JPH0586476A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH0586476A JPH0586476A JP3250585A JP25058591A JPH0586476A JP H0586476 A JPH0586476 A JP H0586476A JP 3250585 A JP3250585 A JP 3250585A JP 25058591 A JP25058591 A JP 25058591A JP H0586476 A JPH0586476 A JP H0586476A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応ガスにＴＥＯＳに代表されるアルコラー
ト系の有機系液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用
いる常圧の化学気相成長装置において、装置の稼動率を
高く保つ。 【構成】 前記化学気相成長装置の排気部表面部材にフ
ッ素樹脂コーティングした部材を用いた装置、排気部表
面部材を加熱するヒーターを設けた装置または前記ヒー
ターを設け、排気部表面部材に石英ガラスを用いた装
置。 【効果】 排気部表面に付着する反応副生成物の除去を
容易にし、または反応副生成物の量が減少し、または付
着した膜状の反応副生成物をはがれにくくすることによ
り、装置の稼動率を高く保つことができる。
ト系の有機系液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用
いる常圧の化学気相成長装置において、装置の稼動率を
高く保つ。 【構成】 前記化学気相成長装置の排気部表面部材にフ
ッ素樹脂コーティングした部材を用いた装置、排気部表
面部材を加熱するヒーターを設けた装置または前記ヒー
ターを設け、排気部表面部材に石英ガラスを用いた装
置。 【効果】 排気部表面に付着する反応副生成物の除去を
容易にし、または反応副生成物の量が減少し、または付
着した膜状の反応副生成物をはがれにくくすることによ
り、装置の稼動率を高く保つことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応ガスとして、たとえ
ばテトラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳという）など
の有機系液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる
常圧の化学気相成長装置に関する。
ばテトラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳという）など
の有機系液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる
常圧の化学気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳを気化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェー
スダウン式常圧化学気相成長装置の反応室およびその動
作について説明する。
ＯＳを気化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェー
スダウン式常圧化学気相成長装置の反応室およびその動
作について説明する。
【０００３】この種の化学気相成長装置の反応室は、た
とえば図４に示すように構成されている。図４におい
て、１は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウ
エハ、２は半導体ウエハ１を載置するためのウエハステ
ージ、３は半導体ウエハ１、ウエハステージ２を加熱す
るためのヒーター、４は反応ガスＡを供給するためのガ
スヘッド、５はガスヘッド４上面に多数設けられたガス
吹出口、６は排気ガスＢを取り出すための排気口、７は
排気口６内の反応副生成物Ｃが付着した排気口壁であ
る。排気口壁７は、通常アルミ合金、ステンレン合金な
どの部材が用いられている。
とえば図４に示すように構成されている。図４におい
て、１は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウ
エハ、２は半導体ウエハ１を載置するためのウエハステ
ージ、３は半導体ウエハ１、ウエハステージ２を加熱す
るためのヒーター、４は反応ガスＡを供給するためのガ
スヘッド、５はガスヘッド４上面に多数設けられたガス
吹出口、６は排気ガスＢを取り出すための排気口、７は
排気口６内の反応副生成物Ｃが付着した排気口壁であ
る。排気口壁７は、通常アルミ合金、ステンレン合金な
どの部材が用いられている。
【０００４】つぎに動作について説明する。前記のよう
に構成された化学気相成長装置の反応室においては、ガ
スヘッド４上面のガス吹出口５より、ＴＥＯＳガスとＯ
3ガスとＮ2ガスの混合ガスである反応ガスＡが、ウエハ
ステージ２に載置、加熱されている半導体ウエハ１に供
給され、半導体ウエハ１上に反応生成膜（図示せず）が
形成される。反応が終わったガスまたは未反応の反応ガ
スＡは、排気ガスＢとして排気口６より反応室の外へ排
気される。
に構成された化学気相成長装置の反応室においては、ガ
スヘッド４上面のガス吹出口５より、ＴＥＯＳガスとＯ
3ガスとＮ2ガスの混合ガスである反応ガスＡが、ウエハ
ステージ２に載置、加熱されている半導体ウエハ１に供
給され、半導体ウエハ１上に反応生成膜（図示せず）が
形成される。反応が終わったガスまたは未反応の反応ガ
スＡは、排気ガスＢとして排気口６より反応室の外へ排
気される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この種の化
学気相成長装置の反応室は以上のように構成されている
ので、未反応のガスまたはある程度反応の進んだ反応ガ
スＡが排気ガスＢとして排気口６に流れ、その間にさら
に反応が進んで排気口壁７に反応副生成物Ｃとなって付
着する。また、ウエハステージ２とガスヘッド４の間で
反応ガスＡの気相反応によって生じた反応副生成物Ｃも
排気ガスＢと一緒に排気口６に流れるため、排気口壁７
に反応副生成物Ｃが付着する。
学気相成長装置の反応室は以上のように構成されている
ので、未反応のガスまたはある程度反応の進んだ反応ガ
スＡが排気ガスＢとして排気口６に流れ、その間にさら
に反応が進んで排気口壁７に反応副生成物Ｃとなって付
着する。また、ウエハステージ２とガスヘッド４の間で
反応ガスＡの気相反応によって生じた反応副生成物Ｃも
排気ガスＢと一緒に排気口６に流れるため、排気口壁７
に反応副生成物Ｃが付着する。
【０００６】このためこの種の化学気相成長装置では、
定期的に装置を止めて排気口壁７に付着している反応副
生成物Ｃを除去しなければならず、そのために作業者の
労力が費やされ、その間装置は止まっているので装置の
稼働率の低下を招いている。
定期的に装置を止めて排気口壁７に付着している反応副
生成物Ｃを除去しなければならず、そのために作業者の
労力が費やされ、その間装置は止まっているので装置の
稼働率の低下を招いている。
【０００７】そこで本発明者らは、反応副生成物Ｃの付
着について研究した結果、排気口壁７の温度によって反
応副生成物Ｃの付着量や反応副生成物Ｃの形態が変化す
ることがわかった。
着について研究した結果、排気口壁７の温度によって反
応副生成物Ｃの付着量や反応副生成物Ｃの形態が変化す
ることがわかった。
【０００８】この反応副生成物Ｃの排気口壁７への付着
の様子を図２および図３を用いて説明する。図２および
図３は図４に示される枚葉、フェースダウン式常圧化学
気相成長装置において、反応ガスとしてＴＥＯＳを気化
させたガスとＯ3ガスを用いて反応生成膜を形成したば
あいに排気口壁７に付着する反応副生成物Ｃの付着量の
変化を、横軸にそのときの排気口壁７の表面温度をとっ
て示したものである。このばあい、排気口壁７の表面温
度は、排気口壁をヒーターを設けて加熱することにより
コントロールした。
の様子を図２および図３を用いて説明する。図２および
図３は図４に示される枚葉、フェースダウン式常圧化学
気相成長装置において、反応ガスとしてＴＥＯＳを気化
させたガスとＯ3ガスを用いて反応生成膜を形成したば
あいに排気口壁７に付着する反応副生成物Ｃの付着量の
変化を、横軸にそのときの排気口壁７の表面温度をとっ
て示したものである。このばあい、排気口壁７の表面温
度は、排気口壁をヒーターを設けて加熱することにより
コントロールした。
【０００９】図２は縦軸にＳｉＯ2の微粒子による粉と
しての反応副生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副
生成物Ｃは２００℃以下の温度では粉として付着してお
り、その付着量は２００℃に近い温度ほど減少してお
り、さらに高温になると粉の付着は見られない。これは
微粒子の熱泳動の効果によるもので、高温の物体になる
ほど粉は付着しにくい。また２００℃に近い温度で付着
した粉は膜に近い性質の粉となっている。
しての反応副生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副
生成物Ｃは２００℃以下の温度では粉として付着してお
り、その付着量は２００℃に近い温度ほど減少してお
り、さらに高温になると粉の付着は見られない。これは
微粒子の熱泳動の効果によるもので、高温の物体になる
ほど粉は付着しにくい。また２００℃に近い温度で付着
した粉は膜に近い性質の粉となっている。
【００１０】図３は縦軸にＳｉＯ2の膜としての反応副
生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副生成物Ｃは１
４０℃以上の温度では膜として付着しており、その量は
２８０℃までは増加し、２８０℃をピークにそれ以上の
高温では付着量は減少していく傾向にある。これはＴＥ
ＯＳガスとＯ3ガスによる成膜反応は一定以上の温度で
ないとおこらないのと、高温になっていくほどＯ3ガス
の熱による分解が進んでＯ3ガスが減少してしまうため
である。
生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副生成物Ｃは１
４０℃以上の温度では膜として付着しており、その量は
２８０℃までは増加し、２８０℃をピークにそれ以上の
高温では付着量は減少していく傾向にある。これはＴＥ
ＯＳガスとＯ3ガスによる成膜反応は一定以上の温度で
ないとおこらないのと、高温になっていくほどＯ3ガス
の熱による分解が進んでＯ3ガスが減少してしまうため
である。
【００１１】このように、反応副生成物Ｃが排気口壁７
へ粉や膜として付着するが、低温で粉が付着したばあ
い、粉の付着量が多く排気口６が狭まり排気ガスＢが流
れにくくなり、一旦排気口壁７に付着したのちはがれ落
ちた粉がガスヘッド４上面に再付着して反応ガスＡの流
れを乱すなどして半導体ウエハ１上に形成される反応生
成膜である薄膜の膜厚を変動させることとなり、さらに
はがれ落ちた粉は半導体ウエハ１上にも再付着するの
で、これらはこの化学気相成長装置で処理される半導体
ウエハの歩留まりを低下させることになる。また高温で
膜が付着したばあいでも付着した膜の膜厚が厚くなって
くると、膜がはがれ落ちて粉のばあいと同様に半導体ウ
エハの歩留まり低下を招く。
へ粉や膜として付着するが、低温で粉が付着したばあ
い、粉の付着量が多く排気口６が狭まり排気ガスＢが流
れにくくなり、一旦排気口壁７に付着したのちはがれ落
ちた粉がガスヘッド４上面に再付着して反応ガスＡの流
れを乱すなどして半導体ウエハ１上に形成される反応生
成膜である薄膜の膜厚を変動させることとなり、さらに
はがれ落ちた粉は半導体ウエハ１上にも再付着するの
で、これらはこの化学気相成長装置で処理される半導体
ウエハの歩留まりを低下させることになる。また高温で
膜が付着したばあいでも付着した膜の膜厚が厚くなって
くると、膜がはがれ落ちて粉のばあいと同様に半導体ウ
エハの歩留まり低下を招く。
【００１２】本発明は前記のような問題点を解決するた
めになされたもので、前記化学気相成長装置において付
着した反応副生成物Ｃの除去を容易にし、排気口壁７へ
の反応副生成物Ｃの付着量を低減し、または付着した膜
状の反応副生成物Ｃをはがれにくくすることにより、製
造の稼動率を向上させた化学気相成長装置をうることを
目的とする。
めになされたもので、前記化学気相成長装置において付
着した反応副生成物Ｃの除去を容易にし、排気口壁７へ
の反応副生成物Ｃの付着量を低減し、または付着した膜
状の反応副生成物Ｃをはがれにくくすることにより、製
造の稼動率を向上させた化学気相成長装置をうることを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、反応
ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気化させ
たガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装置であ
って、排気部表面を１４０℃以下の温度に保ち、この排
気部表面部材としてフッ素樹脂コーティングした部材を
用いたことを特徴とする化学気相成長装置（以下、化学
気相成長装置Ａという）、前記化学気相成長装置であっ
て、排気部表面部材を加熱するヒーターを設け、排気部
表面を１４０〜２００℃に保つことを特徴とする化学気
相成長装置（以下、化学気相成長装置Ｂという）および
前記化学気相成長装置であって、排気部表面部材を加熱
するヒーターを設け、排気部表面を２００℃以上に保
ち、さらに前記部材として石英ガラスを用いたことを特
徴とする前記化学気相成長装置（以下、化学気相成長装
置Ｃという）に関する。
ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気化させ
たガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装置であ
って、排気部表面を１４０℃以下の温度に保ち、この排
気部表面部材としてフッ素樹脂コーティングした部材を
用いたことを特徴とする化学気相成長装置（以下、化学
気相成長装置Ａという）、前記化学気相成長装置であっ
て、排気部表面部材を加熱するヒーターを設け、排気部
表面を１４０〜２００℃に保つことを特徴とする化学気
相成長装置（以下、化学気相成長装置Ｂという）および
前記化学気相成長装置であって、排気部表面部材を加熱
するヒーターを設け、排気部表面を２００℃以上に保
ち、さらに前記部材として石英ガラスを用いたことを特
徴とする前記化学気相成長装置（以下、化学気相成長装
置Ｃという）に関する。
【００１４】
【作用】本発明の化学気相成長装置Ａでは、排気部表面
の部材にフッ素樹脂コーティングした部材を用いたの
で、排気部表面を１４０℃以下の温度に保って運転した
ばあい、排気部表面に粉として付着する反応副生成物の
除去を容易に行なうことができる。
の部材にフッ素樹脂コーティングした部材を用いたの
で、排気部表面を１４０℃以下の温度に保って運転した
ばあい、排気部表面に粉として付着する反応副生成物の
除去を容易に行なうことができる。
【００１５】また本発明の化学気相成長装置Ｂでは、排
気部表面を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面
を１４０〜２００℃の温度に保って運転したばあい、そ
こに反応副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、
付着する反応副生成物の総量を低減することができ、反
応副生成物の除去のための装置停止までの期間を長くで
きる。
気部表面を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面
を１４０〜２００℃の温度に保って運転したばあい、そ
こに反応副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、
付着する反応副生成物の総量を低減することができ、反
応副生成物の除去のための装置停止までの期間を長くで
きる。
【００１６】さらに本発明の化学気相成長装置Ｃでは、
排気部表面を加熱するヒーターを設け、排気部表面の部
材に石英ガラスを用いたので、排気部表面を２００℃以
上の温度に保って運転したばあい、排気部表面に膜とし
て付着する反応副生成物がはがれにくくなり、膜の除去
のための装置停止までの期間を長くできる。
排気部表面を加熱するヒーターを設け、排気部表面の部
材に石英ガラスを用いたので、排気部表面を２００℃以
上の温度に保って運転したばあい、排気部表面に膜とし
て付着する反応副生成物がはがれにくくなり、膜の除去
のための装置停止までの期間を長くできる。
【００１７】
【実施例】本発明の化学気相成長装置Ａ〜Ｃは、いずれ
も反応ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気
化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装
置である。
も反応ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気
化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装
置である。
【００１８】前記アルコラート系の有機系液体材料とし
ては、たとえばＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ（テトラメトキシシ
ラン）、ＴＯＭＣＡＴ（４−メチルシクロ−テトラシロ
キサン）などが用いられる。前記反応ガスを用いたばあ
い、目的のＳｉＯ２などからなる膜とともに反応副生成
物Ｃとして、たとえば微粒子状のＳｉＯ２などが生成す
る。
ては、たとえばＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ（テトラメトキシシ
ラン）、ＴＯＭＣＡＴ（４−メチルシクロ−テトラシロ
キサン）などが用いられる。前記反応ガスを用いたばあ
い、目的のＳｉＯ２などからなる膜とともに反応副生成
物Ｃとして、たとえば微粒子状のＳｉＯ２などが生成す
る。
【００１９】つぎに、本発明の化学気相成長装置Ａにつ
いて、その一実施例として反応ガスとしてＴＥＯＳを気
化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェースダウン
式常圧化学気相成長装置をあげ、図１を用いて説明す
る。
いて、その一実施例として反応ガスとしてＴＥＯＳを気
化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェースダウン
式常圧化学気相成長装置をあげ、図１を用いて説明す
る。
【００２０】図１は本発明の化学気相成長装置の反応室
の構成を示す説明図であり、図からヒーター９を除いた
構成が化学気相成長装置Ａの構成に該当する。図中、１
〜６は図４に示す従来の装置と同一のため説明を省略す
る。８は排気口６の排気ガスＢに接する排気部表面部材
であり、フッ素樹脂コーティング部材が用いられてい
る。
の構成を示す説明図であり、図からヒーター９を除いた
構成が化学気相成長装置Ａの構成に該当する。図中、１
〜６は図４に示す従来の装置と同一のため説明を省略す
る。８は排気口６の排気ガスＢに接する排気部表面部材
であり、フッ素樹脂コーティング部材が用いられてい
る。
【００２１】フッ素樹脂コーティングは、下地の材質が
アルミ合金のばあい、たとえばタフラム処理（日電アネ
ルバ社の処理の名称）などにより行なう。フッ素樹脂コ
ーティング部材は、金属材料の表面にフッ素樹脂を被覆
加工するなどの方法によりうることができる。
アルミ合金のばあい、たとえばタフラム処理（日電アネ
ルバ社の処理の名称）などにより行なう。フッ素樹脂コ
ーティング部材は、金属材料の表面にフッ素樹脂を被覆
加工するなどの方法によりうることができる。
【００２２】前記化学気相成長装置Ａによる半導体ウエ
ハ１への成膜方法については従来の装置による方法と同
一のため説明を省略する。前記のように構成された化学
気相成長装置Ａの反応室で、排気部表面部材８を１４０
℃以下の温度に保って反応生成膜を形成することにより
（加熱を行なわないばあい、通常の反応条件では排気部
表面温度は５０〜１００℃になる）排気部表面部材８に
は反応副生成物Ｃは粉としてのみ付着し、前記部材はフ
ッ素樹脂コーティングしてあるので粉の除去は容易に行
なうことができる。さらに排気部表面部材８を反応室よ
り分離できる構造にしておけばこの部材を交換するだけ
で反応副生成物Ｃの粉を除去することができる。
ハ１への成膜方法については従来の装置による方法と同
一のため説明を省略する。前記のように構成された化学
気相成長装置Ａの反応室で、排気部表面部材８を１４０
℃以下の温度に保って反応生成膜を形成することにより
（加熱を行なわないばあい、通常の反応条件では排気部
表面温度は５０〜１００℃になる）排気部表面部材８に
は反応副生成物Ｃは粉としてのみ付着し、前記部材はフ
ッ素樹脂コーティングしてあるので粉の除去は容易に行
なうことができる。さらに排気部表面部材８を反応室よ
り分離できる構造にしておけばこの部材を交換するだけ
で反応副生成物Ｃの粉を除去することができる。
【００２３】つぎに、同じく図１を用いて化学気相成長
装置Ｂの反応室を説明する。図中、１〜６は図４に示す
従来の化学気相成長装置と同一であり、排気部表面部材
８は従来から用いられているアルミ合金などの部材から
なり、ヒーター９が設けられている。
装置Ｂの反応室を説明する。図中、１〜６は図４に示す
従来の化学気相成長装置と同一であり、排気部表面部材
８は従来から用いられているアルミ合金などの部材から
なり、ヒーター９が設けられている。
【００２４】前記のように構成された化学気相成長装置
Ｂの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し１４０〜２００℃の温度に保って反応生成膜を形成
することにより、排気部表面部材８に付着する反応副生
成物Ｃの量を少なくすることができ、また２００℃に近
い温度で付着した粉は膜に近い性質の粉であるためはが
れにくいので、排気部表面部材８に付着した反応副生成
物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くできる。
１４０〜２００℃の温度では図２および３に示すよう
に、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは粉と膜の両
方の形態で付着するが、付着する反応副生成物の総量は
１４０℃以下の温度で粉としてのみ付着する時の付着
量、２００℃以上の温度で膜としてのみ付着する時の付
着量より少なくなる。さらに排気部表面部材８を反応室
より分離できる構造にしておけばこの部材を交換するだ
けで反応副生成物Ｃの粉と膜を除去することができる。
Ｂの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し１４０〜２００℃の温度に保って反応生成膜を形成
することにより、排気部表面部材８に付着する反応副生
成物Ｃの量を少なくすることができ、また２００℃に近
い温度で付着した粉は膜に近い性質の粉であるためはが
れにくいので、排気部表面部材８に付着した反応副生成
物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くできる。
１４０〜２００℃の温度では図２および３に示すよう
に、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは粉と膜の両
方の形態で付着するが、付着する反応副生成物の総量は
１４０℃以下の温度で粉としてのみ付着する時の付着
量、２００℃以上の温度で膜としてのみ付着する時の付
着量より少なくなる。さらに排気部表面部材８を反応室
より分離できる構造にしておけばこの部材を交換するだ
けで反応副生成物Ｃの粉と膜を除去することができる。
【００２５】さらに、図１を用いて化学気相成長装置Ｃ
の反応室を説明する。図中、１〜６は図４に示す従来の
化学気相装置と同一であり、排気部表面部材８は石英ガ
ラスからなり、ヒーター９が設けられている。
の反応室を説明する。図中、１〜６は図４に示す従来の
化学気相装置と同一であり、排気部表面部材８は石英ガ
ラスからなり、ヒーター９が設けられている。
【００２６】前記のように構成された化学気相成長装置
Ｃの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し２００℃以上の温度に保って反応生成膜を形成する
ことにより、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは膜
としてのみ付着し（図２および３参照）、石英ガラスと
反応副生成物Ｃの膜はどちらもＳｉＯ2で熱膨張係数が
等しいため排気部表面部材８に付着した反応副生成物Ｃ
の膜ははがれにくく、排気部表面部材８に付着した反応
副生成物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くで
きる。さらに排気部表面部材８を反応室より分離できる
構造にしておけばこの部材を交換するだけで反応副生成
物Ｃの膜を除去することができる。
Ｃの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し２００℃以上の温度に保って反応生成膜を形成する
ことにより、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは膜
としてのみ付着し（図２および３参照）、石英ガラスと
反応副生成物Ｃの膜はどちらもＳｉＯ2で熱膨張係数が
等しいため排気部表面部材８に付着した反応副生成物Ｃ
の膜ははがれにくく、排気部表面部材８に付着した反応
副生成物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くで
きる。さらに排気部表面部材８を反応室より分離できる
構造にしておけばこの部材を交換するだけで反応副生成
物Ｃの膜を除去することができる。
【００２７】なお、ここまで本発明の化学気相成長装置
Ａ〜Ｃについて、枚葉、フェースダウン式常圧化学気相
成長装置を例にあげて説明したが、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳなどのアルコラート系の有機系の液体材料を気化さ
せたガスとＯ3ガスを用いる常圧化学気相成長装置であ
れば他のどのような形態の常圧化学気相成長装置であっ
てもよく、また反応室の構成、形状などもとくに規定す
るものではない。
Ａ〜Ｃについて、枚葉、フェースダウン式常圧化学気相
成長装置を例にあげて説明したが、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳなどのアルコラート系の有機系の液体材料を気化さ
せたガスとＯ3ガスを用いる常圧化学気相成長装置であ
れば他のどのような形態の常圧化学気相成長装置であっ
てもよく、また反応室の構成、形状などもとくに規定す
るものではない。
【００２８】［実施例１］フッ素樹脂コーティングして
いない部材を用いた化学気相成長装置では粉がさびり付
いて残っていたものが、化学気相成長装置Ａでは、排気
部表面部材に付着した粉を除却するばあい、粉のこびり
付がほとんどなく除却できた。
いない部材を用いた化学気相成長装置では粉がさびり付
いて残っていたものが、化学気相成長装置Ａでは、排気
部表面部材に付着した粉を除却するばあい、粉のこびり
付がほとんどなく除却できた。
【００２９】［実施例２］化学気相成長装置Ｂにおい
て、排気部表面部材に付着した粉を除却するのに、１４
０〜２００℃に保っていないばあいでは処理枚数１００
枚で除却しなければならなかったものが、１４０〜２０
０℃に加熱保持した場合は５００枚まで除却作業を行な
わなくてよかった。
て、排気部表面部材に付着した粉を除却するのに、１４
０〜２００℃に保っていないばあいでは処理枚数１００
枚で除却しなければならなかったものが、１４０〜２０
０℃に加熱保持した場合は５００枚まで除却作業を行な
わなくてよかった。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明の化学気相成長装
置Ａでは排気部表面部材にフッ素樹脂コーティングした
部材を用いたので、排気部表面を１４０℃以下の温度に
保つことにより、そこに粉として付着した反応副生成物
の除去を容易に行なうことができる。
置Ａでは排気部表面部材にフッ素樹脂コーティングした
部材を用いたので、排気部表面を１４０℃以下の温度に
保つことにより、そこに粉として付着した反応副生成物
の除去を容易に行なうことができる。
【００３１】また化学気相成長装置Ｂでは、排気部表面
部材を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面を１
４０℃〜２００℃の温度に保つことにより、そこに反応
副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、付着する
反応副生成物の総量を低減することができ、反応副生成
物の除去のための装置停止までの期間を長くできる。
部材を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面を１
４０℃〜２００℃の温度に保つことにより、そこに反応
副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、付着する
反応副生成物の総量を低減することができ、反応副生成
物の除去のための装置停止までの期間を長くできる。
【００３２】化学気相成長装置Ｃでは、排気部表面部材
を加熱するヒーターを設け、その表面の部材に石英ガラ
スを用いたので、排気部表面を２００℃以上の温度に保
つことにより、そこに反応副生成物は膜として付着する
が、膜がはがれにくくなり、膜の除去のための装置停止
までの期間を長くできる。
を加熱するヒーターを設け、その表面の部材に石英ガラ
スを用いたので、排気部表面を２００℃以上の温度に保
つことにより、そこに反応副生成物は膜として付着する
が、膜がはがれにくくなり、膜の除去のための装置停止
までの期間を長くできる。
【００３３】したがって、本発明の化学気相成長装置を
使用することにより、装置の稼動率を向上させることが
できる。
使用することにより、装置の稼動率を向上させることが
できる。
【図１】本発明の一実施例による化学気相成長装置の反
応室を示す説明図である。
応室を示す説明図である。
【図２】枚葉、フェースダウン式常圧化学気相成長装置
の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2粉付着量と排気
口壁の温度の関係を示すグラフである。
の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2粉付着量と排気
口壁の温度の関係を示すグラフである。
【図３】枚葉、フェースダウン式常圧化学気相成長装置
の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2膜付着量と排気
口壁の温度の関係を示すグラフである。
の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2膜付着量と排気
口壁の温度の関係を示すグラフである。
【図４】従来の化学気相成長装置の反応室を示す説明図
である。
である。
８ 排気部表面部材 ９ ヒーター Ａ 反応ガス
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】この種の化学気相成長装置の反応室は、た
とえば図４に示すように構成されている。図４におい
て、１は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウ
エハ、２は半導体ウエハ１を載置するためのウエハステ
ージ、３は半導体ウエハ１、ウエハステージ２を加熱す
るためのヒーター、４は反応ガスＡを供給するためのガ
スヘッド、５はガスヘッド４上面に多数設けられたガス
吹出口、６は排気ガスＢを取り出すための排気口、７は
排気口６内の反応副生成物Ｃが付着した排気口壁であ
る。排気口壁７は、通常アルミ合金、ステンレス合金な
どの部材が用いられている。
とえば図４に示すように構成されている。図４におい
て、１は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウ
エハ、２は半導体ウエハ１を載置するためのウエハステ
ージ、３は半導体ウエハ１、ウエハステージ２を加熱す
るためのヒーター、４は反応ガスＡを供給するためのガ
スヘッド、５はガスヘッド４上面に多数設けられたガス
吹出口、６は排気ガスＢを取り出すための排気口、７は
排気口６内の反応副生成物Ｃが付着した排気口壁であ
る。排気口壁７は、通常アルミ合金、ステンレス合金な
どの部材が用いられている。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応ガスとしてアルコラート系の有機系
液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化
学気相成長装置であって、排気部表面を１４０℃以下の
温度に保ち、この排気部表面部材としてフッ素樹脂コー
ティングした部材を用いたことを特徴とする化学気相成
長装置。 - 【請求項２】 反応ガスとしてアルコラート系の有機系
液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化
学気相成長装置であって、排気部表面部材を加熱するヒ
ーターを設け、排気部表面を１４０℃〜２００℃に保つ
ことを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項３】 反応ガスとしてアルコラート系の有機系
液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化
学気相成長装置であって、排気部表面部材を加熱するヒ
ーターを設け、排気部表面を２００℃以上に保ち、さら
に前記部材として石英ガラスを用いたことを特徴とする
化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250585A JP2991830B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250585A JP2991830B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586476A true JPH0586476A (ja) | 1993-04-06 |
| JP2991830B2 JP2991830B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=17210080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3250585A Expired - Lifetime JP2991830B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991830B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012463A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜装置 |
| JP2000216100A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2001522138A (ja) * | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 長寿命高温プロセスチャンバ |
| JP2002222807A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2004111834A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気系及び切替式トラップ装置 |
| KR20160028335A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 |
| JP2018186236A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889821A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-28 | Canon Inc | 堆積膜の製造装置 |
| JPH01294868A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-11-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3250585A patent/JP2991830B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2016048705A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体 |
| US9732421B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-08-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP2018186236A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法 |
| US10876204B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-12-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, exhaust pipe coating method and substrate processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2991830B2 (ja) | 1999-12-20 |
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