JPH01239028A - ガラス膜堆積装置 - Google Patents
ガラス膜堆積装置Info
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- JPH01239028A JPH01239028A JP6367888A JP6367888A JPH01239028A JP H01239028 A JPH01239028 A JP H01239028A JP 6367888 A JP6367888 A JP 6367888A JP 6367888 A JP6367888 A JP 6367888A JP H01239028 A JPH01239028 A JP H01239028A
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- glass
- film thickness
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- glass film
- laser light
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Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 5
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光を導波するためのガラス膜を基板上にIIL
債さぜるガラス膜堆積装置に関するものである。
債さぜるガラス膜堆積装置に関するものである。
[従来の技術]
第2図は光導波路ないし導波路型の光素子を製作するた
めの従来のガラス膜堆積装置例を示す。
めの従来のガラス膜堆積装置例を示す。
1はガラス微粒子を生成するバーナである。バーナ1に
は燃焼用ガスブランチ2、助燃用ガスブランチ3、ガラ
ス原料用ガスブランチ4が連結されている。燃焼用ガス
ブランチ2には水素(H,)が供給され、助燃用ガスブ
ランチ3には、酸素(0□)が、また、ガラス原料用ガ
スブランチ4には、S i Cj 4 、 PCj 3
、 BCJ s等のハロゲン化物が供給される。バー
ナ1は、水素と酸素により生じた酸水素火炎5の中で、
前述のハロゲン化物が加水分解反応を起し、ガラス微粒
子を生成する。加水分解反応によって生じたH Cj等
のガスは排気管8によって排気される。
は燃焼用ガスブランチ2、助燃用ガスブランチ3、ガラ
ス原料用ガスブランチ4が連結されている。燃焼用ガス
ブランチ2には水素(H,)が供給され、助燃用ガスブ
ランチ3には、酸素(0□)が、また、ガラス原料用ガ
スブランチ4には、S i Cj 4 、 PCj 3
、 BCJ s等のハロゲン化物が供給される。バー
ナ1は、水素と酸素により生じた酸水素火炎5の中で、
前述のハロゲン化物が加水分解反応を起し、ガラス微粒
子を生成する。加水分解反応によって生じたH Cj等
のガスは排気管8によって排気される。
一方、ターンテーブル6の中心から雇れた周辺部に複数
の基板7を配置し、バーナ1より発するガラス1紋粒子
をこれらの基板7に堆積する。ターンテーブル6は、回
転運動と並進運動が可能であリ、これにより基板7に均
一な厚さのガラス微粒子を堆積できるようになっている
。このような装置におけるガラス微粒子の絶対的な膜厚
は、■バ、−す1に供給するガラス原料用ガスの流量、
■ガラス化効率、■堆積時間、等により決定される4こ
のため、理論的又は実験的に所望の膜厚が得られるよう
な条件設定を予め行い、この条件下で上記3つの要素の
制御を行っている。
の基板7を配置し、バーナ1より発するガラス1紋粒子
をこれらの基板7に堆積する。ターンテーブル6は、回
転運動と並進運動が可能であリ、これにより基板7に均
一な厚さのガラス微粒子を堆積できるようになっている
。このような装置におけるガラス微粒子の絶対的な膜厚
は、■バ、−す1に供給するガラス原料用ガスの流量、
■ガラス化効率、■堆積時間、等により決定される4こ
のため、理論的又は実験的に所望の膜厚が得られるよう
な条件設定を予め行い、この条件下で上記3つの要素の
制御を行っている。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、先導波路や導波路型の光素子を製作する場合
、膜厚の絶対値は重要なパラメータであり、精度の良い
膜厚が要求される。しかし、バーナに供給するガラス原
料用ガスの流量、ガラス化効率及び堆積時間によってガ
ラス微粒子の膜厚を制御している従来の装置では、ガラ
ス原料用ガスの流量及びガラス化効率を一定になるよう
に制御しても、これら流量及び効率の変動が避けられな
い。このため、たとえ所定の膜厚になるための条件を予
め正確に求めてこれと同一の設定条件下にしたとしても
、膜厚を精度良く制御することができなかった。
、膜厚の絶対値は重要なパラメータであり、精度の良い
膜厚が要求される。しかし、バーナに供給するガラス原
料用ガスの流量、ガラス化効率及び堆積時間によってガ
ラス微粒子の膜厚を制御している従来の装置では、ガラ
ス原料用ガスの流量及びガラス化効率を一定になるよう
に制御しても、これら流量及び効率の変動が避けられな
い。このため、たとえ所定の膜厚になるための条件を予
め正確に求めてこれと同一の設定条件下にしたとしても
、膜厚を精度良く制御することができなかった。
本発明の目的は、膜厚を監視することによって、前記し
た従来技術の欠点を解消し、ガラス原料用ガス流量及び
ガラス化効率が変動しても、堆積するガラス微粒子の膜
厚の精度を大幅に向上することができるガラス[堆積装
置を提供することにある。
た従来技術の欠点を解消し、ガラス原料用ガス流量及び
ガラス化効率が変動しても、堆積するガラス微粒子の膜
厚の精度を大幅に向上することができるガラス[堆積装
置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明のガラス膜堆積装置は、回転及び並進運動を行う
ターンテーブルに配置した基板にバーナで生成されるガ
ラス膜堆積装置において、レーザ光源とレーザ光の強さ
を検出する検出器とを錨えている。この検出器でレーザ
光源から基板及びその上に形成されたガラス膜を透過し
て減衰するレーザ光の強さと、レーザ光源からのレーザ
光の強さとを検出する。これら検出値を制御器に導いて
、減衰量からガラス膜厚を算出し、その算出値に基づく
信号によってターンテーブルの回転又は並進運動の制御
を行うように構成されている。
ターンテーブルに配置した基板にバーナで生成されるガ
ラス膜堆積装置において、レーザ光源とレーザ光の強さ
を検出する検出器とを錨えている。この検出器でレーザ
光源から基板及びその上に形成されたガラス膜を透過し
て減衰するレーザ光の強さと、レーザ光源からのレーザ
光の強さとを検出する。これら検出値を制御器に導いて
、減衰量からガラス膜厚を算出し、その算出値に基づく
信号によってターンテーブルの回転又は並進運動の制御
を行うように構成されている。
[作用]
レーザ光源から出たレーザ光は、ガラス膜を通過すると
きに、ガラス膜に吸収されなり散乱したりして減衰する
。このときの減衰の程度は、レーザ光源からのレーザ光
の強さとガラス膜の厚さの関数になっている0本発明は
この原理を利用している。検出器で検出された透過光と
参照光とが制御器に導かれると、減衰の程度が測定され
、その結果ガラス膜厚が算出される。このガラス膜厚値
に基づく信号が制御器からターンテーブルの回転又は並
進運動手段に供給され、ガラス膜厚が所定値になるよう
にターンテーブルが制御される。
きに、ガラス膜に吸収されなり散乱したりして減衰する
。このときの減衰の程度は、レーザ光源からのレーザ光
の強さとガラス膜の厚さの関数になっている0本発明は
この原理を利用している。検出器で検出された透過光と
参照光とが制御器に導かれると、減衰の程度が測定され
、その結果ガラス膜厚が算出される。このガラス膜厚値
に基づく信号が制御器からターンテーブルの回転又は並
進運動手段に供給され、ガラス膜厚が所定値になるよう
にターンテーブルが制御される。
[実施例コ
本発明の一実施例である第1図を用いて説明する。
ガラス微粒子の堆積装置は基本的には従来と同じであり
、従って同一部分には同一符号を付して説明を省略する
。異なる点は、実時間で膜厚を測定しながらガラス微粒
子を堆積することにある。
、従って同一部分には同一符号を付して説明を省略する
。異なる点は、実時間で膜厚を測定しながらガラス微粒
子を堆積することにある。
ターンテーブル6には、レーザ光源たとえばHe−Ne
レーザ光121から出たレーザ光を通過させる孔26が
設けられており、その上にガラス膜が堆積されるべき基
板7を配置する。
レーザ光121から出たレーザ光を通過させる孔26が
設けられており、その上にガラス膜が堆積されるべき基
板7を配置する。
出力光の単色性、指向性に優れているレーザを使うこと
により、酸水素火炎の影響は排除される。
により、酸水素火炎の影響は排除される。
He−Neレーザ光′a21から出るレーザ光を分光す
るハーフミラ22とモニタ用検出器24とをターンテー
ブル6を挾んで対向させて配置する一方、参照用検出器
23とHe−Neレーザ光源21とをハーフミラ22を
挾んで対向させて配置する。He−Neレーザ光源21
から出た光はハーフミラ22を通り2分された後、一方
は参照信号として参照用検出器23に入る。他方の光は
ターンテーブル6に設けられた孔26を通過し、基板7
の裏面より入射し、ガラス微粒子膜を透過した後、モニ
タ用検出器24で受光される。ガラス微粒子膜を透過し
てきた光は、ミー散乱により減衰し、その減衰量は、膜
厚に依存する。
るハーフミラ22とモニタ用検出器24とをターンテー
ブル6を挾んで対向させて配置する一方、参照用検出器
23とHe−Neレーザ光源21とをハーフミラ22を
挾んで対向させて配置する。He−Neレーザ光源21
から出た光はハーフミラ22を通り2分された後、一方
は参照信号として参照用検出器23に入る。他方の光は
ターンテーブル6に設けられた孔26を通過し、基板7
の裏面より入射し、ガラス微粒子膜を透過した後、モニ
タ用検出器24で受光される。ガラス微粒子膜を透過し
てきた光は、ミー散乱により減衰し、その減衰量は、膜
厚に依存する。
このミー散乱のウェイトを大きくするなめ、本実施例で
は特にレーザ光源としてガラス微粒子と同程度の光の波
長を持つHe −N eレーザを採用している。減衰量
の関数となる。
は特にレーザ光源としてガラス微粒子と同程度の光の波
長を持つHe −N eレーザを採用している。減衰量
の関数となる。
膜厚dは次式によって与えられる。
d−C10g (V2/v、)・・・・・・(1)ここ
で、Cは定数、V2は参照用検出器23の電圧、vlは
モニタ用検出器24のピーク電圧である。
で、Cは定数、V2は参照用検出器23の電圧、vlは
モニタ用検出器24のピーク電圧である。
ターンテーブル6が回転するため、モニタ用検出器24
によって受信される電圧は矩形波となる。
によって受信される電圧は矩形波となる。
なお、He−Neレーザ光源21、ハーフミラ22、参
照用検出器23及びモニタ用検出器24は、ターンテー
ブル6と同期して並進運動するようになっている。
照用検出器23及びモニタ用検出器24は、ターンテー
ブル6と同期して並進運動するようになっている。
モニタ用検出!a24と参照用検出器23との各検出値
が共に導かれる制御器としての膜厚コントローラ25に
は、ピーク検出器及び演算器が内蔵されており、ピーク
検出器によりモニタ用検出器24によって受けた矩形波
のピーク値■1を検出する。また、このピーク値v1と
参照用検出器23の電圧V2とから (1)式の値を演
算器を用いて算出することにより、実時間で膜厚を測定
する。
が共に導かれる制御器としての膜厚コントローラ25に
は、ピーク検出器及び演算器が内蔵されており、ピーク
検出器によりモニタ用検出器24によって受けた矩形波
のピーク値■1を検出する。また、このピーク値v1と
参照用検出器23の電圧V2とから (1)式の値を演
算器を用いて算出することにより、実時間で膜厚を測定
する。
この測定された膜厚に基づく信号は、ターンテーブル6
の回転駆動手段及び並進駆動手段(図示せず)に供給さ
れ、回転速度又は並進速度を変更したり、或いは所定膜
厚に遠したとき膜成長を終了すべく駆動手段によってタ
ーンテーブル6をバーナ1から離間させる。この場合、
回転又は並進のいずれか一方を制御しても、或いは両方
を同時に制御してもよい。これら制御が堆積時間の制御
に相当する。
の回転駆動手段及び並進駆動手段(図示せず)に供給さ
れ、回転速度又は並進速度を変更したり、或いは所定膜
厚に遠したとき膜成長を終了すべく駆動手段によってタ
ーンテーブル6をバーナ1から離間させる。この場合、
回転又は並進のいずれか一方を制御しても、或いは両方
を同時に制御してもよい。これら制御が堆積時間の制御
に相当する。
なお、ガラス原料用ガス流量及びガラス化効率は図示し
ないガス流量制御部によって従来通り制御される。
ないガス流量制御部によって従来通り制御される。
以上により、膜厚を測定しながらガラス微粒子を堆積す
るため、精度良い膜厚制御が可能となる。
るため、精度良い膜厚制御が可能となる。
[発明の効果]
本発明によればレーザ光の透過によってガラス膜厚を実
時間で測定し、その測定結果に基づいてターンテーブル
を制御するようにしたので、ガラス原料用ガス流量やガ
ラス化効率が変動しても、精度の高い膜厚制御が可能と
なる。その結果特性の優れた光導波路ないし光導波路型
素子か得られる。
時間で測定し、その測定結果に基づいてターンテーブル
を制御するようにしたので、ガラス原料用ガス流量やガ
ラス化効率が変動しても、精度の高い膜厚制御が可能と
なる。その結果特性の優れた光導波路ないし光導波路型
素子か得られる。
第1図は本発明のガラス孜堆積装置の一実施例を示す構
成図、第2図は従来のガラス膜堆積装置例を示す構成図
である。 図中、Iはバーナ、6はターンテーブル、7は基板、2
1はHe −N eレーザ光源、23は参照用検出器、
24はモニタ用検出器、25は膜厚コントローラ(制御
器)である。
成図、第2図は従来のガラス膜堆積装置例を示す構成図
である。 図中、Iはバーナ、6はターンテーブル、7は基板、2
1はHe −N eレーザ光源、23は参照用検出器、
24はモニタ用検出器、25は膜厚コントローラ(制御
器)である。
Claims (1)
- 1、回転及び並進運動を行うターンテーブルに配置した
基板にバーナで生成されるガラス微粒子を堆積させてガ
ラス膜を形成するガラス膜堆積装置において、レーザ光
源とレーザ光の強さを検出する検出器とを備え、レーザ
光源から基板及びガラス膜を透過して減衰するレーザ光
の強さと、レーザ光源からのレーザ光の強さとを上記検
出器で検出し、これら検出値を制御器に導いて、減衰量
からガラス膜厚を算出し、その算出値に基づく信号によ
ってターンテーブルの回転又は並進運動の制御を行うこ
とを特徴とするガラス膜堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6367888A JPH01239028A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス膜堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6367888A JPH01239028A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス膜堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239028A true JPH01239028A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13236262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6367888A Pending JPH01239028A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス膜堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01239028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010099086A (ko) * | 2001-08-28 | 2001-11-09 | 권순창 | 화염가수분해 증착장치의 토치와 턴테이블 제어방법 |
| US6338775B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-01-15 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates |
| EP1409763B1 (fr) * | 2000-11-16 | 2011-09-28 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Procede et dispositif de depot de couches minces |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6367888A patent/JPH01239028A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6338775B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-01-15 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates |
| EP1409763B1 (fr) * | 2000-11-16 | 2011-09-28 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Procede et dispositif de depot de couches minces |
| KR20010099086A (ko) * | 2001-08-28 | 2001-11-09 | 권순창 | 화염가수분해 증착장치의 토치와 턴테이블 제어방법 |
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