JPH01234819A - 光遅延発生器 - Google Patents
光遅延発生器Info
- Publication number
- JPH01234819A JPH01234819A JP6219388A JP6219388A JPH01234819A JP H01234819 A JPH01234819 A JP H01234819A JP 6219388 A JP6219388 A JP 6219388A JP 6219388 A JP6219388 A JP 6219388A JP H01234819 A JPH01234819 A JP H01234819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- voltage
- delay
- crystal body
- crystal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光信号の遅延発生器に関し、１１号を高分解能、高精度
に遅延の制御することを目的とし、電気光学結晶体と、
該結晶体に電圧印加するための電極とを設け、該電極に
印加する電圧を制御することにより該結ル体内を伝播す
る光の光路長を変化させ光の伝ｆｌｊ！延時間を変える
ことを特徴とする光遅延発生器で構成する。
に遅延の制御することを目的とし、電気光学結晶体と、
該結晶体に電圧印加するための電極とを設け、該電極に
印加する電圧を制御することにより該結ル体内を伝播す
る光の光路長を変化させ光の伝ｆｌｊ！延時間を変える
ことを特徴とする光遅延発生器で構成する。
本発明は元信号の遅延発生器に関する。近年情報伝送に
光を使用した光通信技術の進歩は著しく、すでに多くの
方面で実用化されている。光通信分野において、光の遅
延を高分解能、高ｎ度に制御する技術は重要なものの一
つとなっている。
光を使用した光通信技術の進歩は著しく、すでに多くの
方面で実用化されている。光通信分野において、光の遅
延を高分解能、高ｎ度に制御する技術は重要なものの一
つとなっている。
第５図は従来の光遅延発生回路の構成例を示すものであ
る。
る。
レーザ発生器１から発射された元パルス信号はハーフミ
ラ−２に到達すると、反射光と透過光に分離され、反射
光はさらにミラー３，４で反射されハーフミラ−５を透
過して透過光ａとなって光受光器７で受信される。なお
ハーフミラ−２を透過した光はさらに一部がハーフミラ
−５を通過してミラー６に直進し、ミラー６で反射して
点線で示す径路でもどって再度ハーフミラ−５で一部が
反射され、反射２ｂとなって受光器で受信される。
ラ−２に到達すると、反射光と透過光に分離され、反射
光はさらにミラー３，４で反射されハーフミラ−５を透
過して透過光ａとなって光受光器７で受信される。なお
ハーフミラ−２を透過した光はさらに一部がハーフミラ
−５を通過してミラー６に直進し、ミラー６で反射して
点線で示す径路でもどって再度ハーフミラ−５で一部が
反射され、反射２ｂとなって受光器で受信される。
ここで、受光器７で受信される光ａと光すの間で微少な
遅延が生じ、この遅延時間はミラー６を機械的に前後に
移動させることにより調節できる。
遅延が生じ、この遅延時間はミラー６を機械的に前後に
移動させることにより調節できる。
上記従来の技術はミラーを機械的に移動させるものでお
り、従って再現性、安定性の面で困難がありた。
り、従って再現性、安定性の面で困難がありた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、高分解能に
、かつ高梢度に元信号の遅延を制御できる技術を提供す
ることを目的とする。
、かつ高梢度に元信号の遅延を制御できる技術を提供す
ることを目的とする。
第１図は本発明の原理説明図である。
元発元器１から出射された元は電気光学結晶体８を通過
する間に、結晶体８に電圧印加回路９から印加されたα
圧により、屈折率の変化が発生し、光の光路長が変化し
、その結果遅延が発生して結晶体８から出射される。
する間に、結晶体８に電圧印加回路９から印加されたα
圧により、屈折率の変化が発生し、光の光路長が変化し
、その結果遅延が発生して結晶体８から出射される。
本発明では第１囚に示す如く、ｖＬ電気光学結晶体電圧
を印加し、この電圧の値により光の屈折率を色々と変化
させて光の光路長を変え、光が結晶体８ｔ−通過する時
間を調節している。
を印加し、この電圧の値により光の屈折率を色々と変化
させて光の光路長を変え、光が結晶体８ｔ−通過する時
間を調節している。
第２図は本発明の実施例構成図である。
８は電気光学結晶体であり、ＫＤＩ） （ＫＨ，ＰＯ４
） 。
） 。
ＡＤＰ （ＮＲ１Ｒ２Ｐ Ｏ４） 、 Ｌ ｉ Ｎｂｏ
、 、 Ｌ ＋ Ｔ ａｏ、 、 ＧａＡｓ等の結晶体
が知られている。
、 、 Ｌ ＋ Ｔ ａｏ、 、 ＧａＡｓ等の結晶体
が知られている。
この結晶体８の上面にはアルミニュム等の蒸着で形成さ
れた電極１１が破着され、下面には金属の電極１３が形
成されている、光の入射面には誘電体多層膜で形成され
た反射防止膜１２が被着されている。
れた電極１１が破着され、下面には金属の電極１３が形
成されている、光の入射面には誘電体多層膜で形成され
た反射防止膜１２が被着されている。
引出線１４と電極１３の間に電圧が印加され、この電圧
を変化させることにより結晶体８を通過する光信号の遅
延時間を調節する。
を変化させることにより結晶体８を通過する光信号の遅
延時間を調節する。
結晶体８に入射する光は直線偏光１５であシ、この直線
偏光の偏光方向と、結晶体８に電圧を印加することによ
り誘起される複屈折＠ｙ（複屈折＄楕円体主軸］と平行
となるように光１５を入射させると印加電圧に比例した
屈折率変化Δｎが発生する。
偏光の偏光方向と、結晶体８に電圧を印加することによ
り誘起される複屈折＠ｙ（複屈折＄楕円体主軸］と平行
となるように光１５を入射させると印加電圧に比例した
屈折率変化Δｎが発生する。
結晶体８の物理的長さをｌとし、光速度をＣとすると、
元が結晶中を通過する時間は Δ（＝Δｎ６ ｌ／ｃ （１１
だけ変化する。
元が結晶中を通過する時間は Δ（＝Δｎ６ ｌ／ｃ （１１
だけ変化する。
Δｎと印加電圧■の関係式は次のｉｆ’ｌである。
ここで結晶体は里方晶系４３ＩＩＩ型結晶（ＧａＡｓ
。
。
ＩｎＰ等）の場合であり、ｎｏは常屈折率、γ４．はポ
ッケルス定数、ｄは結晶体の厚さを示す。
ッケルス定数、ｄは結晶体の厚さを示す。
第３図は本発明の光遅延発生器を適泪した光遅延発生回
路の実施例を示す。
路の実施例を示す。
１６は電源回路で、１７は半導体レーザ等で構成したパ
ルスレーザ発生回路である。トリガー信号発生回路２０
からのトリガー信号によりパルスレーザ発生回路１７か
ら幅の狭い直線偏光パルスが発射される。
ルスレーザ発生回路である。トリガー信号発生回路２０
からのトリガー信号によりパルスレーザ発生回路１７か
ら幅の狭い直線偏光パルスが発射される。
この光はハーフミラ−２で分離され、反射光はミラー３
．４′ｔ−経てハーフミラ−５に到達し、反射光がＰＩ
Ｎホトダイオード１９で受信され電気信号に変換され受
信回路２２に送られる。
．４′ｔ−経てハーフミラ−５に到達し、反射光がＰＩ
Ｎホトダイオード１９で受信され電気信号に変換され受
信回路２２に送られる。
一方ハーフミラー２を透過した光は電気光学結晶体８を
通過するが、この間電圧印加回路９からの電圧により屈
折率が変化し、このため光の光路が長くなり、微少な光
信号の遅延を受けて結晶体８から出射する。この出射し
た光がハーフミラ−５５に到達し、透過光がＰＩＮホト
ダイオード１９にて受イさされ、電気信号に変換され受
信回路２２へ送られる。
通過するが、この間電圧印加回路９からの電圧により屈
折率が変化し、このため光の光路が長くなり、微少な光
信号の遅延を受けて結晶体８から出射する。この出射し
た光がハーフミラ−５５に到達し、透過光がＰＩＮホト
ダイオード１９にて受イさされ、電気信号に変換され受
信回路２２へ送られる。
従って受イ３回路２２では微少な時間幅をもった２つの
元パルスを受信する。
元パルスを受信する。
そしてこの元パルスの時間間隔は・電圧印加回路９から
結晶体８に印加する電圧１ｆＬを匍制御することにより
正確に、かつパルス幅の変化もなく高分解能にて受信す
ることができる。
結晶体８に印加する電圧１ｆＬを匍制御することにより
正確に、かつパルス幅の変化もなく高分解能にて受信す
ることができる。
第４図は本発明の他の実施例による光遅延発生器であり
、電気光学結晶体８の２つの側面に反射膜が蒸着されて
おり、反射膜のない結晶体８の一部から斜めに入射され
た光は結晶体８内部で何回も反射しながら進行し、反射
膜のない他の一部から出射される。この場合は結晶体８
を通過する実質的な長さを大きくすることができ、より
大きな遅延時間の制御が可能となる。なお以上の実施例
ではバルク結晶の場合であるが、導波路構造として、き
わめて小をな光遅延発生器を得ることもできる。又電気
光学結晶体構造も上記構造に限定されることなく、他の
構造の結晶体を使用することができる。
、電気光学結晶体８の２つの側面に反射膜が蒸着されて
おり、反射膜のない結晶体８の一部から斜めに入射され
た光は結晶体８内部で何回も反射しながら進行し、反射
膜のない他の一部から出射される。この場合は結晶体８
を通過する実質的な長さを大きくすることができ、より
大きな遅延時間の制御が可能となる。なお以上の実施例
ではバルク結晶の場合であるが、導波路構造として、き
わめて小をな光遅延発生器を得ることもできる。又電気
光学結晶体構造も上記構造に限定されることなく、他の
構造の結晶体を使用することができる。
以上説明したように本発明によると、高精度でかつ高分
解な光遅延発生回路を実現することができる。
解な光遅延発生回路を実現することができる。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明の実施例
構成図、第３図は本発明の光遅延発生器を適用した光遅
延発生回路の実施例ブロック図、第４図は本発明の他の
実施例構成図、第５図は従来の光遅延発生回路を示す。 図において１は元発光器、２．５はハーフミラ−１３，
４はミラー、８は電気光学結晶体、９は電圧印加回路、
１１゜１３は電極、１２は反射防止膜、１５は入射光、
１６は１！源、１７はパルスレーザ発生回路、１９はＰ
ＩＮホトダイオード、２０にトリガー信号発生回路、２
２は受信回路、２３は反射膜を示す。 本発明ｆ）屑自里犯 算 １ 目 本発明／）笑符遡１駁明劇 ％ ２偲 多４図
構成図、第３図は本発明の光遅延発生器を適用した光遅
延発生回路の実施例ブロック図、第４図は本発明の他の
実施例構成図、第５図は従来の光遅延発生回路を示す。 図において１は元発光器、２．５はハーフミラ−１３，
４はミラー、８は電気光学結晶体、９は電圧印加回路、
１１゜１３は電極、１２は反射防止膜、１５は入射光、
１６は１！源、１７はパルスレーザ発生回路、１９はＰ
ＩＮホトダイオード、２０にトリガー信号発生回路、２
２は受信回路、２３は反射膜を示す。 本発明ｆ）屑自里犯 算 １ 目 本発明／）笑符遡１駁明劇 ％ ２偲 多４図
Claims (1)
- 電気光学結晶体１０と、該結晶体に電圧印加するための
電極１１、１３とを設け、該電極１１、１３に印加する
電圧を制御することにより該結晶体内を伝播する光の光
路長を変化させ光の伝播遅延時間を変えることを特徴と
する光遅延発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219388A JPH01234819A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 光遅延発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219388A JPH01234819A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 光遅延発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234819A true JPH01234819A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13193066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6219388A Pending JPH01234819A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 光遅延発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999019762A1 (fr) * | 1996-04-08 | 1999-04-22 | Herutsu Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif a reflexion multiple |
| JP2015210527A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | キヤノン株式会社 | 光信号のチャープを制御するための装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5971028A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Nec Corp | 光位相変調装置 |
| JPS61163739A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 伝送装置 |
| JPS6281824A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光線路の無瞬断切替方法 |
| JPS6371824A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Japan Atom Energy Res Inst | 高屈折率光学ガラスを用いるパルスレ−ザ−光のパルス遅延機構を有するパルス幅拡大装置 |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6219388A patent/JPH01234819A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5971028A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Nec Corp | 光位相変調装置 |
| JPS61163739A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 伝送装置 |
| JPS6281824A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光線路の無瞬断切替方法 |
| JPS6371824A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Japan Atom Energy Res Inst | 高屈折率光学ガラスを用いるパルスレ−ザ−光のパルス遅延機構を有するパルス幅拡大装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999019762A1 (fr) * | 1996-04-08 | 1999-04-22 | Herutsu Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif a reflexion multiple |
| JP2015210527A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | キヤノン株式会社 | 光信号のチャープを制御するための装置 |
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