JPH0123177B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/14—Phosphorus; Compounds thereof
- B01J27/185—Phosphorus; Compounds thereof with iron group metals or platinum group metals
- B01J27/1853—Phosphorus; Compounds thereof with iron group metals or platinum group metals with iron, cobalt or nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/42—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor
- C07C5/48—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor with oxygen as an acceptor
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Description
【発明の詳細な説明】
アルケニル置換芳香族化合物は樹脂、プラスチ
ツク、ゴム、溶剤、化学中間体等の重要な出発物
質である。
ツク、ゴム、溶剤、化学中間体等の重要な出発物
質である。
アルケニル置換芳香族化合物の製造工程はしば
しば大量の末反応チヤージの再循環を必要とする
低い変換率により特徴ずけられる。多くの公知法
は大きな容量の水蒸気又は他のガス状希釈剤の存
在を必要とし、これは経済的に不利である。いく
つかの方法においてはアルケニル置換芳香族生成
物への変換率は酸化炭素及びその他の副生成物の
比較的多量の形成のために減少する。
しば大量の末反応チヤージの再循環を必要とする
低い変換率により特徴ずけられる。多くの公知法
は大きな容量の水蒸気又は他のガス状希釈剤の存
在を必要とし、これは経済的に不利である。いく
つかの方法においてはアルケニル置換芳香族生成
物への変換率は酸化炭素及びその他の副生成物の
比較的多量の形成のために減少する。
たとえばある公知法では、C2〜C3アルキル芳
香族炭化水素(例えば、エチルベンゼン、エチル
トルエン及びイソプロピルベンゼン)を、アルキ
ル芳香族炭化水素供給物及び水蒸気をF2O3触媒
上を通過させて相応するスチレン誘導体に変換す
る。通過あたりの変換率は35〜40%の範囲であ
り、比較的高い温度がこの酸化的脱水素反応にと
つて必要である。
香族炭化水素(例えば、エチルベンゼン、エチル
トルエン及びイソプロピルベンゼン)を、アルキ
ル芳香族炭化水素供給物及び水蒸気をF2O3触媒
上を通過させて相応するスチレン誘導体に変換す
る。通過あたりの変換率は35〜40%の範囲であ
り、比較的高い温度がこの酸化的脱水素反応にと
つて必要である。
他の酸化的脱水素法の例としては、米国特許第
3299155号明細書中にエチル(又はイソプロピル)
置換ベンゼン化合物及び二酸化イオウを燐酸カル
シウムのような金属燐酸塩触媒と気相で接触させ
ることよりなるアルケニルベンゼンの製法が記載
されている。
3299155号明細書中にエチル(又はイソプロピル)
置換ベンゼン化合物及び二酸化イオウを燐酸カル
シウムのような金属燐酸塩触媒と気相で接触させ
ることよりなるアルケニルベンゼンの製法が記載
されている。
米国特許第3409696号明細書中にはC2〜C4アル
キル芳香族炭化水素及び水蒸気の混合物を燐酸カ
ルシウムにビスムート化合物(例えば酸化ビスム
ート)20〜60重量%を含有し、それの担体が少な
くとも全細孔容量の90%まで1000〜6000Åの直径
を有する細孔で構成されている触媒と500゜〜650
℃の温度で接触させることより成る方法が記載さ
れている。
キル芳香族炭化水素及び水蒸気の混合物を燐酸カ
ルシウムにビスムート化合物(例えば酸化ビスム
ート)20〜60重量%を含有し、それの担体が少な
くとも全細孔容量の90%まで1000〜6000Åの直径
を有する細孔で構成されている触媒と500゜〜650
℃の温度で接触させることより成る方法が記載さ
れている。
出発物質と酸素の混合物を燐酸セリウム又はセ
リウム/ジルコニウム−燐酸塩触媒と400゜〜650
℃で接触させることより成るC2〜C6−アルキル
芳香族化合物を相応するC2〜C6−アルケニル芳
香族化合物に変換するための酸化脱水素法が米国
特許第3733327号明細書中に記載されている。
リウム/ジルコニウム−燐酸塩触媒と400゜〜650
℃で接触させることより成るC2〜C6−アルキル
芳香族化合物を相応するC2〜C6−アルケニル芳
香族化合物に変換するための酸化脱水素法が米国
特許第3733327号明細書中に記載されている。
米国特許第3957897号明細書中には酸素、450〜
650℃の温度の反応域、55〜2500の空間速度及び
少なくともピロ燐酸カルシウム、ピロ燐酸マグネ
シウム及びピロ燐酸マグネシウム及びピロ燐酸ス
トロンチウムの1つである触媒の使用を包含する
C2〜C6アルキル芳香族化合物の酸化脱水素法が
記載されている。
650℃の温度の反応域、55〜2500の空間速度及び
少なくともピロ燐酸カルシウム、ピロ燐酸マグネ
シウム及びピロ燐酸マグネシウム及びピロ燐酸ス
トロンチウムの1つである触媒の使用を包含する
C2〜C6アルキル芳香族化合物の酸化脱水素法が
記載されている。
更に最近、合成樹脂生成物の製造にともなう潜
在的に有害な環境への影響に対する関心が高まつ
てきている。大きな形状の製品の成形において、
例えば、重合可能なモノマーコンパウンドの揮発
性成分は新らしく塗布されたさらされている型表
面からしばしば蒸発しやすい。
在的に有害な環境への影響に対する関心が高まつ
てきている。大きな形状の製品の成形において、
例えば、重合可能なモノマーコンパウンドの揮発
性成分は新らしく塗布されたさらされている型表
面からしばしば蒸発しやすい。
種々の方法が合成樹脂製造装置において揮発す
る気体の量を低下させるために考慮された。1方
法はコンパウンドの揮発性モノマーを低い蒸気圧
を有するモノマーと置換することよりなる。この
ようにして、コモノマーとして揮発性スチレンを
含有する重合性コンパウンド中にスチレンのかわ
りにtert−ブチルスチレンのようなアルケニル芳
香族化合物を使用するのが有利である。
る気体の量を低下させるために考慮された。1方
法はコンパウンドの揮発性モノマーを低い蒸気圧
を有するモノマーと置換することよりなる。この
ようにして、コモノマーとして揮発性スチレンを
含有する重合性コンパウンド中にスチレンのかわ
りにtert−ブチルスチレンのようなアルケニル芳
香族化合物を使用するのが有利である。
もう1つの理由としては、tert−ブチルスチレ
ンが重合性コンパウンドの成形性を改良し、成形
されたプラスチツク製品の成形収縮を減少させる
ので、コポリマーのコンパウンド中のコモノマー
として又は繊維強化プラスチツクのための硬化剤
として好ましいということが判明したからであ
る。
ンが重合性コンパウンドの成形性を改良し、成形
されたプラスチツク製品の成形収縮を減少させる
ので、コポリマーのコンパウンド中のコモノマー
として又は繊維強化プラスチツクのための硬化剤
として好ましいということが判明したからであ
る。
樹脂系中のコモノマーとしてのtert−ブチルス
チレンの利点はこのタイプのより高い分子量のア
ルケニル芳香族化合物の改良された合成法に対す
る興味を刺激した。
チレンの利点はこのタイプのより高い分子量のア
ルケニル芳香族化合物の改良された合成法に対す
る興味を刺激した。
米国特許明細書第3932549号明細書中にはtert
−ブチルベンゼンとエチレン及び酸素とを金属パ
ラジウム又はその脂肪酸塩をピリジンで処理する
ことにより製造された触媒の存在下に50〜300℃
で反応させることよりなるtert−ブチルスチレン
の製法が記載されている。
−ブチルベンゼンとエチレン及び酸素とを金属パ
ラジウム又はその脂肪酸塩をピリジンで処理する
ことにより製造された触媒の存在下に50〜300℃
で反応させることよりなるtert−ブチルスチレン
の製法が記載されている。
tert−ブチルベンゼンを製造するための他の公
知法はtert−ブチルエチルベンゼンの酸化脱水素
を包含する。C2〜C6アルキル芳香族化合物の酸
化脱水素のための前記のこれらタイプの特許記載
方法は一般にtert−ブチルエチルベンゼンのtert
−ブチルスチレンへの変換に適用可能である。
知法はtert−ブチルエチルベンゼンの酸化脱水素
を包含する。C2〜C6アルキル芳香族化合物の酸
化脱水素のための前記のこれらタイプの特許記載
方法は一般にtert−ブチルエチルベンゼンのtert
−ブチルスチレンへの変換に適用可能である。
しかしながら、酸化脱水素条件下でのtert−ブ
チルエチルベンゼンの化学反応性はエチルベンゼ
ン又はエチルトルエンのような単純な化学構造の
ものより複雑である。tert−ブチルエチルベンゼ
ンのtert−ブチル置換分は酸化脱水素条件下でク
ラツキングを受けやすく、メタン及び残りのベン
ゼン核上のイソプロペニル置換分が得られる。従
つて、tert−ブチルエチルベンゼン酸化脱水素の
最終的な副生成物の1つはイソプロペニルスチレ
ンのようなジアルケニルベンゼンである。
チルエチルベンゼンの化学反応性はエチルベンゼ
ン又はエチルトルエンのような単純な化学構造の
ものより複雑である。tert−ブチルエチルベンゼ
ンのtert−ブチル置換分は酸化脱水素条件下でク
ラツキングを受けやすく、メタン及び残りのベン
ゼン核上のイソプロペニル置換分が得られる。従
つて、tert−ブチルエチルベンゼン酸化脱水素の
最終的な副生成物の1つはイソプロペニルスチレ
ンのようなジアルケニルベンゼンである。
二個以上の重合可能なアルケニル基が存在する
のでイソプロペニルスチレンのような化合物は酸
化脱水素工程の出発物質の変換及び生成物の回収
の高温度のサイクルの間、交叉結合活性を受けや
すくかつ不溶性副生成物を形成しやすい。熱交換
器や蒸留塔は高分子量ポリマー残分の付着により
効力がなくなることがある。
のでイソプロペニルスチレンのような化合物は酸
化脱水素工程の出発物質の変換及び生成物の回収
の高温度のサイクルの間、交叉結合活性を受けや
すくかつ不溶性副生成物を形成しやすい。熱交換
器や蒸留塔は高分子量ポリマー残分の付着により
効力がなくなることがある。
更に、精製されたtert−ブチルスチレン中にイ
ソプロピレン型の不純物が特に変動する量で存在
すると、この汚染されたtert−ブチルスチレン生
成物を重合性コンパウンド中にコモノマーとして
適用することを複雑とし又は妨げることさえあ
る。
ソプロピレン型の不純物が特に変動する量で存在
すると、この汚染されたtert−ブチルスチレン生
成物を重合性コンパウンド中にコモノマーとして
適用することを複雑とし又は妨げることさえあ
る。
従つて、本発明の課題はC2〜C6アルキル置換
芳香族化合物を相応するアルケニル置換芳香族誘
導体に酸化脱水素するための方法を得ることであ
る。
芳香族化合物を相応するアルケニル置換芳香族誘
導体に酸化脱水素するための方法を得ることであ
る。
本発明のもう1つの課題は、高い出発物質の変
換率及び生成物の選択性を伴なう修正した条件下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換するための方法を得ることである。
換率及び生成物の選択性を伴なう修正した条件下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換するための方法を得ることである。
本発明のもう1つの課題はジアルケニルベンゼ
ン副生成物の生成なしに、もしくは僅かな生成下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換する方法をうることである。
ン副生成物の生成なしに、もしくは僅かな生成下
にtert−ブチルエチルベンゼンをtert−ブチルス
チレンに変換する方法をうることである。
本発明のもう1つの課題は酸化脱水素工程に適
合する新規な触媒を得ることである。
合する新規な触媒を得ることである。
本発明の他の課題及び利点は次の記載及び例か
ら明らかになる。
ら明らかになる。
本発明の1つ以上の課題はtert−ブチルエチル
ベンゼン及び酸素を含有する供給流を気相でニツ
ケル/ジルコニウム燐酸塩からなる触媒と接触さ
せることより成る方法をつくることにより成し遂
げられる。
ベンゼン及び酸素を含有する供給流を気相でニツ
ケル/ジルコニウム燐酸塩からなる触媒と接触さ
せることより成る方法をつくることにより成し遂
げられる。
更に詳細な実施形式において、本発明はtert−
ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混合物を約
350℃〜650℃の間の範囲の温度で共沈ニツケル/
ジルコニウム−燐酸塩触媒と接触させることより
なり、かつここでtert−ブチルスチレンへの変換
選択性が少なくとも80モル%であり、ジアルケニ
ルベンゼンへの変換選択性が本質的に0モル%で
ある酸化脱水素条件下でのtert−ブチルスチレン
の製法を提供する。
ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混合物を約
350℃〜650℃の間の範囲の温度で共沈ニツケル/
ジルコニウム−燐酸塩触媒と接触させることより
なり、かつここでtert−ブチルスチレンへの変換
選択性が少なくとも80モル%であり、ジアルケニ
ルベンゼンへの変換選択性が本質的に0モル%で
ある酸化脱水素条件下でのtert−ブチルスチレン
の製法を提供する。
もう一つの詳細な実施形式において、本発明は
tert−ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混合
物を約350℃〜650℃の間の範囲の温度で共沈ニツ
ケル/ジルコニウム/セリウム−燐酸塩触媒と接
触させることよりなり、かつここでtert−ブチル
スチレンへの変換選択性が少なくとも80モル%で
あり、ジアルケニルベンゼンへの変換選択性が本
質的に0モル%である酸化脱水素条件下でのtert
−ブチルスチレンの製法を提供する。
tert−ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混合
物を約350℃〜650℃の間の範囲の温度で共沈ニツ
ケル/ジルコニウム/セリウム−燐酸塩触媒と接
触させることよりなり、かつここでtert−ブチル
スチレンへの変換選択性が少なくとも80モル%で
あり、ジアルケニルベンゼンへの変換選択性が本
質的に0モル%である酸化脱水素条件下でのtert
−ブチルスチレンの製法を提供する。
酸化脱水素反応の有利な反応温度は約400℃〜
600℃の間の範囲内である。
600℃の間の範囲内である。
tert−ブチルエチルベンゼン及び酸素の供給混
合物は本発明の酸化脱水素反応に不利な影響を与
えない多量の他の炭化水素、例えばパラフイン及
び/又はオレフイン炭化水素のような市販のアル
キルベンゼン中に存在することのある炭化水素を
含有してもよい。
合物は本発明の酸化脱水素反応に不利な影響を与
えない多量の他の炭化水素、例えばパラフイン及
び/又はオレフイン炭化水素のような市販のアル
キルベンゼン中に存在することのある炭化水素を
含有してもよい。
供給混合物の酸素分子成分がtert−ブチルエチ
ルベンゼン1モル当り約0.2〜5モルの量で存在
するのが有利であり、0.8〜2:1のモル比がも
つとも有利である。酸素は空気、市販の純粋な酸
素又は酸素で富ませた空気として供給することが
できる。
ルベンゼン1モル当り約0.2〜5モルの量で存在
するのが有利であり、0.8〜2:1のモル比がも
つとも有利である。酸素は空気、市販の純粋な酸
素又は酸素で富ませた空気として供給することが
できる。
供給流中にガス状希釈剤を含有することは有利
である。好適な希釈剤を例証すると、二酸化炭
素、窒素、蒸気及び希ガスを個々に又は混合した
ものである。希釈剤を通常供給流中のtert−ブチ
ルエチルベンゼン1モルあたり約2〜20モルの間
の量で適用する。
である。好適な希釈剤を例証すると、二酸化炭
素、窒素、蒸気及び希ガスを個々に又は混合した
ものである。希釈剤を通常供給流中のtert−ブチ
ルエチルベンゼン1モルあたり約2〜20モルの間
の量で適用する。
気相酸化脱水素法において使用される圧力は減
圧、大気圧又は過圧であつてよい。気相法の有利
な圧力は約0.07〜13.6アトム(1〜200psi)の間
である。
圧、大気圧又は過圧であつてよい。気相法の有利
な圧力は約0.07〜13.6アトム(1〜200psi)の間
である。
気相法のための有利な反応器は本発明のニツケ
ル/ジルコニウム−燐酸塩又はニツケル/ジルコ
ニウム/セリウム−燐酸塩触媒組成物を含有する
固定床又は流動床の反応器を包含する。方法は連
続的又は非連続的に行なうことができ、触媒は固
定床又は流動システムのような種々の形で存在し
てよい。
ル/ジルコニウム−燐酸塩又はニツケル/ジルコ
ニウム/セリウム−燐酸塩触媒組成物を含有する
固定床又は流動床の反応器を包含する。方法は連
続的又は非連続的に行なうことができ、触媒は固
定床又は流動システムのような種々の形で存在し
てよい。
気相法における供給流の滞留時間(すなわち、
触媒接触時間)は約0.5〜20秒の間で変化し、有
利に平均して約1〜15秒の間である。滞留時間は
25℃及び大気圧に調整した接触時間に関連する。
接触時間は触媒床の容量(空間を含む)を常温常
圧での供給流の単位時間あたりの流量容量で分割
することにより計算される。
触媒接触時間)は約0.5〜20秒の間で変化し、有
利に平均して約1〜15秒の間である。滞留時間は
25℃及び大気圧に調整した接触時間に関連する。
接触時間は触媒床の容量(空間を含む)を常温常
圧での供給流の単位時間あたりの流量容量で分割
することにより計算される。
本発明方法の重要な点は新規な共沈ニツケル/
ジルコニウム−燐酸塩又はニツケル/ジルコニウ
ム/セリウム−燐酸塩触媒組成物を使用すること
である。この触媒はtert−ブチルエチルベンゼン
のtert−ブチルスチレン生成物への変換の際高変
換率を有し、かつジアルケニルベンゼンタイプの
副生成物を全く生成しないか又はわずかに生成す
るという特異な性質を示す。セリウム金属成分の
ニツケル/ジルコニウム−燐酸塩触媒への付加は
tert−ブチルエチルベンゼンのtert−ブチルスチ
レンへの変換のための触媒の反応性及び選択性を
高めるように思われる。
ジルコニウム−燐酸塩又はニツケル/ジルコニウ
ム/セリウム−燐酸塩触媒組成物を使用すること
である。この触媒はtert−ブチルエチルベンゼン
のtert−ブチルスチレン生成物への変換の際高変
換率を有し、かつジアルケニルベンゼンタイプの
副生成物を全く生成しないか又はわずかに生成す
るという特異な性質を示す。セリウム金属成分の
ニツケル/ジルコニウム−燐酸塩触媒への付加は
tert−ブチルエチルベンゼンのtert−ブチルスチ
レンへの変換のための触媒の反応性及び選択性を
高めるように思われる。
触媒組成物の金属原子比をニツケル:ジルコニ
ウム:セリウム=5〜20:1:0〜1の範囲で変
化させてよい。燐酸塩成分は少なくとも触媒中の
金属元素の原子価を満たすために十分な量で存在
する。
ウム:セリウム=5〜20:1:0〜1の範囲で変
化させてよい。燐酸塩成分は少なくとも触媒中の
金属元素の原子価を満たすために十分な量で存在
する。
この触媒はそれぞれニツケル、ジルコニウム
(及びセリウム)金属の水溶性化合物と燐酸塩化
合物(例えば燐酸)を混合することにより製造さ
れる。水溶性又は部分的水溶性化合物の例はニツ
ケル、ジルコニウム及びセリウムの塩化物、硝酸
塩及び硫酸塩である。
(及びセリウム)金属の水溶性化合物と燐酸塩化
合物(例えば燐酸)を混合することにより製造さ
れる。水溶性又は部分的水溶性化合物の例はニツ
ケル、ジルコニウム及びセリウムの塩化物、硝酸
塩及び硫酸塩である。
有利な実施形式においてはニツケル、ジルコニ
ウム(セリウム)及び燐酸塩化合物の生じた溶液
のPHを水酸化アンモニウムのようなアルカリ性試
薬で約7に調整する。形成された共沈殿物を回収
し、水で洗浄し、乾燥させる。
ウム(セリウム)及び燐酸塩化合物の生じた溶液
のPHを水酸化アンモニウムのようなアルカリ性試
薬で約7に調整する。形成された共沈殿物を回収
し、水で洗浄し、乾燥させる。
共沈生成物を約1〜24時間の間約300〜600℃の
間の温度で不活性雰囲気中〓焼するならば触媒組
成物の活性は上昇するということが見い出され
た。
間の温度で不活性雰囲気中〓焼するならば触媒組
成物の活性は上昇するということが見い出され
た。
前記共沈ニツケル/ジルコニウム−燐酸塩又は
ニツケル/ジルコニウム/セリウム−燐酸塩組成
物は触媒自体として使用することもできるし、又
は該組成物を好適な内部希釈剤又は担持物質と組
み合わせて使用することもできる。この担持物質
を触媒製造の共沈形成段階の間に組み入れるのが
有利である。
ニツケル/ジルコニウム/セリウム−燐酸塩組成
物は触媒自体として使用することもできるし、又
は該組成物を好適な内部希釈剤又は担持物質と組
み合わせて使用することもできる。この担持物質
を触媒製造の共沈形成段階の間に組み入れるのが
有利である。
担持物質は本発明方法で使用される条件に比較
的超耐熱性を有すべきである。好適な担持物質材
料は (1) シリカ又はシリカゲル、炭化珪素、クレー、
及び合成されたか又は天然産の、酸処理をされ
ているか又はされていないもの例えばアタパル
ガス・クレー、チヤイナ・クレー、珪藻土、漂
布土、カオリン及びアスベストを包含する珪酸
塩; (2) セラミツク、磁器、粉砕粘土質煉瓦及びボー
キサイト; (3) アルミナ、二酸化チタン、二酸化ジルコニウ
ム、酸化クロム、酸化ベリリウム、酸化バナジ
ウム、酸化セシウム、酸化ハフニウム、酸化亜
鉛、酸化モリブデン、酸化ビスムート、酸化タ
ングステン、酸化ウラン、マグネシア、ボリア
(boria)、トリア(thoria)、シリカ−アルミ
ナ、シリカ−マグネシア、クロミア−アルミ
ナ、アルミナ−ボリア及びシリカ−ジルコニア
のような超耐熱性無機酸化物; (4) 天然産又は合成のモリブデン沸石及び/又は
ホージヤサイトのような水素型又は多価カチオ
ンで処理された結晶性沸石型アルミノ−珪酸
塩;及び (5) MgAl2O4、FeAl2O4、ZnAl2O4、MnAl2O4、
CaAl2O4、及び式MO・Al2O3(ここでMは原子
価2を有する金属である)を有する他の類似化
合物のようなスピネルである。
的超耐熱性を有すべきである。好適な担持物質材
料は (1) シリカ又はシリカゲル、炭化珪素、クレー、
及び合成されたか又は天然産の、酸処理をされ
ているか又はされていないもの例えばアタパル
ガス・クレー、チヤイナ・クレー、珪藻土、漂
布土、カオリン及びアスベストを包含する珪酸
塩; (2) セラミツク、磁器、粉砕粘土質煉瓦及びボー
キサイト; (3) アルミナ、二酸化チタン、二酸化ジルコニウ
ム、酸化クロム、酸化ベリリウム、酸化バナジ
ウム、酸化セシウム、酸化ハフニウム、酸化亜
鉛、酸化モリブデン、酸化ビスムート、酸化タ
ングステン、酸化ウラン、マグネシア、ボリア
(boria)、トリア(thoria)、シリカ−アルミ
ナ、シリカ−マグネシア、クロミア−アルミ
ナ、アルミナ−ボリア及びシリカ−ジルコニア
のような超耐熱性無機酸化物; (4) 天然産又は合成のモリブデン沸石及び/又は
ホージヤサイトのような水素型又は多価カチオ
ンで処理された結晶性沸石型アルミノ−珪酸
塩;及び (5) MgAl2O4、FeAl2O4、ZnAl2O4、MnAl2O4、
CaAl2O4、及び式MO・Al2O3(ここでMは原子
価2を有する金属である)を有する他の類似化
合物のようなスピネルである。
本発明に適用される触媒は顆粒、ペレツト、押
出物、粉末、錠剤、繊維状、又は他の有利な物理
的な形であつてよい。
出物、粉末、錠剤、繊維状、又は他の有利な物理
的な形であつてよい。
本明細書の有利な触媒組成物は式:
Ni5〜20Zr1Ce0〜1(PO4)x
〔式中、xは金属組成物の原子価を満たすために
十分な数値である〕に相当するものである。
十分な数値である〕に相当するものである。
本発明の有利な触媒組成物はC3〜C10アルケン、
C4〜C10シクロアルケン及びC2〜C6アルキル芳香
族化合物のような炭化水素化合物の酸化脱水素の
ために適用され、かつこれはtert−ブチルエチル
ベンゼン及びエチルトルエンの緩和な酸化条件下
での酸化脱水素のために特に有利である。
C4〜C10シクロアルケン及びC2〜C6アルキル芳香
族化合物のような炭化水素化合物の酸化脱水素の
ために適用され、かつこれはtert−ブチルエチル
ベンゼン及びエチルトルエンの緩和な酸化条件下
での酸化脱水素のために特に有利である。
本発明のニツケル/ジルコニウム/セリウム−
燐酸塩触媒組成物中のセリウム金属成分の存在は
反応性を増し、炭化水素の酸化脱水素条件下での
触媒の寿命を伸ばすと思われる。
燐酸塩触媒組成物中のセリウム金属成分の存在は
反応性を増し、炭化水素の酸化脱水素条件下での
触媒の寿命を伸ばすと思われる。
次に実施例につき本発明を詳細に説明する。反
応成分及び他の特定な成分は典型的なものとして
記載されており、本発明の範囲内において前述の
事柄を考慮して種々の改変を誘導することができ
る。
応成分及び他の特定な成分は典型的なものとして
記載されており、本発明の範囲内において前述の
事柄を考慮して種々の改変を誘導することができ
る。
例 1
この例はニツケル/ジルコニウム−燐酸塩酸化
触媒の製造及び適用を詳述する。
触媒の製造及び適用を詳述する。
A 硝酸ジルコニウム10g(0.04モル)と水50g
とを混合することによりスラリーを製造し、燐
酸(1.3モル)を撹拌下に加える。水20g中の
硝酸ニツケル11.6g(0.04モル)の溶液をスラ
リーに加え、スラリー混合物のPHを水酸化アン
モニウムで7にあわせる。
とを混合することによりスラリーを製造し、燐
酸(1.3モル)を撹拌下に加える。水20g中の
硝酸ニツケル11.6g(0.04モル)の溶液をスラ
リーに加え、スラリー混合物のPHを水酸化アン
モニウムで7にあわせる。
水100gの硝酸ニツケル105g(0.36モル)を
付加的にをゆつくりとスラリー混合物に撹拌下
に加え、次いでにスラリーのPHを水酸化アンモ
ニウムで7.2にあわせる。
付加的にをゆつくりとスラリー混合物に撹拌下
に加え、次いでにスラリーのPHを水酸化アンモ
ニウムで7.2にあわせる。
このスラリーを約50℃の温度に加熱し、約1
時間その温度に保持し、次いで室温に冷却す
る。沈殿した固体触媒前駆物質を濾過により分
離する。回収した触媒前駆物質を水で洗浄し、
次いで120℃で真空炉中で乾燥させる。乾燥し
た触媒前駆物質を550℃で窒素雰囲気下に5時
間〓焼する。
時間その温度に保持し、次いで室温に冷却す
る。沈殿した固体触媒前駆物質を濾過により分
離する。回収した触媒前駆物質を水で洗浄し、
次いで120℃で真空炉中で乾燥させる。乾燥し
た触媒前駆物質を550℃で窒素雰囲気下に5時
間〓焼する。
担持物質を使用する場合、最初の水性スラリ
ー混合段階で混合するのが有利である。
ー混合段階で混合するのが有利である。
B ニツケル/ジルコニウム−燐酸塩触媒の1部
を粉砕し、篩にかけて10〜20のメツシユ巾の大
きさにする。触媒1cm3量を電気的に加熱される
反応器に装入し、反応器を温度約460℃に加熱
する。
を粉砕し、篩にかけて10〜20のメツシユ巾の大
きさにする。触媒1cm3量を電気的に加熱される
反応器に装入し、反応器を温度約460℃に加熱
する。
空気流10ml/分及びtert−ブチルエチルベン
ゼン流1ml/時間を反応器の入口に導入する。
反応器からの流出流を冷却し、生じた液体成分
を集める。tert−ブチルエチルベンゼンの変換
率は29であり、tert−ブチルスチレンへのモル
%選択性は87.1である。ジアルケニルベンゼン
の比選択収率は約0.28モル%より少ない。
ゼン流1ml/時間を反応器の入口に導入する。
反応器からの流出流を冷却し、生じた液体成分
を集める。tert−ブチルエチルベンゼンの変換
率は29であり、tert−ブチルスチレンへのモル
%選択性は87.1である。ジアルケニルベンゼン
の比選択収率は約0.28モル%より少ない。
例
この例はニツケル/ジルコニウム/セリウム−
燐酸塩酸化触媒の製造及び適用を示す。
燐酸塩酸化触媒の製造及び適用を示す。
例に記載されたと同様にして、燐酸(1.3モ
ル)を硝酸ジルコニウム10g(0.04モル)の水性
スラリーに加え、硝酸セリウム()18g(0.04
モル)を加える。硝酸ニツケル117g(0.4モル)
の水溶液をスラリーに加え、スラリー媒体のPHを
水酸化アンモニウムで約7.2に調節する。
ル)を硝酸ジルコニウム10g(0.04モル)の水性
スラリーに加え、硝酸セリウム()18g(0.04
モル)を加える。硝酸ニツケル117g(0.4モル)
の水溶液をスラリーに加え、スラリー媒体のPHを
水酸化アンモニウムで約7.2に調節する。
生じたスラリー混合物を約1時間50℃に加熱
し、次いで室温に冷却する。沈殿した固体触媒前
駆物質を濾過により回収し、120℃で真空炉中で
乾燥させ、窒素雰囲気下に550℃で5時間〓焼す
る。
し、次いで室温に冷却する。沈殿した固体触媒前
駆物質を濾過により回収し、120℃で真空炉中で
乾燥させ、窒素雰囲気下に550℃で5時間〓焼す
る。
例の方法に従つて、tert−ブチルエチルベン
ゼン及び空気の供給流を前記ニツケル/ジルコニ
ウム/セリウム−燐酸塩触媒と約450〜460℃の温
度で接触させる。生成流出液及び流出ガスをガス
クロマトグラフイー分析により分析する。
ゼン及び空気の供給流を前記ニツケル/ジルコニ
ウム/セリウム−燐酸塩触媒と約450〜460℃の温
度で接触させる。生成流出液及び流出ガスをガス
クロマトグラフイー分析により分析する。
tert−ブチルエチルベンゼンの%変換率は43で
あり、tert−ブチルスチレンへのモル%変換性は
87.8である。ジアルケニルベンゼンの比選択収率
は約0.16モル%より小さい。
あり、tert−ブチルスチレンへのモル%変換性は
87.8である。ジアルケニルベンゼンの比選択収率
は約0.16モル%より小さい。
ニツケル/ジルコニウム/セリウム−燐酸塩触
媒がCe()金属成分よりむしろCe()を含有
する場合、ジアルケニルベンゼン副生成物の収率
は上昇する傾向にある。
媒がCe()金属成分よりむしろCe()を含有
する場合、ジアルケニルベンゼン副生成物の収率
は上昇する傾向にある。
例
ニツケル/ジルコニウム/セリウム−燐酸塩触
媒を例と同様にして、化学成分をその比率で3
倍増加量使用し製造する。
媒を例と同様にして、化学成分をその比率で3
倍増加量使用し製造する。
触媒粉末(10〜20メツシユ)の100cm3部(62g)
を長さ73cm(24インチ)及び巾1.3cm(0.5イン
チ)のステンレス・スチール・パイプである反応
器に装入する。反応器及び供給管の1部を溶融塩
浴中に浸す。
を長さ73cm(24インチ)及び巾1.3cm(0.5イン
チ)のステンレス・スチール・パイプである反応
器に装入する。反応器及び供給管の1部を溶融塩
浴中に浸す。
供給流はtert−ブチルエチルベンゼン86g/
時、空気750ml/分及び窒素1100ml/分であり、
酸化反応域中の最高温度は約490℃である。
時、空気750ml/分及び窒素1100ml/分であり、
酸化反応域中の最高温度は約490℃である。
tert−ブチルエチルベンゼンの%変換率は34で
あり、tert−ブチルスチレンへのモル%選択性は
86.4である。流出生成混合物のガスクロマトグラ
フイー分析は全くジアルケニルベンゼン化合物の
存在を示さない。
あり、tert−ブチルスチレンへのモル%選択性は
86.4である。流出生成混合物のガスクロマトグラ
フイー分析は全くジアルケニルベンゼン化合物の
存在を示さない。
前記の酸化工程中でtert−ブチルエチルベンゼ
ンのかわりにエチルトルエンを使用すると、少な
くとも80のビニルトルエンへのモル%選択性が得
られる。
ンのかわりにエチルトルエンを使用すると、少な
くとも80のビニルトルエンへのモル%選択性が得
られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 tert−ブチルスチレンを製造するために、
tert−ブチルエチルベンゼン及び酸素を含有する
供給流を気相でニツケル/ジルコニウム−燐酸塩
から成る触媒と接触させることを特徴とするtert
−ブチルスチレンの製法。 2 触媒がニツケル/ジルコニウム/セリウム−
燐酸塩である特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 酸化脱水素条件下にtert−ブチルスチレンを
製造するために、tert−ブチルエチルベンゼン及
び酸素の供給混合物を約350℃〜650℃の間の範囲
の温度で共沈ニツケル/ジルコニウム−燐酸塩触
媒と接触させることよりなり、ここでtert−ブチ
ルスチレンへの変換選択性が少なくとも80モル%
であり、ジビニルベンゼンへの変換選択性が本質
的に0モル%であることを特徴とするtert−ブチ
ルスチレンの製法。 4 供給混合物がtert−ブチルエチルベンゼン1
モル当り分子酸素約0.2〜5モルを含有する特許
請求の範囲第3項記載の方法。 5 供給混合物がガス状不活性希釈剤を含有する
特許請求の範囲第3項記載の方法。 6 供給混合物が窒素及び/又は二酸化炭素及
び/又は水蒸気をガス状不活性希釈剤として含有
する特許請求の範囲第3項記載の方法。 7 供給流と触媒の接触時間は約0.5〜20秒の間
の範囲である特許請求の範囲第3項記載の方法。 8 触媒がニツケル/ジルコニウム/セリウム−
燐酸塩である特許請求の範囲第3項記載の方法。 9 それぞれニツケル、ジルコニウム及びセリウ
ム金属元素は約5〜20:1:0〜1の原子比で触
媒中に存在する特許請求の範囲第8項記載の方
法。 10 触媒が担体物質上に担持されている特許請
求の範囲第9項記載の方法。 11 ビニルトルエンを製造するためにエチルト
ルエン及び酸素を含有する供給流を気相でニツケ
ル/ジルコニウム−燐酸塩から成る触媒と接触さ
せることを特徴とするビニルトルエンの製法。 12 触媒がニツケル/ジルコニウム/セリウム
−燐酸塩である特許請求の範囲第11項記載の方
法。 13 ビニルトルエンへの変換選択性が少なくと
も80モル%である、特許請求の範囲第11項記載
の方法。 14 酸化脱水素反応に適用する共沈触媒組成物
において、この触媒組成物が式: Ni5〜20Zr1Ce0〜1(PO4)x [式中、xは触媒中の金属元素の原子価を満たす
ために十分な数値を表わす]に相応することを特
徴とする酸化脱水素反応のための触媒組成物。 15 セリウム金属が本質的にプラス3価の状態
である特許請求の範囲第14項記載の組成物。 16 担持物質と組み合わさつている特許請求の
範囲第項14記載の組成物。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/116,658 US4291184A (en) | 1980-01-29 | 1980-01-29 | Process for producing tertiary-butylstyrene |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56155649A JPS56155649A (en) | 1981-12-01 |
| JPH0123177B2 true JPH0123177B2 (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=22368489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089981A Granted JPS56155649A (en) | 1980-01-29 | 1981-01-29 | Manufacture of tert-butylstyrene and vinyltoluene and catalyst composition for oxidation dehydrogenation reaction |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4291184A (ja) |
| JP (1) | JPS56155649A (ja) |
| CA (1) | CA1150227A (ja) |
| DE (1) | DE3103004A1 (ja) |
| FR (1) | FR2474485B1 (ja) |
| GB (1) | GB2068252B (ja) |
| IT (1) | IT1209842B (ja) |
| MX (1) | MX156573A (ja) |
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| US4450068A (en) * | 1982-12-20 | 1984-05-22 | Phillips Petroleum Company | Demetallization of hydrocarbon containing feed streams |
| US4471146A (en) * | 1983-02-03 | 1984-09-11 | The Dow Chemical Company | Oxydehydrogenation process |
| US4430207A (en) * | 1983-05-17 | 1984-02-07 | Phillips Petroleum Company | Demetallization of hydrocarbon containing feed streams |
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| US4609638A (en) * | 1984-01-31 | 1986-09-02 | Phillips Petroleum Company | Demetallization of hydrocarbon containing feed streams |
| US4705768A (en) * | 1986-05-05 | 1987-11-10 | Phillips Petroleum Company | Coprecipitate of metal phosphates |
| US5679878A (en) * | 1992-10-28 | 1997-10-21 | Deltech Corporation | Process for dehydrogenation of alkyl aromatic compounds |
| CN113578331B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-10-24 | 大连海事大学 | 一种钴铈锆复合氧化物催化剂及制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3403192A (en) * | 1965-03-29 | 1968-09-24 | Exxon Research Engineering Co | Sulfur-promoted oxidative dehydrogenation process |
| US3733327A (en) * | 1971-06-28 | 1973-05-15 | Dow Chemical Co | Catalytic oxydehydrogenation of alkyl aromatics and alkyl pyridines |
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| US3923916A (en) * | 1974-05-28 | 1975-12-02 | Dow Chemical Co | Oxydehydrogenation of ethyl benzene |
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- 1980-01-29 US US06/116,658 patent/US4291184A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-01-13 CA CA000368373A patent/CA1150227A/en not_active Expired
- 1981-01-14 GB GB8101009A patent/GB2068252B/en not_active Expired
- 1981-01-28 FR FR8101612A patent/FR2474485B1/fr not_active Expired
- 1981-01-28 MX MX185747A patent/MX156573A/es unknown
- 1981-01-29 JP JP1089981A patent/JPS56155649A/ja active Granted
- 1981-01-29 DE DE19813103004 patent/DE3103004A1/de not_active Withdrawn
- 1981-01-29 IT IT8147665A patent/IT1209842B/it active
Also Published As
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