JPH01236515A - 誘電体磁器材料 - Google Patents

誘電体磁器材料

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JPH01236515A
JPH01236515A JP29658588A JP29658588A JPH01236515A JP H01236515 A JPH01236515 A JP H01236515A JP 29658588 A JP29658588 A JP 29658588A JP 29658588 A JP29658588 A JP 29658588A JP H01236515 A JPH01236515 A JP H01236515A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、低温で焼結でき、特性的には?A1!率か低
く、また絶縁抵抗が高く、高いQを有し、しかも基板と
しても使用可能な誘電体磁器材料に関する。
(従来の技術) 電子機器の軽薄短小化に伴い、電子部品のチップ化が進
んでおり、チップ型の磁器コンデンサか数多く使用され
て来ている。従来の磁器コンデンサ用低誘電率材料とし
て、従来より、酸化チタン系の磁器材料か汎用されてい
る。これらの材料を用いて第1図に示すようなセラミッ
クコンデンサ1(図中、2は誘電体、3は内部電極、4
は外部電極である。)を製造する場合は、誘電体材料な
−旦仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてがらシート
状の誘電体2aを形成し、該誘電体2 a Jzに電J
4j3を塗布し、これを図示のように枯層して焼成した
り、あるいは仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてコ
ンデンサの形に誘電体2aを印刷し、その上に′電極3
を印刷するという工程を繰返して積層化した後、焼成す
ることにより製造していた。
また、電子機器の小形化、高機能化に伴い、最近では多
層磁器基板が数多く使用され始めて来ており、この多層
磁器基板の材料として、一般的にアルミナか使用されて
いる。
(発明か解決しようとする課題) 上述のように、従来の磁器コンデンサは、誘電体2か酸
化チタン系の磁器材料により構成されているか、これら
の材料は焼成温度か1200°C〜l’1000Cとい
った高温であるため、内部電極3として。
このような高温でも安定なptやPdといった非常に高
価な材料を使用しなければならなかった。このため、焼
成のための電力費かかかり、また、コンデンサ等の素子
1個当たりの電極費かあまりにも大きすぎるという問題
点かあった。
また、前記多層磁器基板として使用されるアルミナは、
焼成温度か15000C〜1600℃であるところから
、W、 Mo等の高融点金属か導体材料として用いられ
ているか、これらは前記のように、焼成温度か高く、高
価であるという問題点の他、電気抵抗か大きいために、
電気信号の伝達速度か遅いという問題点かあった。
(課題を解決するための手段) 本発明者は、上記の問題点を解決し、安価なAg、 A
g−Pd’等の導体か焼付は可能な8【)0℃〜100
0℃で焼成でき、磁器基板としても使用できる誘電体磁
器材料を検討し、下記の組成のものがこの要求を満足す
るものであることを見出した。
すなわち本発明の第1の誘電体磁器材料は、MgO・S
iO□(MgO/5i02モル比=1.0〜2.0)1
00重量部に対してCuOを1〜30重量部、Mn酸化
物をMnOに換算して0〜5重量部添加したものを主成
分とし、その主成分100重量部に対してガラスを5〜
200重星部混合し焼結してなることを特徴とする。
また本発明の第2の誘電体磁器材料は、(Cu。
Mg+−1)o−sio2 (x =0.05〜0.5
0.  (Cu、Mg、−−)0/SiO□モル比10
口〜2.2 )  100重量部に対してMn酸化物を
MnOに換算して0.1〜15重量部、SiO□な0〜
10重量部添加したものを主成分とし、その主成分10
0重量部に対して、ガラスを5〜100を置部混合し、
焼結してなることを特徴とする。
また本発明の第3の誘電体磁器材料は、 (Cu。
Mg1−、)0・5iOz (x = 0.05〜0.
50. (Cu11Mg、−、)0/5in2モル比1
.0〜2.2 )  100重縁部に対してMn酸化物
なMnOに換算して0.1〜15i量部、5i02を0
〜10重量部添加したものを主成分とし、その主成分1
00重縁部に対して、ガラスを5〜100重縁部、メタ
ルのAgあるいはAg−Cu合金を0.1〜l口重量部
混合し、焼結してなることを特徴とする。
なお1本発明に用いるガラスとしては、pbo系ガラス
、中でもPb040%〜60%、 Si0□30%〜4
5%、Al2O35%〜lO%、B20.0%〜15%
(重量%)残部かam成分からなるガラスが用られる。
また、Zn050%〜60%、 5i025%〜l口%
、B20,20%〜30%(重量%)残部か微量成分か
らなるガラスか用いられる。その他、 PbO−820
,系、PbO−8203−3if□系、あるいはPbO
、ZnO、Bi20i 、 BaO。
32Q、、 5in2、ZrO□、TiO2、A12(
1+ 、 CaO、SrOの群から選択された2種以上
の金属酸化物からなるガラスが用いられる。
(作用) 本発明において、誘電体磁器材料の組成を上記のように
設定した理由は次の通りである。
前記第1の磁器材料において、MgO/ 5i02モル
比が1.0より小さいかあるいは2.0より大きくなる
と、焼成温度が高くなる傾向がある。
また、CuOは低温焼成を促進するものて、1重量部未
満の場合、焼成温度が高くなる傾向にある。また、Cu
Oか30重量部を超えるとQか低くなる傾向かある。
層重酸化物は出発材料としてMnC0□か加えられ、焼
成により酸化物となるもので、CuOと同じく低温焼成
を助成する作用と還元防止材としての作用をなすもので
あるか、これはCuOがあれば必ずしも必要ではなく、
またこのM+1酸化物は上述のような焼成温度において
、MnOxの形態をなし、X=0.5〜2の範囲内にあ
ると考えられるか、MnOに換算して0.5重量部以下
では効果か薄く、前記5重量部以上の添加量になると、
反対に焼成温度か高くなる傾向かある。
また、焼結助材としてのガラスの量については、前記主
成分100重量部に対して5重量部より少ないと焼結助
材としての働きか不十分である上、焼成温度か高くなる
傾向があり、また、 20口重量部を超えると、収縮率
が小さくなる傾向かある。
前記第2および第3の誘電体磁器材料において、(Cu
、Mg+−+i) 0/5iOzモル比が、1.0より
小さいかあるいは2.2より大きくなると焼成温度が高
くなる傾向かある。
また、CuOか5モル%未満の場合、  (x<0゜0
5)焼成温度か高くなる傾向にある。また、Cu0か、
50〜1ニル%を越えると(x>0.5 ) Qが低く
なる傾向かある。
Mn酸化物は、MnOに換算して、0.1未満、あるい
は15重bk部より多い添加量になると、Qか低くなる
傾向がある。
添加物としての5in2は、a微粉(0,旧鉢前後)に
より、表面を活性化したもので、低温焼成を助成する作
用をなすものである。
これも、ガラスがあれば、必ずしも必要てはなく、10
重量部より多い添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
又、焼結助材としてのガラスの量については、前記主成
分100重欧部に対して5重量部より少ないと焼結助材
としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる傾
向があり、又、 100屯量部を超えると、収縮率か小
さくなる傾向かある。メタルのAgあるいは、Ag−C
u合金についても、ガラスかあれば、必ずしも必要では
ないが、メタルAgあるいはAg−Cu合金を添加する
と、確かに焼結か促進されていることが、電子顕微鏡写
真により確認された。しかし、添加量か0.1重省部よ
り少ないと、焼結性の向上か顕著ではなく、10重量部
を超えると、メタルAgの析出量が大となり、絶縁抵抗
か大きくばらつく傾向かある。
(実施例) 次に本発明の詳細な説明する。
[実施例1] まず重版の酸化マグネシウム、醸化ケイ素、酸化銅、炭
酸マンガンを、Mg0129.4 g、 5i0212
0゜6 g、Cu025.Og、 MnC0t 2.5
 gとなるように秤量した。この場合、MgO/SiO
□モル比は1.60、CuOはMg5iO,10(1重
量部に対して10重量部に相当する。これらの粉体の混
合物に対し、木1G00gを加え、ボールミルに入れ、
16時間混合し、脱水乾燥した。
次にこの乾燥粉体な空気中で750°C12時間加熱す
ることにより、仮焼成した。
このように仮焼成した粉末10口重量部に対し、ガラス
(+)b040%〜60%、5i02’lO%〜45%
、A1□0,5%〜lO%、B20.0%〜15%(玉
(翳%)。
残部か微に成分からなるガラス)を100重量部加え、
その混合950gに木200gを加え、ボールミルに入
れて24時間混合粉砕し、粉砕後脱水乾燥した。
そして、この乾燥粉末15gに、接着剤としてエチルセ
ルロース(N−1130)の12%溶液(溶媒はブチル
カルピトール)7.5g、溶剤としてターピネオール2
0gを秤量し、ライカイ機で2時間攪拌し、ペーストを
作った。
このペーストおよびへg粉のベース1〜をスクリーン印
刷法により交互に積層して乾燥後、焼成寸法4.5 x
 3.2onのチップに切断し、 890℃で2時間空
気中で焼成してチップコンデンサを作成した。
これにより得られた2特性は表1に示す通りであった。
表1において、T2は焼成温度(’C)、Shは収縮率
(%)、ε、は比誘電率、IRは絶縁抵抗1)、V、は
破壊電圧(V)て50g、m間隔の場合を示す。
表1 表1から明らかなように、要求通りのコンデンサの特性
か得られたことかわかる。また、図面にホしたコンデン
サlの表面に各種素子を形成あるいは搭載することによ
り、コンデンサ機能を有する基板として使用するに1分
な絶縁抵抗、破壊゛市川を有し、かつ機械的強度の面に
おいても、十分満足するというこ、とかわかった。
[実施例2] 上記実施例1におけるCuOの添加量を変えて、実施例
1と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表2−1に示し、各試料の諸性性を表2−2に示す。
表2−2の特性は、コンデンサの特性として全て満足で
きるものである。また、実施例1と同様に基板として使
用可能な特性を有している。
[実施例3] 上記実施例1におけるガラスの添加量を変えて、実施例
1と回し方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表3−1に示し、各諸性性を表3−2に示す。
表3−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
(以下余白) 表2−1   *主成分モル比(MgO/5iOt=1
.60)表2−2 表3−1   *主成分モル比(MgO/5i02=1
.50)表3−2 [実施例4] まず、市販の酸化マクネシウム、酸化ケイ素、酸化銅、
炭酸マンガンなMg034.3g 、 5in236゜
7g、 Cu029.01H、MnCO310,Og 
、 5i02  (超微粉) :1.Ogとなるように
秤量した。
この場合(cUmMgl−X)0〜3i02は(Cuo
、 Jgo、 t)0・SiO□て、  (Cu、、、
 :+Mgo、 ?)0/ 5i02モル比は、1.9
9てあり、Mn(:0.3はMnOに換算して(Cue
、 Jgo、 ?)0・SiO□100屯jt部に対し
て、6.2重量部に相当し、5ho2(超微粉)は3重
駄部に相当する。
これらの粉体の混合物に対し、水400 gを加え、ボ
ールミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
次にこの乾゛燥粉体を空気中で1000 ’C12時間
加熱することにより、仮焼成した。
このように仮焼成した粉体100重量部に対し、ガラス
(Pb04[]〜60%、 5i0230〜45%、A
文2035〜10% 、 B20:+ 0〜15% (
m ’4 % ) 、Wc’%カla it酸成分らな
るガラス)を5重に部加え、その混合物5[1gに水1
60gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し
、粉砕後脱水乾燥した。
そして、この乾燥粉末20gに、接着剤としてエチルセ
ルロース(N−100)の12%溶液(溶媒はソチルカ
ルビトール)12g、溶剤としてターピネオール17g
を秤量し、ライカイ機で2時間攪拌し、ペーストを作っ
た・ このペーストおよびAg粉末のペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層して、乾燥後、焼成寸法4.5 
X3.2 amのチップに切断し、 890’Cて2時
間空気中で焼成してチップコンデンサを作成した。
これにより得られた緒特性は表4に示す通ってあった。
表4において、絶縁抵抗IR(Ω)は70pm間隔の場
合を示す。
表  4 表4から明らかなように、要求通りのコンデンサの特性
か得られたことかわかる。又、図面に示したコンデンサ
lの表面に各種素子を形成あるいは搭載することにより
、コンデンサ機能を有するノ、(板として使用するに十
分な絶縁抵抗を有し、かつ機械的強度の面においても十
分満足するということかわかった。
[実施例5] 前記、実施例4におけるMnOの添加量を変えて、実施
例1と回し方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表5−1に示し、各試料の緒特性を表5−2
に示す。
表5−2の特性は、コンデンサの特性として全て満足て
きるものである。
又、実施例4と同様に基板として使用可廓な特性を有し
ている。
[実施例6] 前記実施例4におけるCuOの置換措を変えて、実施例
4と回し方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表6−1に示し、各緒特性を表6−2に示す
。
表6−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用o7能な特性を全て備えたものである。
[実施例7] 前記実施例4におけるSiO□(超微粉)の添加量を変
えて実施例4と同じ方法でチップコンデンサを製造した
。
その組成を表7−1に示し、各緒特性を表7−2に示す
。
表7−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
[実施例日] 前記実施例4におけるガラスの添加量を変えて実施例4
と回し方法てチップコンデンサを製造した。
その組成を表8−1に示し、各緒特性を表8=2に示す
。
表8−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
[実施例91 前記実施例4におけるメタルAgおよびAg−Cu合金
の添加量を変えて実施例4と回し方法てチウブコンデン
サを製造した。
その組成を表9−1に示し、各諸性性を表9−2に示す
。
表9−2の特性は、コンデンサの特性、および基板とし
て使用可能な特性を全て備えたものである。
(以下余白) 表5−1 表5−2 表6−1 表6−2 表7−2 表8−1 表8−2 表9−1 表9−2 (発明の効果) 本発明によれば、焼結温度を+000°C以下に低温化
することかてきるため、焼成に要する電力費か低減され
ると共に、電極としてAg、 Ag−Pd k4の導体
か続刊は可能となり、これによって電極の価格低減かI
JT能となる。また、従来技術によるチップコンデンサ
と比較しても劣らぬ特性のものを得ることかでき、また
、コンデンサ機能を具備した基板として使用「り能な特
性のものを得ることかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の適用対象の一例であるチップコンデン
サを示す側面図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.MgO・SiO_2(MgO/SiO_2モル比=
    1.0〜2.0)100重量部に対してCuOを1〜3
    0重量部、Mn酸化物をMnOに換算して0〜5重量部
    添加したものを主成分とし、その主成分100重量部に
    対してガラスを5〜200重量部混合し焼結してなるこ
    とを特徴とする誘電体磁器材料。
  2. 2.(Cu_xMg_1_−_x)O・SiO_2{x
    =0.05〜0.50,(Cu_xMg_1_−_x)
    O/SiO_2モル比1.0〜2.2}100重量部に
    対してMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量
    、SiO_2を0〜10重量部添加したものを主成分と
    し、その主成分100重量部に対して、ガラスを5〜1
    00重量部混合し、焼結してなることを特徴とする誘電
    体磁器材料。
  3. 3.(Cu_xMg_1_−_x)O・SiO_2{x
    =0.05〜0.50,(Cu_xMg_1_−_x)
    O/SiO_2モル比1.0〜2.2}100重量部に
    対してMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量
    部、SiO_2を0〜10重量部添加したものを主成分
    とし、その主成分100重量部に対して、ガラスを5〜
    100重量部、メタルのAgあるいはAg−Cu合金を
    0.1〜10重量部混合し,焼結してなることを特徴と
    する誘電体磁器材料。
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