JPH0122746B2 - - Google Patents

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JPH0122746B2
JPH0122746B2 JP54101664A JP10166479A JPH0122746B2 JP H0122746 B2 JPH0122746 B2 JP H0122746B2 JP 54101664 A JP54101664 A JP 54101664A JP 10166479 A JP10166479 A JP 10166479A JP H0122746 B2 JPH0122746 B2 JP H0122746B2
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JP
Japan
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light
light receiving
receiving element
integrated circuit
semiconductor integrated
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JP54101664A
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Takao Kinoshita
Shinji Sakai
Takashi Kawabata
Nobuhiko Shinoda
Mitsuya Hosoe
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Canon Inc
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Canon Inc
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
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    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は受光素子を同一基板上に含む単一半導
体集積回路素子（以下モノリシツクセンサーIC
と記す。）を含むパツケージの改良に関する。
従来、前述の様なモノリシツクセンサーICに
おいて、受光素子を形成するセンサー部以外へも
入射した光束が侵入する事が往々にしてあり、雑
音指数がかなり大きくなるものであつた。そして
この様なモノリシツクセンサーICの出力を利用
して何らかの制御を行う場合などには誤動作が生
じ勝ちになるという欠点を有していた。
第１図は従来のモノリシツクセンサーICの断
面構造を示す概念図である。
同図において、１はICを収納するパツケージ、
２はモノリシツクセンサICの基板半導体、３は
該IC上にて受光素子を形成するセンサー部、４，
５，６は夫々入射光束である。
図示の如く、入射光束４がセンサー部３に入射
しているのに対し光束５，６は基板半導体２に入
光して、電荷を発生させる。この電荷はセンサー
部３に入光する光束４によつて発生する信号電荷
と影響し合い不正な出力を形成し勝ちな欠点を有
しており、全体として誤動作を生じる事故が往々
にして起きた。
特に、イメージセンサ等の半導体集積回路素子
をパツケージ内に収納し、この半導体集積回路素
子の前面に対向するように保護透過部材（例えば
ガラス板）を設けて封止したものにおいては、通
常この半導体集積回路素子表面のほとんどの部分
は遮光用のアルミ膜で覆われている為、保護透過
部材を介して入射した光の一部はこのアルミ膜表
面で反射し、これが保護透過部材の内面で再び反
射して半導体集積回路素子に入射し、所謂フレア
やゴーストと呼ばれる現象を発生させる欠点があ
つた。
これに対し、実開昭52−33218号に示されるよ
うにチツプ前面の保護ガラスの内面側の一部に粗
面を形成したものが知られているが、この構成で
はパツケージからの不要な入射光を散乱させるこ
とはできるものの、強い光が保護ガラスの鏡面部
から入射した場合にパツケージ内で発出するフレ
アやゴーストはこの粗面で単に散乱されるだけ
で、基本的には防止できないものであつた。
本発明はこの様な従来のモノリシツクセンサー
ICの欠点を解消し得る構造の半導体集積回路素
子を含むパツケージを提供することを主たる目的
とし、特に受光素子の正面に対向するように設け
た保護透過部材（例えばガラス板）を介して入射
した光が受光素子等で反射し、これが再び保護透
過部材の内面で反射するのを極力防止し得るパツ
ケージを提供することを目的とするものである。
以下、第２図、第３図の実施例に基づき本発明
の詳細な説明を行う。
第２図はパツケージ内に設けられる単一半導体
集積回路素子を説明する為の図であり、第３図示
の本発明に係るパツケージによる効果をより高め
る為に構成を有する。
同図において第１図と同番号のものは同一部材
を示す。７ａ，７ｂは夫々面９及び端面１０上に
設けられた光束を遮蔽する部材である。
８は反射防止膜であつて光透過性を有する部材
から成るものである。
この様に構成されているので不要な部分への光
照射が遮蔽されセンサー部３において正しい出力
が得られる様になるものである。
第３図は本発明に係るパツケージ構成の実施例
における断面概念図である。
同図において第１，２図と同番号のものは同一
部材を示す。
１１は保護透過部材であり、前記受光素子へ光
を入射する為に前記受光素子に対向するように設
けられている。１２及び１４は光吸収性に優れた
物質で、前記受光素子周辺の半導体集積回路素子
表面と前記保護透過部材表面との間に生じる反射
を防止する為に、前記受光素子と対向する保護透
過部材表面の内、前記受光素子以外の半導体集積
回路素子表面と相対する部分に設けられている。
１３は外表面に光吸収率の高い物質を塗布した
リード線である。
この様に構成されているので保護透過部材の光
入射光路外の内面での反射は大幅に減少し、パツ
ケージ内の迷光を防止し得るものである。
尚、前記遮蔽部材７ａ，７ｂ及び又は光吸収部
材１２，１４等は夫々光吸収性と遮光性を兼備し
たものであつても良い事は言う迄もない。
又これら部材は半導体基板上に貼付又は塗布す
る他にフオトエツチングや拡散等により形成して
も良いものである。
以上詳述した如く、本発明に係る単一半導体集
積回路素子を含むパツケージに依れば (1) 受光部への不要光束の入射を防止する事がで
きる。
(2) 特に受光素子正面に対向するように設けた保
護透過部材の光入射光路外の内面反射を防止し
得る。
(3) 従つて、フレアやゴーストを激減することが
でき、特にイメージセンサの如くフレアやゴー
ストにデリケートな半導体集積回路において大
きなメリツトがあり、低雑音な単一半導体集積
回路素子が得られる。
等多くの効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の断面概念図。第２図は本発明
に係る半導体集積回路素子の例における断面の概
念図。第３図は本発明のパツケージの実施例にお
ける断面の概念図。 １…パツケージ、２…半導体基板、３…受光素
子部、４，５，６…光束、７ａ，７ｂ，１２，１
４…光遮蔽吸収部材、８…反射防止膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 受光素子を同一基板上に形成した半導体集積
    回路素子を含み、前記受光素子へ光を入射する為
    に前記受光素子に対向するよう設けた保護透過部
    材を有するパツケージにおいて、前記受光素子周
    辺の半導体集積回路素子表面と前記保護透過部材
    表面との間に生じる反射を防止する為に、前記受
    光素子と対向する保護透過部材表面の内、前記受
    光素子以外の半導体集積回路素子表面と相対する
    部分に光吸収性の高い物質を設けたことを特徴と
    するパツケージ。
JP10166479A 1979-08-09 1979-08-09 Semiconductor integrated circuit element Granted JPS5624969A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10166479A JPS5624969A (en) 1979-08-09 1979-08-09 Semiconductor integrated circuit element
US06/930,945 US4785338A (en) 1979-08-09 1986-11-10 Semi-conductor I.C. element

Applications Claiming Priority (1)

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JP10166479A JPS5624969A (en) 1979-08-09 1979-08-09 Semiconductor integrated circuit element

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JPS5624969A JPS5624969A (en) 1981-03-10
JPH0122746B2 true JPH0122746B2 (ja) 1989-04-27

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JP10166479A Granted JPS5624969A (en) 1979-08-09 1979-08-09 Semiconductor integrated circuit element

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