JPH01236668A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01236668A JPH01236668A JP6186288A JP6186288A JPH01236668A JP H01236668 A JPH01236668 A JP H01236668A JP 6186288 A JP6186288 A JP 6186288A JP 6186288 A JP6186288 A JP 6186288A JP H01236668 A JPH01236668 A JP H01236668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- superlattice
- semiconductor laser
- semiconductor
- band gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は低動作電圧で、高信頼性を有する半導体レーザ
に関する。
に関する。
（従来の技術）
ダブルヘテロ構造に有する半導体レーザは１種々の装置
の光源として多くの応用が期待されている。現在大別し
て２つの材料系が実用化されている。１つは、 ＩｎＰ
を基板材料とするＩｎＧａＡｓＰであり、発光波長を光
ファイバーにおいて低損失な領域に設定できることから
、主として光通信用の光源に応用されている。もう１つ
はＧａＡｓを基板材料とするＧａＡ（！Ａｓ系であり１
発光波長が０．７−０．９４で光デイスク用光源やレー
ザプリンタの光源として広く用いられている。
の光源として多くの応用が期待されている。現在大別し
て２つの材料系が実用化されている。１つは、 ＩｎＰ
を基板材料とするＩｎＧａＡｓＰであり、発光波長を光
ファイバーにおいて低損失な領域に設定できることから
、主として光通信用の光源に応用されている。もう１つ
はＧａＡｓを基板材料とするＧａＡ（！Ａｓ系であり１
発光波長が０．７−０．９４で光デイスク用光源やレー
ザプリンタの光源として広く用いられている。
これに対して、現在半導体レーザの研究開発の方向の１
つに発振波長の短波長化がある。例えば光デイスク用の
光源を考えた場合でも、発振波長が短い方がより高密度
な記録が可能である。また、可視領域の半導体レーザが
出来れば、目に見えるレーザとしてその潜在的なニーズ
には計り知れないものがあると考えられる。
つに発振波長の短波長化がある。例えば光デイスク用の
光源を考えた場合でも、発振波長が短い方がより高密度
な記録が可能である。また、可視領域の半導体レーザが
出来れば、目に見えるレーザとしてその潜在的なニーズ
には計り知れないものがあると考えられる。
近年、短波長化の１つの成果として、ＧａＡｓを基板と
しこれに格子整合するＩｎＧａＱＰ系半導体レーザが実
用になりつつある。ＧａＡｓに格子整合するＩｎＧａＡ
１２Ｐは、バンドギャップエネルギ１．９−２．３５ｅ
Ｖあり、ＧａＡｓ系の１．４２２−２．１７ｅＶに比べ
て大きな値をもつ。これをクラッド層の材料として用い
れば、ＧａＡｌ２Ａｓ系の半導体レーザで実現しなかっ
た５８〇−７００ｎｍでのレーザ発振が可能になる。こ
の波長は人間の目に見える他、他の応用についても前記
の°様なメリットがある。また、Ｈｅ−Ｎｏレーザの発
振波長もこれに含まれるため、ｌ１ｅ−Ｎｅレーザがす
べてこの半導体レーザダイオードに置き代わる可能性も
ある。
しこれに格子整合するＩｎＧａＱＰ系半導体レーザが実
用になりつつある。ＧａＡｓに格子整合するＩｎＧａＡ
１２Ｐは、バンドギャップエネルギ１．９−２．３５ｅ
Ｖあり、ＧａＡｓ系の１．４２２−２．１７ｅＶに比べ
て大きな値をもつ。これをクラッド層の材料として用い
れば、ＧａＡｌ２Ａｓ系の半導体レーザで実現しなかっ
た５８〇−７００ｎｍでのレーザ発振が可能になる。こ
の波長は人間の目に見える他、他の応用についても前記
の°様なメリットがある。また、Ｈｅ−Ｎｏレーザの発
振波長もこれに含まれるため、ｌ１ｅ−Ｎｅレーザがす
べてこの半導体レーザダイオードに置き代わる可能性も
ある。
しかし、この種の半導体レーザには次のような問題点が
ある。その事情を以下に述べる。
ある。その事情を以下に述べる。
ＩｎＧａＡｌ２Ｐ系の結晶成長は、有機金属熱分解法（
Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：ＭＯＣＶＤ）あるいは
、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａ
ｍ Ｅｐｉｔａｘｉｙ： Ｍ Ｂ Ｅ ）により、Ｇａ
Ａｓ基板上に行う。基板上に順次異なる層を積み重ねる
ことによって、厚み方向にダブルヘテロ横進を形成し、
基板及びエピタキシャル成長層（コンタクト層）から電
極をとってダイオードとする。−般に、コンタクト層に
も基板と同様にＧａＡｓが用いられる。ＧａＡｓを基板
及びコンタクト層として用いるのには次の様な理由があ
る。
Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：ＭＯＣＶＤ）あるいは
、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａ
ｍ Ｅｐｉｔａｘｉｙ： Ｍ Ｂ Ｅ ）により、Ｇａ
Ａｓ基板上に行う。基板上に順次異なる層を積み重ねる
ことによって、厚み方向にダブルヘテロ横進を形成し、
基板及びエピタキシャル成長層（コンタクト層）から電
極をとってダイオードとする。−般に、コンタクト層に
も基板と同様にＧａＡｓが用いられる。ＧａＡｓを基板
及びコンタクト層として用いるのには次の様な理由があ
る。
■ ＧａＡｓは、基板として比較的高品質の結晶が安価
に得られる。
に得られる。
■ ＧａＡｓ結品は高濃度にドーピングを行うことが可
能であり、容易に低抵抗の層が得られる。
能であり、容易に低抵抗の層が得られる。
■ コンタクト抵抗の低いオーミック電極を容易に形成
できる。
できる。
（イ） 熱抵抗がＩｎＧａＡＱＰ系より小さく、 ロス
により発生する熱の放散が良い などである。
により発生する熱の放散が良い などである。
ところが、 ＧａＡｓとＩｎＧａＡｌ２Ｐでヘテロ接合
を形成すると次の様な電気的問題が生じる。即ち、発振
波長６２０ｎｍのレーザを製作するためには、活性層と
してバンドギャップエネルギが２ 、 ＯｅＶになる組
成のＩｎＧａ１Ｐを用いる必要がある。従って、クラッ
ド層にはそれよりもバンドギャップエネルギの大きな組
成のＩｎＧａＡｆｆｉＰが必要で、少なくとも２．３５
ｅＶのバンドギャップエネルギが望ましい。
を形成すると次の様な電気的問題が生じる。即ち、発振
波長６２０ｎｍのレーザを製作するためには、活性層と
してバンドギャップエネルギが２ 、 ＯｅＶになる組
成のＩｎＧａ１Ｐを用いる必要がある。従って、クラッ
ド層にはそれよりもバンドギャップエネルギの大きな組
成のＩｎＧａＡｆｆｉＰが必要で、少なくとも２．３５
ｅＶのバンドギャップエネルギが望ましい。
ところがＧａＡｓのバンドギャップエネルギは１．４２
ｅＶ程度でありクラッド層のバンドギャップエネルギと
の間に大きな隔差が存在する。一般に同じ導電型を有し
バンドギャップエネルギが異なる２つの半導体層の界面
にはバンドの不連続が存在する為に、ポテンシャルバリ
アが形成される。このバリアの高さはバンドの不連続が
大きなものほど大きい。バンドの不連続の大きさは、２
つの半導体のバンドギャップエネルギの差が大きいほど
大きいと考えられる。従って、バンドギャップエネルギ
の差が大きな２つの半導体層の界面には、大きなポテン
シャルバリアが形成される。また、ポテンシャルバリア
の厚さは主にバンドギャップエネルギの大きな層のキャ
リア濃度によって決まり、キャリヤ濃度が高いほうが薄
くなることが知られている。
ｅＶ程度でありクラッド層のバンドギャップエネルギと
の間に大きな隔差が存在する。一般に同じ導電型を有し
バンドギャップエネルギが異なる２つの半導体層の界面
にはバンドの不連続が存在する為に、ポテンシャルバリ
アが形成される。このバリアの高さはバンドの不連続が
大きなものほど大きい。バンドの不連続の大きさは、２
つの半導体のバンドギャップエネルギの差が大きいほど
大きいと考えられる。従って、バンドギャップエネルギ
の差が大きな２つの半導体層の界面には、大きなポテン
シャルバリアが形成される。また、ポテンシャルバリア
の厚さは主にバンドギャップエネルギの大きな層のキャ
リア濃度によって決まり、キャリヤ濃度が高いほうが薄
くなることが知られている。
ポテンシャルバリアの存在する界面を通して電流を流す
ためには、大きな電圧をかけるか、あるいはクラッド層
に高濃度のドーピングを行うことによってポテンシャル
バリアの厚さを薄くし、トンネル効果を助長することが
必要である。
ためには、大きな電圧をかけるか、あるいはクラッド層
に高濃度のドーピングを行うことによってポテンシャル
バリアの厚さを薄くし、トンネル効果を助長することが
必要である。
本発明者らが実験を繰り返したところ、第３図に示した
ＩｎＧａＰを活性層、ＩｎＧａＡＱＰをクラッド層とし
、ＧａＡｓを基板及びキャップ層とした従来構造の半導
体レーザにおいて、クラッド層のバンドギャップエネル
ギが２．１５ｅＶ程度以下であれば電流注入に支障はな
く、動作電圧も２．０ｖ程度と低い値を示した。しかし
、 ＩｎＧａＡＱＰクラッド層のバンドギャップエネ
ルギを２．１５ｅＶよりも大きくすると動作電圧を徐々
に増加し、バンドギャップエネルギ２．３５ｅＶのＩｎ
ＧａＡｌ２Ｐをクラッド層として用いると動作電圧は３
．５ｖ以上と高い値を示した。これは、ＩｎＧａ−ＡＱ
Ｐクラッド層とＧａＡｓとのバンドギャップエネルギの
差が大きいため、界面にポテンシャルバリアが形成され
ているためであると考えられる。ＩｎＧａｌＰ層のキャ
リア濃度を高くしてポテンシャルバリアの厚さを十分に
薄くできれば、トンネル効果によりポテンシャルバリア
の効果は緩和されるが、バンドギャップエネルギのおお
きなＩｎＧａＡＱＰにおいては高いキャリア濃度の層を
作ることは困難である。
ＩｎＧａＰを活性層、ＩｎＧａＡＱＰをクラッド層とし
、ＧａＡｓを基板及びキャップ層とした従来構造の半導
体レーザにおいて、クラッド層のバンドギャップエネル
ギが２．１５ｅＶ程度以下であれば電流注入に支障はな
く、動作電圧も２．０ｖ程度と低い値を示した。しかし
、 ＩｎＧａＡＱＰクラッド層のバンドギャップエネ
ルギを２．１５ｅＶよりも大きくすると動作電圧を徐々
に増加し、バンドギャップエネルギ２．３５ｅＶのＩｎ
ＧａＡｌ２Ｐをクラッド層として用いると動作電圧は３
．５ｖ以上と高い値を示した。これは、ＩｎＧａ−ＡＱ
Ｐクラッド層とＧａＡｓとのバンドギャップエネルギの
差が大きいため、界面にポテンシャルバリアが形成され
ているためであると考えられる。ＩｎＧａｌＰ層のキャ
リア濃度を高くしてポテンシャルバリアの厚さを十分に
薄くできれば、トンネル効果によりポテンシャルバリア
の効果は緩和されるが、バンドギャップエネルギのおお
きなＩｎＧａＡＱＰにおいては高いキャリア濃度の層を
作ることは困難である。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記事情を考慮してなされたもので。
クラッド層と電極コンタクト層の間に大きなバンドギャ
ップエネルギの差が存在するＤＨレーザにおいても低電
圧で動作する半導体レーザダイオードを提供する事を目
的とする。
ップエネルギの差が存在するＤＨレーザにおいても低電
圧で動作する半導体レーザダイオードを提供する事を目
的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、バンドギャップエネルギの異なる２つ
の半導体層の間に超格子層を挿入することにより、半導
体へテロ接合部に形成されるヘテロバリアが電気電導に
与える影響を軽減することにある。
の半導体層の間に超格子層を挿入することにより、半導
体へテロ接合部に形成されるヘテロバリアが電気電導に
与える影響を軽減することにある。
（作 用）
本発明によれば、大きなバンドギャップエネルギ差をも
つヘテロ接合を有する半導体装置においても、低電圧で
の動作が可能となり、高信頼の半導体レーザを製作する
上であり有用性は絶大である。
つヘテロ接合を有する半導体装置においても、低電圧で
の動作が可能となり、高信頼の半導体レーザを製作する
上であり有用性は絶大である。
（実 施 例）
以下に本発明の詳細を実施例によって説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係わる半導体レーザダイ
オードの概略構造を示す断面図である。
オードの概略構造を示す断面図である。
図中１１はＧａＡｓ基板であり、この基板１１上にｎ−
ＧａＡｓとｎ−Ｉｎ。、ｓ （Ｇａｘ−ｘＡＱｘ）ｏ、
ｓＰからなる超格子層１２、ｎ−Ｉｎ０．５ＣＧａｘ−
ｘＡＩ２ｘ）ｏ 、 ｓ Ｐクラッド層１３． Ｉｎ６
．ｓ （Ｇａ１−ｙＡＱ、）Ｐ活性層１４、ｐ−Ｉｎｎ
、 ｓ （Ｇａ、 −ｘＡＩ２ｘ）ｏ 、 ｓ Ｐク
ラッド層１５、ｐ−ＧａＡｓとｐ−Ｉｎ、 、 ｓ （
Ｇａｔ−ｘＡｆｆｘ）ｏ 、 ｓ Ｐからなる超格子層
１６、ｐ−ＧａＡｓ電極コンタクト層１７が順次ＭＯＣ
ＶＤ法によって形成されている。電極コンタクト層上に
はＳｉｎ、膜１８が形成され一部スドライブ状にＳｉｎ
、が除去されている。 １９．２０はそれぞれｎ側、ｐ
側の電極である。
ＧａＡｓとｎ−Ｉｎ。、ｓ （Ｇａｘ−ｘＡＱｘ）ｏ、
ｓＰからなる超格子層１２、ｎ−Ｉｎ０．５ＣＧａｘ−
ｘＡＩ２ｘ）ｏ 、 ｓ Ｐクラッド層１３． Ｉｎ６
．ｓ （Ｇａ１−ｙＡＱ、）Ｐ活性層１４、ｐ−Ｉｎｎ
、 ｓ （Ｇａ、 −ｘＡＩ２ｘ）ｏ 、 ｓ Ｐク
ラッド層１５、ｐ−ＧａＡｓとｐ−Ｉｎ、 、 ｓ （
Ｇａｔ−ｘＡｆｆｘ）ｏ 、 ｓ Ｐからなる超格子層
１６、ｐ−ＧａＡｓ電極コンタクト層１７が順次ＭＯＣ
ＶＤ法によって形成されている。電極コンタクト層上に
はＳｉｎ、膜１８が形成され一部スドライブ状にＳｉｎ
、が除去されている。 １９．２０はそれぞれｎ側、ｐ
側の電極である。
超格子層を除く各層のバンドギャップエネルギ、層厚、
キャリア濃度は次の様である。
キャリア濃度は次の様である。
ｎ−ＧａＡｓ基板： １．４２ａＶ、 ７０４．３Ｘ１
０”ａｍ−’ｎ−クラッド層： ２．３５ｅＶ、 １．
５μｓ、 ｌＸｌ０”ｃ＋ｓ−”活 性 層： ２
．ＯｅＶ、 ０．１４．アンドープｐ−クラッド層：
２．３５ｅＶ、 １．５４．５Ｘ１０１７ｃ＋ｓ−’ｐ
−コンタクト層： １．４２ｅＶ、 ０．２ｇ＋＋、
３Ｘ１０”ｃｍ−’超格子層は超格子を挟む２種類の半
導体組成の繰り返しとし、厚さは１６人周期で２０層、
計３２００人とした。超格子層を超格子を挟む２種類の
半導体組成の繰り返しとしたのには、次の様な理由があ
る。
０”ａｍ−’ｎ−クラッド層： ２．３５ｅＶ、 １．
５μｓ、 ｌＸｌ０”ｃ＋ｓ−”活 性 層： ２
．ＯｅＶ、 ０．１４．アンドープｐ−クラッド層：
２．３５ｅＶ、 １．５４．５Ｘ１０１７ｃ＋ｓ−’ｐ
−コンタクト層： １．４２ｅＶ、 ０．２ｇ＋＋、
３Ｘ１０”ｃｍ−’超格子層は超格子を挟む２種類の半
導体組成の繰り返しとし、厚さは１６人周期で２０層、
計３２００人とした。超格子層を超格子を挟む２種類の
半導体組成の繰り返しとしたのには、次の様な理由があ
る。
良好なダブルヘテロ構造を作るためには、下地の結晶に
きちんと格子整合のとれた結晶をエピタキシャル成長さ
せなければならない。ＧａＡ１２Ａｓ系の結晶成長にお
いては結晶の組成が変化しても、結晶の格子定数は殆ど
変化しない。逆に言うと結晶成長時に組成の制御にあま
り気を使わなくても、格子整合のとれたエピタキシャル
ができるということである。 しかしながら、ＩｎＧａ
Ａｌ２Ｐ系の結晶成長の場合には、結晶の組成によって
格子定数が大きく異なるため、格子整合の条件をよく見
きわめた上で結晶成長を行わなければならない。従って
、超格子層を超格子を挟む２つの結晶の組成の繰り返し
に選べば、新たに超格子層の格子整合の条件を押さえる
必要がない。
きちんと格子整合のとれた結晶をエピタキシャル成長さ
せなければならない。ＧａＡ１２Ａｓ系の結晶成長にお
いては結晶の組成が変化しても、結晶の格子定数は殆ど
変化しない。逆に言うと結晶成長時に組成の制御にあま
り気を使わなくても、格子整合のとれたエピタキシャル
ができるということである。 しかしながら、ＩｎＧａ
Ａｌ２Ｐ系の結晶成長の場合には、結晶の組成によって
格子定数が大きく異なるため、格子整合の条件をよく見
きわめた上で結晶成長を行わなければならない。従って
、超格子層を超格子を挟む２つの結晶の組成の繰り返し
に選べば、新たに超格子層の格子整合の条件を押さえる
必要がない。
付は加えれば、ヘテロ接合部におけるポテンシャルバリ
アの影響を小さくするには、バンドギャップの中間の層
を何層か挿入したり、あるいは組成をグレーテッドに変
化させたりすることでも効果はあるが、結晶成長の面で
は今のべたように格子整合条件の問題があり、なかなか
技術的に困難なところがある。ここに本発明の大きなメ
リットがあるのである。
アの影響を小さくするには、バンドギャップの中間の層
を何層か挿入したり、あるいは組成をグレーテッドに変
化させたりすることでも効果はあるが、結晶成長の面で
は今のべたように格子整合条件の問題があり、なかなか
技術的に困難なところがある。ここに本発明の大きなメ
リットがあるのである。
超格子層を挿入することによる効果を、ｐクラッド層と
コンタクト層のへテロ接合の場合を例にとって説明する
。
コンタクト層のへテロ接合の場合を例にとって説明する
。
図２に、ヘテロ接合部に格子層を挿入しない場合（ａ）
と挿入した場合（ｂ）についての模式的なエネルギバン
ドダイアグラムを示す。ヘテロ接合部に超格子層を挿入
しても原理的にポテンシャルバリアは消失しない。しか
し、超格子層の周期を正孔のドブロイ波長よりも小さい
値は設定することにより、正孔の波動関数をバリアを越
えてしみださせることが可能となる。これはトンネル電
導を示しており、バリアの影響は超格子層を挿入しない
場合に比較して格段に小さくできる。
と挿入した場合（ｂ）についての模式的なエネルギバン
ドダイアグラムを示す。ヘテロ接合部に超格子層を挿入
しても原理的にポテンシャルバリアは消失しない。しか
し、超格子層の周期を正孔のドブロイ波長よりも小さい
値は設定することにより、正孔の波動関数をバリアを越
えてしみださせることが可能となる。これはトンネル電
導を示しており、バリアの影響は超格子層を挿入しない
場合に比較して格段に小さくできる。
本実施例の場合には、超格子層を挿入しないものは動作
電圧が３ｖ程度あったのに対し、超格子層を挿入するこ
とによって約２ｖにまで動作電圧を減少させることがで
きる。
電圧が３ｖ程度あったのに対し、超格子層を挿入するこ
とによって約２ｖにまで動作電圧を減少させることがで
きる。
また、ヘテロ接合部におけるポテンシャルバリアの形成
は原理的に避けられない問題である。本発明は、クラッ
ド層−コンタクト層間のみならず、他のへテロ界面にも
適用可能である。動作電圧の低減化は高信頼の半導体レ
ーザを開発する上で１つの重要な要素であり１本発明の
有用性は絶大である。
は原理的に避けられない問題である。本発明は、クラッ
ド層−コンタクト層間のみならず、他のへテロ界面にも
適用可能である。動作電圧の低減化は高信頼の半導体レ
ーザを開発する上で１つの重要な要素であり１本発明の
有用性は絶大である。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の概
略構造を示す断面図、第２図は従来構造の半導体レーザ
装置のポテンシャル分布及び本発明の一実施例に係る半
導体レーザ装置のポテンシャル分布を示す図、第３図は
従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す断面図である
。 １１・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、 １２・・・超格子
層、１３−ｎ−ＩｎＧａ１Ｐクラッド層、 １４・・・活性層、 １５−ｐ−ＩｎＧａＡｆｆＰクラッド層、１６・・・超
格子層、 】７・・・ＧａＡｓコンタクト層、１
８・・・絶縁層、 １９・・・ｎ電極、２０−
ｐ Ｈ１極、 ３１− ｐ−ＧａＡｓ層。 ３２−ｐ−ＩｎＧａＡｆＰ層５ ３３・・・超格子層
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 第１図 第２図 第３図
略構造を示す断面図、第２図は従来構造の半導体レーザ
装置のポテンシャル分布及び本発明の一実施例に係る半
導体レーザ装置のポテンシャル分布を示す図、第３図は
従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す断面図である
。 １１・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、 １２・・・超格子
層、１３−ｎ−ＩｎＧａ１Ｐクラッド層、 １４・・・活性層、 １５−ｐ−ＩｎＧａＡｆｆＰクラッド層、１６・・・超
格子層、 】７・・・ＧａＡｓコンタクト層、１
８・・・絶縁層、 １９・・・ｎ電極、２０−
ｐ Ｈ１極、 ３１− ｐ−ＧａＡｓ層。 ３２−ｐ−ＩｎＧａＡｆＰ層５ ３３・・・超格子層
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、第１のクラッド層、活性層、第
２のクラッド層よりなるダブルヘテロ接合部及びコンタ
クト層を具備する半導体レーザ装置において、前記基板
を含めた各層間の少なくとも１カ所に超格子層を有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）前記超格子層の周期が該超格子層を挟む半導体層
における多数キャリアのドブロテ波長程度か、或いはそ
れよりも薄いことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザ装置。（３）前記超格子層が、該超格子層を挟む２
種の半導体層の組成と略同じ組成の２種の半導体の繰り
返しからなることを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6186288A JPH01236668A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6186288A JPH01236668A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236668A true JPH01236668A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13183348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6186288A Pending JPH01236668A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333298A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6186288A patent/JPH01236668A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333298A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4823352A (en) | Semiconductor laser with a variable oscillation wavelength | |
| JPH0143472B2 (ja) | ||
| JP2553731B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JPS62200784A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| EP0215125B1 (en) | Luminescent semiconductor element | |
| US6411637B1 (en) | Semiconductor laser and method of manufacturing the same | |
| JPS60260181A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2002368342A (ja) | 多重量子井戸半導体素子 | |
| JPH0697592A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH01236668A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04350988A (ja) | 量子井戸構造発光素子 | |
| JP3033333B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH02116187A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01184972A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3403915B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0669589A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2748570B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2555984B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| Zucker et al. | Intensity modulation at 1.06 μm wavelength using ultranarrow GaInAsP quantum wells | |
| JP4983791B2 (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH0511674B2 (ja) | ||
| WO1990004275A1 (en) | Semiconductor light-emitting devices | |
| JPH07106701A (ja) | 可視光半導体レーザ、及びその製造方法 | |
| JPS6251283A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0485981A (ja) | 半導体レーザ装置 |