JPH01233420A - 液晶カラー表示装置の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基板内面にフォトリソグラフィ（以下フォトリ
ソと略すン工程を経て形成されるカラーフィルタ（以下
ＣＦと略す）を用いた液晶カラー表示装置に関する。

〔従来の技術〕

液晶カラー表示装置用のＣＦ製造法としては、印刷法、
フォトリソ法、電子写真法、電着法、蒸着法、昇華転写
法などがあるが、画素の高密度化に伴いフォトリソ法が
主流である。

従来、フォトリソＣＦの製造は以下のような方法が一般
的である。

まず基板上にゼラチン、カゼイン等に重クロム酸アンモ
ン等で感光性を付与した感光液を均一に塗布し、マスク
露光法で所定′のパターン部分だけ光硬化させ現像して
必要なパターン以外を除去する。しかる後にこれを適当
な分光特性を有する染料の水溶液に浸漬して１色目のパ
ターン（たとえばＲｅｄ）を染色し、次いで混色防止の
ために透明な中間膜を全面に塗布する。

上記工程をさらに２回繰り返して２色目（たとえばＧｒ
ｅｅｎ）、３色目（たとえばＢ１．ｕｅ）を染色し所定
のＲ，Ｇ、８３色ＣＦが得られる。

この現像工程において理想的にはパターン以外の感光剤
は完全に除去されるはずだが、露光時の光の拡散および
基板と感光剤との密着性が良いことから、パターン以外
の部分に数１００〜１００ＯＡ程度の厚さの感光剤の膜
が残る。この膜のことをフォトリソ残膜とよぶ。

第４図［ａｌ、ｆｂｌに示されるように、このようなフ
ォトリソ残膜２を有する基板で液晶カラー表示装置を製
造すると、透明基板１とＣＦ３の間に透明導電膜（図示
せず）があるような構・造であろうと、透明基板１と透
明導電膜（図示せず）の間にＣＦ６があるような構造で
あろうと、シールの密着不良を生じ、特に湿度試験にお
いてシールやぶれをおこし安定してパネルを作ることが
できなかった。

また透明基板１と透明導電膜の間にＣＦ３がある構造で
は、フォ）　ＩＪソ残膜２のため透明導電膜のバター二
二／グ不良や密着不良をおこしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述のように従来のフォトリソ工程を経るＣＦの製造法
では、フォトリソ残膜が残りやすく透明導電膜のバター
ニング不良や密着不良なおこし、また基板内面にＣＦを
有する構造で液晶カラー表示装置を製造するとシールの
密着不良などの問題があった。

本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり、その目的
は、フォトリソ工程を経るＣＦの製造後においてフォト
リソ残膜を除去することにより、基板内面にＣＦを有す
る液晶カラー表示装置を安定して歩留よく提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明においては、問題点であるフォトリソ残膜な、Ｒ
，Ｇ、８３３色ＣＦ形成した後に除去することを特徴と
する。

更に詳しく説明すれば、３色ＣＦを形成した後にＣＦ上
に絶縁性有機膜か絶縁性無機膜の一方あるいは両方を保
護膜として形成し、しかる後に該基板を硫酸と過酸化水
素水の混合液、次亜塩素酸水溶液、メタケイ酸ソーダ水
溶液などに浸漬する、または０２プラズマアツシング、
オゾン洗浄などをおこなうケミカルクリーニング、ある
いはイオンボニ／バードなどのフィジカルクリーニング
をおこないフォトリソ残膜を除去するものである。

〔作用〕

本発明によれば、フォトリソ残膜を除去することによっ
て透明導電膜がＣＦ上にある場合でも安定してバターニ
ングができ、更に基板とＣＦの間に透明導電膜がある構
造であろうと、基板と透明導電膜の間にＣＦがある構造
であろうとシールの密着不良はなく、また湿度試験にお
いてシール破れをおこすこともなく安定して液晶カラー
表示装置を得ることができる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。

（実施例Ｉ） 第１図は本発明による実施例を示す工程図である。従来
より用いられているフォトリソ法により透明基板１上に
、Ｒｅｄ、Ｑｒｅｅｎ、）３１ｕｅ３色ＣＩ’３を形成
し、その上に第１図（ａｌに示すように保護膜４として
ポリイミド膜を１〜２μｍの厚さに印刷し、ＣＦ３の耐
熱限界温度内で焼成する。

次に、該ＣＦ基板２ｏを９５％硫酸と３０％過酸化水素
水を重量比で２＝１の割合で混合した液に４５±１℃で
４分間浸漬し、その後水洗、乾燥し、第１図（ｂｌのよ
うに不必要な部分のフォトリソ残膜２を除去する。

そして、このＣＦ基板２ｏの膜面側に、第２図（ａｌ、
（ｂｌ　Ｋ　示すように数工ｏｏＸのｓ　ｉ０２　ｓお
よび数１０００Ｘの透明導電膜６をスパッタリング法に
より膜付は腰パターニング、配向処理（配向膜は７）を
行なって組み立て、液晶カラー表示装置とした。

第２図において、８はシール、９は液晶層である。この
ようにして製造した表示装置は透明導電膜の密着不良や
パターニング不良、シールの剥離、密着不良をおこすこ
とはなかった。

また、透明導電膜６がＣＦ３上にある構造において、フ
ォトリソ残膜２の不必要な部分を除去した後に第３図に
示すように、最初の保護膜４上にさらに第２の保護膜１
ｏとして絶縁性有機膜と絶球性無機膜の一方あるいは両
方な形成することにより、保護膜段差部に生じる透明導
電膜６の切れを防止でき、バターニング性を向上させる
ことができる。

（実施例２） 実施例１において、硫酸、過酸化水素水混合液のかわり
に、有効塩素１０％の次亜塩素酸を純水で３倍希沢した
水溶液を用いても実施例１と同様な結果が得られた。

（実施例３） 実施例１において、基板を硫酸、過酸化水素水の混合液
のかわりに、メタケイ酸ソーダの純水で５倍希訳した水
溶液に、５０±１℃で２０分間浸漬しても実施例１と同
様な結果が得られた。

（実施例４） 実施例１において、基板を硫酸、過酸化水素水の混合液
に浸漬するかわりに、０．プラズマアッシング装置で１
０ｐａ、　　１ｋＷ、　２分間アッシングしても実施例
１と同様な結果が得られた。

（実施例５） 実施例４において、ｏ２プラズマアッシング装置のかわ
りに、基板をＵＶ照射装置で、低圧水銀灯１．８　ｍＷ
ｌｃｒｄ、２０秒処理しても実施例４と同様な結果が得
られた。

（実施例６） 実施例４において、０２プラズマアツシング装（（／　
ｍ１ｔｔで１０分間処理しても実施例４と同様な結果が
得られた。

（実施例７） 実施例１において、ポリイミド膜のかわりに５ｉｎ２あ
るいはＴａ、Ｏ，をスパッタリング法により３０００Ａ
膜付けし、実施例４と同様な処理をしても実施例１と同
様な結果が得られた。

（実施例８） 実施例２において、透明基板のかわりに先に透明導電膜
をバターニングした基板を用い、ＣＦ形成、フォ）　Ｉ
Ｊン残膜除去、配向処理、組み立てをおこなって液晶カ
ラー表示装置としても、シール剥離、密着不良をおこす
ことはなかった。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明によれば基板内面
にフォトリソ工程を経て形成されるＣＦを有する液晶カ
ラー表示装置において、ＣＦパターン部部外外フォトリ
ソ残膜を除去することによって、シール密着力および透
明導電膜のバターニング性が向上し、安定して歩留よく
液晶カラー表示装置を製造できる効果がある。

また、基板とＣＦの間に透明導電膜があるような構造の
場合、透明導電膜上にフォ）　ＩＪソ残膜がないのでこ
の透明導電膜上に直接ＫＩＣをペースト実装しても接続
不良がなく、またペースト実装したＩＣのリペア−が容
易であるという効果があり、基板と透明導電膜の間にＣ
Ｆがあるような構造の場合、基板と透明導電膜の間にフ
ォトリソ残膜がないので透明導電膜の密着性がよいため
にペースト実装したＩＣをリペア−するさいに透明導電
膜ごと剥がれることがないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１臀を本発明による実施例に係り表示装置の製造工程
を示す断面図、第２図は本発明による製造法を用いた液
晶カラー表示装置で、第２図（ａｌは断面図、第２図（
ｂｌは要部拡大断面図、第３図は他の実施例を示す要部
拡大断面図、第４図は透明基板上のフォ）　ＩＪソ残膜
を示す図で、第４図（ａｌは平面図、第４図ｆｂｌは第
４図（ａｌのＡ−Ａ線断面図である。 １・・・・・・透明基板、 ２・・・・・・フォトリソ残膜、 ６・・・・・・カラーフィルタ（Ｒ：　Ｒｅ　ｄ。 Ｇ：Ｇｒｅｅｎ、Ｂ：ＢＩｕｅ）。 第１図 （ｂ） 第２図 （ａ） （ｂ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも１枚の基板の内面に、フォトリソ工程
   を経て形成されるカラーフィルタ（ＣＦ）を有する液晶
   カラー表示装置の製造法において、必要なパターン部以
   外のフォトリソ残膜をＣＦ形成後に、ケミカルクリーニ
   ングにより除去することを特徴とする液晶カラー表示装
   置の製造法。
2. （２）少なくとも１枚の基板の内面に、フォトリソ工程
   を経て形成されるＣＦを有する液晶カラー表示装置の製
   造法において、必要なパターン部以外のフォトリソ残膜
   をＣＦ形成後にフィジカルクリーニングにより除去する
   ことを特徴とする液晶カラー表示装置の製造法。