JPS61173251A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents

フオトマスクの製造方法

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JPS61173251A
JPS61173251A JP60016203A JP1620385A JPS61173251A JP S61173251 A JPS61173251 A JP S61173251A JP 60016203 A JP60016203 A JP 60016203A JP 1620385 A JP1620385 A JP 1620385A JP S61173251 A JPS61173251 A JP S61173251A
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film
photomask
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transparent glass
pattern
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渡壁　弥一郎
Tatsuro Okamoto
岡本　龍郎
Shuichi Matsuda
修一 松田
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造工程において用いられる
フォトマスクの製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のフォトマスクの製造方法を第２図（ａ）〜（ｄ）
Ｋより説明する。まず、第２図（ａ）のように、透明ガ
ラス基板ＩＫスパッタ法または蒸着法等によりクロム等
の金属マスク材料２を８（１０−１０［ＩＡに形成し、
次に第２図（ｂ）のように、金属マスク材料２上にレジ
スト３を塗布した後、光または電子ビーム（ＥＢ）Ｋよ
り所望のパターンを描画した後、現像処理を行いレジス
トパターンを形成ストパターンを除去することにより、
第２図（ｄ）のようにフォトマスク（ハードマスク）が
形成される。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体装置の製
造に際し、写真製版工程で使用されるクロム等ノハード
マスクは、従来のエマルジョンマスクに比べて膜厚の薄
い材料が使えるためｋ、バターンの微細化が可能となり
、かつその寿命も長くなる等の多くの利点がある。
しかしながら、同時にクロム等のノヘードマスクの金属
マスク材料２のエツチング技術が重要な位置を占めるこ
とＫなる。クロムを例にとると、従来、エツチングは硝
酸第二セリクム７ンモン〔Ｃｅ（ＮＨ４）２　（Ｎ　Ｏ
ｘ　）６〕と過塩素酸［ＨＣｌ　０４）　　との混合水
溶液等の薬品によるウェットケミカルエツチングが適用
されていた。しかしながら、近年ノ（ターンの微細化に
伴ってエツチングも進歩し、ガスプラズマまたは反応性
イオンエツチングを利用したドライエツチング技術が開
発され利用されるようになった。クロムの゛プラズマエ
ツチングの場合、塩素などの−μゲン元素と酸素とを含
んだ混　　　□合ガスをグルー放甫させることにより Ｃｒ　＋　２０　＋　２　（：ｌ’−＋　Ｃｒ　０ｚＣ
１ａと考えられる反応でクロムエツチングされる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記し友ように、クロム等のノヘードマスクは微細パタ
ーン形成に有利であるカーエツチング、特にガスプラズ
マを用いたドライエツチングではその速度が遅いという
欠点があった０つまり、クロムの場合、エツチング速度
は約ｔｏｏＸ／分（３００ＶＬ　　Ｏ，２Ｔｏｒｒの条
件で）程度であり、エツチング時間は８〜ｌＯ分（８０
０〜１０００＾膜厚）要することになる。ｆ７．−１長
時間エツチングによるレジストの膜減りも多く、問題が
ある。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去するために
なされたもので、ドライエツチングが容易なフォトマス
クの製造方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る７オトマ・スフの製造方法においては、
石英等の透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成し
その後エツチングを施すものである。
〔作用〕
この発明において＆式　マスクパターンを形成する金属
マスク材料として金属シリサイド膜を用いているからエ
ツチング速度も速くなり、基板とのなじみもよいので膜
ノ１ガレを生じることもな、い。
〔実施例〕
第１図（ａ）〜（ｃ）はこの発明の一実施例を示すフォ
トマスクの製造工程を示す断面図である。まず、第１図
（ａ）　Ｋ示すように、石英等の透明ガラス基板１上に
モリブテン（Ｍ　ｏ　）やタングステン（Ｗ）等の金属
のターゲットをスパッタ法寸たはＥＢ等により約１００
０Ａ程度の膜厚の金属シリサイド膜４を形成する。次い
で第１図（ｂ）Ｋ示すよ５Ｋ、金属シリサイド膜４上に
レジスト３を塗布し、光−！たはＥＢ［より所望のパタ
ーンを描画しレジストパターンを形成する。その後、現
像処理。
およびベーキングを施した後、第２図（ｃ）に示すよう
に、金属シリサイド膜４上のエツチングを行うことによ
り金属シリサイドのマスクパターン５が形成され、半導
体装置用のフォトマスクが形成される。
金属シリサイド膜４をマスク材料として用いると、ドラ
イエツチング性の各易さ、透明ガラス基板１との接着性
が増すことで商品質のマスクが提供できる。透明ガラス
基板１上にフォトレジストまたはＥＢレジストを４００
０〜ｆｉｏ００Ａ塗布した後、光ｆ　７ＣはＥＢでパタ
ーンを描画した場合、金属シリサイド膜４はＩＫΩ程度
の抵抗であり、ＥＢ描画におけるチャージアンプ現象は
ない。金属シリサイド膜４はクロム膜に比べてドライエ
ツチングが容易に行える。倒木ばモリブテン（Ｍｏ）の
金属シリサイド膜４の場合、ＣＦ４＋Ｏ□　（２％）の
混合ガスを使用し、０．２Ｔｏｒｒの真空度、３°ＯＷ
の条件で約５００〜１　ｏ　ｏ　ｏ　Ｘ７分のエツチン
グ速度であり、従来のクロム膜のドライエツチングに比
べ約５〜ｌＯ倍のスピードとなる。これｉｔ十分量産に
適しており、かつそのために寸法制御も容易となる。
また、金属シリサイド膜４はシリコン（Ｓｔ）を主成分
としており１石英（Ｓｔ　０２１　ＡｌｚＯｓ等を含む
）基板とのなじみもよく、膜ノヘガンの問題Ｇ２なく、
信頼性の高いフォトマスクが製造できる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、フォトマスクの製造に
石英等の透明ガラス基板を用（・、この透明ガラス基板
上に金属シリサイド膜を形成することにより、ドライエ
ツチングが容易で、量産性に富んだ、かつ膜ハガレのな
い高信頼性のフォトマスクの製造が可能となる利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｃ）はこの発明の一実施例であるフォ
トマスクの製造工程を示す断面図、第２図（ａｔ〜（ｄ
）は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図である
。 図において、１は透明ガラス基板、３はレジスト、４は
金属シリサイド膜、５はマスクパターンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大岩　増雄　　　（外２名） 第１図。 １、透明ガラス基板 ３レレスト ４金層シリ寸イ　ト膜 ５マスクパターン 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示　　　特願昭６０−０１６２０３号２、
発明の名称　　　フ第１・マスクの製造方法３、補正を
する者 事件との関係　特許出願人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
　称　　（６０１）三菱電機株式会社住　所　　　　東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第５頁１９行の「商品質」を、「高品質」
と補正する。 （２）同しく第６頁３行のｒｌＫΩ」を、「１０〜１０
０Ω」と補正する。 以　　上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成する
    工程、前記金属シリサイド膜上にレジストを塗布する工
    程、光または電子ビームによりマスクパターンを描画し
    た後現像処理する工程、ドライエッチング法により前記
    金属シリサイド膜をエッチングする工程を含むことを特
    徴とするフォトマスクの製造方法。
  2. （２）透明ガラス基板は、石英ガラス基板であることを
    特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフォトマス
    クの製造方法。
  3. （３）金属シリサイド膜は、１０００Å程度の薄膜であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフ
    ォトマスクの製造方法。
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