JPH01232782A - アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式 - Google Patents
アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式Info
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- JPH01232782A JPH01232782A JP5844688A JP5844688A JPH01232782A JP H01232782 A JPH01232782 A JP H01232782A JP 5844688 A JP5844688 A JP 5844688A JP 5844688 A JP5844688 A JP 5844688A JP H01232782 A JPH01232782 A JP H01232782A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
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- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式に関す
るもので゛ある。
るもので゛ある。
半導体レーザは小型であるため、光デイスク装置やレー
ザプリンタなどの光源として、ガスレーザに代って広く
用いられている。また近年、？ｉＲの独立駆動が可能な
発光源を備えたアレイ型の半導体レーザ装置が開発され
ている。このようなアレイ型半導体レーザ装置を用いる
ことにより、従来より優れた特性の装置を得ることが可
能となる。
ザプリンタなどの光源として、ガスレーザに代って広く
用いられている。また近年、？ｉＲの独立駆動が可能な
発光源を備えたアレイ型の半導体レーザ装置が開発され
ている。このようなアレイ型半導体レーザ装置を用いる
ことにより、従来より優れた特性の装置を得ることが可
能となる。
例えば光デイスク装置やレーザプリンタなどでは、デー
タ処理の速度が向上する。
タ処理の速度が向上する。
従来、このようなアレイ型半導体レーザ装置において、
ある発光源から一定の出力光を発生させるときには、一
定の直流電流を加えて駆動を行っていた。
ある発光源から一定の出力光を発生させるときには、一
定の直流電流を加えて駆動を行っていた。
直流電流による従来の駆動方式では、隣接する発光源に
電流が加わると温度上界の影古により発光出力が低下す
るという問題点を生じていた。第３図は発光源ＬＤＩに
対し隣接する発光源■、Ｄ２の電流をオンしたときの発
光源ＬＤＩの出力低下を示したものである。出力低下の
時定数ｔは発光源間隔やヒートシンク材料にも依存する
が、実用的な数十μｍ〜数１００μｍ発光源間隔におい
ては、数１００μｓから数ｍｓである。
電流が加わると温度上界の影古により発光出力が低下す
るという問題点を生じていた。第３図は発光源ＬＤＩに
対し隣接する発光源■、Ｄ２の電流をオンしたときの発
光源ＬＤＩの出力低下を示したものである。出力低下の
時定数ｔは発光源間隔やヒートシンク材料にも依存する
が、実用的な数十μｍ〜数１００μｍ発光源間隔におい
ては、数１００μｓから数ｍｓである。
それぞれの発光源の出力を独立にモニタして自動パワー
制御（ＡＰＣ）を行うこともできるが、フィードバック
制御の時定数がｔ記の出力低下時定数ｔよりも十分率さ
い必要があるため、回路構成が制約されることになる。
制御（ＡＰＣ）を行うこともできるが、フィードバック
制御の時定数がｔ記の出力低下時定数ｔよりも十分率さ
い必要があるため、回路構成が制約されることになる。
本発明の目的は、上記のような隣接発光源からの影響の
少ない、アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式を提供す
ることにある。
少ない、アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式を提供す
ることにある。
本発明は、独立駆動可能な複数の発光源を有するアレイ
型半導体レーザ装置の駆動方式において、各々の発光源
を、レーザ発光を生じる閾値電流を間に挟む最大値と最
小値を有する１ ｋ Ｈｚ以上の周期的な変調電流で駆
動することを特徴とする。
型半導体レーザ装置の駆動方式において、各々の発光源
を、レーザ発光を生じる閾値電流を間に挟む最大値と最
小値を有する１ ｋ Ｈｚ以上の周期的な変調電流で駆
動することを特徴とする。
第２図に隣接発光源の駆動電流と温度上昇の測定例を示
す。温度上昇は隣接発光源の電流値に比例しており、隣
接発光源の光出力にはよらないことがわかる。
す。温度上昇は隣接発光源の電流値に比例しており、隣
接発光源の光出力にはよらないことがわかる。
一般の半導体レーザでは、閾値電流１１以上では光出力
が駆動電流変化量にほぼ比例する。従って、平均光出力
Ｐを得るために必要な直流駆動電流を（Ｉｒ ＋１ｔｈ
）とすれば、最小値ＩＬｈと最大値（２ＸＩＰ＋Ｉい）
でデユーティ５０％の方形パルス駆動したときの平均光
出力も同じくＰとなる。
が駆動電流変化量にほぼ比例する。従って、平均光出力
Ｐを得るために必要な直流駆動電流を（Ｉｒ ＋１ｔｈ
）とすれば、最小値ＩＬｈと最大値（２ＸＩＰ＋Ｉい）
でデユーティ５０％の方形パルス駆動したときの平均光
出力も同じくＰとなる。
閾値■い以下の電流ではレーザ発光しないため、先のパ
ルス駆動の最小値をＩい以下としても光出力は等しい。
ルス駆動の最小値をＩい以下としても光出力は等しい。
一方、平均駆動電流は最小値を■い以下にすれば（Ｉｐ
＋ｒｔｈ）より小さくなる。従って、温度上昇も小さ
くなる。
＋ｒｔｈ）より小さくなる。従って、温度上昇も小さ
くなる。
パルスの周期は、熱干渉の時定数よりも小さげればほぼ
直流駆動と同じ温度上昇とみなせるため、１ｋＨｚ以上
であれば十分な効果がある。
直流駆動と同じ温度上昇とみなせるため、１ｋＨｚ以上
であれば十分な効果がある。
なお、駆動電流はパルスでなく正弦波でもよい。
このような周期的な変調を駆動電流に加えることにより
、隣接発光源の影響を小さく制？ｆ［ｌすることができ
る。
、隣接発光源の影響を小さく制？ｆ［ｌすることができ
る。
第１図は、本発明の一実施例である駆動方式における、
アレイ型半導体レーザ装置の発光源の光出力と方形パル
ス駆動電流との関係を示す。この発光源の閾値１ｔｈは
５０ｍＡであり、直流電流駆動する場合に、平均１ｍＷ
の光出力を得るに必要な直流電流は５５ｍＡである。
アレイ型半導体レーザ装置の発光源の光出力と方形パル
ス駆動電流との関係を示す。この発光源の閾値１ｔｈは
５０ｍＡであり、直流電流駆動する場合に、平均１ｍＷ
の光出力を得るに必要な直流電流は５５ｍＡである。
そこで、本実施例では方形パルス駆動電流の最大値を６
０ｍＡ、最小値をＯｍＡ、デユーティを５０％とする。
０ｍＡ、最小値をＯｍＡ、デユーティを５０％とする。
この駆動電流の平均値は３０ｍＡであり、直流駆動の半
分近くまで平均駆動電流が低減できる。
分近くまで平均駆動電流が低減できる。
したがって、５５ｍＡの直流駆動と光出力は同じである
が、温度上昇は小さくなるので、熱干渉による発光出力
の低下を小さく抑えることができる。
が、温度上昇は小さくなるので、熱干渉による発光出力
の低下を小さく抑えることができる。
本実施例を、光デイスク装置に適用する場合には、駆動
電流の周波数はデータ記録周波数より十分大きければよ
く、例えばＩＭＨｚの記録周波数に対しては１０ＭＨｚ
程度の駆動電流周期でよい。
電流の周波数はデータ記録周波数より十分大きければよ
く、例えばＩＭＨｚの記録周波数に対しては１０ＭＨｚ
程度の駆動電流周期でよい。
本発明によればアレイ型半導体レーザ装置において、隣
接発光源間の熱干渉による発光出力への影響を小さく抑
制することができる。
接発光源間の熱干渉による発光出力への影響を小さく抑
制することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、
第２図は本発明の原理を示す図、
第３図は従来の駆動方式における隣接発光源の影響によ
る出力低下を示す図である。 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 電Ｊ升 第１図 ↑ 第２図 ←−−−−−→ Ｂす を 第３図
る出力低下を示す図である。 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 電Ｊ升 第１図 ↑ 第２図 ←−−−−−→ Ｂす を 第３図
Claims (1)
- （１）独立駆動可能な複数の発光源を有するアレイ型半
導体レーザ装置の駆動方式において、各々の発光源を、
レーザ発光を生じる閾値電流を間に挟む最大値と最小値
を有する１ｋＨｚ以上の周期的な変調電流で駆動するこ
とを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置の駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5844688A JPH01232782A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5844688A JPH01232782A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232782A true JPH01232782A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13084632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5844688A Pending JPH01232782A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | アレイ型半導体レーザ装置の駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015133528A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | オリンパス株式会社 | 光源装置、内視鏡装置及び光源制御方法 |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP5844688A patent/JPH01232782A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015133528A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | オリンパス株式会社 | 光源装置、内視鏡装置及び光源制御方法 |
| JP2015170708A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | オリンパス株式会社 | 光源装置、内視鏡装置及び光源制御方法 |
| US10327626B2 (en) | 2014-03-06 | 2019-06-25 | Olympus Corporation | Light source apparatus for emitting light in accordance with adjusted driving condition and endoscope apparatus |
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