光路上に色収差補正レンズ16を配置して色収差補
正を行なった場合のE線とD線の結像距離fsをそれぞ
れ示している。同図では結像距離fsは、(a)と(b
)との結像距離の中間点、すなわちほぼf s= (f
e+ f d)/2となるように調整されている。し
たがって、照明光としてE線とD線との連続スペクトル
光を用いた場合において、色収差を抑制して、結像位置
を一定に保つことができる。このため、E線あるいはD
線のみの単色光を用いた場合に生じる干渉縞の非対称に
起因した位置検出不能が防止でき、TVカメラ20によ
る高精度なアライメントパターンの検出が可能となる。
な右、本実施例では光路上において、一対の色収差補正
レンズ16の間に第4図に示すような非点収差補正レン
ズ17が設けられている。該非点収差補正レンズ17は
、非点光線束に起因するウェハ5上の検出画像のXY力
方向ずれ、すなわち非点収差を補正するためのものであ
り、シリンドカルレンズからなる凸レンズ17aと凹レ
ンズ17bとの組合せで構成されている。したがって、
本実施例によれば色収差とともに非点収差も補正された
状態の照明光がTVカメラ20に入射されるため、高精
度な画像認識による位置検出が可能となる。
レンズ16の間に第4図に示すような非点収差補正レン
ズ17が設けられている。該非点収差補正レンズ17は
、非点光線束に起因するウェハ5上の検出画像のXY力
方向ずれ、すなわち非点収差を補正するためのものであ
り、シリンドカルレンズからなる凸レンズ17aと凹レ
ンズ17bとの組合せで構成されている。したがって、
本実施例によれば色収差とともに非点収差も補正された
状態の照明光がTVカメラ20に入射されるため、高精
度な画像認識による位置検出が可能となる。
次に、本実施例によるアライメント方法について説明す
る。
る。
まず、図示されないXYステージを移動させることによ
って、照明光源8である光ファイバ13の先端の円筒鏡
14より照明光が放射されると、バンドパスフィルタ1
0、コンデンサレンズ11を経た後、ビームスプリフタ
12で屈折されて、該照明光は、中継レンズ15、色収
差補正レンズ16および非点収差補正レンズ17、反射
鏡18、縮小投影レンズ3を経てウェハ5の所定領域を
照射する。このウェハ5からの反射光は上記経路を逆進
し、縮小投影レンズ3、反射鏡18、色収差補正レンズ
16および非点収差補正レンズ17を経てビームスプリ
フタ12に達する。ここで、反射光はビームスプリッタ
12を通過して中継レンズ15を経てTVカメラ20に
達する。当該TVカメラ20には図示されない信号処理
部が接続されており、TVカメラ20による認識画像か
ら信号波形が検出されるようになっている。
って、照明光源8である光ファイバ13の先端の円筒鏡
14より照明光が放射されると、バンドパスフィルタ1
0、コンデンサレンズ11を経た後、ビームスプリフタ
12で屈折されて、該照明光は、中継レンズ15、色収
差補正レンズ16および非点収差補正レンズ17、反射
鏡18、縮小投影レンズ3を経てウェハ5の所定領域を
照射する。このウェハ5からの反射光は上記経路を逆進
し、縮小投影レンズ3、反射鏡18、色収差補正レンズ
16および非点収差補正レンズ17を経てビームスプリ
フタ12に達する。ここで、反射光はビームスプリッタ
12を通過して中継レンズ15を経てTVカメラ20に
達する。当該TVカメラ20には図示されない信号処理
部が接続されており、TVカメラ20による認識画像か
ら信号波形が検出されるようになっている。
この信号検出波形を示したものが第6図(ハ)である。
本実施例によれば照明光の光路上に色収差補正レンズ1
6が設けられているため、EIIIとD線との連続スペ
クトル光を照明光として使用した場合にも色収差、すな
わち結像位置のずれが修正される。この結果、照明光i
1j!8に単色光を用いた場合に7オトレジスト膜厚の
不均一に起因して生じる干渉波形によるアライメントマ
ーク6の検出困難が回避され、第6図υに示されるよう
にアライメントマーク6の段差部に対応する検出信号の
把握を確実に行なうことができ、当該アライメントマー
ク6の位置が正確に検出される。このようにして得られ
たアライメントマーク6の位置に基づいてウェハ5の目
的の部位が、露光光学系上に正確に位置決めされ、その
後、露光光源1から放射され、集光レンズ2、レチクル
4、縮小投影レンズ3を経た図示されない露光光により
、レチクル4上の集積回路パターンがウェハ5の7オト
レジスト膜7上に転写される。
6が設けられているため、EIIIとD線との連続スペ
クトル光を照明光として使用した場合にも色収差、すな
わち結像位置のずれが修正される。この結果、照明光i
1j!8に単色光を用いた場合に7オトレジスト膜厚の
不均一に起因して生じる干渉波形によるアライメントマ
ーク6の検出困難が回避され、第6図υに示されるよう
にアライメントマーク6の段差部に対応する検出信号の
把握を確実に行なうことができ、当該アライメントマー
ク6の位置が正確に検出される。このようにして得られ
たアライメントマーク6の位置に基づいてウェハ5の目
的の部位が、露光光学系上に正確に位置決めされ、その
後、露光光源1から放射され、集光レンズ2、レチクル
4、縮小投影レンズ3を経た図示されない露光光により
、レチクル4上の集積回路パターンがウェハ5の7オト
レジスト膜7上に転写される。
以上の説明では、照明光源として露光光源である水銀ラ
ンプを用いた場合について説明したが、検出光源として
独立したキセノンランプを用いてもよい。
ンプを用いた場合について説明したが、検出光源として
独立したキセノンランプを用いてもよい。
この場合には、各波長において比較的均一な光エネルギ
ーを有するキセノンランプを用いることにより、連続ス
ペクトラム光を選択的に採用することが可能となり、色
収差補正レンズ16の補正率を調整して最適補正値を設
定することにより反射光の干渉によるパターン検出不能
を防止でき、高精度な位1検出が可能となる。
ーを有するキセノンランプを用いることにより、連続ス
ペクトラム光を選択的に採用することが可能となり、色
収差補正レンズ16の補正率を調整して最適補正値を設
定することにより反射光の干渉によるパターン検出不能
を防止でき、高精度な位1検出が可能となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、照明光源としては光ファイバの先端に装着さ
れた円筒鏡を一例として図示したが、これに限らず多角
形柱部体、多角錘筒体等、如何なる形状のものであって
もよい。
れた円筒鏡を一例として図示したが、これに限らず多角
形柱部体、多角錘筒体等、如何なる形状のものであって
もよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるウェハの縮小投影露光
におけるアライメント技術に適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、一般の縮小投
影露光に右けるアライメント技術に広(適用できる。
をその利用分野である、いわゆるウェハの縮小投影露光
におけるアライメント技術に適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、一般の縮小投
影露光に右けるアライメント技術に広(適用できる。
本願にふいて開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち本発明によれば、照明光の光路に色収差補正レ
ンズ機構を設け、各波長に対応して焦点距離を調整する
ことによって、パターン照明光として2以上の波長ある
いはそれ以上の連続スペクトル光を用いることが可能と
なる。このため、たとえば検出部分のアライメントパタ
ーンに対してフォトレジスト膜厚が不均一かつ非対称で
ある場合にも、単一波長光のような干渉による検出不能
を防止でき、アライメント時の位置決め精度を高めるこ
とができる。
ンズ機構を設け、各波長に対応して焦点距離を調整する
ことによって、パターン照明光として2以上の波長ある
いはそれ以上の連続スペクトル光を用いることが可能と
なる。このため、たとえば検出部分のアライメントパタ
ーンに対してフォトレジスト膜厚が不均一かつ非対称で
ある場合にも、単一波長光のような干渉による検出不能
を防止でき、アライメント時の位置決め精度を高めるこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例である縮小投影露光装置を示
す要部斜視図、 第2図は本実施例のパターン検出における光学系を示す
系統図、 第3図(a)およびら)はそれぞれ本実施例に用いられ
る色収差補正レンズを示す説明図、 第4図は本実施例に用いられる非点収差補正レンズを示
す斜視図、 第5図(a)〜(C)は実施例における色収差補正レン
ズによる補正原理を概念的に示した説明図、第6図(a
)およびQ))は実施例におけるウェハ上に形成された
アライメントマークと検出波形との関係を示す説明図、 第7図は従来技術のパターン検出における光学系を示す
系統図、 第8図(a)および(b)は色収差の説明のための図で
ある。 ■・・・露光光源、2・・・集光レンズ、3・・・縮小
投影レンズ、4・・・レチクル(原版)、5・・・ウェ
ハ(ri光対称物)、6・・・アライメントマーク、7
・・・フォトレジスト膜、8・・・照明光源、10・・
・バンドパスフィルタ、11・拳−コンデンサレンズ、
12俳・ψビームスプリフタ、13・・・光ファイバ、
14・・・円筒鏡、15・・・中継レンズ、16・・・
色収差補正レンズ、16a・・・凹レンズ、16b・・
・凸レンズ、17・・・非点収差補正レンズ、17a・
・・凸レンズ、17b・・・凹レンズ、18・・・反射
鏡、20・・・TV左カメラ21・・・レンズ、22・
・・照明光源(キセンランプ)、71・・・ウェハ、7
2・・・縮小投影レンズ、73・・・レチクル(原版)
、74・・・TV左カメラ認識部)、75・・・水銀ラ
ンプ(露光光源、照明光源)、76・・・反射鏡、77
・・・中継レンズ、78・・・ビームスブリフタ、80
・・・バンドパスフィルタ、81・・・コンデンサレン
ズ、82・・・フォトレジスト膜。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第1図 第2図 第3図 (a)(b) 第4図 第5図 第6図
す要部斜視図、 第2図は本実施例のパターン検出における光学系を示す
系統図、 第3図(a)およびら)はそれぞれ本実施例に用いられ
る色収差補正レンズを示す説明図、 第4図は本実施例に用いられる非点収差補正レンズを示
す斜視図、 第5図(a)〜(C)は実施例における色収差補正レン
ズによる補正原理を概念的に示した説明図、第6図(a
)およびQ))は実施例におけるウェハ上に形成された
アライメントマークと検出波形との関係を示す説明図、 第7図は従来技術のパターン検出における光学系を示す
系統図、 第8図(a)および(b)は色収差の説明のための図で
ある。 ■・・・露光光源、2・・・集光レンズ、3・・・縮小
投影レンズ、4・・・レチクル(原版)、5・・・ウェ
ハ(ri光対称物)、6・・・アライメントマーク、7
・・・フォトレジスト膜、8・・・照明光源、10・・
・バンドパスフィルタ、11・拳−コンデンサレンズ、
12俳・ψビームスプリフタ、13・・・光ファイバ、
14・・・円筒鏡、15・・・中継レンズ、16・・・
色収差補正レンズ、16a・・・凹レンズ、16b・・
・凸レンズ、17・・・非点収差補正レンズ、17a・
・・凸レンズ、17b・・・凹レンズ、18・・・反射
鏡、20・・・TV左カメラ21・・・レンズ、22・
・・照明光源(キセンランプ)、71・・・ウェハ、7
2・・・縮小投影レンズ、73・・・レチクル(原版)
、74・・・TV左カメラ認識部)、75・・・水銀ラ
ンプ(露光光源、照明光源)、76・・・反射鏡、77
・・・中継レンズ、78・・・ビームスブリフタ、80
・・・バンドパスフィルタ、81・・・コンデンサレン
ズ、82・・・フォトレジスト膜。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第1図 第2図 第3図 (a)(b) 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、露光工程における原版と露光対象物との位置決めを
行なう投影露光装置であって、少なくとも2波長以上の
連続スペクトル光を投影縮小レンズを介して露光対象物
上に形成されたパターンに対して照光する光源と、該パ
ターンからの反射光を入射して上記露光対象物の位置認
識を行なう認識部と、当該露光対象物と認識部との間の
反射光の光路上に設けられた色収差補正レンズ機構とを
備えた投影露光装置。 2、色収差補正レンズ機構とともに非点収差補正レンズ
を備えていることを特徴とする請求項1記載の投影露光
装置。 3、上記光源が露光用光源から独立したパターン検出専
用光源を備えていることを特徴とする請求項1記載の投
影露光装置。 4、露光用光源が水銀ランプで構成されるとともに、パ
ターン検出専用光源がキセノンランプで構成されている
ことを特徴とする請求項3記載の投影露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053899A JP2702496B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US07/313,180 US5094539A (en) | 1988-03-07 | 1989-02-21 | Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
| KR1019890002738A KR0130773B1 (ko) | 1988-03-07 | 1989-03-06 | 반도체 집적회로의 제조방법 및 패턴검출방법과 그것에 사용되는 반도체 위치맞춤 및 스테핑 축소 노출장치 |
| US07/811,059 US5260771A (en) | 1988-03-07 | 1991-12-20 | Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
| US08/111,310 US5432608A (en) | 1988-03-07 | 1993-08-24 | Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
| KR94004069A KR0130778B1 (en) | 1988-03-07 | 1994-03-03 | Mehtod of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053899A JP2702496B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9135479A Division JP2695767B1 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 縮小投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227431A true JPH01227431A (ja) | 1989-09-11 |
| JP2702496B2 JP2702496B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12955568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63053899A Expired - Lifetime JP2702496B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702496B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684595A (en) * | 1990-12-25 | 1997-11-04 | Nikon Corporation | Alignment apparatus and exposure apparatus equipped therewith |
| US7106444B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-09-12 | Nikon Corporation | Position measuring device, position measurement method, exposure apparatus, exposure method, and superposition measuring device and superposition measurement method |
| JP2012253145A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Canon Inc | 検出装置、露光装置、および、デバイスの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119232A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Nikon Corp | 露光装置 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63053899A patent/JP2702496B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119232A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Nikon Corp | 露光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5684595A (en) * | 1990-12-25 | 1997-11-04 | Nikon Corporation | Alignment apparatus and exposure apparatus equipped therewith |
| US7106444B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-09-12 | Nikon Corporation | Position measuring device, position measurement method, exposure apparatus, exposure method, and superposition measuring device and superposition measurement method |
| JP2012253145A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Canon Inc | 検出装置、露光装置、および、デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702496B2 (ja) | 1998-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071003 Year of fee payment: 10 |
|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |