JPH01236515A - 誘電体磁器材料 - Google Patents
誘電体磁器材料Info
- Publication number
- JPH01236515A JPH01236515A JP29658588A JP29658588A JPH01236515A JP H01236515 A JPH01236515 A JP H01236515A JP 29658588 A JP29658588 A JP 29658588A JP 29658588 A JP29658588 A JP 29658588A JP H01236515 A JPH01236515 A JP H01236515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- weight
- glass
- sio
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910017970 MgO-SiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 20
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 2
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 2
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 229910016978 MnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- QGMRQYFBGABWDR-UHFFFAOYSA-N sodium;5-ethyl-5-pentan-2-yl-1,3-diazinane-2,4,6-trione Chemical group [Na+].CCCC(C)C1(CC)C(=O)NC(=O)NC1=O QGMRQYFBGABWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、低温で焼結でき、特性的には?A1!率か低
く、また絶縁抵抗が高く、高いQを有し、しかも基板と
しても使用可能な誘電体磁器材料に関する。
く、また絶縁抵抗が高く、高いQを有し、しかも基板と
しても使用可能な誘電体磁器材料に関する。
(従来の技術)
電子機器の軽薄短小化に伴い、電子部品のチップ化が進
んでおり、チップ型の磁器コンデンサか数多く使用され
て来ている。従来の磁器コンデンサ用低誘電率材料とし
て、従来より、酸化チタン系の磁器材料か汎用されてい
る。これらの材料を用いて第1図に示すようなセラミッ
クコンデンサ1(図中、2は誘電体、3は内部電極、4
は外部電極である。)を製造する場合は、誘電体材料な
−旦仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてがらシート
状の誘電体2aを形成し、該誘電体2 a Jzに電J
4j3を塗布し、これを図示のように枯層して焼成した
り、あるいは仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてコ
ンデンサの形に誘電体2aを印刷し、その上に′電極3
を印刷するという工程を繰返して積層化した後、焼成す
ることにより製造していた。
んでおり、チップ型の磁器コンデンサか数多く使用され
て来ている。従来の磁器コンデンサ用低誘電率材料とし
て、従来より、酸化チタン系の磁器材料か汎用されてい
る。これらの材料を用いて第1図に示すようなセラミッ
クコンデンサ1(図中、2は誘電体、3は内部電極、4
は外部電極である。)を製造する場合は、誘電体材料な
−旦仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてがらシート
状の誘電体2aを形成し、該誘電体2 a Jzに電J
4j3を塗布し、これを図示のように枯層して焼成した
り、あるいは仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてコ
ンデンサの形に誘電体2aを印刷し、その上に′電極3
を印刷するという工程を繰返して積層化した後、焼成す
ることにより製造していた。
また、電子機器の小形化、高機能化に伴い、最近では多
層磁器基板が数多く使用され始めて来ており、この多層
磁器基板の材料として、一般的にアルミナか使用されて
いる。
層磁器基板が数多く使用され始めて来ており、この多層
磁器基板の材料として、一般的にアルミナか使用されて
いる。
(発明か解決しようとする課題)
上述のように、従来の磁器コンデンサは、誘電体2か酸
化チタン系の磁器材料により構成されているか、これら
の材料は焼成温度か1200°C〜l’1000Cとい
った高温であるため、内部電極3として。
化チタン系の磁器材料により構成されているか、これら
の材料は焼成温度か1200°C〜l’1000Cとい
った高温であるため、内部電極3として。
このような高温でも安定なptやPdといった非常に高
価な材料を使用しなければならなかった。このため、焼
成のための電力費かかかり、また、コンデンサ等の素子
1個当たりの電極費かあまりにも大きすぎるという問題
点かあった。
価な材料を使用しなければならなかった。このため、焼
成のための電力費かかかり、また、コンデンサ等の素子
1個当たりの電極費かあまりにも大きすぎるという問題
点かあった。
また、前記多層磁器基板として使用されるアルミナは、
焼成温度か15000C〜1600℃であるところから
、W、 Mo等の高融点金属か導体材料として用いられ
ているか、これらは前記のように、焼成温度か高く、高
価であるという問題点の他、電気抵抗か大きいために、
電気信号の伝達速度か遅いという問題点かあった。
焼成温度か15000C〜1600℃であるところから
、W、 Mo等の高融点金属か導体材料として用いられ
ているか、これらは前記のように、焼成温度か高く、高
価であるという問題点の他、電気抵抗か大きいために、
電気信号の伝達速度か遅いという問題点かあった。
(課題を解決するための手段)
本発明者は、上記の問題点を解決し、安価なAg、 A
g−Pd’等の導体か焼付は可能な8【)0℃〜100
0℃で焼成でき、磁器基板としても使用できる誘電体磁
器材料を検討し、下記の組成のものがこの要求を満足す
るものであることを見出した。
g−Pd’等の導体か焼付は可能な8【)0℃〜100
0℃で焼成でき、磁器基板としても使用できる誘電体磁
器材料を検討し、下記の組成のものがこの要求を満足す
るものであることを見出した。
すなわち本発明の第1の誘電体磁器材料は、MgO・S
iO□(MgO/5i02モル比=1.0〜2.0)1
00重量部に対してCuOを1〜30重量部、Mn酸化
物をMnOに換算して0〜5重量部添加したものを主成
分とし、その主成分100重量部に対してガラスを5〜
200重星部混合し焼結してなることを特徴とする。
iO□(MgO/5i02モル比=1.0〜2.0)1
00重量部に対してCuOを1〜30重量部、Mn酸化
物をMnOに換算して0〜5重量部添加したものを主成
分とし、その主成分100重量部に対してガラスを5〜
200重星部混合し焼結してなることを特徴とする。
また本発明の第2の誘電体磁器材料は、(Cu。
Mg+−1)o−sio2 (x =0.05〜0.5
0. (Cu、Mg、−−)0/SiO□モル比10
口〜2.2 ) 100重量部に対してMn酸化物を
MnOに換算して0.1〜15重量部、SiO□な0〜
10重量部添加したものを主成分とし、その主成分10
0重量部に対して、ガラスを5〜100を置部混合し、
焼結してなることを特徴とする。
0. (Cu、Mg、−−)0/SiO□モル比10
口〜2.2 ) 100重量部に対してMn酸化物を
MnOに換算して0.1〜15重量部、SiO□な0〜
10重量部添加したものを主成分とし、その主成分10
0重量部に対して、ガラスを5〜100を置部混合し、
焼結してなることを特徴とする。
また本発明の第3の誘電体磁器材料は、 (Cu。
Mg1−、)0・5iOz (x = 0.05〜0.
50. (Cu11Mg、−、)0/5in2モル比1
.0〜2.2 ) 100重縁部に対してMn酸化物
なMnOに換算して0.1〜15i量部、5i02を0
〜10重量部添加したものを主成分とし、その主成分1
00重縁部に対して、ガラスを5〜100重縁部、メタ
ルのAgあるいはAg−Cu合金を0.1〜l口重量部
混合し、焼結してなることを特徴とする。
50. (Cu11Mg、−、)0/5in2モル比1
.0〜2.2 ) 100重縁部に対してMn酸化物
なMnOに換算して0.1〜15i量部、5i02を0
〜10重量部添加したものを主成分とし、その主成分1
00重縁部に対して、ガラスを5〜100重縁部、メタ
ルのAgあるいはAg−Cu合金を0.1〜l口重量部
混合し、焼結してなることを特徴とする。
なお1本発明に用いるガラスとしては、pbo系ガラス
、中でもPb040%〜60%、 Si0□30%〜4
5%、Al2O35%〜lO%、B20.0%〜15%
(重量%)残部かam成分からなるガラスが用られる。
、中でもPb040%〜60%、 Si0□30%〜4
5%、Al2O35%〜lO%、B20.0%〜15%
(重量%)残部かam成分からなるガラスが用られる。
また、Zn050%〜60%、 5i025%〜l口%
、B20,20%〜30%(重量%)残部か微量成分か
らなるガラスか用いられる。その他、 PbO−820
,系、PbO−8203−3if□系、あるいはPbO
、ZnO、Bi20i 、 BaO。
、B20,20%〜30%(重量%)残部か微量成分か
らなるガラスか用いられる。その他、 PbO−820
,系、PbO−8203−3if□系、あるいはPbO
、ZnO、Bi20i 、 BaO。
32Q、、 5in2、ZrO□、TiO2、A12(
1+ 、 CaO、SrOの群から選択された2種以上
の金属酸化物からなるガラスが用いられる。
1+ 、 CaO、SrOの群から選択された2種以上
の金属酸化物からなるガラスが用いられる。
(作用)
本発明において、誘電体磁器材料の組成を上記のように
設定した理由は次の通りである。
設定した理由は次の通りである。
前記第1の磁器材料において、MgO/ 5i02モル
比が1.0より小さいかあるいは2.0より大きくなる
と、焼成温度が高くなる傾向がある。
比が1.0より小さいかあるいは2.0より大きくなる
と、焼成温度が高くなる傾向がある。
また、CuOは低温焼成を促進するものて、1重量部未
満の場合、焼成温度が高くなる傾向にある。また、Cu
Oか30重量部を超えるとQか低くなる傾向かある。
満の場合、焼成温度が高くなる傾向にある。また、Cu
Oか30重量部を超えるとQか低くなる傾向かある。
層重酸化物は出発材料としてMnC0□か加えられ、焼
成により酸化物となるもので、CuOと同じく低温焼成
を助成する作用と還元防止材としての作用をなすもので
あるか、これはCuOがあれば必ずしも必要ではなく、
またこのM+1酸化物は上述のような焼成温度において
、MnOxの形態をなし、X=0.5〜2の範囲内にあ
ると考えられるか、MnOに換算して0.5重量部以下
では効果か薄く、前記5重量部以上の添加量になると、
反対に焼成温度か高くなる傾向かある。
成により酸化物となるもので、CuOと同じく低温焼成
を助成する作用と還元防止材としての作用をなすもので
あるか、これはCuOがあれば必ずしも必要ではなく、
またこのM+1酸化物は上述のような焼成温度において
、MnOxの形態をなし、X=0.5〜2の範囲内にあ
ると考えられるか、MnOに換算して0.5重量部以下
では効果か薄く、前記5重量部以上の添加量になると、
反対に焼成温度か高くなる傾向かある。
また、焼結助材としてのガラスの量については、前記主
成分100重量部に対して5重量部より少ないと焼結助
材としての働きか不十分である上、焼成温度か高くなる
傾向があり、また、 20口重量部を超えると、収縮率
が小さくなる傾向かある。
成分100重量部に対して5重量部より少ないと焼結助
材としての働きか不十分である上、焼成温度か高くなる
傾向があり、また、 20口重量部を超えると、収縮率
が小さくなる傾向かある。
前記第2および第3の誘電体磁器材料において、(Cu
、Mg+−+i) 0/5iOzモル比が、1.0より
小さいかあるいは2.2より大きくなると焼成温度が高
くなる傾向かある。
、Mg+−+i) 0/5iOzモル比が、1.0より
小さいかあるいは2.2より大きくなると焼成温度が高
くなる傾向かある。
また、CuOか5モル%未満の場合、 (x<0゜0
5)焼成温度か高くなる傾向にある。また、Cu0か、
50〜1ニル%を越えると(x>0.5 ) Qが低く
なる傾向かある。
5)焼成温度か高くなる傾向にある。また、Cu0か、
50〜1ニル%を越えると(x>0.5 ) Qが低く
なる傾向かある。
Mn酸化物は、MnOに換算して、0.1未満、あるい
は15重bk部より多い添加量になると、Qか低くなる
傾向がある。
は15重bk部より多い添加量になると、Qか低くなる
傾向がある。
添加物としての5in2は、a微粉(0,旧鉢前後)に
より、表面を活性化したもので、低温焼成を助成する作
用をなすものである。
より、表面を活性化したもので、低温焼成を助成する作
用をなすものである。
これも、ガラスがあれば、必ずしも必要てはなく、10
重量部より多い添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
重量部より多い添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
又、焼結助材としてのガラスの量については、前記主成
分100重欧部に対して5重量部より少ないと焼結助材
としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる傾
向があり、又、 100屯量部を超えると、収縮率か小
さくなる傾向かある。メタルのAgあるいは、Ag−C
u合金についても、ガラスかあれば、必ずしも必要では
ないが、メタルAgあるいはAg−Cu合金を添加する
と、確かに焼結か促進されていることが、電子顕微鏡写
真により確認された。しかし、添加量か0.1重省部よ
り少ないと、焼結性の向上か顕著ではなく、10重量部
を超えると、メタルAgの析出量が大となり、絶縁抵抗
か大きくばらつく傾向かある。
分100重欧部に対して5重量部より少ないと焼結助材
としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる傾
向があり、又、 100屯量部を超えると、収縮率か小
さくなる傾向かある。メタルのAgあるいは、Ag−C
u合金についても、ガラスかあれば、必ずしも必要では
ないが、メタルAgあるいはAg−Cu合金を添加する
と、確かに焼結か促進されていることが、電子顕微鏡写
真により確認された。しかし、添加量か0.1重省部よ
り少ないと、焼結性の向上か顕著ではなく、10重量部
を超えると、メタルAgの析出量が大となり、絶縁抵抗
か大きくばらつく傾向かある。
(実施例)
次に本発明の詳細な説明する。
[実施例1]
まず重版の酸化マグネシウム、醸化ケイ素、酸化銅、炭
酸マンガンを、Mg0129.4 g、 5i0212
0゜6 g、Cu025.Og、 MnC0t 2.5
gとなるように秤量した。この場合、MgO/SiO
□モル比は1.60、CuOはMg5iO,10(1重
量部に対して10重量部に相当する。これらの粉体の混
合物に対し、木1G00gを加え、ボールミルに入れ、
16時間混合し、脱水乾燥した。
酸マンガンを、Mg0129.4 g、 5i0212
0゜6 g、Cu025.Og、 MnC0t 2.5
gとなるように秤量した。この場合、MgO/SiO
□モル比は1.60、CuOはMg5iO,10(1重
量部に対して10重量部に相当する。これらの粉体の混
合物に対し、木1G00gを加え、ボールミルに入れ、
16時間混合し、脱水乾燥した。
次にこの乾燥粉体な空気中で750°C12時間加熱す
ることにより、仮焼成した。
ることにより、仮焼成した。
このように仮焼成した粉末10口重量部に対し、ガラス
(+)b040%〜60%、5i02’lO%〜45%
、A1□0,5%〜lO%、B20.0%〜15%(玉
(翳%)。
(+)b040%〜60%、5i02’lO%〜45%
、A1□0,5%〜lO%、B20.0%〜15%(玉
(翳%)。
残部か微に成分からなるガラス)を100重量部加え、
その混合950gに木200gを加え、ボールミルに入
れて24時間混合粉砕し、粉砕後脱水乾燥した。
その混合950gに木200gを加え、ボールミルに入
れて24時間混合粉砕し、粉砕後脱水乾燥した。
そして、この乾燥粉末15gに、接着剤としてエチルセ
ルロース(N−1130)の12%溶液(溶媒はブチル
カルピトール)7.5g、溶剤としてターピネオール2
0gを秤量し、ライカイ機で2時間攪拌し、ペーストを
作った。
ルロース(N−1130)の12%溶液(溶媒はブチル
カルピトール)7.5g、溶剤としてターピネオール2
0gを秤量し、ライカイ機で2時間攪拌し、ペーストを
作った。
このペーストおよびへg粉のベース1〜をスクリーン印
刷法により交互に積層して乾燥後、焼成寸法4.5 x
3.2onのチップに切断し、 890℃で2時間空
気中で焼成してチップコンデンサを作成した。
刷法により交互に積層して乾燥後、焼成寸法4.5 x
3.2onのチップに切断し、 890℃で2時間空
気中で焼成してチップコンデンサを作成した。
これにより得られた2特性は表1に示す通りであった。
表1において、T2は焼成温度(’C)、Shは収縮率
(%)、ε、は比誘電率、IRは絶縁抵抗1)、V、は
破壊電圧(V)て50g、m間隔の場合を示す。
(%)、ε、は比誘電率、IRは絶縁抵抗1)、V、は
破壊電圧(V)て50g、m間隔の場合を示す。
表1
表1から明らかなように、要求通りのコンデンサの特性
か得られたことかわかる。また、図面にホしたコンデン
サlの表面に各種素子を形成あるいは搭載することによ
り、コンデンサ機能を有する基板として使用するに1分
な絶縁抵抗、破壊゛市川を有し、かつ機械的強度の面に
おいても、十分満足するというこ、とかわかった。
か得られたことかわかる。また、図面にホしたコンデン
サlの表面に各種素子を形成あるいは搭載することによ
り、コンデンサ機能を有する基板として使用するに1分
な絶縁抵抗、破壊゛市川を有し、かつ機械的強度の面に
おいても、十分満足するというこ、とかわかった。
[実施例2]
上記実施例1におけるCuOの添加量を変えて、実施例
1と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表2−1に示し、各試料の諸性性を表2−2に示す。
1と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表2−1に示し、各試料の諸性性を表2−2に示す。
表2−2の特性は、コンデンサの特性として全て満足で
きるものである。また、実施例1と同様に基板として使
用可能な特性を有している。
きるものである。また、実施例1と同様に基板として使
用可能な特性を有している。
[実施例3]
上記実施例1におけるガラスの添加量を変えて、実施例
1と回し方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表3−1に示し、各諸性性を表3−2に示す。
1と回し方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表3−1に示し、各諸性性を表3−2に示す。
表3−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
て使用可能な特性を全て備えたものである。
(以下余白)
表2−1 *主成分モル比(MgO/5iOt=1
.60)表2−2 表3−1 *主成分モル比(MgO/5i02=1
.50)表3−2 [実施例4] まず、市販の酸化マクネシウム、酸化ケイ素、酸化銅、
炭酸マンガンなMg034.3g 、 5in236゜
7g、 Cu029.01H、MnCO310,Og
、 5i02 (超微粉) :1.Ogとなるように
秤量した。
.60)表2−2 表3−1 *主成分モル比(MgO/5i02=1
.50)表3−2 [実施例4] まず、市販の酸化マクネシウム、酸化ケイ素、酸化銅、
炭酸マンガンなMg034.3g 、 5in236゜
7g、 Cu029.01H、MnCO310,Og
、 5i02 (超微粉) :1.Ogとなるように
秤量した。
この場合(cUmMgl−X)0〜3i02は(Cuo
、 Jgo、 t)0・SiO□て、 (Cu、、、
:+Mgo、 ?)0/ 5i02モル比は、1.9
9てあり、Mn(:0.3はMnOに換算して(Cue
、 Jgo、 ?)0・SiO□100屯jt部に対し
て、6.2重量部に相当し、5ho2(超微粉)は3重
駄部に相当する。
、 Jgo、 t)0・SiO□て、 (Cu、、、
:+Mgo、 ?)0/ 5i02モル比は、1.9
9てあり、Mn(:0.3はMnOに換算して(Cue
、 Jgo、 ?)0・SiO□100屯jt部に対し
て、6.2重量部に相当し、5ho2(超微粉)は3重
駄部に相当する。
これらの粉体の混合物に対し、水400 gを加え、ボ
ールミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
ールミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
次にこの乾゛燥粉体を空気中で1000 ’C12時間
加熱することにより、仮焼成した。
加熱することにより、仮焼成した。
このように仮焼成した粉体100重量部に対し、ガラス
(Pb04[]〜60%、 5i0230〜45%、A
文2035〜10% 、 B20:+ 0〜15% (
m ’4 % ) 、Wc’%カla it酸成分らな
るガラス)を5重に部加え、その混合物5[1gに水1
60gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し
、粉砕後脱水乾燥した。
(Pb04[]〜60%、 5i0230〜45%、A
文2035〜10% 、 B20:+ 0〜15% (
m ’4 % ) 、Wc’%カla it酸成分らな
るガラス)を5重に部加え、その混合物5[1gに水1
60gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し
、粉砕後脱水乾燥した。
そして、この乾燥粉末20gに、接着剤としてエチルセ
ルロース(N−100)の12%溶液(溶媒はソチルカ
ルビトール)12g、溶剤としてターピネオール17g
を秤量し、ライカイ機で2時間攪拌し、ペーストを作っ
た・ このペーストおよびAg粉末のペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層して、乾燥後、焼成寸法4.5
X3.2 amのチップに切断し、 890’Cて2時
間空気中で焼成してチップコンデンサを作成した。
ルロース(N−100)の12%溶液(溶媒はソチルカ
ルビトール)12g、溶剤としてターピネオール17g
を秤量し、ライカイ機で2時間攪拌し、ペーストを作っ
た・ このペーストおよびAg粉末のペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層して、乾燥後、焼成寸法4.5
X3.2 amのチップに切断し、 890’Cて2時
間空気中で焼成してチップコンデンサを作成した。
これにより得られた緒特性は表4に示す通ってあった。
表4において、絶縁抵抗IR(Ω)は70pm間隔の場
合を示す。
合を示す。
表 4
表4から明らかなように、要求通りのコンデンサの特性
か得られたことかわかる。又、図面に示したコンデンサ
lの表面に各種素子を形成あるいは搭載することにより
、コンデンサ機能を有するノ、(板として使用するに十
分な絶縁抵抗を有し、かつ機械的強度の面においても十
分満足するということかわかった。
か得られたことかわかる。又、図面に示したコンデンサ
lの表面に各種素子を形成あるいは搭載することにより
、コンデンサ機能を有するノ、(板として使用するに十
分な絶縁抵抗を有し、かつ機械的強度の面においても十
分満足するということかわかった。
[実施例5]
前記、実施例4におけるMnOの添加量を変えて、実施
例1と回し方法でチップコンデンサを製造した。
例1と回し方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表5−1に示し、各試料の緒特性を表5−2
に示す。
に示す。
表5−2の特性は、コンデンサの特性として全て満足て
きるものである。
きるものである。
又、実施例4と同様に基板として使用可廓な特性を有し
ている。
ている。
[実施例6]
前記実施例4におけるCuOの置換措を変えて、実施例
4と回し方法でチップコンデンサを製造した。
4と回し方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表6−1に示し、各緒特性を表6−2に示す
。
。
表6−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用o7能な特性を全て備えたものである。
て使用o7能な特性を全て備えたものである。
[実施例7]
前記実施例4におけるSiO□(超微粉)の添加量を変
えて実施例4と同じ方法でチップコンデンサを製造した
。
えて実施例4と同じ方法でチップコンデンサを製造した
。
その組成を表7−1に示し、各緒特性を表7−2に示す
。
。
表7−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
て使用可能な特性を全て備えたものである。
[実施例日]
前記実施例4におけるガラスの添加量を変えて実施例4
と回し方法てチップコンデンサを製造した。
と回し方法てチップコンデンサを製造した。
その組成を表8−1に示し、各緒特性を表8=2に示す
。
。
表8−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
て使用可能な特性を全て備えたものである。
[実施例91
前記実施例4におけるメタルAgおよびAg−Cu合金
の添加量を変えて実施例4と回し方法てチウブコンデン
サを製造した。
の添加量を変えて実施例4と回し方法てチウブコンデン
サを製造した。
その組成を表9−1に示し、各諸性性を表9−2に示す
。
。
表9−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
て使用可能な特性を全て備えたものである。
(以下余白)
表5−1
表5−2
表6−1
表6−2
表7−2
表8−1
表8−2
表9−1
表9−2
(発明の効果)
本発明によれば、焼結温度を+000°C以下に低温化
することかてきるため、焼成に要する電力費か低減され
ると共に、電極としてAg、 Ag−Pd k4の導体
か続刊は可能となり、これによって電極の価格低減かI
JT能となる。また、従来技術によるチップコンデンサ
と比較しても劣らぬ特性のものを得ることかでき、また
、コンデンサ機能を具備した基板として使用「り能な特
性のものを得ることかできる。
することかてきるため、焼成に要する電力費か低減され
ると共に、電極としてAg、 Ag−Pd k4の導体
か続刊は可能となり、これによって電極の価格低減かI
JT能となる。また、従来技術によるチップコンデンサ
と比較しても劣らぬ特性のものを得ることかでき、また
、コンデンサ機能を具備した基板として使用「り能な特
性のものを得ることかできる。
第1図は本発明の適用対象の一例であるチップコンデン
サを示す側面図である。
サを示す側面図である。
Claims (3)
- 1.MgO・SiO_2(MgO/SiO_2モル比=
1.0〜2.0)100重量部に対してCuOを1〜3
0重量部、Mn酸化物をMnOに換算して0〜5重量部
添加したものを主成分とし、その主成分100重量部に
対してガラスを5〜200重量部混合し焼結してなるこ
とを特徴とする誘電体磁器材料。 - 2.(Cu_xMg_1_−_x)O・SiO_2{x
=0.05〜0.50,(Cu_xMg_1_−_x)
O/SiO_2モル比1.0〜2.2}100重量部に
対してMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量
、SiO_2を0〜10重量部添加したものを主成分と
し、その主成分100重量部に対して、ガラスを5〜1
00重量部混合し、焼結してなることを特徴とする誘電
体磁器材料。 - 3.(Cu_xMg_1_−_x)O・SiO_2{x
=0.05〜0.50,(Cu_xMg_1_−_x)
O/SiO_2モル比1.0〜2.2}100重量部に
対してMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量
部、SiO_2を0〜10重量部添加したものを主成分
とし、その主成分100重量部に対して、ガラスを5〜
100重量部、メタルのAgあるいはAg−Cu合金を
0.1〜10重量部混合し,焼結してなることを特徴と
する誘電体磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296585A JP3030558B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-23 | 誘電体磁器材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30134987 | 1987-11-28 | ||
| JP62-301349 | 1987-11-28 | ||
| JP63296585A JP3030558B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-23 | 誘電体磁器材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236515A true JPH01236515A (ja) | 1989-09-21 |
| JP3030558B2 JP3030558B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=26560742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63296585A Expired - Lifetime JP3030558B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-23 | 誘電体磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030558B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012529412A (ja) * | 2009-12-22 | 2012-11-22 | 広東風華高新科技股▲ふん▼有限公司 | 銅内電極と整合する耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料 |
| JP2012248326A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Tdk Corp | 静電気保護部品 |
| CN113498406A (zh) * | 2020-02-05 | 2021-10-12 | 费罗公司 | 用于高频应用的m7 ltcc-银系统和相关介电组合物 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219741A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 酸化物誘電体材料 |
| JPS61275161A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 低温焼成多層セラミツク基板 |
| JPS6221757A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | 鳴海製陶株式会社 | フオルステライトセラミツクスの製造法 |
| JPS6246954A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 絶縁性磁器組成物 |
| JPS62278704A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-11-23 JP JP63296585A patent/JP3030558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219741A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 酸化物誘電体材料 |
| JPS61275161A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 低温焼成多層セラミツク基板 |
| JPS6221757A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | 鳴海製陶株式会社 | フオルステライトセラミツクスの製造法 |
| JPS6246954A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 絶縁性磁器組成物 |
| JPS62278704A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012529412A (ja) * | 2009-12-22 | 2012-11-22 | 広東風華高新科技股▲ふん▼有限公司 | 銅内電極と整合する耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料 |
| JP2012248326A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Tdk Corp | 静電気保護部品 |
| CN113498406A (zh) * | 2020-02-05 | 2021-10-12 | 费罗公司 | 用于高频应用的m7 ltcc-银系统和相关介电组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3030558B2 (ja) | 2000-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3799933B2 (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| JPS63927B2 (ja) | ||
| JP3471839B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| CN101727997A (zh) | Ybco厚膜电阻浆料 | |
| JPS6224388B2 (ja) | ||
| JP3030558B2 (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JP3030557B2 (ja) | 誘電体磁器材料を用いた電子部品 | |
| JPH0798679B2 (ja) | 低温焼結磁器組成物 | |
| WO2021221174A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP2594989B2 (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JPH01166599A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3800614B1 (ja) | 厚膜抵抗体ペーストおよび厚膜抵抗体 | |
| JPS6134203B2 (ja) | ||
| JP3802353B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体素子及びその製造方法 | |
| JPH01204305A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS625508A (ja) | 導電ペ−スト | |
| JP2683144B2 (ja) | 誘電体ペースト | |
| JPH051963B2 (ja) | ||
| JPH02288106A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
| WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JPH0480869B2 (ja) | ||
| JPH0418701A (ja) | 抵抗体組成物 | |
| JPH0480867B2 (ja) | ||
| JPH051962B2 (ja) | ||
| JPH0578166A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |