JPH01234851A - 光ディスク用現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスク用現像装置、特に、フォトレジスト
の現像のためにガラス基板−ヒ（二定ピッチで同心円状
または渦巻状にパターンが露光された光ディスク用現像
装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の光ディスク用現像装置は、例えば松下電器技報Ｖ
ＯＬ、２９　ＮＣ１，５ｒレーザによる光ディスクの原
盤作製」に示されているように、ガラス基板に一定ピッ
チで露光されたパターンを現像する装置としては、現像
モニタ付の自動現像装置が広く知られている。

従来の光ディスク用現像装置では、現像中ガラス基板に
レーザ光を垂直に通過させておき、現像が進行するに伴
って現われてくるパターン構造がレーザ光に対する回折
格子として作用して回折光を生じさせる。パターン幅の
変化とともに回折光も変化するのでこれを検出してパタ
ーン幅をモニタし、必要とされるパターン幅が形成され
た時点で現像処理を終了していた。

次に、従来の光ディスク用現像装置について、図面を参
照して説明する。

第２図は従来の光ディスク用現像装置の一例を示す構成
図である。現像方法は、ガラス基板２をスピンチャック
ｌに真空吸着し、ガラス基板２を回転しながら現像液供
給ノズル４で供給される現像液３をガラス基板１の上に
滴下することにより現像を行う、いわゆるスピン現像方
式を採っている。

Ｈｅ　−Ｎ　ｅレーザ５をガラス基板１の裏面より垂直
に照射し、ガラス基板ｌを透過した回折光をた後演算ユ
ニット１０でパターン幅を算出する。

そして必要とされるパターン幅が形成された時点で現像
処理を終了する。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながらこのような上述した従来の光ディスク用現
像装置は、ガラス基板の上へ１ケ所にレーザ光を照射し
パターン幅をモニタする構成となっているので、ガラス
基板上の他の部分のパターン幅はまったく判らず、現像
条件に影響を与える現像工程以前の要因としてはフォト
レジストの膜厚と単位面積当たりの露光量があるが、フ
ォトレジスト塗布工程ではスピンコードが一般的に用い
られており、膜厚の変動は円周方向より半径方向に対し
て大きくなり、露光工程では例えば光ディスクの場合中
心付近から外縁部へ向けて露光パワーを増加することに
より単位面積当たりの露光量が一定になるように制御し
ても時間の経過とともにレーザの状態は変化しやはり半
径方向の差として表われ、さらに現像工程もスピン現像
でありガラス基板中心付近に固定されたノズルから現像
液を供給することが一般的であり外縁部へ供給される現
像液はすでに中心付近での現像処理に用いられたため、
ガラス基板の中心付近と外縁部とでは現像の進行に大き
な差が生じ、ノズルを中心付近より外縁方向へ、あるい
は外縁方向から中心付近へと駆動する構成も知られてい
るが、基板上１ケ所でのモニタでは基板全面でパターン
幅を制御することは極めて難しいという欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光ディスク用現像装置レマ、スピンチャックと
、前記スビンチ・ヤックに保持して回転され一定のピッ
チで同心円状または渦巻状にパターンが露光されたガラ
ス基板のパターン域より内側とパターン域の中域の２ケ
所に設けられ少なくともパターン域の中域に現像液と純
水の滴下が制御可能な２組の現像液供給ノズルと、前記
ガラス基板のパターン域の最内域と最外域との２点にレ
ーザ光を垂直に照射する光学系と、前記レーザ光の基板
上のパターンによる０次光、±１次光の回折光量を検出
する２組の回折光量検出部と、検出光量よりパターン幅
を算出する演算ユニットと、パターン幅を比較し最外域
パターン幅が小さい時にはパターン中域のノズルより現
像液を滴下し最外域パターン幅が大きい時にはパターン
中域のノズルより純水を滴下する比較回路とを含んで構
成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。

第・１図に示す光ディスク用現像装置は、スピンチャッ
ク１と、このスピンチャックに保持して回転され一定の
ピッチで同心円状または渦巻状にパターンが露光された
ガラス基板２のパターン域より内側とパターン域の中域
の２ケ所に設けられ少な（ともパターン域の中域に現像
液３と純水の滴下が制御可能な２組の現像液供給ノズル
４と、このガラス基板のパターン域の最内域と最外域と
の２点にレーザ光を垂直に照射するためのＨｅ　−Ｎ　
ｅレーザ５と、ハーフミラ−６と、全反射ミラー７と、
このレーザ光のパターンによる０次光、±１次光の回折
光量を検出する２組の回折光量検出部８およびアンプ９
と、検出光量よりパターン幅を算出する演算ユニット１
０と、前記演算ユニット１０により算出された最内域パ
ターン幅と最外域パターン幅を比較し最外域パターン幅
が小さい時が大きい時にはパターン中域のノズルより純
水を滴下するように電磁弁１１へ指示を出す比較回路】
２とを含んで構成される。

次に、第１図に示した光ディスク用現像装置の動作の一
例を説明する。

例えばシブレイ社製フォトレジスト商品名ＭＰ１３５０
Ｊを膜厚１２００人に塗布し、１．６μｍのピッチで渦
巻状にパターンが露光されたガラス基板２を３０　Ｏｒ
ｐｍで回転しながらパターン域より内側のノズルのみか
らシブレイ社製ＭＰデベロッパ濃度２０％の現像液３を
ガラス基板２上に滴下する。現像液３はガラス基板２上
を内側から外側へ流れ現像処理を行う。現像進行中、常
にパターン域の最内域と最外域との２点に同時にレーザ
光を垂直に照射し、パターン幅を演算ユニット１０にて
算出する。

仮に、パターン最内域のパターン幅ヲＸ　、パターン最
外域のパターン幅をｙとすると、現像の進行にともない
ｘ＞ｙの関係が成立すると、このとき比較回路１２はパ
ターン中域のノズルより現像液を滴下するように電磁弁
１１へ指示を出す。

さらに、現像が進行すると今度はｘ＝ｙの関係が成立す
るので、このとき比較回路１２はパターン中域のノズル
より現像液の滴下を止めるように電磁弁１１へ指示を出
す。

また、逆にｘ＜ｙの関係が成立すると、このとき比較回
路１２はパターン中域のノズルより純水を滴下するよう
に電磁弁１１へ指示を出す。

さらに現像が進行すると今度はｘ＝ｙの関係が成立する
ので、このとき比較回路１２はパターン中域のノズルよ
り純水の滴下を止めるように電磁弁１１へ指示を出す。

以上のくり返しにより基板全面に均一なパターンを形成
する。

上述の実施例では、パターン中域へ現像液と純水との供
給を三方弁を用い１個のノズルで行ったが、現像液専用
ノズルと純水専用ノズルというように２個のノズルで行
っても良い。

〔発明の効果〕

本発明の光ディスク用現像装置は、２組００次光、±１
次光の回折光量検出部を設け、現像中インプロセスでパ
ターン域の最内域と最外域との２ケ所でパターン幅をモ
ニタし最内域と最外域とのパターン幅を比較し、最外域
のパターン幅が小さくなった場合にパターン域の中域の
ノズルから現像液を滴下し、また、最外域のパターン幅
が大きくなった場合にパターン域の中域のノズルから純
水を滴下することにより、基板全域に均一なパターンを
形成できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す模式図、第２図は従来の
一例を示す模式図である。 １・・・・・・スピンチャック、２・・・・・・ガラス
基板、３・・・・・・現像液、４・・・・・・現像液供
給ノズル、５・・・・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ、６・・・
・・・ハーフミラ−１７・・・・・・全反射ミラー、訃
・・・・・光量検出部、９・・・・・・アンプ、１０・
・・・・・演算ユニット、１１・・・・・・電磁弁、１
２・・・・・・比較回路。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 第　１　菌 ＄　２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. スピンチャックと、前記スピンチャックに保持して回転
   され一定のピッチで同心円状または渦巻状にパターンが
   露光されたガラス基板のパターン域より内側とパターン
   域の中域の２ケ所に設けられ少なくともパターン域の中
   域に現像液と純水の滴下が制御可能な２組の現像液供給
   ノズルと、前記ガラス基板のパターン域の最内域と最外
   域との２点にレーザ光を垂直に照射する光学系と、前記
   レーザ光の基板上のパターンによる０次光、±１次光の
   回折光量を検出する２組の回折光量検出部と、検出光量
   よりパターン幅を算出する演算ユニットと、前記パター
   ン幅を比較し最外域パターン幅が小さい時にはパターン
   中域のノズルより現像液を滴下し最外域パターン幅が大
   きい時にはパターン中域のノズルより純水を滴下する比
   較回路とを含むことを特徴とする光ディスク用現像装置
   。