JPH01239038A - 金属基体被覆用ガラスセラミック - Google Patents

金属基体被覆用ガラスセラミック

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JPH01239038A
JPH01239038A JP1024989A JP2498989A JPH01239038A JP H01239038 A JPH01239038 A JP H01239038A JP 1024989 A JP1024989 A JP 1024989A JP 2498989 A JP2498989 A JP 2498989A JP H01239038 A JPH01239038 A JP H01239038A
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正樹 池田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は金属基体上にガラスセラミックを被覆してなる
基板、特にその基板上に厚膜印刷法によって、微細配線
パターンを施した基板を提供することのできるガラスセ
ラミックに関する。
従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドI″Cやプリント回路基板には
、アルミナ基板やガラスエポキシ基板が用いられていた
。アルミナ基板の欠点は機械的強度が弱く、かつ大型の
基板の製造が困難である。他方、ガラスエポキシ基板は
、安価で大量生産に向いているが、耐熱性が悪く、回路
形成に用いられる材料(厚膜ペーストは焼成温度が80
0〜900°Cの材料が多い)が低温用に限られること
、製品の使用環境が400°C以下という制限があった
。
これらの問題点を解決、する方法として、金属基材にガ
ラス質層を被覆した、いわゆるほうろう絶縁基板が提案
された。まず第一の提案は、アルカリ金属酸化物(N 
a 20+  K2O1L120)の量が比較的少ない
非晶質ガラスをほうろう絶縁層とした基板である。この
タイプの絶縁基板の欠点は(a)はうろう絶縁層を繰り
返し焼成すると、はうろう絶縁層が再軟化すること、(
b)アルミナ基板に比べて、高温時の電気絶縁性に劣る
こと、(C)高温中で長時間、電圧を印加すると、アル
カリイオンのマイグレーションによって、回路網に悪影
響を及ぼす、(d)ペースト焼成時の凝集力によって、
印刷回路の寸法が焼成前後において収縮することなど:
絶縁層の再軟化性、電気絶縁性、信頼性、回路の精度に
問題があった。
これに対し、第二の提案は結晶化ガラスをほうろう絶縁
層とするという試みである。例えば、特開昭5G−73
G43号公報に開示されているように、6〜25モル%
のBa0130〜60モル%の金属酸化物(MgO,Z
nO,CaOの群がら選ばれる1または2以上の混合物
)、13〜35モル%(7)B203.10〜25モル
%の5jo2の組成かうなる結晶化ガラスを鋼板上に被
覆したほうろう絶縁基板は800〜900°Cでペース
トを印刷し、繰り返し焼成しても、はうろう層の再軟化
が起こらず、また無アルカリガラスであるため、電気絶
縁性、信頼性に優れており、第一の提案を完全に超える
ものであった。
なお、第2の提案のモル%で表わされた範囲を完全に重
量%で変換することはできないが、実施例を参照して重
量%で概算すると、Ba0=16〜50%、MgO=1
8〜42%、CaO=0〜11%、Zn0=0〜11%
、CaO+Zn0=0〜11%+  8203= 12
〜34%、S i 02= 10〜23%、ZrO2二
〇〜5%、A12O3=o〜5%、  S n O2=
 0〜5%、  Zr○2+Al2O5+5nO2=0
〜5%である。以下、成分量は重量%で統一する。
発明が解決しようとする課題 第2の提案の問題点としては、(a)耐熱性に劣る、(
b)耐薬品性に劣る、(C)表面粗度が大きく、微細配
線用基板としては不適である、などがあげられる。
これらの欠点(a)、(b)については、特開昭58−
104042号公報及び特開昭GO−172102号公
報に開示しであるような、ガラス成分組成で改善しよう
とする試みもなされているが、未だ実用には供されてい
ない。その理由は、第2の提案よりも極端に表面粗度が
大きくなり、厚膜印刷用回路基板としては使用できなか
ったからである。というのは、こノヨうすM g O−
B a〇−B20asio2系ツカラスは800〜90
0°Cで焼成すると、Ba552MgO・2S102.
2M g O” B20,3(7)結晶相が析出する性
質があり、ガラス組成によっては、結晶粒が著しく肥大
化したり、析出量が異常に多くなったりするために、基
板の表面粗度が大きくなるためである。第2図はその様
子を示したものである。
近年、ICの高密度化、実装技術の進歩によって、基板
上への回路形成の要求は、ますます高密度化、高集積化
、微細化志向になってきている。
たとえばサーマルヘッドでは、電極幅が30μm以下、
電極間隔も200μm以下の高密度微細パターンが要求
されている。この要求に対して、従来のガラスセラミッ
クは表面粗度が大きすぎて、対応ができず、基板をラッ
プポリッシュすることにより対応していた。これでは、
はうろう基板の特徴の一つである低コスト化を満足する
ことができなかった。
本発明は、上記の問題点である耐熱性、耐薬品性および
表面平滑性に優れたほうろう絶縁基板を提供するガラス
セラミック材料に関するものである。
課題を解決するための手段 本発明の金属基体被覆用ガラスセラミンクは、重量%で
、La2O3またはCe 02= 3〜40%、MgO
=20〜50%、  CaO=1〜20%、 Bao=
o 〜15%、  B20a” 10〜30%+  5
i02=8〜20%、MO2(MはT 11Z L  
S nの少なくとも1種)=0〜S%、P2O6=0〜
5%からなることを特徴とする。
作用 上記組成のガラスセラミックにすることにより、従来に
比べ、耐熱性、耐薬品性が向上するだけでなく、第1図
にしめすように、表面平滑性も著しく向上し、高密度微
細パターンを形成することのできる基板として適用する
ことが可能となる。
実施例 まず、本発明に用いられる各工程を簡単に説明する。
(1)ガラス原料の調合工程 所望の組成になるようにLa20a、Ce 02、Mg
cO3+  CaCO3+  BaCO5,H2BO3
1S iO2等を秤量し、ブレンダーで充分混合する。
なおM g CO3は嵩比重が非常に高いので、原料に
適当な水を添加し、ペレッターなどでペレット化する方
が、原料を粉体状で供給するよりも、ガラスの均質性、
溶融条件の安定性の観点から好ましい。
(2)ガラスの溶融工程 本発明のガラスは基本的には、アルカリ成分を含んでい
ないため、その溶融温度は通常のガラスよりも高(14
00〜1500℃で溶融される。そのため使用する坩堝
は白金坩堝が基本であるが、ジルコン坩堝、黒鉛坩堝も
使用可能である。また生産量が増えれば、連続溶七炉を
用いる方が望ましい。
坩堝で溶融されたガラス溶融物の冷却方法としては、水
中急冷法、水冷ローラ急冷法のどちらでもよいが、ガラ
スの安定性の観点から、ローラ急冷法が好ましい。
(3)金属基体の種類と前処理工程 本発明に使用される金属基体はほうろう用鋼板、ステン
レス鋼板、ニッケルークロム−鉄、ニッケルー鉄、コバ
ール、インバーなどの各種合金、CUクラッド材などで
ある。
これら金属基体はガラスセラミンクの密着性を向上させ
る目的で、表面脱脂された後、ニッケル、コバルト、ク
ロムなどの各種メツキを施したり、熱酸化処理によって
酸化被膜を形成したりする。
(4)ガラスセラミックの被覆工程 工程(2)で得られたガラスを工程(3)の金属基体上
に被覆する方法として、通常のスプレー法、粉体静電塗
装法、電気泳動電着法があるが、被膜の緻密さ等を考え
た場合、電着法が最も好ましかった。
この方法はガラスとアルコール及び少蛍の水を入れてボ
ールミル中で約20時間粉砕、混合し、ガラス平均粒径
を1〜5μm程度にする。得られたスラリーを電解槽に
いれ、スラリーを循環する。
工程(3)で準備された金属基体を、このスラリー中に
浸漬し、100〜400Vで陰分極させることにより、
金属基体表面上に、ガラス粒子を析出させる。これを乾
燥後、850〜900℃で約10〜30分間焼成する。
これらの工程によって、金属基体上にカラスセラミック
が被覆形成される。
次に具体的な実施例であるが、第1表は本発明および比
較例のガラスを溶融し、前述した工程にしたがって、5
US430基体(50mmX50mmX0.8mm)の
表面に、厚さ100μmのガラスセラミック層を電気泳
動電着し、900″Cで10分間焼成したサンプルの表
面粗度、うねり性、耐熱性、耐酸性、印刷精度などにつ
いて調べた結果を示したものである。また第3表は本発
明の実施例につき同様に示した。
ここで表面粗度はタリサーフ表面粗さ計で測定し中心線
平均粗さRaで、うねり性は目安として最大高さRma
xで表わした。
耐熱性は基板を920°Cの電気炉に10分入れ、取り
出して30分室温に放置するサイクルを繰り返すスポー
リングテストを行って、ガラスセラミック層のクラック
や剥離の発生を調べた。クラックは基板を赤インキ中に
浸せき後、取り出して余分なインキをエアガンで除去し
て観察した。表中のO△×は、Oが10サイクル以上行
なってもクラックやネリ離の発生がなかったもの、△が
S〜9サイクル耐えたもの、×が4サイクル以下で発生
し第2表 第3表(続き) たものを示す。
耐酸性は基板を、5%のクエン酸水溶液中に60°C1
30分浸漬して調べ、○は10mg/cm2以下の減量
を、△が11〜20mg/cm2のそれを、×が20 
m g /am2以上のそれを示し、小さいものほど耐
酸性がよいことを示す。
また印刷精度の評価は、基板に厚膜印刷法、フォトレジ
スト法を用いて、30μm幅の金電極をちどり状に6本
/mmの割合で形成し、さらにその上に幅300μmの
酸化ルテニウム抵抗体を形成して、電極間の抵抗値を測
定した。そのときの電極間の抵抗ばらつきが10%以内
のものを0110〜20%のものを△、20%以上のも
のを×とした。
以上の評価に基づき総合評価を最下欄に、◎O△×で示
した。
第1表に於てN、NO,1〜7は他の成分を一定として
、5i02/B20tを変化させたもの、N008〜1
3は5iCh/B2O3をほぼ一定にし、MgOffi
を変化させたものN  N o 、14〜18は同じく
CaO量を変化させたもの、NO,19〜24は同じ<
La20a量を変化させたもの、N o 、25〜26
はBaO量を変化させたもの、No、27〜32はZr
C)++  TiCh、5riO2+  Al2O3、
P2O6を添加したときの影響である。なお比較例とし
てN o 、33は特開昭5Ei−73G43号公報、
No、34は特開昭58−104042号公報、No、
35は特開昭80−172102号公報に開示されたも
のの評価結果を示した。
第1表から明らかなように、5joaを増加していけば
、耐熱性、耐酸性は向上するが、表面粗度が大きくなり
、微細印刷に不適となる。逆にB2O3を増加していけ
ば、たしかに表面平滑性は向上するが、耐酸性、耐熱性
は低下する。従って、SiO2は8〜20%、B2O3
は10〜30%が使用できるが、より望ましくはSiO
3が10〜20%、B 203が15〜25%で、その
比SiO2/B2O3が0.25〜1.0の範囲内が総
合的に好ましい。
MgOは結晶性と相関があり20%より少ないと結晶析
出が不十分で、耐熱性に劣る。また50%より多いと、
ガラス溶融時にも容易に結晶化し、均質なガラスを得る
ことが難しくなるとともに、表面粗度が大きくなり、か
つ微細パターンの印刷性も悪くなる。したがってより望
ましくは20〜40%が総合的に好ましい。
CaOはガラスの耐酸性を向上させ、かつ基板の表面平
滑性を向上させる働きをする。第3図はガラスに含まれ
るBad/ (BaO+CaO)を変化させたガラス(
その組成は表2のNo、3f3〜40に示した)を用い
た基板の、前述のクエン酸に対する耐酸性を調べたもの
である。Bad/(BaO+CaO)が小さくなるにし
たがい減量が小さく、耐酸性に優れていることを意味す
る。
また第4図はNo、36と40のガラスを用いた基板を
、室温にて5%の王水に浸漬した時の減量を調べたもの
である。No、36のほうが減量が小さく、耐酸性に優
れていることを意味する。以上よりCaOはガラスの耐
酸性を向上させる働きを有し、BaOにはそのような働
きがないことがわかる。
また第5図はNo、36と40のガラスを用いた基板の
、焼成温度と、表面平滑性の尺度として中心線平均粗さ
Raの関係を調べたものでNN0−40の場合820°
C以上の焼成でRaが極端に大きくなる。市販の厚膜ペ
ーストの焼成温度は810〜850 ’Cのものが多い
ので、一般に基板の焼成温度はこれ以上にしておく必要
がある。例えば基板の焼成温度を900°Cとすると、
Raは0.35μmとなり、この上に厚膜ペーストを0
.3μmの厚さに印刷すると回路の断線を生じることに
なる。−方No、36の場合ぼ900 ’Cで焼成して
もRaは0.08μmであり、この上に厚膜ペーストを
印刷しても回路の断線を生じにくい。この理由はNo。
40ガラスでは2MgO ” B2O3、BaO@2M
gO ” 2S102の2種の結晶が生成し、Raを大
きくするのに対し、No、36ガラスではBaOを含ま
ないために2Mgo@B2O3シか生成せず、そのよう
なことがないためである。以上よりCaOはガラスの耐
酸性を向上させ、かつ基板の表面平滑性を向上させる働
きを有するので、少なくとも1%以上含有することが望
ましいが、20%を越えると耐熱性、印刷性が悪くなる
ので望ましくない。
La2O3は基板の表面平滑性を向上させ、かつ耐熱性
の向上に大きく寄与する。耐熱性が向上する原因は、基
板とほうろう層の密着性が向上するためと思われる。こ
こでアメリカはうろう協会が開発したPEI試験法によ
れば、基材としてニッケル処理した5US430を用い
たとき、La2O3を含まないNo、41ガラスを用い
た基板の密着性は26%、La20aを含むNo、36
のそれは100%であった。基板とほうろう層の密着性
が向上する理由は明確ではないがLaao3と基材に含
まれるFe2O3+  NiOとの相互反応のためと考
えられる。なおこのことを直接支持するものではないが
、Binary  Phase Diagrams H
andbook3/81(1981GE Co)にはL
aとF e+  N sとが固溶体をつくることが記載
されているが、酸化物の場合にもなんらかの反応が起き
ているものと考えられる。
以上の理由からLa2O3は、少なくとも3%以上含有
することが望ましいが、40%を越えると耐酸性が悪く
なるので望ましくない。さらにL a20、は高価であ
り多量に含有することはガラスセラミックのコスト高を
招くので、より望ましくは3〜30%が総合的に望まし
い。
なお、以上の結果は第3表においてLa2O3がCaO
2に置き換わった場合でも、まったく同様であった。す
なわちCe 02はLa2O3と同様の働きをする。
BaOは本発明では必須成分ではないが、15wt%以
下であれば加えてもよい。その理由は前に述べたように
、耐酸性、表面平滑性を低下させるからである。
M O2は耐酸性の向上に寄与するが、5%より多いと
表面粗度を大きくするので望ましくない。またM O2
のなかで、耐酸性を向上させる度合は、ZrO2+  
TiO2,SnO2の順であり、従ってZrO2が最も
望ましい。
P2O5はガラスの結晶化に寄与するが、5%より多い
と表面粗度を大きくするので望ましくない。
なお上記の成分以外に膨張係数を変化させたり、着色さ
せたりするため、ガラスにアルカリ土属酸化物、鉄、マ
ンガン、ニッケル、コバルト、バナジウム、鉛、モリブ
デン、タングステン、ビスマス、カドミウム、ストロン
チウム、アルミニウム等の酸化物を加えることは可能で
あるが、アルカリ金属酸化物は電気絶縁性を考慮して2
%以下、その他の酸化物も5%以下であることが望まし
い。
本実施例には記載されていない成分でも、不純物程度混
入してもかまわない。
発明の効果 以上のように、本発明のガラスセラミックを用いた基板
は、従来に比べ、表面平滑性、耐熱性、耐酸性、微細印
刷精度に優れている。電気回路用基板以外に、表面平滑
性が要求される部品、たとえばスラスト軸受けやメカニ
カルシールなど、あるいは耐熱性、化学耐久性が要求さ
れる配管やタンクなどの化学用装置、エンジンカバーな
どの自動車部品、はうろう鍋などの家庭器具にも用途が
考えられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のガラスセラミックの表面粗
さを示す形状図、第2図は従来例のガラスセラミックの
表面粗さを示す形状図である。また第3図、第4図、第
5図は本発明の一実施例のガラスセラミックにつき、そ
れぞれクエン酸にたいする耐酸性試験、王水に対する耐
酸性試験の結果、および表面平滑性を示す特性図である
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名wk1図 はうろう層の減量(mメ/Cm2) ・、うるう肩のへ智(rg/cmリ     区ま 色 表面徊ざRa (Am)   O 辞 も

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)主成分が少なくとも、重量%で、La_2O_3
    またはCeO_2=3〜40%、MgO=20〜50%
    、CaO=1〜20%、BaO=0〜15%、B_2O
    _3=10〜30%、SiO_2=8〜20%、MO_
    2(MはTi、Zr、Snの少なくとも1種)=0〜5
    %、P_2O_5=0〜5%であることを特徴とする金
    属基体被覆用ガラスセラミック。
  2. (2)重量%で、少なくとも、La_2O_3またはC
    eO_2=3〜30%、MgO=20〜40%、CaO
    =1〜20%、BaO=0〜15%、B_2O_3=1
    5〜25%、SiO_2=10〜20%、ZrO_2=
    0〜5%、P_2O_5=0〜5%であることを特徴と
    する請求項1記載の金属基体被覆用ガラスセラミック。
  3. (3)重量%で、少なくとも、La_2O_3またはC
    eO_2=3〜30%、MgO=20〜40%、CaO
    :1〜20%、B_2O_3=15〜25%、SiO_
    2=10〜20%、ZrO_2=0〜5%、P_2O_
    5=0〜5%であることを特徴とする請求項2記載の金
    属基体被覆用ガラスセラミック。
  4. (4)SiO_2/B_2O_3が0.25〜1.0で
    あることを特徴とする請求項1、2または3記載の金属
    基体被覆用ガラスセラミック。
  5. (5)請求項1、2、3または4記載のガラスセラミッ
    クを被覆させた回路基板。
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