JPH01233907A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH01233907A JPH01233907A JP6215688A JP6215688A JPH01233907A JP H01233907 A JPH01233907 A JP H01233907A JP 6215688 A JP6215688 A JP 6215688A JP 6215688 A JP6215688 A JP 6215688A JP H01233907 A JPH01233907 A JP H01233907A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- air bubbles
- wavelength
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波フィルタや遅延線等に用いられる弾性表
面波デバイスに関する。
面波デバイスに関する。
従来の技術とその課題
従来、弾性表面波デバイスは、ＰＺτ圧電基板、ＬｉＮ
ｂ０！単結晶基板、ＺｎＯ膜が被着されたガラス基板等
の表面にインターデジタル形状の入出力電極を設けて構
成され、入力側電極で励振された表面波が出力側電極に
伝搬し受信きれる。この際、同時に基板の底面で反射さ
れたバルク波も励受信され、このバルク波は周波数特性
上不要なスプリアスとなる。
ｂ０！単結晶基板、ＺｎＯ膜が被着されたガラス基板等
の表面にインターデジタル形状の入出力電極を設けて構
成され、入力側電極で励振された表面波が出力側電極に
伝搬し受信きれる。この際、同時に基板の底面で反射さ
れたバルク波も励受信され、このバルク波は周波数特性
上不要なスプリアスとなる。
この様なスプリアスの発生を除去するため、従来では、
第３図、第４図に示す様に、基板１０の裏面に溝１１を
表面波伝搬方向と直交する方向に形成するか、基板１０
の裏面を荒らしてラップ１２を形成し、入力側電極１３
で励振されたバルク波を溝１１又はラップ１２で拡散し
、出力側電極１４へは到達しない様にしていた。
第３図、第４図に示す様に、基板１０の裏面に溝１１を
表面波伝搬方向と直交する方向に形成するか、基板１０
の裏面を荒らしてラップ１２を形成し、入力側電極１３
で励振されたバルク波を溝１１又はラップ１２で拡散し
、出力側電極１４へは到達しない様にしていた。
しかしながら、溝１１、ラップ１２を形成するとなると
、基板１０に割れや欠損等の加工不良を招来したり、電
極１３．１４を傷付けるという問題点を有していた。
、基板１０に割れや欠損等の加工不良を招来したり、電
極１３．１４を傷付けるという問題点を有していた。
一方、ＰＺＴ系等の圧電セラミックス基板は、ＬｉＮｂ
０．等の単結晶基板とは異なり、混合、焼成工程を経る
ため、内部に小さな気泡（ボア）が発生し、この気泡が
表面部分に存在すると電極の断線や表面波の散乱を招き
、好ましくはない。
０．等の単結晶基板とは異なり、混合、焼成工程を経る
ため、内部に小さな気泡（ボア）が発生し、この気泡が
表面部分に存在すると電極の断線や表面波の散乱を招き
、好ましくはない。
そこで、本発明の課題は、基板の加工不良、電極の損傷
を招来することなく、充分なバルク波抑圧効果を得るこ
とができ、かつ、表面波伝搬効率を損なうことのない弾
性表面波デバイスを提供することにある。
を招来することなく、充分なバルク波抑圧効果を得るこ
とができ、かつ、表面波伝搬効率を損なうことのない弾
性表面波デバイスを提供することにある。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するため、本発明に係る弾性表面波デ
バイスは、基板をＰＺＴ系等の圧電セラミックスとし、
表面からその通過帯域中心周波数の約１波長よりも深い
部分には約１波長の深さ以内よりも多数の気泡が存在す
ることを特徴とする。
バイスは、基板をＰＺＴ系等の圧電セラミックスとし、
表面からその通過帯域中心周波数の約１波長よりも深い
部分には約１波長の深さ以内よりも多数の気泡が存在す
ることを特徴とする。
なお、この様に気泡の少ない層と多く存在する層を有す
る圧電セラミックス基板は、例えば脱泡工程での条件を
調整して２種類の基板を作成し接合することにより得ら
れる。
る圧電セラミックス基板は、例えば脱泡工程での条件を
調整して２種類の基板を作成し接合することにより得ら
れる。
作用
以上の構成において、表面波として機能する波は一般に
レイリー波と称するもので、波の全エネルギーの約９０
％は基板表面からその通過帯域中心周波数の１波長の深
さ以内に含まれており、媒体としては基板は少なくとも
１波長分の厚みを有していれば表面波デバイスとして充
分に機能する。
レイリー波と称するもので、波の全エネルギーの約９０
％は基板表面からその通過帯域中心周波数の１波長の深
さ以内に含まれており、媒体としては基板は少なくとも
１波長分の厚みを有していれば表面波デバイスとして充
分に機能する。
また、レイリー波は基板中に存在する気泡によって散乱
されてしまうことは前述の通りである。
されてしまうことは前述の通りである。
従って、本発明において、表面波の大部分は気泡の非常
に少ない表面層を伝搬し、伝搬エネルギーの損失はほと
んどなくなる。一方、基板底面で反射されるバルク波は
１波長以上のｆＪ部で気泡にて散乱され、充分バルク波
抑圧効果を発揮することとなる。
に少ない表面層を伝搬し、伝搬エネルギーの損失はほと
んどなくなる。一方、基板底面で反射されるバルク波は
１波長以上のｆＪ部で気泡にて散乱され、充分バルク波
抑圧効果を発揮することとなる。
実施例
以下、本発明に係る弾性表面波デバイスの一実施例につ
き、添付図面を参照して説明する。
き、添付図面を参照して説明する。
第１図において、１は基板で、例えば、ＰＺＴ系の圧電
基板セラミックスからなる。２は入力側インターデジタ
ル電極、３は出力側インターデジタル電極であり、基板
表面に所定の形状に蒸着、リソグラフィ等の方法で形成
されている。入力側電極２に入力された電気信号はここ
で弾性表面波に変換されて矢印Ａ方向に伝搬され、出力
側電極３で再び電気信号に変換されて出力として取り出
される。
基板セラミックスからなる。２は入力側インターデジタ
ル電極、３は出力側インターデジタル電極であり、基板
表面に所定の形状に蒸着、リソグラフィ等の方法で形成
されている。入力側電極２に入力された電気信号はここ
で弾性表面波に変換されて矢印Ａ方向に伝搬され、出力
側電極３で再び電気信号に変換されて出力として取り出
される。
ところで、前記圧電セラミックス基板１は気泡の存在し
ない表面層１ａと気泡４が存在する下層１ｂとで構成き
れている。表面層１ａの厚さは本デバイスの通過帯域中
心周波数の１波長く１人〉分に相当する。通常、ＰＺＴ
系圧電セラミックスは、概略、原料粉末の秤量、溶媒と
の混合、仮焼、粉砕、造粒、シート成形、焼成の工程を
経て製造され、成形、焼成の前工程として気泡を除く脱
泡工程が行なわれる。従って、表面層１ａと下１１ｂと
を別に作成し、表面層１ａに対しては完全な脱泡工程を
実施し、下層１ｂに対してはある程度の気泡４が残存す
る様に脱泡するか、脱泡工程を省略する。その後、表面
Ｊｉｌａと下層１ｂとを接合面で波の反射が生じない様
に接合することにより、所望の基板１が得られる。
ない表面層１ａと気泡４が存在する下層１ｂとで構成き
れている。表面層１ａの厚さは本デバイスの通過帯域中
心周波数の１波長く１人〉分に相当する。通常、ＰＺＴ
系圧電セラミックスは、概略、原料粉末の秤量、溶媒と
の混合、仮焼、粉砕、造粒、シート成形、焼成の工程を
経て製造され、成形、焼成の前工程として気泡を除く脱
泡工程が行なわれる。従って、表面層１ａと下１１ｂと
を別に作成し、表面層１ａに対しては完全な脱泡工程を
実施し、下層１ｂに対してはある程度の気泡４が残存す
る様に脱泡するか、脱泡工程を省略する。その後、表面
Ｊｉｌａと下層１ｂとを接合面で波の反射が生じない様
に接合することにより、所望の基板１が得られる。
弾性表面波はその全エネルギーの約９０％が１人の深さ
以内で伝搬することが知られており、本デバイスではそ
の深さには気泡が存在しないので、エネルギー損失が極
めて少ない状態で伝搬される。
以内で伝搬することが知られており、本デバイスではそ
の深さには気泡が存在しないので、エネルギー損失が極
めて少ない状態で伝搬される。
一方、基板底面で反射されるバルク波は下ｍ１ｂに存在
する気泡４で散乱して十分に抑圧され、スプリアスが減
少する。
する気泡４で散乱して十分に抑圧され、スプリアスが減
少する。
第２図はバルク波の散乱状態を説明するためのものであ
る。
る。
なお、本発明に係る弾性表面波デバイスは以上の実施例
に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変
更できることは勿論である。特に、基板１の材料、下層
１ｂの気泡密度、製造方法は実施例での説明以外に任意
である。
に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変
更できることは勿論である。特に、基板１の材料、下層
１ｂの気泡密度、製造方法は実施例での説明以外に任意
である。
発明の効果
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、圧電セラ
ミックス基板を表面から深さ約１波長以内には気泡が非
常に少ないものとし、約１波長よりも深い部分には気泡
が多く存在するものとしたため、弾性表面波の伝搬効率
を損なうことなく、バルク波の抑圧効果に優れ、不要な
スプリアスを大幅に減少することができる。
ミックス基板を表面から深さ約１波長以内には気泡が非
常に少ないものとし、約１波長よりも深い部分には気泡
が多く存在するものとしたため、弾性表面波の伝搬効率
を損なうことなく、バルク波の抑圧効果に優れ、不要な
スプリアスを大幅に減少することができる。
第１図は本発明に係る弾性表面波デバイスの一実施例の
断面図、第２図は第１図のもののバルク波の散乱説明図
、第３図、第４図は従来の弾性表面波デバイスの断面図
である。 １・・・基板、１ａ・・・表面層、１ｂ・・・下層、２
，３・・・電極、４・・・気泡、Ａ・・・表面波伝搬方
向。 特許出願人 株式会社村田製作所
断面図、第２図は第１図のもののバルク波の散乱説明図
、第３図、第４図は従来の弾性表面波デバイスの断面図
である。 １・・・基板、１ａ・・・表面層、１ｂ・・・下層、２
，３・・・電極、４・・・気泡、Ａ・・・表面波伝搬方
向。 特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- （１）圧電セラミックス基板表面に入力側電極と出力側
電極を設けてなる弾性表面波デバイスにおいて、 前記基板が、表面からその通過帯域中心周波数の約１波
長よりも深い部分には約１波長の深さ以内よりも多数の
気泡が存在するものであることを特徴とする弾性表面波
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215688A JPH01233907A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215688A JPH01233907A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233907A true JPH01233907A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13191969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6215688A Pending JPH01233907A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012015767A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波デバイス |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6215688A patent/JPH01233907A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012015767A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波デバイス |
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