JPH01236256A - 帯電防止用高分子組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 下記の式（１） ％式％） で表られせる基を主構成成分とする高分子化合物と７．
７，８．８−テトラシアノキノジメタン（以下ＴＣＮＱ
と略記する）錯塩を含有する成膜性の良好な帯電防止用
高分子組成物である。

本発明の高分子組成物は、１μｍ以下の薄膜の形成も可
能で、しかも表面抵抗値１０２〜１ｏｉＯΩ／口を示す
ので、各種電子部品及びその包装材の帯電防止用コーテ
ィング剤、あるいは、電子部品製造工程中の帯電防止剤
として有用であある。

〔従来技術〕

導電性組成物としては、カチオンポリマーを主組成物と
したもの、金属又はカーボンを高分子中に分散させたも
のが広く知られている。ところが前者は導電レベルが低
い、吸湿性が大きい等の欠点を有し、後者は、フィルム
とした場合平滑性、透明性に問題点を有している。

一方、Ｔ　ＣＮ　Ｑを用いる電導性組成物としては、■
第４級窒素カチオン性基を有する高分子とＴＣＮＱとか
らなるもの、■高分子化合物とＴＣＮＱの有機低分子錯
体とからなる組成物が知られている。

このうち■については、溶剤に対する溶解性が非常に悪
く、ジメチルホルムアミド等の極性の大きな溶剤にのみ
可溶なものが多く、コーティング剤として利用する場合
、基材をも溶解する等の欠点を有するため、帯電防止用
には不適である。

■については、特公昭４４−１６４９９号、特開昭５０
−１２３７５０号、特開昭５４−１３０６５１号、特開
昭５８−３４８４１号等に提案されているが、フィルム
に成形した場合、ＴＣＮＱ錯塩が結晶として析出するた
め薄膜領域での成膜性が、十分満足できるものではなく
、透明性も充分なものとは言い難い。すなわち、これら
の組成物は、膜厚を厚くすると一応フィルムにはなるが
、表面の均一性に問題が残る。このフィルムは表面がザ
ラザラであったり、斑模様が生じたりして、実用性に乏
しいものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

今日、エレクトロニクス産業分野において、帯電防止は
重要な課題であり、有機物質のみから構成される帯電防
止剤が要望されている。

しかし、従来知られている高分子組成物では、電導度又
は成膜性が十分でない。

本発明者らは、極薄膜にしても成膜性が良好であり、し
かも十分型導度が維持された帯電防止用高分子組成物を
見い出すべく検討した結果、下記の式（１） ％式％） に示す基を主構成成分とする高分子化合物を含み、電導
成分としてＴＣＮＱ錯塩を用いた組成物が、目的を達成
することを見い出したものである。

〔課題を解決する具体的手段〕

本発明は、酢酸ビニルから誘導されるポリマーとＴＣＮ
Ｑ錯塩を含有する成膜性の良好な帯電防止用高分子組成
物を提供することにある。

以下、具体的に説明する。

高分子化合物は下式に示す基を主構成成分とするものが
使用されるが具体的にはポリビニルブチラール及びポリ
ビニルホルマール等のポリビニルアセタールがあげられ
る。もちろんＯＨ基、ＯＡＣ基が残存したものも用いら
れる。

＋　ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ＋。

（Ｒ：　Ｈ，ＣＨ，、Ｃ４Ｈｇ） 他の高分子化合物、例えばポリ（メタ）アクリル酸エス
テル類、ポリスチレン、ケイ素樹脂等を混合して用いる
こともできる。

ＴＣＮＱ錯塩に関しては、Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｍ、　
Ｓｏｃ。

８４３３７４　（１９６２）に詳しく報告されているが
、本発明ではＤｏ・ＴＣＮＱ−・ＴＣＮＱ”と表わすコ
ンプレックス塩を用いることが好ましい。

Ｄｌについては下式に示す有機カチオンを用いることか
できる。

ｈｅ （Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４はＨ又はＣ数が１〜１２のアルキル
基、Ｒ２はＨ又はＣ数が１〜３０のアルキル基、ベンジ
ル基、フェニルエチル基を示す） また、第４級窒素カチオン性基を有するオリゴマーのＴ
ＣＮＱ塩を用いることもできる。

ＴＣＮＱＣＮ上使用量の増大に従い、高分子組成物の導
電性は向上するが、加工性は低下する。したがって、帯
電防止領域の電導性を示し、かつ加工性、特に成膜性の
良い高分子組成物を得るためには、ＴＣＮＱＣＮ上高分
子化合物に対して０．１〜７０重量％用いるのが適当で
ある。

特に０．５〜５０重量％用いるのが好ましい。

高分子組成物を得る方法は、高分子化合物とＴＣＮＱ＊
塩とを溶剤と共に混練した後、溶剤を蒸発させてもよい
が、成膜性のよい組成物を得るためには、高分子化合物
とＴＣＮＱＣＮ上を完全に溶解する溶剤を選択し、均一
な溶液とした後、基板に塗布し、溶剤を蒸発させるのが
好ましい。

溶剤としては、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル
等の極性の大きな溶剤の他、ＴＣＮＱＣＮ上種類によっ
てはエタノール、ブタノール等のアルコール類、シクロ
ヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン類、メトキ
シエチルアセテート、メトキシエタノール等のセロソル
ブ類、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル類、エチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、ト
リクレン等のハロゲン化炭化水素類も用いることができ
る。これらの溶剤は単独もしくは混合して使用する。

溶剤と高分子化合物の使用量の割合は、溶剤に対して高
分子化合物を０．１〜９０重量％、特に好ましくは０．
５〜７０重量％の範囲で用いられる。

〔発明の効果〕

本発明の高分子組成物は、表面抵抗値１０２〜１０１０
Ω／口を示し、成膜性等の加工性、接着性が優れ、透明
平滑な極く薄い膜を形成するので、膜厚５０μｍ以下、
特に１０μｍ以下の極薄膜で、帯電防止を要する各種電
子部品、機器等にコーティングして用いることができる
。

実施例１ ポリビニルブチラール２．５ｇ、Ｎ−デシルイソキノリ
ニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩０．５ｇをブタノー
ル２０ｇ、アセトニトリル５６０ｇ、メチルエチルケト
ン２０ｇに撹拌溶解し、得られた緑色の溶液をガラス板
上に塗布し、１００℃で溶剤を蒸発、乾固させた。厚さ
８μｍの、表面抵抗値５．ＯＸ　１０７Ω／口を示す、
透明、平滑で安定な膜が得られた。

実施例２ ポリビニルブチラール１．０ｇ’、　Ｎ−ブチル−α−
ピコリニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩０．２ｇを酢
酸エチル１０ｇ、アセトニトリル５．０ｇ、シクロへキ
サノン２０ｇに撹拌溶解し、得られた緑色の溶液をポリ
エステルフィルム上に流延し、６０°Ｃで溶剤を蒸発、
乾固させた。厚さ６μｍの表面抵抗値５．３　Ｘ　１０
”Ω／口を示す、透明、平滑で安定な膜が得られた。

実施例３ ポリビニルブチラール０．９ｇ、ケン化度約８８％のポ
リビニルアルコール０．１ｇ、Ｎ−オクチルピリジニウ
ム・ＴＣＮＱコンプレックス塩０．２ｇをエタノール２
０ｇ、アセトニトリル５ｇ、シクロへキサノン２４ｇに
撹拌溶解し、得られた緑色の溶液をガラス板上に塗布し
、１００℃で溶剤を蒸発、乾固させた。厚さ３μｍの表
面抵抗値３．５　Ｘ　１０”Ω／口を示す、透明、平滑
で安定な膜が得られた。

実施例４ ポリビニルブチラール４ｇ、ポリビニルホルマールＩｇ
、Ｎ−ベンジルピリジニウム・ＴＣＮＱコンプレックス
塩１．５ｇをジメチルホルムアミド１５ｇメチルエチル
ケトン３０ｇに撹拌溶解し、得られた緑色の溶液をガラ
ス板上に塗布し、１００℃で溶剤を蒸発、乾固させた。

厚さ１０μｍの表面抵抗値１．６Ｘ１０’Ω／口を示す
、透明、平滑で安定な膜が得られた。

比較例１ ポリカーボネート樹脂２．５ｇ、Ｎ−デシルイソキノリ
ニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩０．５ｇをアセトニ
トリル５．０ｇ、シクロへキサノン４０ｇに撹拌溶解し
、得られた緑色の溶液をガラス板上に塗布し、１００℃
で溶剤を蒸発、乾固させた。厚さ８μｍの表面抵抗値１
．５　Ｘ　１０’Ω／口の膜が形成されたが、膜中にＴ
ＣＮＱ錯塩の結晶が成長し、膜の表面は凹凸がはなはだ
しく、ザラザラの状態であった。

比較例２ ポリアクリロニトリル１．０ｇ、Ｎ−ブチル−α−ピコ
リニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩０．２ｇをジメチ
ルホルムアミド３５ｇに撹拌溶解し、得られた緑色の溶
液をポリエステルフィルム上に流延し、６０℃で溶剤を
蒸発させたところ、島状のハジキが観察され、−様な薄
い膜は形成されなかった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記の式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （Ｒ：Ｈ，ＣＨ＿３，Ｃ＿４Ｈ＿９） で表らわせる基を主構成成分とする高分子化合物と該高
   分子化合物に対して０．１〜７０重量％の７，７，８，
   ８−テトラシアノキノジメタン錯塩を含有することを特
   徴とする成膜性の良好な帯電防止用高分子組成物。