JPH01232244A - 貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法 - Google Patents
貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法Info
- Publication number
- JPH01232244A JPH01232244A JP5736088A JP5736088A JPH01232244A JP H01232244 A JPH01232244 A JP H01232244A JP 5736088 A JP5736088 A JP 5736088A JP 5736088 A JP5736088 A JP 5736088A JP H01232244 A JPH01232244 A JP H01232244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonded
- infrared
- silicon
- substrate
- infrared rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
貼り合わせＳｏ＋基板の検査方法の改良に関し、抵抗率
の低い層を含む貼り合わせＳＯＩ基板に対しても有効に
使用しうる接着状態検査方法を提供することを目的とし
、 二酸化シリコン膜を介して、２枚のシリコン基板が貼り
合わされて製造された貼り合わせＳＯＩ基板の中間体で
ある貼り合わせ体を高温に保持し、透過赤外光ではなく
輻射赤外光を利用してなす接着状態検査方法であり、赤
外線の輻射率の大きな層、すなわち、低抵抗シリコン層
、二酸化シリコン膜を、貼り合わせ面に対して、赤外線
検出手段から離隔させて配置して、上記の赤外光を利用
してなす接着状態検査方法を実施するように構成した貼
り合わせＳＯＩ基板の検査方法である。
の低い層を含む貼り合わせＳＯＩ基板に対しても有効に
使用しうる接着状態検査方法を提供することを目的とし
、 二酸化シリコン膜を介して、２枚のシリコン基板が貼り
合わされて製造された貼り合わせＳＯＩ基板の中間体で
ある貼り合わせ体を高温に保持し、透過赤外光ではなく
輻射赤外光を利用してなす接着状態検査方法であり、赤
外線の輻射率の大きな層、すなわち、低抵抗シリコン層
、二酸化シリコン膜を、貼り合わせ面に対して、赤外線
検出手段から離隔させて配置して、上記の赤外光を利用
してなす接着状態検査方法を実施するように構成した貼
り合わせＳＯＩ基板の検査方法である。
本発明は、貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法の改良に関
する。特に、貼り合わせられる半導体基板の光透過率の
大小にか＼わらず、貼り合わせ領域の接着性を検査しう
るように改良した貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法に関
する。
する。特に、貼り合わせられる半導体基板の光透過率の
大小にか＼わらず、貼り合わせ領域の接着性を検査しう
るように改良した貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法に関
する。
絶縁物層上に半導体層が存在するＳＯ■基板は高性能Ｌ
ＳＩ用基板等として極めて有用であることが広く知られ
ている。素子分離が容易であり、寄生容量が小さく、動
作速度が速い等、多くの利益があるからである。
ＳＩ用基板等として極めて有用であることが広く知られ
ている。素子分離が容易であり、寄生容量が小さく、動
作速度が速い等、多くの利益があるからである。
ＳＯＩ基板の製造方法の１例について、図面を参照して
説明する。
説明する。
第２図（ａ）、（ｂ）参照
厚さが数百μであり、低抵抗のシリコン基板１１と高抵
抗のシリコン基板１２とを用意し、低抵抗のシリコン基
板１１の１面上に、高抵抗のシリコン層１３を厚さ１ｎ
程度に形成した後、この高抵抗のシリコン層１３の上層
を酸化して二酸化シリコン膜１４を厚さ５ 、０００人
程度に形成する。
抗のシリコン基板１２とを用意し、低抵抗のシリコン基
板１１の１面上に、高抵抗のシリコン層１３を厚さ１ｎ
程度に形成した後、この高抵抗のシリコン層１３の上層
を酸化して二酸化シリコン膜１４を厚さ５ 、０００人
程度に形成する。
第３回参照
表面に二酸化シリコン膜１４が形成されているシリコン
基Ｆｉｌｌの二酸化シリコン膜１４を他方のシリコン基
板１２に圧接したま＼、８８０〜１ 、２００°Ｃにお
いて１時間熱処理を施して、２枚のシリコン基板１１・
１２を貼り合わせる。
基Ｆｉｌｌの二酸化シリコン膜１４を他方のシリコン基
板１２に圧接したま＼、８８０〜１ 、２００°Ｃにお
いて１時間熱処理を施して、２枚のシリコン基板１１・
１２を貼り合わせる。
第４図参照
当初研磨をなして、シリコン基板１１の低抵抗９Ｎ域１
１の厚さを５０ｎ程度に減少し、次に、フン酸と硝酸と
酢酸とを１：３二８の容積比に含有する混合液をエッチ
ャントとしてエツチングをなす、このエッチャントの低
抵抗シリコンに対するエツチングレートは、１０ｎ／分
程度であるが、高抵抗のシリコンに対するエツチングレ
ートは、０．１ ｎ／分程度であるから、エツチングは
高抵抗のシリコン層１３の上面で停止し、二酸化シリコ
ン層１４上に、均一な厚さ（１ｎ）の高抵抗のシリコン
ｌ１１３が残留して、この高抵抗の単結晶シリコン層１
３を素子形成層として利用することができる。
１の厚さを５０ｎ程度に減少し、次に、フン酸と硝酸と
酢酸とを１：３二８の容積比に含有する混合液をエッチ
ャントとしてエツチングをなす、このエッチャントの低
抵抗シリコンに対するエツチングレートは、１０ｎ／分
程度であるが、高抵抗のシリコンに対するエツチングレ
ートは、０．１ ｎ／分程度であるから、エツチングは
高抵抗のシリコン層１３の上面で停止し、二酸化シリコ
ン層１４上に、均一な厚さ（１ｎ）の高抵抗のシリコン
ｌ１１３が残留して、この高抵抗の単結晶シリコン層１
３を素子形成層として利用することができる。
たり、大口径のウェーハの全面を、不完全接着領域を残
留することな（強力に接着することは容易ではない、不
完全接着領域が残留していると、熱処理時にシリコン層
が部分的に下地の二酸化シリコン層から剥離し、シリコ
ン破片となって飛散し、処理装置を汚染する欠点があり
、また、グイリングしたとき、貼り合わされた二酸化シ
リコン層が下地の二酸化シリコン層から剥離し、実用に
耐えない。
留することな（強力に接着することは容易ではない、不
完全接着領域が残留していると、熱処理時にシリコン層
が部分的に下地の二酸化シリコン層から剥離し、シリコ
ン破片となって飛散し、処理装置を汚染する欠点があり
、また、グイリングしたとき、貼り合わされた二酸化シ
リコン層が下地の二酸化シリコン層から剥離し、実用に
耐えない。
そこで、２枚のシリコン基板１１・１２を貼り合わせた
時点で（研磨やエツチングをなす前の時点で）、貼り合
わせの完全性を非破壊的に検査する方法が必要である。
時点で（研磨やエツチングをなす前の時点で）、貼り合
わせの完全性を非破壊的に検査する方法が必要である。
か−る検査方法として従来使用されていた方法について
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第５図参照
上記のようにして製造したＳＯ■基板１の中間体である
貼り合わせ体１７の１面に、赤外光ａ２を使用して赤外
光を矢印ＩＲをもって示すように照射し、透過光を赤外
線検出手段３をもって受光して、その分布を観察する。
貼り合わせ体１７の１面に、赤外光ａ２を使用して赤外
光を矢印ＩＲをもって示すように照射し、透過光を赤外
線検出手段３をもって受光して、その分布を観察する。
第６図参照
このとき、不完全接着部分１５が存在すると、この領域
で、赤外光の一部が反射し、透過光は矢印ＴＩＲをもっ
て示すように不完全接着部分において減少し、第６図の
写真をもって示すように、接着の良否を識別しうる０図
において、黒点をもって示した領域は赤外光の減少が大
きい領域であり、白地が赤外光の減少が小さい到達する
領域である。
で、赤外光の一部が反射し、透過光は矢印ＴＩＲをもっ
て示すように不完全接着部分において減少し、第６図の
写真をもって示すように、接着の良否を識別しうる０図
において、黒点をもって示した領域は赤外光の減少が大
きい領域であり、白地が赤外光の減少が小さい到達する
領域である。
（発明が解決しようとする課題〕
た！′、上記の検査方法は、貼り合わせＳＯＩ基板を上
記したような選択性エツチング法を使用せず、研磨法を
使用して製造することを前提として確定された技術であ
り、その前提として貼り合わされるシリコン基板１１・
１２は、いづれも高抵抗のシリコン基板が使用されてお
り、上記の検査方法は有効に機能していた。
記したような選択性エツチング法を使用せず、研磨法を
使用して製造することを前提として確定された技術であ
り、その前提として貼り合わされるシリコン基板１１・
１２は、いづれも高抵抗のシリコン基板が使用されてお
り、上記の検査方法は有効に機能していた。
しかし、現技術水準においては、上記せるとおリ、貼り
合わされたシリコン基板１１・１２の一方の厚さを減縮
するために、シリコン基板の抵抗差を利用する選択エツ
チング法が使用されること〜なったので、一方のシリコ
ン基板１１は低抵抗である必要があり、上記の検査法は
有効に機能しなくなった。
合わされたシリコン基板１１・１２の一方の厚さを減縮
するために、シリコン基板の抵抗差を利用する選択エツ
チング法が使用されること〜なったので、一方のシリコ
ン基板１１は低抵抗である必要があり、上記の検査法は
有効に機能しなくなった。
その理由は下記のとおりである。すなわち、シリコンは
抵抗率が低いと赤外線に対する透過率が大幅に低下する
ので、貼り合わせＳＯＩ基板の中間体である貼り合わせ
体を構成する層のいづれかの層に抵抗率の低い層が存在
すると、第７図の写真に示すように、ウェーハの全面が
赤外線不透過・領域となり、接着良否の識別できなくな
るということであり、現技術水準において使用されてい
る貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法においては、貼り合
わされた後エツチング除去されるシリコン基板１１は低
抵抗にせざるを得ないから、上記の検査方法をもっては
不完全接着領域を発見することはできない。
抵抗率が低いと赤外線に対する透過率が大幅に低下する
ので、貼り合わせＳＯＩ基板の中間体である貼り合わせ
体を構成する層のいづれかの層に抵抗率の低い層が存在
すると、第７図の写真に示すように、ウェーハの全面が
赤外線不透過・領域となり、接着良否の識別できなくな
るということであり、現技術水準において使用されてい
る貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法においては、貼り合
わされた後エツチング除去されるシリコン基板１１は低
抵抗にせざるを得ないから、上記の検査方法をもっては
不完全接着領域を発見することはできない。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、抵抗
率の低い層を含む貼り合わせＳＯＩ基板の中間体である
貼り合わせ体の検査に対しても有効に使用しうる接着状
態検査方法を提供することにある。
率の低い層を含む貼り合わせＳＯＩ基板の中間体である
貼り合わせ体の検査に対しても有効に使用しうる接着状
態検査方法を提供することにある。
（！１題を解決するための手段〕
上記の目的は、第１図（ａ）に示すように、２枚のシリ
コン基板（１１・１２）の少なくとも一方の表面に二酸
化シリコン膜（１４）を形成し、該二酸化シリコン膜（
１４）を挟んで前記２枚のシリコン基板（１１・１２）
を圧接しなから熱処理を施して前記２枚のシリコン基板
（１１・１２）を貼り合わせて形成した貼り合わせ体（
１７）を高温に保持し、前記貼り合わせ体（１７）の貼
り合わせ面（１６）に対向して赤外線検出手段（３）を
設け、該赤外線検出手段（３）の受光する赤外線の分布
にもとづいて、前記貼り合わせ面（１６）の貼り合わせ
状態の良否を判定する貼り合わせＳｏ１基板の検査方法
において、前記貼り合わせ体（１７）を構成する要素の
うち、赤外線に対する累積透過率（当該材料の透過率と
当該層厚との積を示し、以下、同様）の小さな層を、前
記貼り合わせ面（１６）に対して、前記赤外線検出手段
（３）から離隔させて配設してなすように構成した貼り
合わせＳＯＩ基板の検査方法によって達成される。
コン基板（１１・１２）の少なくとも一方の表面に二酸
化シリコン膜（１４）を形成し、該二酸化シリコン膜（
１４）を挟んで前記２枚のシリコン基板（１１・１２）
を圧接しなから熱処理を施して前記２枚のシリコン基板
（１１・１２）を貼り合わせて形成した貼り合わせ体（
１７）を高温に保持し、前記貼り合わせ体（１７）の貼
り合わせ面（１６）に対向して赤外線検出手段（３）を
設け、該赤外線検出手段（３）の受光する赤外線の分布
にもとづいて、前記貼り合わせ面（１６）の貼り合わせ
状態の良否を判定する貼り合わせＳｏ１基板の検査方法
において、前記貼り合わせ体（１７）を構成する要素の
うち、赤外線に対する累積透過率（当該材料の透過率と
当該層厚との積を示し、以下、同様）の小さな層を、前
記貼り合わせ面（１６）に対して、前記赤外線検出手段
（３）から離隔させて配設してなすように構成した貼り
合わせＳＯＩ基板の検査方法によって達成される。
前記の構成において、２枚のシリコン基板（１１・１２
）の赤外線透過率が相違し、シリコン基板（１１・１２
）のいずれかの赤外線に対する累積透過率が、・二酸化
シリコン膜（１４）の赤外線に対する累積透過率より小
さいときは、２枚のシリコン基Ｆｉ（１１・１２）のう
ち、赤外線に対する累積透過率が小さい基板を、前記貼
り合わせ面（１６）に対して、前記赤外線検出手段（３
）から離隔させて配設することが合理的である。
）の赤外線透過率が相違し、シリコン基板（１１・１２
）のいずれかの赤外線に対する累積透過率が、・二酸化
シリコン膜（１４）の赤外線に対する累積透過率より小
さいときは、２枚のシリコン基Ｆｉ（１１・１２）のう
ち、赤外線に対する累積透過率が小さい基板を、前記貼
り合わせ面（１６）に対して、前記赤外線検出手段（３
）から離隔させて配設することが合理的である。
また、二酸化シリコン膜（１４）の赤外線に対する累積
透過率が、シリコン基板（１１・１２）のいずれの赤外
線に対する累積透過率より小さいときは、前記二酸化シ
リコン膜（１４）を、前記貼り合わせ面（１６）に対し
て、前記赤外線検出手段（３）がら離隔させて配設する
ことが合理的である。
透過率が、シリコン基板（１１・１２）のいずれの赤外
線に対する累積透過率より小さいときは、前記二酸化シ
リコン膜（１４）を、前記貼り合わせ面（１６）に対し
て、前記赤外線検出手段（３）がら離隔させて配設する
ことが合理的である。
赤外線透過率が小さい物質は赤外線輻射率が大きい、そ
して、ＳＯＩ基板を構成する材料、低抵抗シリコン（Ｌ
Ｒ３ｉ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、高抵抗シリコ
ン（ＨＲ５ｉ）に対する赤外線透過率の大小関係は、 ＬＲ３ｉ＜ＳｉＯ□＜ＨＲＳ ｉ であり、 一方、赤外線輻射率の大小関係は、 ＬＲ’Ｓ ｉｔｓ ｉ Ｏｘ ＞ＨＲＳ ｉである。
して、ＳＯＩ基板を構成する材料、低抵抗シリコン（Ｌ
Ｒ３ｉ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、高抵抗シリコ
ン（ＨＲ５ｉ）に対する赤外線透過率の大小関係は、 ＬＲ３ｉ＜ＳｉＯ□＜ＨＲＳ ｉ であり、 一方、赤外線輻射率の大小関係は、 ＬＲ’Ｓ ｉｔｓ ｉ Ｏｘ ＞ＨＲＳ ｉである。
従来技術においては、第５図に示すように、赤外光源２
を被検体たるＳＯＩ基板の半製品である貼り合わせ体１
７から離隔して配設し、シリコン基板１１・１２自身の
温度は昇温せず、もっばら透過赤外光を利用していたの
で、赤外線透過性の良好な高抵抗シリコン基板を使用す
る場合は有効に機能したが、赤外線透過性が不良な低抵
抗シリコン基板を使用すると有効に機能しなくなったも
のである。
を被検体たるＳＯＩ基板の半製品である貼り合わせ体１
７から離隔して配設し、シリコン基板１１・１２自身の
温度は昇温せず、もっばら透過赤外光を利用していたの
で、赤外線透過性の良好な高抵抗シリコン基板を使用す
る場合は有効に機能したが、赤外線透過性が不良な低抵
抗シリコン基板を使用すると有効に機能しなくなったも
のである。
本発明においては、シリコン基板１１・１２が貼り合わ
された貼り合わせ体１７自身を高温例えば５０°Ｃに保
持し、透過赤外光ではなく輻射赤外光を利用すること−
したものであり、第１図（ａ）に示すように、輻射率の
大きな低抵抗層１１を、貼り合わせ面１６に対して、赤
外線検出手段３から離隔させて配置しであるので、輻射
赤外線は、もっばら輻射率の大きな低抵抗層１１から輻
射される。そして、それ以外の層の赤外線透過率は、比
較的良好であるから、透過赤外線ＴＩＲは図示するよう
に不完全接着領域１５に対応する領域において、小さく
なり、接着性の良否を判定することができる。
された貼り合わせ体１７自身を高温例えば５０°Ｃに保
持し、透過赤外光ではなく輻射赤外光を利用すること−
したものであり、第１図（ａ）に示すように、輻射率の
大きな低抵抗層１１を、貼り合わせ面１６に対して、赤
外線検出手段３から離隔させて配置しであるので、輻射
赤外線は、もっばら輻射率の大きな低抵抗層１１から輻
射される。そして、それ以外の層の赤外線透過率は、比
較的良好であるから、透過赤外線ＴＩＲは図示するよう
に不完全接着領域１５に対応する領域において、小さく
なり、接着性の良否を判定することができる。
以下、図面を参照しつ一１本発明の二つの実施例に係る
貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法について説明する。
貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法について説明する。
１土■
完成した貼り合わせＳＯＩ基板において下地となる側の
シリコン基板１２は高抵抗であり、貼り合わせ後除去さ
れる側のシリコン基板１１は低抵抗である場合について
述べる。
シリコン基板１２は高抵抗であり、貼り合わせ後除去さ
れる側のシリコン基板１１は低抵抗である場合について
述べる。
第１図（ａ）参照
この場合の赤外線に対する輻射率は、シリコン基板１１
が最大である。また、赤外線透過率は、高抵抗シリコン
基板１２が最大で、二酸化シリコン膜１４が次に大きい
。
が最大である。また、赤外線透過率は、高抵抗シリコン
基板１２が最大で、二酸化シリコン膜１４が次に大きい
。
加熱手段４をもって、貼り合わせ体１７を５０°Ｃ程度
に加熱すると、赤外線は、もっばらシリコン基板１１か
ら発生し、その他の層は比較的容易に透過する。たり、
不完全接着領域１５においては反射するから、この不完
全接着領域１５に対応する領域においてのみ透過赤外線
ＴＩＲは少なくなる。
に加熱すると、赤外線は、もっばらシリコン基板１１か
ら発生し、その他の層は比較的容易に透過する。たり、
不完全接着領域１５においては反射するから、この不完
全接着領域１５に対応する領域においてのみ透過赤外線
ＴＩＲは少なくなる。
第８図（ａ）、第８図（ｂ）参照
第８図（ａ）は本実施例のパターンの写真である。不完
全接着領域１５が明瞭に観察しうる。
全接着領域１５が明瞭に観察しうる。
第８図（ｂ）は、参考例であり、シリコン基板１１の位
置とシリコン基板１２の位置とを逆にした場合である。
置とシリコン基板１２の位置とを逆にした場合である。
この場合も、輻射赤外線はもっばらシリコン基板１１か
ら発生するから、全面が明るい面になるのみであり、赤
外線が不完全接着領域を通らずに、赤外線検出手段３に
到達するため不完全接着領域１５の識別は不可能である
。
ら発生するから、全面が明るい面になるのみであり、赤
外線が不完全接着領域を通らずに、赤外線検出手段３に
到達するため不完全接着領域１５の識別は不可能である
。
Ｊ
シリコン基板１１・１２の双方とも高抵抗であり赤外線
透過率は良好であり、二酸化シリコン膜１４の赤外線に
対する累積透過率が最も悪い場合（二酸化シリコン膜１
４の輻射率が最も良好な場合）について述べる。
透過率は良好であり、二酸化シリコン膜１４の赤外線に
対する累積透過率が最も悪い場合（二酸化シリコン膜１
４の輻射率が最も良好な場合）について述べる。
第１９ （ｂ）参照
この場合、赤外線はもっばら二酸化シリコン膜１４から
発生するので、不完全接着面１５に対応する領域を除い
ては、十分に赤外線が透過する。
発生するので、不完全接着面１５に対応する領域を除い
ては、十分に赤外線が透過する。
第９図（ａ）、第９図（ｂ）参照、第６図再参照第９図
（ａ）は、この場合の透過赤外線ＴＭＨのプロファイル
を示す写真である。不完全接着領域１５が明瞭に観察し
うる。第９図（ｂ）、第６図は参考例であり、第９図（
ｂ）は、第２例において、シリコン基板１１とシリコン
基板１２の位置を逆にした場合である。二酸化シリコン
膜１４から輻射される赤外線は、不完全接着領域を通ら
ずに、赤外線検出手段３に到達するため、不完全接着領
域の識別はできない。
（ａ）は、この場合の透過赤外線ＴＭＨのプロファイル
を示す写真である。不完全接着領域１５が明瞭に観察し
うる。第９図（ｂ）、第６図は参考例であり、第９図（
ｂ）は、第２例において、シリコン基板１１とシリコン
基板１２の位置を逆にした場合である。二酸化シリコン
膜１４から輻射される赤外線は、不完全接着領域を通ら
ずに、赤外線検出手段３に到達するため、不完全接着領
域の識別はできない。
第６図は従来技術の場合を示すが、各層の配列は、第９
図（ａ）と同様である。この場合は、従来技術をもって
も不完全接着領域の識別は可能であるが、コントラスト
は本実施例の場合が格段に良好である。
図（ａ）と同様である。この場合は、従来技術をもって
も不完全接着領域の識別は可能であるが、コントラスト
は本実施例の場合が格段に良好である。
以上説明せるとおり、本発明に係る貼り合わせＳＯＩ基
板の検査方法においては、透過赤外光ではなく輻射赤外
光を利用して接着状態を検査することとされており、２
枚のシリコン基板の少なくとも一方の表面に二酸化シリ
コン膜を形成し、該二酸化シリコン膜を挟んで前記２枚
のシリコン基板を圧接しながら熱処理を施して前記２枚
のシリコン基板を貼り合わせて形成した貼り合わせ体を
高温に保持し、前記貼り合わせ体の貼り合わせ面に対向
して赤外線検出手段を設け、該赤外線検出手段の受光す
る赤外線の分布にもとづいて、前記貼り合わせ面の貼り
合わせ状態の良否を判定する貼り合わせＳｏ１基板の検
査方法において、前記貼り合わせ体を構成する要素のう
ち、赤外線に対する累積透過率の最も小さな層を、前記
貼り合わせ面に対して、前記赤外線検出手段から離隔さ
せて配設してなすように構成されているので、赤外線に
対する累積透過率が小さく抵抗率の低い層を含む貼り合
わせＳＯＩ基機の中間体である貼り合わせ体を検査する
場合は、此の層が赤外線の発光源として機能し、何等の
不都合も発生しないので、赤外線に対する累積透過率が
小さく抵抗率の低い層を含む貼り合わせＳＯＩ基板の中
間体である貼り合わせ体の接着状態の検査に対しても有
効に使用しうる貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法を提供
することができる。
板の検査方法においては、透過赤外光ではなく輻射赤外
光を利用して接着状態を検査することとされており、２
枚のシリコン基板の少なくとも一方の表面に二酸化シリ
コン膜を形成し、該二酸化シリコン膜を挟んで前記２枚
のシリコン基板を圧接しながら熱処理を施して前記２枚
のシリコン基板を貼り合わせて形成した貼り合わせ体を
高温に保持し、前記貼り合わせ体の貼り合わせ面に対向
して赤外線検出手段を設け、該赤外線検出手段の受光す
る赤外線の分布にもとづいて、前記貼り合わせ面の貼り
合わせ状態の良否を判定する貼り合わせＳｏ１基板の検
査方法において、前記貼り合わせ体を構成する要素のう
ち、赤外線に対する累積透過率の最も小さな層を、前記
貼り合わせ面に対して、前記赤外線検出手段から離隔さ
せて配設してなすように構成されているので、赤外線に
対する累積透過率が小さく抵抗率の低い層を含む貼り合
わせＳＯＩ基機の中間体である貼り合わせ体を検査する
場合は、此の層が赤外線の発光源として機能し、何等の
不都合も発生しないので、赤外線に対する累積透過率が
小さく抵抗率の低い層を含む貼り合わせＳＯＩ基板の中
間体である貼り合わせ体の接着状態の検査に対しても有
効に使用しうる貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法を提供
することができる。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例に係る貼り合わせＳ
ＯＩ基板の検査方法の説明図である。 第１図（ｂ）は、本発明の他の実施例に係る貼り合わせ
ＳＯＩ基板の検査方法の説明図である。 第２図（ａ）、第２（ｂ）図、第３図、第４図は、貼り
合わせＳＯＩ基板の製造工程の説明図である。 第５図は、従来技術に係る貼り合わせＳＯＩ基板の検査
方法の説明図である。 第６図、第７図は、従来技術に係る貼り合わせＳＯＩ基
板の検査方法を実施して観察したプロファイルの写真で
ある。 第８図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る貼り合わせ
ＳＯＩ基板の検査方法を実施して観察したプロファイル
の写真である。 第８図（ｂ）は、第１実施例の参考図である。 第９図（ａ）は、本発明の第２実施例に係る貼り合わせ
ＳＯＩ基板の検査方法を実施して観察したプロファイル
の写真である。 第９図（ｂ）は、第２実施例の参考図である。 １１・・・第１のシリコン基板（低抵抗）、１２・・・
第２のシリコン基板（高抵抗）、１３・・・低抵抗のシ
リコン層、 １４・・・二酸化シリコン膜、 １５・・・不完全接着面、 １６・・・貼り合わせ面、 １７・・・貼り合わせ体、 ２・・・赤外光源、 ３・・・赤外線検出手段、 ４・・・加熱体。
ＯＩ基板の検査方法の説明図である。 第１図（ｂ）は、本発明の他の実施例に係る貼り合わせ
ＳＯＩ基板の検査方法の説明図である。 第２図（ａ）、第２（ｂ）図、第３図、第４図は、貼り
合わせＳＯＩ基板の製造工程の説明図である。 第５図は、従来技術に係る貼り合わせＳＯＩ基板の検査
方法の説明図である。 第６図、第７図は、従来技術に係る貼り合わせＳＯＩ基
板の検査方法を実施して観察したプロファイルの写真で
ある。 第８図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る貼り合わせ
ＳＯＩ基板の検査方法を実施して観察したプロファイル
の写真である。 第８図（ｂ）は、第１実施例の参考図である。 第９図（ａ）は、本発明の第２実施例に係る貼り合わせ
ＳＯＩ基板の検査方法を実施して観察したプロファイル
の写真である。 第９図（ｂ）は、第２実施例の参考図である。 １１・・・第１のシリコン基板（低抵抗）、１２・・・
第２のシリコン基板（高抵抗）、１３・・・低抵抗のシ
リコン層、 １４・・・二酸化シリコン膜、 １５・・・不完全接着面、 １６・・・貼り合わせ面、 １７・・・貼り合わせ体、 ２・・・赤外光源、 ３・・・赤外線検出手段、 ４・・・加熱体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］２枚のシリコン基板（１１・１２）の少なくとも
一方の表面に二酸化シリコン膜（１４）を形成し該二酸
化シリコン膜（１４）を挟んで前記２枚のシリコン基板
（１１・１２）を圧接しながら熱処理を施して前記２枚
のシリコン基板（１１・１２）を貼り合わせて形成した
貼り合わせ体（１７）を高温に保持し、前記貼り合わせ
体（１７）の貼り合わせ面（１６）に対向して赤外線検
出手段（３）を設け、該赤外線検出手段（３）の受光す
る赤外線の分布にもとづいて、前記貼り合わせ面（１６
）の貼り合わせ状態の良否を判定する貼り合わせＳＯＩ
基板の検査方法において、 前記貼り合わせ体（１７）を構成する要素のうち、赤外
線に対する累積透過率の小さな層を、前記貼り合わせ面
（１６）に対して、前記赤外線検出手段（３）から離隔
させて配設する ことを特徴とする貼り合わせＳＯＩ基板の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5736088A JP2596784B2 (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5736088A JP2596784B2 (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232244A true JPH01232244A (ja) | 1989-09-18 |
| JP2596784B2 JP2596784B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=13053412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5736088A Expired - Lifetime JP2596784B2 (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596784B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250617A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 接合ウエーハの製造方法 |
| JP2011107144A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Foundation Seoul Technopark | 接合ウェハ検査方法 |
-
1988
- 1988-03-12 JP JP5736088A patent/JP2596784B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250617A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 接合ウエーハの製造方法 |
| JP2011107144A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Foundation Seoul Technopark | 接合ウェハ検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2596784B2 (ja) | 1997-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0729782A (ja) | 結合ウエーハの製造方法 | |
| Eaton et al. | Silicon wafer‐to‐wafer bonding at T< 200° C with polymethylmethacrylate | |
| JPH0691147B2 (ja) | 接合ウエーハ検査方法 | |
| JP2596784B2 (ja) | 貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法 | |
| JP3006051B2 (ja) | 気泡検出方法およびその装置 | |
| JP2008218993A (ja) | スクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
| JP2650364B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の検査方法 | |
| JPH02191353A (ja) | 半導体基板の検査方法 | |
| JPH0346314A (ja) | 半導体基板の接合時又は研磨時前の処理方法 | |
| JP4617788B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの評価方法及び貼り合わせウェーハの評価装置 | |
| CN108269748A (zh) | 一种cmp后晶圆表面缺陷的检测方法 | |
| JPS62122141A (ja) | 半導体基板の検査方法 | |
| JP3422225B2 (ja) | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 | |
| JP2010188489A (ja) | 接合ウェーハの製造方法 | |
| JP2602003B2 (ja) | シリコン結晶体の接合方法 | |
| JP4252258B2 (ja) | Ｓｏｉ基板のｈｆ欠陥評価方法 | |
| JPH05275508A (ja) | 貼合せ半導体ウェーハの接合界面の評価方法 | |
| TW465004B (en) | Method and apparatus for yield enhancement of back-thinned wafers | |
| JP2002033250A (ja) | 半導体基板、半導体基板の識別方法および半導体基板の製造方法 | |
| JPH07320994A (ja) | 張り合わせ半導体基板の製造方法 | |
| JPH0290008A (ja) | レジスト塗布膜厚測定方法及びその装置 | |
| JPH01246815A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP2796661B2 (ja) | 張り合わせ半導体基板の製造方法 | |
| JP2739943B2 (ja) | 接合型半導体基板の検査方法および装置 | |
| JPH06300638A (ja) | 温度測定方法および非破壊欠陥検査方法 |