JPH01233722A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
- Publication number
- JPH01233722A JPH01233722A JP6141988A JP6141988A JPH01233722A JP H01233722 A JPH01233722 A JP H01233722A JP 6141988 A JP6141988 A JP 6141988A JP 6141988 A JP6141988 A JP 6141988A JP H01233722 A JPH01233722 A JP H01233722A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wafer
- material gas
- raw material
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
この発明はガスの流れをスムーズにした半導体気相成長
装置に関するものである。
装置に関するものである。
［従来の技術］
第１１図は従来の有機金属成長法：ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔ
ａｌｏｖｇａｏ４ｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｉｅｖ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いた半導体気相成長装
置を使用して結晶を成長している時の模式図で、図にお
いて、（１）は反応管、（２）はこの反応管（１）の原
料ガス供給口、（３）は反応生成物、廃ガスの排気口、
（４）はサセプター、（５）はウェハ、（６）はサセプ
ターホルダー、（７）ハ高周波加熱コイル、（８）は供
給口（２）よシ導入し７’（原料ガスの流れ、（９）は
加熱されたサセプター（４）とウェハー（５）より生じ
る上昇気流、（ｌＯ）は排気口（３）へ向う廃ガスの流
れである、。
ａｌｏｖｇａｏ４ｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｉｅｖ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いた半導体気相成長装
置を使用して結晶を成長している時の模式図で、図にお
いて、（１）は反応管、（２）はこの反応管（１）の原
料ガス供給口、（３）は反応生成物、廃ガスの排気口、
（４）はサセプター、（５）はウェハ、（６）はサセプ
ターホルダー、（７）ハ高周波加熱コイル、（８）は供
給口（２）よシ導入し７’（原料ガスの流れ、（９）は
加熱されたサセプター（４）とウェハー（５）より生じ
る上昇気流、（ｌＯ）は排気口（３）へ向う廃ガスの流
れである、。
次に動作について説明する。原料ガス供給口（２）より
ＡｓＨ３，Ｈ２Ｓｅ、有機金属ガス（Ｍｏガス）など
の原料ガスを導入し、高周波加熱コイ／Ｌ／ （７）で
加熱されたサセプター（４）上のウェハ（５）の表面上
に真上より原料ガスの流れ（８）を導く、これらの原料
ガスがウェハ（５）の表面で熱分解して結晶成長する。
ＡｓＨ３，Ｈ２Ｓｅ、有機金属ガス（Ｍｏガス）など
の原料ガスを導入し、高周波加熱コイ／Ｌ／ （７）で
加熱されたサセプター（４）上のウェハ（５）の表面上
に真上より原料ガスの流れ（８）を導く、これらの原料
ガスがウェハ（５）の表面で熱分解して結晶成長する。
反応後に生じ九反応生成物、魔ガスは、サセプター（４
）の横を通って真下の排気−３（３）よシ排気される（
ｌＯ）。
）の横を通って真下の排気−３（３）よシ排気される（
ｌＯ）。
【発明が解決しようとする課題Ｊ
従来の半導体気相成長装置は以上のようにａ成されてい
たので、導入した原料ガスの流れの方向と加熱したウェ
ハから生じる上昇気流の方向が逆になるため、導入し九
原料ガスの流れが乱れ、つ王ハの上方で乱流が生じる。
たので、導入した原料ガスの流れの方向と加熱したウェ
ハから生じる上昇気流の方向が逆になるため、導入し九
原料ガスの流れが乱れ、つ王ハの上方で乱流が生じる。
このため、ウェハ表面に均一に原料ガスを導入できずま
た、ガスの切シ替えも速くできないなどの課題がめった
。
た、ガスの切シ替えも速くできないなどの課題がめった
。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、加熱されたサセプターとウェハよシ生じる上昇
気流によシ導入した原料ガスの流れが乱流にならないよ
うにできるとともに、ウェハ表面に均一に原料ガスを供
給でき、ガスの切シ換えも速くおこなうことができる半
導体気相成長装置を得ることを目的とする。
もので、加熱されたサセプターとウェハよシ生じる上昇
気流によシ導入した原料ガスの流れが乱流にならないよ
うにできるとともに、ウェハ表面に均一に原料ガスを供
給でき、ガスの切シ換えも速くおこなうことができる半
導体気相成長装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体気相成長装置は半導体反応容器の
形状を３つ又構造にし、この半導体反応容器の３つの口
の内の１つの口をウェハ、およびサセプターを出し入れ
する専用口にし、ｉｂの２つの口の内の１つを原料ガス
を導入する原料ガス供給口にし、残りの１つの口を反応
生成物、排ガスを排気する排気口としサセプターを３っ
又付近に配置したものである。
形状を３つ又構造にし、この半導体反応容器の３つの口
の内の１つの口をウェハ、およびサセプターを出し入れ
する専用口にし、ｉｂの２つの口の内の１つを原料ガス
を導入する原料ガス供給口にし、残りの１つの口を反応
生成物、排ガスを排気する排気口としサセプターを３っ
又付近に配置したものである。
〔作用」
この発明における半導体気相成長装置はガス供給口よシ
供給される原料ガスの流れが加熱されたサセプターよシ
生じる上昇気流の影響をまともに受けないために、原料
ガスの流れが乱流にならないので原料ガスをスムーズに
供給できる。
供給される原料ガスの流れが加熱されたサセプターよシ
生じる上昇気流の影響をまともに受けないために、原料
ガスの流れが乱流にならないので原料ガスをスムーズに
供給できる。
〔実施例」
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（２０）はウェハ、（２１）はウェハ（２
０）の面に対して斜め上方よｐ ＡｓＨ２，５ｉ２ｓｅ
、 Ｖｒ。
図において、（２０）はウェハ、（２１）はウェハ（２
０）の面に対して斜め上方よｐ ＡｓＨ２，５ｉ２ｓｅ
、 Ｖｒ。
ガスなどの原料ガスを供給する供給口、（２２）は供給
口（２１）の反対側にウェハ（２０）の面に対して斜め
上方に反応生成物・廃ガスを排気できるように取シつけ
た排気口、 （２３）はサセプター、（２４）はセプタ
ーホルダー、＜２５）は高周波加熱コイル、（が）はガ
ス供給口（２１）よシ導入したガスの流れ、（２７）は
加熱されたサセプターとウェハよシ生じる上昇気流、（
２８）は排気口（２２）へ向う廃ガスの流れである。
口（２１）の反対側にウェハ（２０）の面に対して斜め
上方に反応生成物・廃ガスを排気できるように取シつけ
た排気口、 （２３）はサセプター、（２４）はセプタ
ーホルダー、＜２５）は高周波加熱コイル、（が）はガ
ス供給口（２１）よシ導入したガスの流れ、（２７）は
加熱されたサセプターとウェハよシ生じる上昇気流、（
２８）は排気口（２２）へ向う廃ガスの流れである。
次に上記実施例の動作を第１図を参照しながら説明する
。第１図はこの発明の反応管を使用して結晶成長を行っ
ている時の模式図である。
。第１図はこの発明の反応管を使用して結晶成長を行っ
ている時の模式図である。
ガス供給口（２１）よＦ） Ａ、ｓＨ３，Ｈ２Ｓｅ、
Ｍｏガスなどの原料ガスを導入し、高周波加熱コイ）ｖ
（２Ｂ）で加熱しているサセプター（２３）上においた
ウェハ（２０）の表面に斜め上方よシ原料ガスを導入す
る。ウェハ（２０）の表面上に生じる上昇気流（２７）
に対し、原料ガスの導入方向（２６）が斜めになるから
、従来の反応管よシヌムーズに原料ガスを供給できる。
Ｍｏガスなどの原料ガスを導入し、高周波加熱コイ）ｖ
（２Ｂ）で加熱しているサセプター（２３）上においた
ウェハ（２０）の表面に斜め上方よシ原料ガスを導入す
る。ウェハ（２０）の表面上に生じる上昇気流（２７）
に対し、原料ガスの導入方向（２６）が斜めになるから
、従来の反応管よシヌムーズに原料ガスを供給できる。
又、反応後に生じた反応生成物、廃ガスは、上昇気流（
２７）と排気口へ向うガスの流れ（２８）に乗ってスム
ーズに排気される。
２７）と排気口へ向うガスの流れ（２８）に乗ってスム
ーズに排気される。
なお、上記実施例ではウニへ面に対し、斜め上方よシ原
料カスを供給し、供給口の反対側の斜め上から反応生成
物、廃ガスを排気できるように反応管を設置したが、反
応管の設置角度を変えて設置して使用してもよい。
料カスを供給し、供給口の反対側の斜め上から反応生成
物、廃ガスを排気できるように反応管を設置したが、反
応管の設置角度を変えて設置して使用してもよい。
例えば、反応管を逆さに設置して使用してもよい、この
場合の実施例２を第２図について説明する。この実施例
２はウェハ（２０）を逆さにセットし、ウェハ（２０）
の斜め下よシ原料ガスを供給しく２６）供給口（２１）
の反対側の斜め下から反応生成物、廃ガスを排気する（
２８）もので、供給される原料ガスの流れ（２６）が上
昇気流（２７）の影響を受けないためスムーズに原料ガ
スを導入できる。また、ウェハが逆さで反応生成物、廃
ガスを斜め下方に排気できるため、ウェハ（２０）の面
に塵埃が付着するのをおさえる効果もある。
場合の実施例２を第２図について説明する。この実施例
２はウェハ（２０）を逆さにセットし、ウェハ（２０）
の斜め下よシ原料ガスを供給しく２６）供給口（２１）
の反対側の斜め下から反応生成物、廃ガスを排気する（
２８）もので、供給される原料ガスの流れ（２６）が上
昇気流（２７）の影響を受けないためスムーズに原料ガ
スを導入できる。また、ウェハが逆さで反応生成物、廃
ガスを斜め下方に排気できるため、ウェハ（２０）の面
に塵埃が付着するのをおさえる効果もある。
次に、実施例３を第３図について説明する。この実施例
３は横側よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め上方に反
応生成物、廃ガスを排気する（２８）もので、原料力ス
を上昇気流（２７）に対して横側から供給する（２６）
ので、上昇気流（２７）の影響を１０受けずに原料ガス
を供給でき、排気口（２２）が斜め上方なので、上昇気
流（２７）が廃ガスの排気を助ける効果かめる。
３は横側よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め上方に反
応生成物、廃ガスを排気する（２８）もので、原料力ス
を上昇気流（２７）に対して横側から供給する（２６）
ので、上昇気流（２７）の影響を１０受けずに原料ガス
を供給でき、排気口（２２）が斜め上方なので、上昇気
流（２７）が廃ガスの排気を助ける効果かめる。
次に、実施例４を第４図について説明する。この実施例
４は斜め上よシ原料ガスを供給しく２６）、横から反応
生成物、廃ガスを排気する（２８）ものである。
４は斜め上よシ原料ガスを供給しく２６）、横から反応
生成物、廃ガスを排気する（２８）ものである。
次に、実施例５を第５図について説明する。この実施例
５は斜め上よυ原料ガスを供給しく２６）、真下へ反応
生成物、廃ガスを排気する（２８）ものである。
５は斜め上よυ原料ガスを供給しく２６）、真下へ反応
生成物、廃ガスを排気する（２８）ものである。
次に、実施例６を第６図について説明する。この実施例
６は真下よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め上に反応
生成物・廃ガスを排気する（２８）もので、原料ガスを
真下から供給する（２６）ので、上昇気流（２７）の影
響を受けずに原料ガスを供給でき、排気口が斜め上方な
ので、上昇気流（２７）が廃ガスの排気（２８）を助け
る効果がある。
６は真下よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め上に反応
生成物・廃ガスを排気する（２８）もので、原料ガスを
真下から供給する（２６）ので、上昇気流（２７）の影
響を受けずに原料ガスを供給でき、排気口が斜め上方な
ので、上昇気流（２７）が廃ガスの排気（２８）を助け
る効果がある。
次に、実施例７を第７図について説明する。この実施例
７は斜め上よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め下に反
応生成物、廃ガスを排気するものである（２８）。
７は斜め上よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め下に反
応生成物、廃ガスを排気するものである（２８）。
次に、実施例８を第８図について説明する。この実施例
８は斜め下よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め上に反
応生成物、廃ガスを排気する（２８）ものである。
８は斜め下よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め上に反
応生成物、廃ガスを排気する（２８）ものである。
次に、実施例９を第９図について説明する。仁の実施例
９は真上よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め下に反応
生成物、廃ガスを！Ｊ＃気する（２８）ものである。
９は真上よシ原料ガスを供給しく２６）、斜め下に反応
生成物、廃ガスを！Ｊ＃気する（２８）ものである。
次に、実施例１Ｏを第１０図について説明する。
この実施例１０は斜め下よシ原料ガスを供給しく２６ノ
、真上に反応生成物、廃ガスを排気する（２８）もので
ある。
、真上に反応生成物、廃ガスを排気する（２８）もので
ある。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、半導体気相成長装置の
半導体反応容器の形状を３つ又構造にし、この半導体反
応容器の３つの口の内の１つをウェハおよびサセプター
の出し入れ専用口にし、残りの２つの口の内の１つを原
料ガス供給口にし、残りの１つを排気口とし、サセプタ
ーを３つ又付近配置した構成にしにたので、原料ガスを
スムーズに供給できる。 ′
半導体反応容器の形状を３つ又構造にし、この半導体反
応容器の３つの口の内の１つをウェハおよびサセプター
の出し入れ専用口にし、残りの２つの口の内の１つを原
料ガス供給口にし、残りの１つを排気口とし、サセプタ
ーを３つ又付近配置した構成にしにたので、原料ガスを
スムーズに供給できる。 ′
第１図はこの発明の一実施例による半導体気相成長装置
の反応管を使用して結晶を成長してる時の模式図、第２
図〜第１０図はそれぞれこの発明の他の実施例の反応管
の模式図で、第２図は実施、例２、第３図は実施例３、
第４図は実施例４、第１５図は実施例５、第６図は実施
例６、第７図は実施例７、第８図は実施例８、第９図は
実施例９、第１０図は実施例１０である。％ｌ１図は従
来の反応管を使用して結晶を成長している時の模式図で
ある。 図において、（２０）はウェハ、（２１）は供給口、（
２２）は排気口、（２３）はサセプター、（２４）はサ
セグターオルダー、 （２５）は高周波加熱コイル、（
２６）は導入し九ガスの流れ、（２７）は上昇気流、（
２８）は廃ガスの流れを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当郡分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 第７図 第８図 第１１図
の反応管を使用して結晶を成長してる時の模式図、第２
図〜第１０図はそれぞれこの発明の他の実施例の反応管
の模式図で、第２図は実施、例２、第３図は実施例３、
第４図は実施例４、第１５図は実施例５、第６図は実施
例６、第７図は実施例７、第８図は実施例８、第９図は
実施例９、第１０図は実施例１０である。％ｌ１図は従
来の反応管を使用して結晶を成長している時の模式図で
ある。 図において、（２０）はウェハ、（２１）は供給口、（
２２）は排気口、（２３）はサセプター、（２４）はサ
セグターオルダー、 （２５）は高周波加熱コイル、（
２６）は導入し九ガスの流れ、（２７）は上昇気流、（
２８）は廃ガスの流れを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当郡分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 第７図 第８図 第１１図
Claims (1)
- 半導体反応容器の形状を３つ又構造にし、この半導体
反応容器の３つの口のうちの１つの口をウェハおよびサ
セプターを出し入れする専用口にし、残りの２つの口の
うち１つを原料ガスを導入する原料ガス供給口にし、残
りの１つの口を反応生成物、排ガスを排気する排気口と
し、サセプターを３つ又付近に配置したことを特徴とす
る半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141988A JPH01233722A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141988A JPH01233722A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233722A true JPH01233722A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13170560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6141988A Pending JPH01233722A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290230A (ja) * | 2009-09-01 | 2009-12-10 | Stanley Electric Co Ltd | 化合物半導体の製造装置および製造方法 |
| JP2017024986A (ja) * | 2016-10-25 | 2017-02-02 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | オゾンビーム発生装置 |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP6141988A patent/JPH01233722A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290230A (ja) * | 2009-09-01 | 2009-12-10 | Stanley Electric Co Ltd | 化合物半導体の製造装置および製造方法 |
| JP2017024986A (ja) * | 2016-10-25 | 2017-02-02 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | オゾンビーム発生装置 |
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