JPH01236603A - ｓｉｃ薄膜サーミスタ - Google Patents
ｓｉｃ薄膜サーミスタInfo
- Publication number
- JPH01236603A JPH01236603A JP63063956A JP6395688A JPH01236603A JP H01236603 A JPH01236603 A JP H01236603A JP 63063956 A JP63063956 A JP 63063956A JP 6395688 A JP6395688 A JP 6395688A JP H01236603 A JPH01236603 A JP H01236603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- thermistor
- heat
- surface roughness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、温度センサ用感温抵抗素子として用いられる
２熱応答性に優れ、かつ高耐熱性を有するＳＩＣ薄膜サ
ーミスタに関するものである。
２熱応答性に優れ、かつ高耐熱性を有するＳＩＣ薄膜サ
ーミスタに関するものである。
従来の技術
温度センサには各種の感温手段があるが、金属酸化物か
らなるサーミスタ素子が一般的であって。
らなるサーミスタ素子が一般的であって。
各種分野に実用化されている。そして、近年は用途の拡
大に伴ってさらに温度検知範囲が広く、応答速度が速く
、かつ各種環境下における信頼度の高いものが望まれて
いる。
大に伴ってさらに温度検知範囲が広く、応答速度が速く
、かつ各種環境下における信頼度の高いものが望まれて
いる。
このような要望に対して、熱的に極めて安定な炭化珪素
のサーミスタが実用化されてきた。そして、その用途目
的から熱応答性に優れる薄膜で構成されたものが実用化
されている。
のサーミスタが実用化されてきた。そして、その用途目
的から熱応答性に優れる薄膜で構成されたものが実用化
されている。
このＳｉＣ薄膜サーミスタは、第１図に示すような構成
である。第１図において、１は表面粗さが３μｍ程度の
耐熱性の絶縁基板であり、２は前記耐熱性の絶縁基板１
上に焼成して形成されたｐｔ金合金どからなる一対の櫛
形電極であり、この電極２の一部を端子取り付は部２ａ
、２ｂとしている。３は前記端子取り付は部２ａ、２ｂ
’ｌ除いた電極２および前記基板１の全面に高周波スパ
ッタリング法で形成された炭化珪素（Ｓｉｎ）の感温抵
抗膜である。
である。第１図において、１は表面粗さが３μｍ程度の
耐熱性の絶縁基板であり、２は前記耐熱性の絶縁基板１
上に焼成して形成されたｐｔ金合金どからなる一対の櫛
形電極であり、この電極２の一部を端子取り付は部２ａ
、２ｂとしている。３は前記端子取り付は部２ａ、２ｂ
’ｌ除いた電極２および前記基板１の全面に高周波スパ
ッタリング法で形成された炭化珪素（Ｓｉｎ）の感温抵
抗膜である。
発明が解決しようとする課題
ところがこのような従来の構成における感温抵抗膜を高
周波スパッタリングで得た薄膜ザーミスタは、抵抗値と
サーミスタ定数のバラツギが大きく、実用化に際して、
いくつかの後処理工程が必要であった。
周波スパッタリングで得た薄膜ザーミスタは、抵抗値と
サーミスタ定数のバラツギが大きく、実用化に際して、
いくつかの後処理工程が必要であった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、抵抗値と
サーミスタ定数のバラツキを抑制し、安定した生産が可
能なＳｉＣ薄膜サーミスタの提供を目的とするものであ
る。
サーミスタ定数のバラツキを抑制し、安定した生産が可
能なＳｉＣ薄膜サーミスタの提供を目的とするものであ
る。
課題を解決するだめの手段
以上のような課題を解決するために本発明は、耐熱性の
絶縁基板と、その上に形成された一対の櫛形電極と、こ
の電極の一部の端子取り付は部を除いた前記基板および
前記電極の全面に形成されたｓｉｃ感温抵抗膜とを具備
し、かつ前記耐熱性の絶縁基板の表面粗さを１μｍ以下
としてなるものである。
絶縁基板と、その上に形成された一対の櫛形電極と、こ
の電極の一部の端子取り付は部を除いた前記基板および
前記電極の全面に形成されたｓｉｃ感温抵抗膜とを具備
し、かつ前記耐熱性の絶縁基板の表面粗さを１μｍ以下
としてなるものである。
す々わち、本発明者らは、耐熱性の絶縁基板の表面粗さ
を種々検討し、よシ平滑な表面の絶縁性基板にすること
によって、抵抗値とサーミスタ定数のバラツキを抑制す
ることが可能であることを実験結果から導いたものであ
る。
を種々検討し、よシ平滑な表面の絶縁性基板にすること
によって、抵抗値とサーミスタ定数のバラツキを抑制す
ることが可能であることを実験結果から導いたものであ
る。
作用
この構成によると、高周波スパッタリング後の薄膜サー
ミスタの抵抗値バラツキは、従来の約２となり、サーミ
スタ定数のバラツキもｚ程度に抑えることができること
となる。
ミスタの抵抗値バラツキは、従来の約２となり、サーミ
スタ定数のバラツキもｚ程度に抑えることができること
となる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。ここで、構成そのものは従来例と基本的に同一
なため、第１図を用いて説明する。
明する。ここで、構成そのものは従来例と基本的に同一
なため、第１図を用いて説明する。
まず、第１図に示す耐熱性の絶縁基板１には、実用性を
考慮して、アルミナ純度９０％以上の基板を採用した。
考慮して、アルミナ純度９０％以上の基板を採用した。
このアルミナ基板は５０ｒｒｒｍ Ｘ ５０ｒｒｒｍ
Ｘ ０．２ｔで、表面粗さは３μｍのものであった。こ
れを鏡面研磨して、各段階で試料を採取して、表面粗さ
が０．０３μｍ〜３μｍのアルミナ基板を得た。
Ｘ ０．２ｔで、表面粗さは３μｍのものであった。こ
れを鏡面研磨して、各段階で試料を採取して、表面粗さ
が０．０３μｍ〜３μｍのアルミナ基板を得た。
次いで、この基板１上にｐｔ−ＡＵ系導軍ペーストをス
クリーン印刷法で印刷し、１２０’Ｃで２０分間乾燥し
た後、焼成して一対の櫛形電極２を形成した。このとき
のピーク温度は９５０°Ｃ〜１０５０°Ｃで、ピーク保
持時間は１ｏ分〜２０分で、昇降温は８００°Ｃ／１Ｈ
ｒであった。また、前記電極２の一部を端子数υ付は部
２ａ、２ｂとした。次に、前記端子数シ付は部２ａ、２
ｂを除いた前記基板１と電極２上に感温抵抗膜３を形成
した。このときの形成条件は、炭化珪素からなるターゲ
ノトヲ、ムｒ雰囲気で６時間のスパッタリングをした。
クリーン印刷法で印刷し、１２０’Ｃで２０分間乾燥し
た後、焼成して一対の櫛形電極２を形成した。このとき
のピーク温度は９５０°Ｃ〜１０５０°Ｃで、ピーク保
持時間は１ｏ分〜２０分で、昇降温は８００°Ｃ／１Ｈ
ｒであった。また、前記電極２の一部を端子数υ付は部
２ａ、２ｂとした。次に、前記端子数シ付は部２ａ、２
ｂを除いた前記基板１と電極２上に感温抵抗膜３を形成
した。このときの形成条件は、炭化珪素からなるターゲ
ノトヲ、ムｒ雰囲気で６時間のスパッタリングをした。
このときのスパッタ圧力は（２〜４）Ｘ１０”ＴＯＲＲ
であった。
であった。
このようにして得られたＳｉＣ薄膜サーミスタのＲ２５
と基板表面粗さの関係を求めたところ、第２図の如くで
あった。また、サーミスタ定数と基板表面粗さの関係は
第３図の如くであって、比較例（表面粗さ３μｍ）に対
して、抵抗値とサーミスタ定数のどちらもが、基板表面
粗さが１μｍ以下の領域で、そのバラツキが急に小さく
なっている。なお、実施例における電極２は、線間が８
゜μｍで、２＋＋＋ｍの長さが５対の櫛形電極であった
。
と基板表面粗さの関係を求めたところ、第２図の如くで
あった。また、サーミスタ定数と基板表面粗さの関係は
第３図の如くであって、比較例（表面粗さ３μｍ）に対
して、抵抗値とサーミスタ定数のどちらもが、基板表面
粗さが１μｍ以下の領域で、そのバラツキが急に小さく
なっている。なお、実施例における電極２は、線間が８
゜μｍで、２＋＋＋ｍの長さが５対の櫛形電極であった
。
ここで、前記実施例で、絶縁基板１の表面粗さが１μｍ
以下になったとき、抵抗値やサーミスタ定数のバラツキ
が小さくなる理由については明らかではないが、スパッ
タリング時に結晶成長がより均等になって、均質な膜が
形成されたものと推察される。
以下になったとき、抵抗値やサーミスタ定数のバラツキ
が小さくなる理由については明らかではないが、スパッ
タリング時に結晶成長がより均等になって、均質な膜が
形成されたものと推察される。
また、表面粗さが０．０３μｍ以下であっても前記と同
等の効果が得られるものと推察されるが、これはその作
用効果と経済性を鑑みて、適宜、決定すればよい。
等の効果が得られるものと推察されるが、これはその作
用効果と経済性を鑑みて、適宜、決定すればよい。
発明の効果
以上詳述した通り、本発明によれば抵抗値とサーミスタ
定数のバラツキが抑制され、その製造工程での収率が良
くなり、安定した生産が可能となり、その工業的価値は
犬なるものがある。
定数のバラツキが抑制され、その製造工程での収率が良
くなり、安定した生産が可能となり、その工業的価値は
犬なるものがある。
第１図は本発明および従来の薄膜サーミスタの構成を説
明するだめの平面図、第２図は本発明を説明するだめの
ＳｉＧ薄膜サーすスタ素子金２５℃中で測定した抵抗値
と基板表面粗さとの関係を表わした説明図、第３図は同
じくサーミスタ定数と基板表面粗さとの関係を表わした
説明図でめる。 １・・・・・・耐熱性の絶縁基板、２・・・・・・櫛形
電極、２ａ 、２ｂ・・・・・・端子取り出し部、３・
・・・感温抵抗膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか−１名ノ
ーーー耐熱株の５絶滑り１仮 第１図
明するだめの平面図、第２図は本発明を説明するだめの
ＳｉＧ薄膜サーすスタ素子金２５℃中で測定した抵抗値
と基板表面粗さとの関係を表わした説明図、第３図は同
じくサーミスタ定数と基板表面粗さとの関係を表わした
説明図でめる。 １・・・・・・耐熱性の絶縁基板、２・・・・・・櫛形
電極、２ａ 、２ｂ・・・・・・端子取り出し部、３・
・・・感温抵抗膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか−１名ノ
ーーー耐熱株の５絶滑り１仮 第１図
Claims (1)
- 耐熱性の絶縁基板と、その上に形成された一対の櫛形電
極と、この電極の一部の端子取り付け部を除いた前記基
板および前記電極の全面に高周波スパッタリングで形成
されたＳｉＣ感温抵抗膜とを具備し、かつ前記耐熱性の
絶縁基板の表面粗さが１μｍ以下であることを特徴とす
るＳｉＣ薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063956A JPH01236603A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | ｓｉｃ薄膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063956A JPH01236603A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | ｓｉｃ薄膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236603A true JPH01236603A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13244278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63063956A Pending JPH01236603A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | ｓｉｃ薄膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156273A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63063956A patent/JPH01236603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156273A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法 |
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