JPH01237932A - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01237932A JPH01237932A JP6542788A JP6542788A JPH01237932A JP H01237932 A JPH01237932 A JP H01237932A JP 6542788 A JP6542788 A JP 6542788A JP 6542788 A JP6542788 A JP 6542788A JP H01237932 A JPH01237932 A JP H01237932A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- temperature
- magnetic disk
- warpage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチックよりなりコンピュータの外部メ
モリなどに用いられる磁気ディスク基板の製造方法に関
する。
モリなどに用いられる磁気ディスク基板の製造方法に関
する。
通常磁気ディスクは基板上にＮ１−Ｐめっき層を被覆し
、その上にさらにＣｒなどの下地層、Ｇｏ−Ｎｌ系合金
などの磁性層、 ５ｌｏｔなどの保護潤滑層をこの順に
連続的にスパッタした積層体として構成される。１＆板
材料には軽量で適当な強度を有することからり合金が広
く用いられている。磁気ディスクを製造するに際して、
基板として用いるディスク状Ｍ合金は旋盤加工および加
圧焼鈍を施して主表面のうねりを２０μ以下に仕上げた
後、その上にＮｌ−Ｐ合金の無電解めっき層を３０−程
度被覆して表面に必要な硬さを付与し、これを平均表面
粗さ０．０２ｐｔｍ＋ 厚さ１５−まで鏡面仕上げを行
う。
、その上にさらにＣｒなどの下地層、Ｇｏ−Ｎｌ系合金
などの磁性層、 ５ｌｏｔなどの保護潤滑層をこの順に
連続的にスパッタした積層体として構成される。１＆板
材料には軽量で適当な強度を有することからり合金が広
く用いられている。磁気ディスクを製造するに際して、
基板として用いるディスク状Ｍ合金は旋盤加工および加
圧焼鈍を施して主表面のうねりを２０μ以下に仕上げた
後、その上にＮｌ−Ｐ合金の無電解めっき層を３０−程
度被覆して表面に必要な硬さを付与し、これを平均表面
粗さ０．０２ｐｔｍ＋ 厚さ１５−まで鏡面仕上げを行
う。
しかし、磁気ディスクの基板に＾！合金を用いるときは
、上述のような加工工程を避けることができず、したが
ってこれが磁気ディスクのコストを高める要因となって
いる。そこで磁気ディスクのコスト低減を図るためには
、基板のり合金に代わり、軽量で強く、加工時間が少な
（て済む材料としてプラスチックを使用することが考え
られる。
、上述のような加工工程を避けることができず、したが
ってこれが磁気ディスクのコストを高める要因となって
いる。そこで磁気ディスクのコスト低減を図るためには
、基板のり合金に代わり、軽量で強く、加工時間が少な
（て済む材料としてプラスチックを使用することが考え
られる。
例えばアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂１ポリエー
テルイミドなどの熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂ある
いは本出願人の特許出願に係る特願昭６２−１０４０９
３号記載の不飽和ポリエステル樹脂などがその材料とし
て挙げることができる。
テルイミドなどの熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂ある
いは本出願人の特許出願に係る特願昭６２−１０４０９
３号記載の不飽和ポリエステル樹脂などがその材料とし
て挙げることができる。
しかし、プラスチック基板にはそり変形の大きいという
問題がある。すなわち、プラスチック基板の成形方法と
して、その合理性から一般に射出成形法が採用されてい
るが、この方法で得られる基板には、成形時の樹脂の金
型キャビティに熔融流動しつつ充填していく過程での樹
脂の配向性や、金型キャビティから離型させる際に負荷
されるエジェクトビンなどの外部応力によってそり変形
が発生する。
問題がある。すなわち、プラスチック基板の成形方法と
して、その合理性から一般に射出成形法が採用されてい
るが、この方法で得られる基板には、成形時の樹脂の金
型キャビティに熔融流動しつつ充填していく過程での樹
脂の配向性や、金型キャビティから離型させる際に負荷
されるエジェクトビンなどの外部応力によってそり変形
が発生する。
本発明者らの経験によれば、直径１００ｍ、厚さ１．２
７ｍの基板を熱可塑性樹脂で作成すると、そり変形を第
１図に示したｄ、、ｄ、を用い、直径をＤとして１り変
形度Ｗ −（ｄ ＋ ＋ ｄ ｔ）／ ２ Ｄ Ｘ１
００（％）であられしたとき、０．５〜１％程度である
。
７ｍの基板を熱可塑性樹脂で作成すると、そり変形を第
１図に示したｄ、、ｄ、を用い、直径をＤとして１り変
形度Ｗ −（ｄ ＋ ＋ ｄ ｔ）／ ２ Ｄ Ｘ１
００（％）であられしたとき、０．５〜１％程度である
。
これを、後加熱処理などを併用しそり変形を修正しても
そり変形度Ｗは０．０５〜０．１％程度である。
そり変形度Ｗは０．０５〜０．１％程度である。
また直径９５ｆｌ、厚さ１．．２７ｕの不飽和ポリエス
テル樹脂基板の場合は、成形板を室内に２４時間以上放
置後そり変形度Ｗを測定した。その結果は０．２〜０．
５％の範囲で平均０．３％であった。いずれの場合も、
磁気ディスク基板の要求する０、０１％のそり変形［Ｗ
の値を得ることは困難である。
テル樹脂基板の場合は、成形板を室内に２４時間以上放
置後そり変形度Ｗを測定した。その結果は０．２〜０．
５％の範囲で平均０．３％であった。いずれの場合も、
磁気ディスク基板の要求する０、０１％のそり変形［Ｗ
の値を得ることは困難である。
本発明の課題は、上記の実情に鑑み、プラスチックを材
料として用いてもそり変形が少なく、かつ表面粗さなど
その他の要求性能を満足する磁気ディスク基板の製造方
法を提供することにある。
料として用いてもそり変形が少なく、かつ表面粗さなど
その他の要求性能を満足する磁気ディスク基板の製造方
法を提供することにある。
上記の！！題の解決のために、本発明の方法は、ガラス
転移温度１００℃以下の不飽和ポリエステル樹脂を結合
剤とし、無機質充填剤を含有する樹脂組成物を用いて加
熱成形後、成形体を平板間にはさんで樹脂のガラス転移
温度以上、成形時の加熱温度以下の温度に加熱し、平板
間に圧力を加えて整形するものとする。
転移温度１００℃以下の不飽和ポリエステル樹脂を結合
剤とし、無機質充填剤を含有する樹脂組成物を用いて加
熱成形後、成形体を平板間にはさんで樹脂のガラス転移
温度以上、成形時の加熱温度以下の温度に加熱し、平板
間に圧力を加えて整形するものとする。
ガラス転移とは、軟らかいゴム状を呈する高分子を冷却
し、ある温度に達すると分子のミクロブラウン運動が凍
結されてガラス状態に移行する現象をいう、ガラス転移
温度（以下Ｔｇで表わす）は、ゴム状領域表ガラス状領
域の境界の温度をいう。
し、ある温度に達すると分子のミクロブラウン運動が凍
結されてガラス状態に移行する現象をいう、ガラス転移
温度（以下Ｔｇで表わす）は、ゴム状領域表ガラス状領
域の境界の温度をいう。
そして基板に成形後、平板ではさんで加圧しながら成形
時の温度よりは低く、樹脂の７ｇ以上に加熱すると、そ
の時の基板の状態は軟らかなゴム状を呈しており、かつ
分子のミクロブラウン運動も活発な状態にあり、このた
め成形加工条件によって発生する内部応力や金型からの
基板離型の際のエジェクトピン機構などの外部応力に起
因して発生するそり変形が容易に矯正される。しがしＴ
ｇが高くなると樹脂が硬くなりすぎて脆くなること、ま
たそり矯正温度が高くなり、熱劣化が起こるおそれがあ
るので７ｇ１００℃以下の樹脂が望ましい。
時の温度よりは低く、樹脂の７ｇ以上に加熱すると、そ
の時の基板の状態は軟らかなゴム状を呈しており、かつ
分子のミクロブラウン運動も活発な状態にあり、このた
め成形加工条件によって発生する内部応力や金型からの
基板離型の際のエジェクトピン機構などの外部応力に起
因して発生するそり変形が容易に矯正される。しがしＴ
ｇが高くなると樹脂が硬くなりすぎて脆くなること、ま
たそり矯正温度が高くなり、熱劣化が起こるおそれがあ
るので７ｇ１００℃以下の樹脂が望ましい。
液状不飽和ポリエステル樹脂として、注型品でのＴｇあ
るいは熱変形温度が９０’Ｃの市販の無収縮性不飽和ポ
リエステル樹脂を用い、その２０重量部に触媒として適
量の有機過酸化物、無機質充填剤として炭酸カルシウム
７５重量部、その他離型剤、粘度Ｉ節剤、繊維基材など
を適当量配合し、混練機を用いた通常の方法によってパ
テ状のコンパウンドとしたのち、これをシリンダ設定１
ｒＸｓｏ℃、金型設定温度１５０℃、成形サイクル１分
の条件で射出成形して、外径９５ｆｉ、厚さ１．２７ｍ
中心に径２５ｍの穴の開いたプラスチック基板を得た。
るいは熱変形温度が９０’Ｃの市販の無収縮性不飽和ポ
リエステル樹脂を用い、その２０重量部に触媒として適
量の有機過酸化物、無機質充填剤として炭酸カルシウム
７５重量部、その他離型剤、粘度Ｉ節剤、繊維基材など
を適当量配合し、混練機を用いた通常の方法によってパ
テ状のコンパウンドとしたのち、これをシリンダ設定１
ｒＸｓｏ℃、金型設定温度１５０℃、成形サイクル１分
の条件で射出成形して、外径９５ｆｉ、厚さ１．２７ｍ
中心に径２５ｍの穴の開いたプラスチック基板を得た。
この成形基板を室内に２４時間放置後、そり変形度Ｗを
測定した。その結果は、従来の技術として述べたように
平均０．３％で０．２〜０．５％の範囲であった。
測定した。その結果は、従来の技術として述べたように
平均０．３％で０．２〜０．５％の範囲であった。
この基板を、表面粗さおよび平面性の良好な２枚の金属
板の間にはさみ、温度１２０ ℃で２時間加熱後、金属
板を介して上下に加圧荷重をかけ、１２０℃中に１６時
間放置後室温まで徐冷した。その結果、そり変形度Ｗは
平均値で０．０１％以下となり、そり変形の極めて小さ
な基板が得られた。また、この基板の表面粗さは、中心
線平均粗さＲ、＝ ０．０Ｉｎ。
板の間にはさみ、温度１２０ ℃で２時間加熱後、金属
板を介して上下に加圧荷重をかけ、１２０℃中に１６時
間放置後室温まで徐冷した。その結果、そり変形度Ｗは
平均値で０．０１％以下となり、そり変形の極めて小さ
な基板が得られた。また、この基板の表面粗さは、中心
線平均粗さＲ、＝ ０．０Ｉｎ。
最大高さＲ，、、−０，１５μ層で基準を満足した。
不飽和ポリエステル樹脂は、一般に市販されているもの
でＴｇが約１４５℃程度までのものがある。
でＴｇが約１４５℃程度までのものがある。
しかし前述のような理由でＴ、には上限があり、Ｔｇが
７０〜９０℃の範囲のものが使いやす＜ 、Ｔｇより３
０℃以上高い温度で加熱処理するとよい結果が得られる
、加熱温度が低いとその効果は小さい。
７０〜９０℃の範囲のものが使いやす＜ 、Ｔｇより３
０℃以上高い温度で加熱処理するとよい結果が得られる
、加熱温度が低いとその効果は小さい。
本発明によれば、プラス千ツク磁気ディスク基板の製造
のための樹脂組成物の結合媒体として熱硬化性樹脂の不
飽和ポリエステル樹脂の７１１００℃以下のものを用い
、成形後結合媒体用樹脂のＴｇＪｕ上の温度で平行板間
で加熱し、加圧してそりを修正することにより、磁気デ
ィスク基板で許容される小さいそり変形度をもち、かつ
加圧のための板の表面粗さに対応した表面粗さなどの特
性を有する基板を製造することができた。
のための樹脂組成物の結合媒体として熱硬化性樹脂の不
飽和ポリエステル樹脂の７１１００℃以下のものを用い
、成形後結合媒体用樹脂のＴｇＪｕ上の温度で平行板間
で加熱し、加圧してそりを修正することにより、磁気デ
ィスク基板で許容される小さいそり変形度をもち、かつ
加圧のための板の表面粗さに対応した表面粗さなどの特
性を有する基板を製造することができた。
本発明は、熱硬化性樹脂を結合材とした基板であるから
実施できる。熱可塑性樹脂では、加熱すると軟化し、外
力を加えて変形あるいは流動させることができる性質を
もち、７ｇ以上では軟化傾向が著しく、基板の形状安定
性などに影響するから本発明のような方法でそり変形度
を低くすることはできない。
実施できる。熱可塑性樹脂では、加熱すると軟化し、外
力を加えて変形あるいは流動させることができる性質を
もち、７ｇ以上では軟化傾向が著しく、基板の形状安定
性などに影響するから本発明のような方法でそり変形度
を低くすることはできない。
Claims (1)
- １）ガラス転移温度１００℃以下の不飽和ポリエステル
樹脂を結合剤として無機質充填剤を含有する樹脂組成物
を用いて加熱成形後、成形体を平板間にはさんで樹脂の
ガラス転移温度以上、成形時の加熱温度以下の温度に加
熱し、平板間に圧力を加えて整形することを特徴とする
磁気ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6542788A JPH01237932A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6542788A JPH01237932A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01237932A true JPH01237932A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13286776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6542788A Pending JPH01237932A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01237932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998049678A1 (en) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Iomega Corporation | Temperature treatment of flexible media for their dimensional stability |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6542788A patent/JPH01237932A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998049678A1 (en) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Iomega Corporation | Temperature treatment of flexible media for their dimensional stability |
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