JPH01237660A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH01237660A JPH01237660A JP63066107A JP6610788A JPH01237660A JP H01237660 A JPH01237660 A JP H01237660A JP 63066107 A JP63066107 A JP 63066107A JP 6610788 A JP6610788 A JP 6610788A JP H01237660 A JPH01237660 A JP H01237660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist film
- increased
- photoelectric material
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトマスクの構造の改良に関し、
レジスト膜の厚さを厚くしても、微細なパターンを形成
することができ、簡単且つ容易に製造することが可能な
フォトマスクの提供を目的とし、透明基板の表面に遮光
被膜を形成し、該遮光被膜の表面に光電物質膜を形成し
、更に該光電物質膜の表面にレジスト膜を塗布形成した
構造を有するよう構成する。
することができ、簡単且つ容易に製造することが可能な
フォトマスクの提供を目的とし、透明基板の表面に遮光
被膜を形成し、該遮光被膜の表面に光電物質膜を形成し
、更に該光電物質膜の表面にレジスト膜を塗布形成した
構造を有するよう構成する。
本発明は、フォトマスクに係り、特にフォトマスクの構
造の改良に関するものである。
造の改良に関するものである。
従来用いられているフォトマスクの構造は透明基板の表
面に遮光被膜を形成し、その表面にレジスト膜を塗布し
たものであるが、このような構造のフォトマスクにおい
ては露光したレジスト膜を現像した場合には、現像によ
り除去されるレジスト膜の断面が順テーパになっており
、微細なパターンを連続して形成するためにはレジスト
膜の厚さをパターンの微細度に応じて薄＜シなければな
らない。
面に遮光被膜を形成し、その表面にレジスト膜を塗布し
たものであるが、このような構造のフォトマスクにおい
ては露光したレジスト膜を現像した場合には、現像によ
り除去されるレジスト膜の断面が順テーパになっており
、微細なパターンを連続して形成するためにはレジスト
膜の厚さをパターンの微細度に応じて薄＜シなければな
らない。
以上のような状況からレジスト膜の厚さを厚くしても、
微細なパターンを連続して形成することが可能なフォト
マスクが要望されている。
微細なパターンを連続して形成することが可能なフォト
マスクが要望されている。
従来のフォトマスクの構造を第３図により説明する。
第３図（ａｌに示すように、従来のフォトマスクは石英
等からなる透明基板１１の表面にクロム等の遮光被膜１
２を形成し、その表面にレジスト膜１４を塗布形成して
いる。
等からなる透明基板１１の表面にクロム等の遮光被膜１
２を形成し、その表面にレジスト膜１４を塗布形成して
いる。
従来用いられているフォトマスクに形成したレジスト膜
１４の露光・現像を行うと、第３図（至））に示すよう
に、断面が順テーパを有するレジスト膜１４のパターン
が形成される。
１４の露光・現像を行うと、第３図（至））に示すよう
に、断面が順テーパを有するレジスト膜１４のパターン
が形成される。
次に第３図（ｃ）に示すように、レジスト膜１４をマス
クとして遮光被膜１２をエツチングし、光を透過すべき
部分を除去してフォトマスクとする。
クとして遮光被膜１２をエツチングし、光を透過すべき
部分を除去してフォトマスクとする。
以上説明の従来のフォトマスクにおいては、レジスト膜
１４の露光・現像を行うと、第４図に示すように断面が
７０°の順テーパを有するレジスト膜１４のパターンが
形成される。この場合に透過部と遮光被膜がそれぞれ５
．０００人幅の連続した微細なパターンを形成するため
には、レジスト膜１４の厚さを３，５７０人（２＋ ５
００ Ｘ ｔａｎ３５ ’ ）と薄くしなければならな
らず、レジスト膜１４の厚さが薄い場合には、エツチン
グ処理の際に透明基板１１上に残すべき遮光被膜１２の
部分がエツチングされる障害が生じるという問題点があ
った。
１４の露光・現像を行うと、第４図に示すように断面が
７０°の順テーパを有するレジスト膜１４のパターンが
形成される。この場合に透過部と遮光被膜がそれぞれ５
．０００人幅の連続した微細なパターンを形成するため
には、レジスト膜１４の厚さを３，５７０人（２＋ ５
００ Ｘ ｔａｎ３５ ’ ）と薄くしなければならな
らず、レジスト膜１４の厚さが薄い場合には、エツチン
グ処理の際に透明基板１１上に残すべき遮光被膜１２の
部分がエツチングされる障害が生じるという問題点があ
った。
本発明は以上のような状況から、レジスト膜の厚さを厚
くしても微細なパターンを形成することができる、簡単
且つ容易に製造することが可能なフォトマスクの提供を
目的としたものである。
くしても微細なパターンを形成することができる、簡単
且つ容易に製造することが可能なフォトマスクの提供を
目的としたものである。
上記問題点は、透明基板の表面に遮光被膜を形成し、こ
の遮光被膜の表面に光電物質膜を形成し、更にこの光電
物質膜の表面にレジスト膜を塗布形成した構造を有する
本発明によるフォトマスクによって解決される。
の遮光被膜の表面に光電物質膜を形成し、更にこの光電
物質膜の表面にレジスト膜を塗布形成した構造を有する
本発明によるフォトマスクによって解決される。
即ち本発明においては、第２図に示すように、透明基板
１の表面に遮光被膜２を形成し、この遮光被膜２の表面
に光電物質膜３を形成しているから、この光電物質膜３
の表面に塗布形成したレジスト膜４の露光・現像を行っ
た場合に、光電物質膜３に接しているレジスト膜４の下
層部４ｂが光電物質膜３から放出された電子によって感
光して感度が高くなっているので、レジスト膜４の上層
部４ａは順テーバの断面形状に形成されるが、この感度
が高くなった下層部４ｈでは略垂直な断面形状となるの
で、この感度が高くなった下層部４ｂの膜厚だけレジス
ト膜４を厚（しても、微細なパターンを連続して形成す
ることが可能となり、エツチング処理の際に生じる透明
基板１上に残すべき遮光被膜２の部分がエツチングされ
る障害を防止することが可能となる。
１の表面に遮光被膜２を形成し、この遮光被膜２の表面
に光電物質膜３を形成しているから、この光電物質膜３
の表面に塗布形成したレジスト膜４の露光・現像を行っ
た場合に、光電物質膜３に接しているレジスト膜４の下
層部４ｂが光電物質膜３から放出された電子によって感
光して感度が高くなっているので、レジスト膜４の上層
部４ａは順テーバの断面形状に形成されるが、この感度
が高くなった下層部４ｈでは略垂直な断面形状となるの
で、この感度が高くなった下層部４ｂの膜厚だけレジス
ト膜４を厚（しても、微細なパターンを連続して形成す
ることが可能となり、エツチング処理の際に生じる透明
基板１上に残すべき遮光被膜２の部分がエツチングされ
る障害を防止することが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図に示すように、本実施例のフォトマスクは厚さ２
．３Ｈの透明基板１の表面には遮光被膜２、例えば膜厚
１ 、０００人のクロム膜と光電物質膜３、例えば膜厚
８００人の沃化セシウム（Ｃｅ Ｉ ）膜及び膜厚１０
．０００人のレジスト膜４が積層して形成されている。
．３Ｈの透明基板１の表面には遮光被膜２、例えば膜厚
１ 、０００人のクロム膜と光電物質膜３、例えば膜厚
８００人の沃化セシウム（Ｃｅ Ｉ ）膜及び膜厚１０
．０００人のレジスト膜４が積層して形成されている。
このフォトマスクを紫外線を用いて露光すると第２図に
示すように、レジスト膜４が露光され、光電物質膜に接
しているレジスト膜４の下層部４ｂが光電物質膜３から
放出された電子によって感光して感度が高くなっている
ので、レジスト膜４の上層部は順テーパの断面形状に形
成さるが、この感度が高くなった下層部４ｂでは略垂直
な断面形状となるので、この感度が高くなった下層部４
ｂの膜厚だけレジスト膜４を厚（しても、微細なパター
ンを連続して形成することが可能となる。
示すように、レジスト膜４が露光され、光電物質膜に接
しているレジスト膜４の下層部４ｂが光電物質膜３から
放出された電子によって感光して感度が高くなっている
ので、レジスト膜４の上層部は順テーパの断面形状に形
成さるが、この感度が高くなった下層部４ｂでは略垂直
な断面形状となるので、この感度が高くなった下層部４
ｂの膜厚だけレジスト膜４を厚（しても、微細なパター
ンを連続して形成することが可能となる。
本実施例においては、光電物質として沃化セシウム（Ｃ
ｅＩ）膜を用いたが、ＡｇＣｅ系の酸化セシウム（Ｃｅ
ｚＯ）と銀（Ａｇ）の混合物或いは５ｂＣｅ系のセシウ
ム・アンチモン（ＣｅｉＳｂ）或いは鉛（Ｐｂ）を用い
た場合にも同様の効果を得ることが可能である。
ｅＩ）膜を用いたが、ＡｇＣｅ系の酸化セシウム（Ｃｅ
ｚＯ）と銀（Ａｇ）の混合物或いは５ｂＣｅ系のセシウ
ム・アンチモン（ＣｅｉＳｂ）或いは鉛（Ｐｂ）を用い
た場合にも同様の効果を得ることが可能である。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて
簡単な構造の変更により、光透過部と遮光部が同一寸法
の微細な遮光被膜のパターンを形成する場合に、遮光被
膜のエツチング処理に用いるレジスト膜の厚さを厚くし
ても微細なパターニングを行うことが可能となり、膜厚
を厚くできるので、エツチング処理の際に生じる障害を
防止することが可能となる等の利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて
有用なものである。
簡単な構造の変更により、光透過部と遮光部が同一寸法
の微細な遮光被膜のパターンを形成する場合に、遮光被
膜のエツチング処理に用いるレジスト膜の厚さを厚くし
ても微細なパターニングを行うことが可能となり、膜厚
を厚くできるので、エツチング処理の際に生じる障害を
防止することが可能となる等の利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて
有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
は本発明の詳細な説明する側断面図、第３図は従来のフ
ォトマスクを形成を工程順に示す側断面図、 第４図は従来のフォトマスクの問題点を示す側断面図、 である。 図において、 １は透明基板、 ２は遮光被膜、 ３は光電物質膜、 ４はレジスト膜、 ４ａは上層部、 ４ｂは下層部、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面図 第１図 本発明の詳細な説明する側断面図 第２図 ＋ａｔ フォトマスクの初期状態 中） レジスト膜のバターニング ｔｃ＋ 遮光被膜のエツチング 従来のフォトマスクの形成を工程順に示す側断面図第３
図
は本発明の詳細な説明する側断面図、第３図は従来のフ
ォトマスクを形成を工程順に示す側断面図、 第４図は従来のフォトマスクの問題点を示す側断面図、 である。 図において、 １は透明基板、 ２は遮光被膜、 ３は光電物質膜、 ４はレジスト膜、 ４ａは上層部、 ４ｂは下層部、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面図 第１図 本発明の詳細な説明する側断面図 第２図 ＋ａｔ フォトマスクの初期状態 中） レジスト膜のバターニング ｔｃ＋ 遮光被膜のエツチング 従来のフォトマスクの形成を工程順に示す側断面図第３
図
Claims (1)
- 透明基板（１）の表面に遮光被膜（２）を形成し、該
遮光被膜（２）の表面に光電物質膜（３）を形成し、更
に該光電物質膜（３）の表面にレジスト膜（４）を塗布
形成した構造を有することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066107A JPH01237660A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066107A JPH01237660A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01237660A true JPH01237660A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13306335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066107A Pending JPH01237660A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01237660A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102955354A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法 |
| WO2014153866A1 (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
| WO2014166155A1 (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种用于封框胶固化遮挡的掩模板的制造方法 |
| WO2014190718A1 (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩模板以及掩模板的制备方法 |
| US9638845B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-05-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | UV mask and fabrication method thereof |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066107A patent/JPH01237660A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102955354A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法 |
| US9223198B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-12-29 | Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask plate and manufacturing method thereof |
| US9638845B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-05-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | UV mask and fabrication method thereof |
| WO2014153866A1 (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
| WO2014166155A1 (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种用于封框胶固化遮挡的掩模板的制造方法 |
| WO2014190718A1 (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩模板以及掩模板的制备方法 |
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