JPH01286149A - 光ディスク用現像装置 - Google Patents
光ディスク用現像装置Info
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- JPH01286149A JPH01286149A JP11614788A JP11614788A JPH01286149A JP H01286149 A JPH01286149 A JP H01286149A JP 11614788 A JP11614788 A JP 11614788A JP 11614788 A JP11614788 A JP 11614788A JP H01286149 A JPH01286149 A JP H01286149A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク用現像装置、特に、フォトレジス
トを塗布しガラス基板上に一定ピ、チで同心円状または
渦巻状にパターンが露光された光ディスクを現像するた
めの光ディスク用現像装置に関する。
トを塗布しガラス基板上に一定ピ、チで同心円状または
渦巻状にパターンが露光された光ディスクを現像するた
めの光ディスク用現像装置に関する。
従来の技術としては例えば、松下電器技報Mol。
29Nct5rレーザによる光ディスクの原盤作製」に
示されているように、ガラス基板に一定ピッチで露光さ
れたパターンを現像する装置としては、現像モニタ付の
自動現像装置が広く知られている。
示されているように、ガラス基板に一定ピッチで露光さ
れたパターンを現像する装置としては、現像モニタ付の
自動現像装置が広く知られている。
従来の光ディスク用現像装置では、現像中ガラス基板に
レーザ光を垂直に通過させておき現像がく 進行するに伴って現われてきるパターン構造が回折格子
として作用して回折光を生じ、パターン幅の変化ととも
に回折光も変化するのでこれを検出してパターン幅をモ
ニタし、必要とされるパターン幅が形成された時点で現
像処理を終了していた。
レーザ光を垂直に通過させておき現像がく 進行するに伴って現われてきるパターン構造が回折格子
として作用して回折光を生じ、パターン幅の変化ととも
に回折光も変化するのでこれを検出してパターン幅をモ
ニタし、必要とされるパターン幅が形成された時点で現
像処理を終了していた。
次に、従来の光ディスク用現像装置について図面を参照
して説明する。
して説明する。
第2図は従来の一例を示す模式図である。
第2図に示す光ディスク用現像装置は、ガラス基板1を
スピンチャック2に真空吸着し、ガラス基板1を回転し
ながらノズル4で供給される現像液3をガラス基板1の
上に滴下することにより現像を行う、いわゆる、スピン
現像方式を採っている。
スピンチャック2に真空吸着し、ガラス基板1を回転し
ながらノズル4で供給される現像液3をガラス基板1の
上に滴下することにより現像を行う、いわゆる、スピン
現像方式を採っている。
He −N eレーザ5をガラス基板1の裏面より垂直
に照射し、ガラス基板1を透過した回折光をす 光量検出器8によりO次回針先と虚1次回折光。
に照射し、ガラス基板1を透過した回折光をす 光量検出器8によりO次回針先と虚1次回折光。
−1次回折光の光量を検出しアンプ9で増幅した後演算
ユニット10でパターン幅を算出する。そして必要とさ
れるパターン幅が形成された時点で現像処理を終了する
。
ユニット10でパターン幅を算出する。そして必要とさ
れるパターン幅が形成された時点で現像処理を終了する
。
しかしながら、このような上述した従来の光ディスク用
現像装置はガラス基板上1ケ所にレーザ光を照射しパタ
ーン幅をモニタする構成となっているので基板上の他の
部分のパターン幅はまったく判らず現像条件に影響を与
える現像工程以前の要因としてフォトレジストの膜厚と
単位面積当たりの露光量があるが、フォトレジスト塗布
工程ではスピンフートが一般的に用いられており、膜厚
の変動は円周方向より半径方向に対して大きくなり、露
光工程では例えば光ディスクの場合中心付近から外縁部
へ向けて露光パワーを増加することにより単位面積当た
りの露光量が一定になるように制御しても時間の経過と
ともにレーザの状態は変化しやはり半径方向の差として
表われ、さらに現像工程もスピン現像であり、ガラス基
板中心付近に固定されたノズルから現像液を供給するこ
とが一般的であり外縁部へ供給される現像液はすでに中
心付近での現像処理に用いられたため、ガラス基板の中
心付近と外縁部とでは現像の進行に大きな差が生じ、ノ
ズルを中心付近より外縁方向へ、あるいは外縁方向から
中心付近へと駆動する構成も知られているが、基板上1
ケ所でのモニタでは基板全面でパターン幅を制御するこ
とは極めて難しいという欠点があった。
現像装置はガラス基板上1ケ所にレーザ光を照射しパタ
ーン幅をモニタする構成となっているので基板上の他の
部分のパターン幅はまったく判らず現像条件に影響を与
える現像工程以前の要因としてフォトレジストの膜厚と
単位面積当たりの露光量があるが、フォトレジスト塗布
工程ではスピンフートが一般的に用いられており、膜厚
の変動は円周方向より半径方向に対して大きくなり、露
光工程では例えば光ディスクの場合中心付近から外縁部
へ向けて露光パワーを増加することにより単位面積当た
りの露光量が一定になるように制御しても時間の経過と
ともにレーザの状態は変化しやはり半径方向の差として
表われ、さらに現像工程もスピン現像であり、ガラス基
板中心付近に固定されたノズルから現像液を供給するこ
とが一般的であり外縁部へ供給される現像液はすでに中
心付近での現像処理に用いられたため、ガラス基板の中
心付近と外縁部とでは現像の進行に大きな差が生じ、ノ
ズルを中心付近より外縁方向へ、あるいは外縁方向から
中心付近へと駆動する構成も知られているが、基板上1
ケ所でのモニタでは基板全面でパターン幅を制御するこ
とは極めて難しいという欠点があった。
本発明の光ディスク用現像装置は、スピンチャックと、
このスピンチャックに保持回転され一定のピッチで同心
円状にまたは渦巻状にパターンが露光されたガラス基板
のパターン域より内側とパターン域の中域の2ケ所の各
々に現像液と純水を滴下流量を制御して滴下する流量制
御手段と、前記ガラス基板のパターン域の最内域と最外
域との2点にレーザ光を垂直に照射する光学系と、前記
レーザ光の基板上のパターンによる0次光、±1次光の
回折光量を検出する2組の光量検出部と、検出光量より
パターン幅を算出する演算ユニットと、パターン幅を比
較し最外域パターン幅が小さい時にはパターン中域のノ
ズルの現像液の滴下流量を増加し最外域のパターン幅が
大きい時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下流量
を減少するか純水を滴下するために比較を行なう比較回
路とを含んで構成される。
このスピンチャックに保持回転され一定のピッチで同心
円状にまたは渦巻状にパターンが露光されたガラス基板
のパターン域より内側とパターン域の中域の2ケ所の各
々に現像液と純水を滴下流量を制御して滴下する流量制
御手段と、前記ガラス基板のパターン域の最内域と最外
域との2点にレーザ光を垂直に照射する光学系と、前記
レーザ光の基板上のパターンによる0次光、±1次光の
回折光量を検出する2組の光量検出部と、検出光量より
パターン幅を算出する演算ユニットと、パターン幅を比
較し最外域パターン幅が小さい時にはパターン中域のノ
ズルの現像液の滴下流量を増加し最外域のパターン幅が
大きい時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下流量
を減少するか純水を滴下するために比較を行なう比較回
路とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第1図に示す光ディスク用現像装置は、スピンチャック
1と、このスピンチャック1に保持回転され一定のピッ
チで同心円状または渦巻状にパターンが露光されたガラ
ス基板2のパターン域より内側への現像液3と純水13
との滴下流量が制御可能なノズル4′と、パターン域の
中域への現像液3と純粋13との滴下流量が制御可能な
ノズル4と、前記ガラス基板2のパターン域の最内域と
最外域との2点に同時にレーザ光を垂直に照射するため
のHe −N eレーザ5と、ハーフミラ−6と、全反
射ミラー7と、前記レーザ光のガラス基板2の上のパタ
ーンによる0次光、±1次光の回折光量を検出する2組
の回折光量検出部8゜8′およびアンプ9,9′と、検
出光量よりパターン幅を算出する演算ユニット10.1
0’ と、この演算ユニッ)10.10’により算出さ
れた最内域パ久−ン幅と最外域パターン幅とを比較する
比較回路11と、パターン幅を比較し、最外域のパター
ン幅が小さい時にはパターン中域のノズル4の現像液3
の滴下流量を増加し最外域のパターン幅が大きい時には
パターン中域のノズル4の現像液3の滴下流量を減少す
る現像液流量制御部14.14’ と、純水13の流量
を制御する純水流量制御部12.12’ とを含んで構
成される。
1と、このスピンチャック1に保持回転され一定のピッ
チで同心円状または渦巻状にパターンが露光されたガラ
ス基板2のパターン域より内側への現像液3と純水13
との滴下流量が制御可能なノズル4′と、パターン域の
中域への現像液3と純粋13との滴下流量が制御可能な
ノズル4と、前記ガラス基板2のパターン域の最内域と
最外域との2点に同時にレーザ光を垂直に照射するため
のHe −N eレーザ5と、ハーフミラ−6と、全反
射ミラー7と、前記レーザ光のガラス基板2の上のパタ
ーンによる0次光、±1次光の回折光量を検出する2組
の回折光量検出部8゜8′およびアンプ9,9′と、検
出光量よりパターン幅を算出する演算ユニット10.1
0’ と、この演算ユニッ)10.10’により算出さ
れた最内域パ久−ン幅と最外域パターン幅とを比較する
比較回路11と、パターン幅を比較し、最外域のパター
ン幅が小さい時にはパターン中域のノズル4の現像液3
の滴下流量を増加し最外域のパターン幅が大きい時には
パターン中域のノズル4の現像液3の滴下流量を減少す
る現像液流量制御部14.14’ と、純水13の流量
を制御する純水流量制御部12.12’ とを含んで構
成される。
次に、第1図に示す光ディスク用現像装置の動作を説明
する。
する。
シブレイ社製フォトレジスト商品名MP1350Jを膜
厚1200人に塗布し、1,6μmのピッチで渦巻状に
パターンが露光されたガラス基板2をスピンチャック1
に固定し、ガラス基板2を30゜rpmで回転しながら
パターン域より内側のノズル4′のみからシブレイ社製
現像液商品名マイクロポジットデベロッパ濃度20%の
現像液3をガラス基板2の上に滴下する。現像液3はガ
ラス基板2の上を内側から外側へ流れ現像処理を行う。
厚1200人に塗布し、1,6μmのピッチで渦巻状に
パターンが露光されたガラス基板2をスピンチャック1
に固定し、ガラス基板2を30゜rpmで回転しながら
パターン域より内側のノズル4′のみからシブレイ社製
現像液商品名マイクロポジットデベロッパ濃度20%の
現像液3をガラス基板2の上に滴下する。現像液3はガ
ラス基板2の上を内側から外側へ流れ現像処理を行う。
現像進行中常にパターン域の最内域と最外域の2点に同
時にレーザ光を垂直に照射し、パターン幅を演算ユニッ
ト10.10’にて算出する。
時にレーザ光を垂直に照射し、パターン幅を演算ユニッ
ト10.10’にて算出する。
仮に、パターン最内域のパターン上をx、パターン最外
域のパターン上をyとする。現像の進行にともない、x
>yの関係が成立すると、このとき比較回路11はパタ
ーン域の中域のノズル4より現像液3を滴下するためパ
ターン域の中域のノズル4の現像液流量制御部14へ指
示をだす。
域のパターン上をyとする。現像の進行にともない、x
>yの関係が成立すると、このとき比較回路11はパタ
ーン域の中域のノズル4より現像液3を滴下するためパ
ターン域の中域のノズル4の現像液流量制御部14へ指
示をだす。
現像液3の滴下流量は、x>y≧0.8xのとき5cc
/分、0.8x>y≧0.5xのとき10cc/分、0
.5 x > yのとき20 c c/分とする。
/分、0.8x>y≧0.5xのとき10cc/分、0
.5 x > yのとき20 c c/分とする。
さらに、現像が進行すると今度はx=yの関係が成立す
るので、このとき、比較回路11はパターン域の中域の
ノズル4からの現像液30滴下を止めるためパターン域
の中域のノズル4の現像液流量制御部14へ指示を出す
。
るので、このとき、比較回路11はパターン域の中域の
ノズル4からの現像液30滴下を止めるためパターン域
の中域のノズル4の現像液流量制御部14へ指示を出す
。
また、パターン最外域のパターン幅のほうが大きく、x
<yの関係が成立すると、このとき比較回路11はパタ
ーン域の中域のノズル4より純水13の滴下するためパ
ターン域の中域のノズル4の純水流量制御部12へ指示
を出す。純水13の滴下流量はx<y≦1.2Xのとき
5cc/分、1.2x〈y≦1.5xのとき10cc/
分、y>1.5xのとき20 c c/分とする。
<yの関係が成立すると、このとき比較回路11はパタ
ーン域の中域のノズル4より純水13の滴下するためパ
ターン域の中域のノズル4の純水流量制御部12へ指示
を出す。純水13の滴下流量はx<y≦1.2Xのとき
5cc/分、1.2x〈y≦1.5xのとき10cc/
分、y>1.5xのとき20 c c/分とする。
純水13によりパターン域の外域の現像進行は遅くなる
のでやがてx=yの関係が成立するので、このとき比較
回路11はパターン域の中域のノズル4からの純水13
の滴下を止めるためパターン域の中域のノズル4の純水
流量制御部12へ指示を出す。
のでやがてx=yの関係が成立するので、このとき比較
回路11はパターン域の中域のノズル4からの純水13
の滴下を止めるためパターン域の中域のノズル4の純水
流量制御部12へ指示を出す。
以上のくり返しによりガラス基板2の全面に均一なパタ
ーンが形成される。
ーンが形成される。
上述の実施例では流量制御手段として2つの純水流量制
御部と2つの現像液流量制御部とを設は最初にパターン
域より内側のノズルのみから現像液を滴下しパターン域
の中域のノズルの現像液または純水の流量制御を行った
が、2個のノズルから同時に現像液を滴下し、パターン
幅を比較し最外域のパターン幅が小さい時にパターン中
域のノズルの現像液の滴下流量を増加し、大きい時には
パターン中域のノズルの現像液の滴下流量を減少するか
、または純水を滴下するように制御することも可能であ
る。
御部と2つの現像液流量制御部とを設は最初にパターン
域より内側のノズルのみから現像液を滴下しパターン域
の中域のノズルの現像液または純水の流量制御を行った
が、2個のノズルから同時に現像液を滴下し、パターン
幅を比較し最外域のパターン幅が小さい時にパターン中
域のノズルの現像液の滴下流量を増加し、大きい時には
パターン中域のノズルの現像液の滴下流量を減少するか
、または純水を滴下するように制御することも可能であ
る。
また制御の方法としては、パターン最内域のパターン幅
が大きくなった時にパターン域より内側のノズルから純
水を滴下してもよい。
が大きくなった時にパターン域より内側のノズルから純
水を滴下してもよい。
上述の実施例では、パターン域より内側とパターン域の
中域の2ケ所の各々に現像液と純水との滴下流量を制御
して滴下する手段として、現像液と純水の切換可能なノ
ズルを2個設けたが、現像液専用と純水専用のノズルを
各々2個設けてもよい。
中域の2ケ所の各々に現像液と純水との滴下流量を制御
して滴下する手段として、現像液と純水の切換可能なノ
ズルを2個設けたが、現像液専用と純水専用のノズルを
各々2個設けてもよい。
本発明の光ディスク用現像装置は、2組00次光、±1
次光の回折光量検出部を設け、現像中インプロセスでパ
ターン域の最内域と最外域の2ケ所のパターン幅をモニ
タし最内域と最外域とのパターン幅を比較し、最外域の
パターン幅が小さくなった場合にパターン域の中域のノ
ズルから現像液を滴下し、また、最外域のパターン幅が
大きくなった場合にパターン域の中域のノズルからの現
像液の滴下を減少するか純水を滴下することにより基板
全面に均一なパターンを形成できるという効果がある。
次光の回折光量検出部を設け、現像中インプロセスでパ
ターン域の最内域と最外域の2ケ所のパターン幅をモニ
タし最内域と最外域とのパターン幅を比較し、最外域の
パターン幅が小さくなった場合にパターン域の中域のノ
ズルから現像液を滴下し、また、最外域のパターン幅が
大きくなった場合にパターン域の中域のノズルからの現
像液の滴下を減少するか純水を滴下することにより基板
全面に均一なパターンを形成できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す模式図、第2図は従来
の一例を示す模式図である。 1・・・・・・スピンチャック、2・・・・・・ガラス
基板、3・・・・・・現像液、4,4′・・・・・・ノ
ズル、5・・・・・・He−Neレーザ、6・・・・・
・ハーフミラ−17・・・・・・全反射ミラー、8,8
′・・・・・・光量検出部、9,9′・・・・・・アン
プ、10.10’・・・・・・演算ユニ、ト、11・・
・・・・比較回路、12.12’・・・・・・純水流量
制御部、13・・・・・・純水、14,14’・・・・
・・現像液流量制御部。 代理人 弁理士 内 原 晋 箔1圀 ゛
の一例を示す模式図である。 1・・・・・・スピンチャック、2・・・・・・ガラス
基板、3・・・・・・現像液、4,4′・・・・・・ノ
ズル、5・・・・・・He−Neレーザ、6・・・・・
・ハーフミラ−17・・・・・・全反射ミラー、8,8
′・・・・・・光量検出部、9,9′・・・・・・アン
プ、10.10’・・・・・・演算ユニ、ト、11・・
・・・・比較回路、12.12’・・・・・・純水流量
制御部、13・・・・・・純水、14,14’・・・・
・・現像液流量制御部。 代理人 弁理士 内 原 晋 箔1圀 ゛
Claims (1)
- スピンチャックと、前記スピンチャックに保持回転さ
れ一定のピッチで同心円状および渦巻状のいずれかにパ
ターンが露光されたガラス基板のパターン域より内側と
パターン域の中域の2ケ所の各々に現像液と純水との滴
下流量を制御して滴下する流量制御手段と、前記ガラス
基板のパターン域の最内域と最外域との2点にレーザ光
を垂直に照射する光学系と、前記レーザ光のガラス基板
の上のパターンによる0次光、±1次光の回折光量を検
出する2組の光量検出部と、検出光量よりパターン幅を
算出する演算ユニットと、パターン幅を比較し最内域パ
ターン幅が小さい時にはパターン中域のノズルの現像液
の滴下量を増加し最外域のパターン幅が大きい時にはパ
ターン中域のノズルの現像液の滴下流量を減少するか純
水を滴下するために比較を行なう比較回路とを含むこと
を特徴とする光ディスク用現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11614788A JPH01286149A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 光ディスク用現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11614788A JPH01286149A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 光ディスク用現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286149A true JPH01286149A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14679912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11614788A Pending JPH01286149A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 光ディスク用現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286149A (ja) |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP11614788A patent/JPH01286149A/ja active Pending
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