JPH01232776A - 超電導薄膜素子 - Google Patents
超電導薄膜素子Info
- Publication number
- JPH01232776A JPH01232776A JP63059718A JP5971888A JPH01232776A JP H01232776 A JPH01232776 A JP H01232776A JP 63059718 A JP63059718 A JP 63059718A JP 5971888 A JP5971888 A JP 5971888A JP H01232776 A JPH01232776 A JP H01232776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- superconducting
- superconducting thin
- substrate
- film element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ジョセフソン接合素子等に用いられろＭｉ主
導薄膜素子に関するものである。
導薄膜素子に関するものである。
従来の技術
超電導材料は、ｌ）電気抵抗がゼロ、２）完全反磁性、
３）ジョセフソン効果といった他の材料にない特徴をも
っており、電力輸送、発電機あるいは超電導ＬＳＩ、高
速コンピュータ等の幅広い応用が期待されている。最近
、Ｙ Ｂ ａ ２ＣＩＪ ３０７−ｔが液体窒素温度で
超電導特性を示すことが見いだされ、さらにＹを他の希
土類元素（Ｌａ、 Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、
Ｇｄ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、 Ｔｒｎ、
Ｙ！１゜Ｌ ＩＩ ）で置き換えた材料についても、
超電導吠態となることが確認された。これらの材料の製
造法、物性、応用に関する研究が多くなされている。ま
た、超電導デバイスを開発すうために、半導体基板上へ
の薄膜作製技術の研究開発も盛んに行われている。
３）ジョセフソン効果といった他の材料にない特徴をも
っており、電力輸送、発電機あるいは超電導ＬＳＩ、高
速コンピュータ等の幅広い応用が期待されている。最近
、Ｙ Ｂ ａ ２ＣＩＪ ３０７−ｔが液体窒素温度で
超電導特性を示すことが見いだされ、さらにＹを他の希
土類元素（Ｌａ、 Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、
Ｇｄ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、 Ｔｒｎ、
Ｙ！１゜Ｌ ＩＩ ）で置き換えた材料についても、
超電導吠態となることが確認された。これらの材料の製
造法、物性、応用に関する研究が多くなされている。ま
た、超電導デバイスを開発すうために、半導体基板上へ
の薄膜作製技術の研究開発も盛んに行われている。
発明が解決しようとする課題
上記超電導薄膜はＭｇＯ，Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏ：ｌ、サ
フアイア等の酸化物単結晶を基板にして作製されている
が、金属、半導体、ＳｉＯ２，ガラス上には合成困難で
あるという問題点あった。
フアイア等の酸化物単結晶を基板にして作製されている
が、金属、半導体、ＳｉＯ２，ガラス上には合成困難で
あるという問題点あった。
課題を解決するための手段
基板と、基板上に形成したＭｇＯ薄膜と、ＭｇＯ薄膜上
に形成した超電導薄膜とを有する超電導薄膜素子を構成
し、前記Ｍ ｇ Ｏ７Ｊ膜を（１００）、（１１１）あ
るいは（１１０）に配向させる。
に形成した超電導薄膜とを有する超電導薄膜素子を構成
し、前記Ｍ ｇ Ｏ７Ｊ膜を（１００）、（１１１）あ
るいは（１１０）に配向させる。
作用
基板上に超電導薄膜を作製したデバイスにおいて、基板
と超電導薄膜との間に、 （１１１）、 （１００）あ
るいは（１１０）に選択的に再現性よく配向させたＭｇ
Ｏ薄膜を設けることにより、半導体基板やガラス基板に
も容易に超電導薄膜が作製でき、集積化超電導デバイス
も実現できろ。
と超電導薄膜との間に、 （１１１）、 （１００）あ
るいは（１１０）に選択的に再現性よく配向させたＭｇ
Ｏ薄膜を設けることにより、半導体基板やガラス基板に
も容易に超電導薄膜が作製でき、集積化超電導デバイス
も実現できろ。
実施例
５ｉ（１００）基板上にＭｇＯ薄膜を高周波マ々″ネト
ロンスパッタリング法により作製した。基への温度を５
００℃とし、雰囲気ガスとしては、Ａｒガス中に０２ガ
スを混入したものを用い、全圧を１ｌＰａとした。
ロンスパッタリング法により作製した。基への温度を５
００℃とし、雰囲気ガスとしては、Ａｒガス中に０２ガ
スを混入したものを用い、全圧を１ｌＰａとした。
得られた薄膜の結晶方位の決定をＸ線回折で行った結果
、 （１００）配向のＭｇＯ薄膜が得られていることが
明確となフた。上記Ｍ ｇ ＯＦｉｔ膜の上に高周波マ
グネトロンスパッタリング法により、結晶性のＹ Ｂ
ａ ２ＣＵ ｙ０７超電導薄膜を形成した。
、 （１００）配向のＭｇＯ薄膜が得られていることが
明確となフた。上記Ｍ ｇ ＯＦｉｔ膜の上に高周波マ
グネトロンスパッタリング法により、結晶性のＹ Ｂ
ａ ２ＣＵ ｙ０７超電導薄膜を形成した。
ターゲットには焼結したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０のターゲッ
トを用い、Ａｒと０２の混合ガス雰囲気で作製した。た
とえは、ガス圧力０．５Ｐａ、基板温度７００℃、膜厚
０，５μｒｎの超電導薄膜を作製した。
トを用い、Ａｒと０２の混合ガス雰囲気で作製した。た
とえは、ガス圧力０．５Ｐａ、基板温度７００℃、膜厚
０，５μｒｎの超電導薄膜を作製した。
図は、上記のようにして作製したＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超
電導薄膜のＸ線回折パターンを示している。
電導薄膜のＸ線回折パターンを示している。
（００１）配向した結晶性のよい超電導薄膜が得られた
ことがわかる。このようにして得られた薄膜は超電導を
示し、その転移温度は９０Ｆ（であった。
ことがわかる。このようにして得られた薄膜は超電導を
示し、その転移温度は９０Ｆ（であった。
また、５ｉ（１００）基板上にＭｇＯ薄膜を高周波マグ
ネトロンスパッタリング法により作製するざい、基板温
度を７００℃ここして得られた（１１１）配向あるいは
Ａｒガスのみの雰囲気で得られた（１１０）配向ＭｇＯ
薄膜の上に、ｔｆｌ主導薄膜を形成した。この場合も、
結晶性のよい超電導特性を示す薄膜が得られた。
ネトロンスパッタリング法により作製するざい、基板温
度を７００℃ここして得られた（１１１）配向あるいは
Ａｒガスのみの雰囲気で得られた（１１０）配向ＭｇＯ
薄膜の上に、ｔｆｌ主導薄膜を形成した。この場合も、
結晶性のよい超電導特性を示す薄膜が得られた。
発明の効果
本発明によれば、基板上に（１００）、 （１１りある
いは（１１０）配向したＭｇＯ薄膜を作製することここ
より、半導体基板やガラス基板にも容易に結晶性のよい
超電導薄膜が作製でき、集積化超電導デバイスも天川で
きる。
いは（１１０）配向したＭｇＯ薄膜を作製することここ
より、半導体基板やガラス基板にも容易に結晶性のよい
超電導薄膜が作製でき、集積化超電導デバイスも天川で
きる。
図は本発明の一実施例における超電導薄膜素子の薄膜の
Ｘ線回折パターンを示す図である。 代理人の氏名 井理士 中尾敏男 はか１名回折角屑
鎌
Ｘ線回折パターンを示す図である。 代理人の氏名 井理士 中尾敏男 はか１名回折角屑
鎌
Claims (2)
- （１）基板と、前記基板上に形成した酸化マグネシウム
薄膜と、前記酸化マグネシウム薄膜上に形成した超電導
薄膜とを有し、前記酸化マグネシウム薄膜が（１００）
、（１１１）あるいは（１１０）に配向していることを
特徴とする超電導薄膜素子。 - （２）超電導薄膜が、ＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−
＿ｘ（ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ
、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択された少なく
とも一種の金属）で表される組成物であることを特徴と
する請求項１に記載の超電導薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059718A JPH01232776A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 超電導薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059718A JPH01232776A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 超電導薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232776A true JPH01232776A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13121262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63059718A Pending JPH01232776A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 超電導薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232776A (ja) |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP63059718A patent/JPH01232776A/ja active Pending
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