JPH0442584A - 超伝導配線の製造方法 - Google Patents
超伝導配線の製造方法Info
- Publication number
- JPH0442584A JPH0442584A JP2150816A JP15081690A JPH0442584A JP H0442584 A JPH0442584 A JP H0442584A JP 2150816 A JP2150816 A JP 2150816A JP 15081690 A JP15081690 A JP 15081690A JP H0442584 A JPH0442584 A JP H0442584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- substrate
- temperature
- wiring
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
超伝導配線の製造方法に関し、
超伝導臨界温度の高い酸化物超伝導体よりなる微少線幅
の配線パターンを形成することを目的とし、 酸化物高温超伝導体成分を被処理基板上に堆積して配線
パターンを形成した後、該基板をダミーパターンを形成
した基板に対向させて焼成炉中に設置し、ダミーパター
ンの温度を配線パターンの温度と同等か或いは高めに保
持して焼成することを特徴として超伝導配線の製造方法
を構成する。
の配線パターンを形成することを目的とし、 酸化物高温超伝導体成分を被処理基板上に堆積して配線
パターンを形成した後、該基板をダミーパターンを形成
した基板に対向させて焼成炉中に設置し、ダミーパター
ンの温度を配線パターンの温度と同等か或いは高めに保
持して焼成することを特徴として超伝導配線の製造方法
を構成する。
本発明は超伝導臨界温度の高い酸化物超伝導体よりなり
微少線幅の配線パターンの製造方法に関する。
微少線幅の配線パターンの製造方法に関する。
幾種類の金属３合金、金属間化合物、窒化物。
酸化物などについて超伝導現象を示すことは昔より知ら
れていたが、金属元素については超伝導臨界温度（略称
Ｔｃ）は１０に未満に止まり、また金属間化合物につい
てはＮｂ３Ｇｅの２３．５Ｋが最高であった。
れていたが、金属元素については超伝導臨界温度（略称
Ｔｃ）は１０に未満に止まり、また金属間化合物につい
てはＮｂ３Ｇｅの２３．５Ｋが最高であった。
然し、１９８６年にＢｅｄｎｏｒｚ とＩ’１ｕｌｌｅ
ｒによりランクン・バリウム・銅・酸素（Ｌａ −Ｂａ
−Ｃｕ −０）系の酸化物セラミックスについて高温
超伝導現象が発見されて以来、各所でＴ、の高い酸化物
超伝導体の開発研究と、これを用いたデバイスの実用化
研究が行われている。
ｒによりランクン・バリウム・銅・酸素（Ｌａ −Ｂａ
−Ｃｕ −０）系の酸化物セラミックスについて高温
超伝導現象が発見されて以来、各所でＴ、の高い酸化物
超伝導体の開発研究と、これを用いたデバイスの実用化
研究が行われている。
すなわち、情報処理装置、特に高速化を必要とする電算
機では、これら低温で効率よ（動作する電子素子を搭載
する基板の回路配線を高温超伝導体で構成すれば極めて
効果的である。
機では、これら低温で効率よ（動作する電子素子を搭載
する基板の回路配線を高温超伝導体で構成すれば極めて
効果的である。
酸化物系の高温超伝導体には今まで各種の組成のものが
発見されている。
発見されている。
すなわち、イツトリウム・バリウム・銅・酸素（Ｙ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０）系およびＹを含む希土類元素−ＢａＣｕ
−０系についてＴｃが約９０Ｋを示す酸化物超伝導体が
発見された。
ａ−Ｃｕ−０）系およびＹを含む希土類元素−ＢａＣｕ
−０系についてＴｃが約９０Ｋを示す酸化物超伝導体が
発見された。
その後、１００に以上のＴｃを示すＢ１−５ｒ−Ｃａ−
ＣｕＯ系や１２５にのＴｃを示すＴＩ−Ｈａ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系などが発表されている。
ＣｕＯ系や１２５にのＴｃを示すＴＩ−Ｈａ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系などが発表されている。
ニーで、マグネシア、アルミナなどの被処理基板上に酸
化物超伝導体よりなる導体線路を形成する方法としては
マスク蒸着あるいはスバ・ンタにより酸化物超伝導体よ
りなる薄膜パターンを形成した後に焼成して結晶化する
ことにより超伝導相に変える方法が挙げられる。
化物超伝導体よりなる導体線路を形成する方法としては
マスク蒸着あるいはスバ・ンタにより酸化物超伝導体よ
りなる薄膜パターンを形成した後に焼成して結晶化する
ことにより超伝導相に変える方法が挙げられる。
また、超伝導セラミックス粉末を用いて導電体ペースト
を形成し、これをスクリーン印刷して微細パターンを形
成した後、これを焼成して結晶化し、超伝導相に変える
方法があ挙げられる。
を形成し、これをスクリーン印刷して微細パターンを形
成した後、これを焼成して結晶化し、超伝導相に変える
方法があ挙げられる。
発明者等は後者の方法による導体配線を形成する研究で
バルク試料の超伝導セラミックスおよびペーストを焼成
する方法で１００ Ｋ以上の値を得ている。
バルク試料の超伝導セラミックスおよびペーストを焼成
する方法で１００ Ｋ以上の値を得ている。
然し、仔細に検討してみるとＴ、のみかけ上の値は配線
幅に依存することが判った。
幅に依存することが判った。
すなわち、配線幅が狭（なるに従ってＴｃが低下するも
の＼、線幅が１．０ ｍまでは１００ Ｋ以上のＴｃを
示すが、これ以下の線幅ではＴＣは急激に低温側へ移行
する。
の＼、線幅が１．０ ｍまでは１００ Ｋ以上のＴｃを
示すが、これ以下の線幅ではＴＣは急激に低温側へ移行
する。
一方、情報処理装置などで、電子部品を搭載する回路基
板は高密度実装が必要であり、微細な線幅まではＴｃが
液体窒素の温度（７７Ｋ）以上である必要がある。
板は高密度実装が必要であり、微細な線幅まではＴｃが
液体窒素の温度（７７Ｋ）以上である必要がある。
然し、１００に以上のＴ、相をもつＢ１−Ｐｂ−５ｒ−
ＣａＣｕ−０膜について、従来の焼成法では配線幅が狭
くなるに従って特性の劣化が生じ、この対策が必要であ
った。
ＣａＣｕ−０膜について、従来の焼成法では配線幅が狭
くなるに従って特性の劣化が生じ、この対策が必要であ
った。
超伝導セラミックスを用いて作った導体ペーストをスク
リーン印刷し、これを焼成する方法でも１００に以上の
Ｔｃを示す超伝導体配線を形成することができるが、線
幅が約１．０ ｍ以下になるとＴｏが急激に低下し、液
体窒素（Ｎ２）の温度（７７Ｋ）でも超伝導状態を示さ
な（なる。
リーン印刷し、これを焼成する方法でも１００に以上の
Ｔｃを示す超伝導体配線を形成することができるが、線
幅が約１．０ ｍ以下になるとＴｏが急激に低下し、液
体窒素（Ｎ２）の温度（７７Ｋ）でも超伝導状態を示さ
な（なる。
そこで、この問題の解決が課題である。
上記の課題は酸化物高温超伝導体成分を被処理基板上に
堆積して配線パターンを形成した後、該基板をダミーパ
ターンを形成した基板に対間させて焼成炉中に設置し、
ダミーパターンの温度を配線パターンの温度と同等か或
いは高めに保持して焼成することを特徴として超伝導配
線の製造方法を構成することにより解決することができ
る。
堆積して配線パターンを形成した後、該基板をダミーパ
ターンを形成した基板に対間させて焼成炉中に設置し、
ダミーパターンの温度を配線パターンの温度と同等か或
いは高めに保持して焼成することを特徴として超伝導配
線の製造方法を構成することにより解決することができ
る。
超伝導成分を堆積し、焼成して得た酸化物超伝導体のＴ
ｃが配線幅の低下と共に急激に低温側に移行する理由に
ついて発明者等は超伝導体を構成する成分の内、特に蒸
気圧の高い成分の蒸発による組成比のずれによると考え
ている。
ｃが配線幅の低下と共に急激に低温側に移行する理由に
ついて発明者等は超伝導体を構成する成分の内、特に蒸
気圧の高い成分の蒸発による組成比のずれによると考え
ている。
すなわち、発明者等が実用化研究を進めているＢ１−Ｐ
ｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系については、蒸気圧が高く
、また特性に著しい影響を及ぼす成分はｐｂｏであって
、温度と蒸気圧の関係を示すと第１表のようになる。
ｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系については、蒸気圧が高く
、また特性に著しい影響を及ぼす成分はｐｂｏであって
、温度と蒸気圧の関係を示すと第１表のようになる。
第１表
そして、焼成により結晶化して超伝導相とする温度は８
５０°Ｃ前後であることから、ＰｂＯの蒸気圧は高く、
この過程で蒸発が容易に起こり組成ずれが起るのである
。
５０°Ｃ前後であることから、ＰｂＯの蒸気圧は高く、
この過程で蒸発が容易に起こり組成ずれが起るのである
。
また、線幅が狭くなるに従って組成ずれが容易に起こり
Ｔｃが急激に低下する理由については、線幅が狭くなる
のに従って単位体積当たりの露出面積が大きくなり、従
ってｐｂｏの蒸発量が大きいこと一１自己を含め周囲よ
りの蒸発によるＰｂＯの分圧が低いため、成分の蒸発が
抑制されないためと考えた。
Ｔｃが急激に低下する理由については、線幅が狭くなる
のに従って単位体積当たりの露出面積が大きくなり、従
ってｐｂｏの蒸発量が大きいこと一１自己を含め周囲よ
りの蒸発によるＰｂＯの分圧が低いため、成分の蒸発が
抑制されないためと考えた。
そこで、本発明は成分の蒸発を防ぐ方法として第１図の
原理図に示すように配線パターン１を印刷した基板２に
対向してダミーパターン３を印刷した基板４を配置して
焼成を行うものである。
原理図に示すように配線パターン１を印刷した基板２に
対向してダミーパターン３を印刷した基板４を配置して
焼成を行うものである。
ニーで、配線パターン１とダミーパターン３とはなるべ
く近接させることが必要である。
く近接させることが必要である。
このようにして焼成を行うと、ダミーパターン３から盛
んに行われるＰｂＯの蒸発によって配線パターン１から
のＰｂＯの蒸発が抑制されるのでＴ。
んに行われるＰｂＯの蒸発によって配線パターン１から
のＰｂＯの蒸発が抑制されるのでＴ。
の高い微細配線パターンを作ることができる。
なお、印刷した超伝導パターンを焼成する場合に、結晶
粒成長のため、焼成予定温度よりもｐｂ。
粒成長のため、焼成予定温度よりもｐｂ。
の蒸発が盛んに起こらない程度に少し高くして短時間焼
成して後、元に戻して焼成すると、結晶粒界に隙間が少
なく、膜の緻密化が促進れさた超伝導配線を作ることが
できる。
成して後、元に戻して焼成すると、結晶粒界に隙間が少
なく、膜の緻密化が促進れさた超伝導配線を作ることが
できる。
本発明はこのようにダミーパターンを近接させて焼成を
行うことにより、蒸気圧の高い成分特にＰｂＯの蒸発を
抑制することができ、ｉｎｎ以下の線幅の配線に対して
も１１１１１以上の場合と同じようなＴ、をもつ超伝導
体線路を形成することができる。
行うことにより、蒸気圧の高い成分特にＰｂＯの蒸発を
抑制することができ、ｉｎｎ以下の線幅の配線に対して
も１１１１１以上の場合と同じようなＴ、をもつ超伝導
体線路を形成することができる。
実施例１：（配線パターンの形成と焼成炉）ＢｉｚＯｓ
、ＰｂＯ，ＳｒＣＯ３，ＣａＣＯ５およびＣｕＯの原料
粉末を用意し、Ｂｉ ： Ｐｂ ： Ｓｒ ： Ｃａ
： Ｃｕのモル比が０．７＝０．３ ： １ ： １
：ｔ、ｓになるように混合し、混合した粉末を８４５°
Ｃで１５０時間焼成して超伝導セラミックスを作った。
、ＰｂＯ，ＳｒＣＯ３，ＣａＣＯ５およびＣｕＯの原料
粉末を用意し、Ｂｉ ： Ｐｂ ： Ｓｒ ： Ｃａ
： Ｃｕのモル比が０．７＝０．３ ： １ ： １
：ｔ、ｓになるように混合し、混合した粉末を８４５°
Ｃで１５０時間焼成して超伝導セラミックスを作った。
このセラミックスを乳鉢で粗粉砕した後、ボールミルを
用いて整粒した。
用いて整粒した。
この粉末にテルピネオールを粘性調整剤として加え、ア
セトンを溶削として混練した後、乾燥させてアセトンを
除き、ベンゼンを混合した後、乾燥させて粘度調整を行
い、超伝導ペーストを作成した。
セトンを溶削として混練した後、乾燥させてアセトンを
除き、ベンゼンを混合した後、乾燥させて粘度調整を行
い、超伝導ペーストを作成した。
このペーストを用い、１５ｍｍ角で厚さが０．５ ｍｍ
のマグネシア（ＭｇＯ）単結晶基板を複数個用意し、こ
の上に、線幅が０．５ ｍで長さが１０ａｍの導体線路
と、１０ｗ角のダミーパターンを別々にスクリーン印刷
して乾燥した。
のマグネシア（ＭｇＯ）単結晶基板を複数個用意し、こ
の上に、線幅が０．５ ｍで長さが１０ａｍの導体線路
と、１０ｗ角のダミーパターンを別々にスクリーン印刷
して乾燥した。
次に、第３図に示すような焼成炉を用意した。
すなわち、石英ガラス製のフレーム７に熱源（ヒータ）
５．６を背後に備えたアルミナ・セラミック板８．９を
挿着した後、ＭｇＯ製スペーサ１０を用いてセラミック
板８，９の上に同図に示すように基板２．４を対向させ
て配置した。
５．６を背後に備えたアルミナ・セラミック板８．９を
挿着した後、ＭｇＯ製スペーサ１０を用いてセラミック
板８，９の上に同図に示すように基板２．４を対向させ
て配置した。
このようにすることにより配線パターン１とダミーパタ
ーンとの間隔を０．５ ｔｍに保った。
ーンとの間隔を０．５ ｔｍに保った。
実施例２：
実施例１で記したように、線幅が０．５ｍｍ、厚さが３
０．！／Ｉｌ＋、長さが１０ｍｍの導体線路を印刷した
ＭｇＱ基板二枚を第３図に示した焼成炉に装着し、０．
５閣の間隔をおいて対向させ、下部の導体線路をダミー
パターンとした。
０．！／Ｉｌ＋、長さが１０ｍｍの導体線路を印刷した
ＭｇＱ基板二枚を第３図に示した焼成炉に装着し、０．
５閣の間隔をおいて対向させ、下部の導体線路をダミー
パターンとした。
そして、第１図のように大気中で熱源５．６に通電し、
両者を８６０°Ｃで１０分間加熱した後、上部の基板２
の温度を８４０°Ｃに下げ、一方、下部の基板４を温度
は８５０℃にした状態で６時間焼成して超伝導相に変え
、上部の基板２の導体線路について抵抗率の温度依存性
を測定した。
両者を８６０°Ｃで１０分間加熱した後、上部の基板２
の温度を８４０°Ｃに下げ、一方、下部の基板４を温度
は８５０℃にした状態で６時間焼成して超伝導相に変え
、上部の基板２の導体線路について抵抗率の温度依存性
を測定した。
実施例３：
線幅が０．５ｍｍ、厚さが３０μ割、長さが１０＋＋＋
ｍの導体線路を印刷したＭｇＯ基板を上に、また、１０
［１角のベタパターンを印刷したＭｇＯ基板を下にして
第３図に示した焼成炉に装着し、０．５１１Ｉ８１の間
隔をおいて対向させ、下部の導体線路をダミーパターン
とした。
ｍの導体線路を印刷したＭｇＯ基板を上に、また、１０
［１角のベタパターンを印刷したＭｇＯ基板を下にして
第３図に示した焼成炉に装着し、０．５１１Ｉ８１の間
隔をおいて対向させ、下部の導体線路をダミーパターン
とした。
そして、大気中で熱源５．６に通電し、両者を共に８６
０°Ｃで１０分間加熱した後、両基板２．４の温度を８
４０°Ｃに下げ、そのま−の状態で６時間焼成して超伝
導相に変え、上部の基板２の導体線路について抵抗率の
温度依存性を測定した。
０°Ｃで１０分間加熱した後、両基板２．４の温度を８
４０°Ｃに下げ、そのま−の状態で６時間焼成して超伝
導相に変え、上部の基板２の導体線路について抵抗率の
温度依存性を測定した。
比較例１：
線幅がＱ、５ｍｍ、厚さが３０μｍ、長さが１０ｍの導
体線路を印刷したＭｇＯ基板を上に、また、パターン印
刷のないＭｇＯ基板を下にして第３図に示した焼成炉に
装着し、０．５ ｍｍの間隔をおき、大気中で熱源５，
６に通電し、両者を共に８６０℃で１０分間加熱した後
、両基板２．４の温度を８４０℃に下げ、そのま−状態
で６時間焼成して超伝導相に変え、上部の基板２の導体
線路について抵抗率の温度依存性を測定した。
体線路を印刷したＭｇＯ基板を上に、また、パターン印
刷のないＭｇＯ基板を下にして第３図に示した焼成炉に
装着し、０．５ ｍｍの間隔をおき、大気中で熱源５，
６に通電し、両者を共に８６０℃で１０分間加熱した後
、両基板２．４の温度を８４０℃に下げ、そのま−状態
で６時間焼成して超伝導相に変え、上部の基板２の導体
線路について抵抗率の温度依存性を測定した。
第２図は実施例２．３および比較例１についての結果で
あり、実施例２．３のＴｃは約９８にと約１００にであ
るのに対し、比較例１は相転移は認められるもの＼、残
留抵抗は１２ｍΩ・Ｃｌ１１と大きく、超伝導状態にな
っていない。
あり、実施例２．３のＴｃは約９８にと約１００にであ
るのに対し、比較例１は相転移は認められるもの＼、残
留抵抗は１２ｍΩ・Ｃｌ１１と大きく、超伝導状態にな
っていない。
以上記したように本発明の実施により、超伝導相とする
ために行う焼成において生ずる組成ずれを最小限に抑え
ることが可能となり、これにより０．５ ｍｍ以下の線
幅の微細パターンを形成する場合でも１ｍｍ以上の線幅
と変わらぬＴｃの高い超伝導配線を作ることができる。
ために行う焼成において生ずる組成ずれを最小限に抑え
ることが可能となり、これにより０．５ ｍｍ以下の線
幅の微細パターンを形成する場合でも１ｍｍ以上の線幅
と変わらぬＴｃの高い超伝導配線を作ることができる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は実施例について抵抗率の温度依存性を示す図、
第３図は本発明の実施に使用した焼成炉の断面図、であ
る。 図において、 １は配線パターン、 ２．４は基板、３はダミー
パターン、 ５．６は熱源、である。 本発明の原理図 ？穿ｒ５ イ ｔ〉と１ １度（Ｋ）
る。 図において、 １は配線パターン、 ２．４は基板、３はダミー
パターン、 ５．６は熱源、である。 本発明の原理図 ？穿ｒ５ イ ｔ〉と１ １度（Ｋ）
Claims (2)
- （１）酸化物高温超伝導体成分を被処理基板上に堆積し
て配線パターンを形成した後、該基板をダミーパターン
を形成した基板に対向させて焼成炉中に設置し、ダミー
パターンの温度を配線パターンの温度と同等か或いは高
めに保持して焼成することを特徴とする超伝導配線の製
造方法。 - （２）請求項１記載のダミーパターンが配線パターンま
たはベタパターンであることを特徴とする超伝導配線の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150816A JP2870993B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 超伝導配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150816A JP2870993B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 超伝導配線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442584A true JPH0442584A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2870993B2 JP2870993B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=15505043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150816A Expired - Lifetime JP2870993B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 超伝導配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870993B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312803A (en) * | 1990-10-17 | 1994-05-17 | Fujitsu Limited | Process for producing Bi- and Pb-containing oxide superconducting wiring films |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150816A patent/JP2870993B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312803A (en) * | 1990-10-17 | 1994-05-17 | Fujitsu Limited | Process for producing Bi- and Pb-containing oxide superconducting wiring films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2870993B2 (ja) | 1999-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0818836B2 (ja) | 酸化物超電導体とその製造方法および応用製品 | |
| JPH0442584A (ja) | 超伝導配線の製造方法 | |
| Jin et al. | Morphologies and structures of Bi-based oxide fibrous crystals | |
| JPS63301424A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0251806A (ja) | 超電導セラミックス積層体およびその製造法 | |
| US5312803A (en) | Process for producing Bi- and Pb-containing oxide superconducting wiring films | |
| JP3272349B2 (ja) | 超伝導配線の製造方法 | |
| JPH04182394A (ja) | 単結晶超電導体の製造方法 | |
| JP2601892B2 (ja) | Ｔ▲ｌ▼系超電導体配線パタ−ンの製造法 | |
| JP2737187B2 (ja) | セラミックスの処理方法 | |
| JPH0753576B2 (ja) | セラミックス超電導体 | |
| KR950007088B1 (ko) | Bi-Sr-Ca-Cu-O계 초전도막형성용 타아겟재 | |
| JPH05183208A (ja) | 超電導素子及びその製造方法 | |
| JPH0444280A (ja) | 超伝導配線の製造方法 | |
| JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH0744323B2 (ja) | 超電導セラミツク基板 | |
| Nagata | Properties of superconducting thick films formed on electroless copper plated ceramic substrates | |
| KR0157625B1 (ko) | Bi확산에 의한 고온 초전도 박막의 제조방법 | |
| JP2523687B2 (ja) | 超伝導膜パタ―ンの形成方法 | |
| JPH01232776A (ja) | 超電導薄膜素子 | |
| JPH0725700A (ja) | 超伝導体および薄膜超伝導体の製造方法 | |
| JPH01227480A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0667787B2 (ja) | 薄膜型超電導素子 | |
| JPH01140622A (ja) | 超電導膜体を有する装置 | |
| JPS63258081A (ja) | 超電導材料の作製方法 |