JPH01241264A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH01241264A JPH01241264A JP63067812A JP6781288A JPH01241264A JP H01241264 A JPH01241264 A JP H01241264A JP 63067812 A JP63067812 A JP 63067812A JP 6781288 A JP6781288 A JP 6781288A JP H01241264 A JPH01241264 A JP H01241264A
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- signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、受光部と遮光部とから成るラインセンサを複
数ライン配置した光電変換装置に関する。
数ライン配置した光電変換装置に関する。
第５図は、従来の光電変換装置音用いｔ画ＩＪ！読取り
系の概略的構成図である。
系の概略的構成図である。
同図に示すように、光電変換装置１０１は一例として３
ラインのラインセンサから構成され、各ラインセンサは
遮光部１１と受光部１２とから成る。
ラインのラインセンサから構成され、各ラインセンサは
遮光部１１と受光部１２とから成る。
遮光部１１には、センサ駆動系及び信号転送出力系が形
成され、受光部１２には光センサの受光面が配列されて
いる。また、この従来例では、３ラインが各々赤（Ｒ）
、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタを有し、カラーライン
センサを構成する。
成され、受光部１２には光センサの受光面が配列されて
いる。また、この従来例では、３ラインが各々赤（Ｒ）
、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタを有し、カラーライン
センサを構成する。
遮光部１１及び受光部１２のラインセンサ配列方向（縦
方向）の長さは、各々ｎビット及び１ビツトである。１
ビツトは一つの光センサセルの受光部に対応し、例えば
−辺１０μｍの正方形状である。
方向）の長さは、各々ｎビット及び１ビツトである。１
ビツトは一つの光センサセルの受光部に対応し、例えば
−辺１０μｍの正方形状である。
このように、ＲＧＢに対応する各ラインセンサは位置的
に異なっているなめに、原稿のあるラインのＲ信号を得
九時点で、Ｇ信号はそのラインから（ｎ＋２）ライン目
の原稿位置、Ｂ信号は（２ｎ ＋ ３ ）ライン目の原
稿位置の各信号となる。
に異なっているなめに、原稿のあるラインのＲ信号を得
九時点で、Ｇ信号はそのラインから（ｎ＋２）ライン目
の原稿位置、Ｂ信号は（２ｎ ＋ ３ ）ライン目の原
稿位置の各信号となる。
したがって、同じ原稿位置のＲＧＢ信号を得るためには
、ＲＧＢ信号を各々サンプルホールド回路（Ｓ、４（）
及びめ変換回路を介して少なくとも先に出力したＧＢ倍
信号外部メモリ１０２に格納する必要がある。この外部
メモリについて更に説明する。
、ＲＧＢ信号を各々サンプルホールド回路（Ｓ、４（）
及びめ変換回路を介して少なくとも先に出力したＧＢ倍
信号外部メモリ１０２に格納する必要がある。この外部
メモリについて更に説明する。
第６図（Ａ）〜（Ｄ）は、外部メモリにＲＧＢ信号が格
納されるステップ？示す説明図である。
納されるステップ？示す説明図である。
まずＳ第１ステツプにおいて、Ｒ１１’ｎ＋２１Ｂ２ｎ
＋Ｓ信号が各ラインセンサから出力しＳ／）（回路に保
持される（同図囚）。
＋Ｓ信号が各ラインセンサから出力しＳ／）（回路に保
持される（同図囚）。
ここで、１ステツプは、光センサが原稿に対して相対的
に縦方向に移動することであり、ｌスｙ・ラグは１ビツ
トの移動に相当する。各信号のサフィックス（１、ｎ＋
２ 、２ｎ＋３ ）は、各々の信号に対応する原稿の位
置’（（Ｒ信号の原稿位置を基準としてライン数で表わ
したものである。以下同様とする、。
に縦方向に移動することであり、ｌスｙ・ラグは１ビツ
トの移動に相当する。各信号のサフィックス（１、ｎ＋
２ 、２ｎ＋３ ）は、各々の信号に対応する原稿の位
置’（（Ｒ信号の原稿位置を基準としてライン数で表わ
したものである。以下同様とする、。
続いて、第２ステツグにおいて、各々のラインセンサに
よって次のラインの読取りが行わｎ、各Ｓ／ｉ（回路に
Ｒ２＊ Ｇｎ＋５ ＋ ８２ｎ＋４ 信号が保持される
と供に’ Ｒ１”ｎ＋２ ’ ８２Ｈ＋５ 信号がψ
変換され外部メモリ１０２に格納される（同図（Ｂ））
。
よって次のラインの読取りが行わｎ、各Ｓ／ｉ（回路に
Ｒ２＊ Ｇｎ＋５ ＋ ８２ｎ＋４ 信号が保持される
と供に’ Ｒ１”ｎ＋２ ’ ８２Ｈ＋５ 信号がψ
変換され外部メモリ１０２に格納される（同図（Ｂ））
。
以上のステップが繰り返され、ＲＧＢ信号が順次外部メ
モリ１０２に格納されて行く。そして、第（２ｎ ＋
３ ）ステップに至って、先に読み取られたＢ２ｎ＋５
信号と同じｙＫ攬位置のラインのＲ２ｎ＋５信号が続み
取られＳ／）１回路に保持される。同じ位置の０２ｎ＋
３信号は図示されるように第（ｎ ＋ ２ ）ステップ
ですでに読み取らｊｔでいるから、第（２ｎ＋３）ステ
ップで始めて同一原稿位置のＲＧＢ信号が得られること
となる。し次がって、同図（ｅ） （Ｄ）に示すようｋ
て、外部メモリ１０２にｒｉ最小限、次式で表わされる
容ｉＭが必要である。
モリ１０２に格納されて行く。そして、第（２ｎ ＋
３ ）ステップに至って、先に読み取られたＢ２ｎ＋５
信号と同じｙＫ攬位置のラインのＲ２ｎ＋５信号が続み
取られＳ／）１回路に保持される。同じ位置の０２ｎ＋
３信号は図示されるように第（ｎ ＋ ２ ）ステップ
ですでに読み取らｊｔでいるから、第（２ｎ＋３）ステ
ップで始めて同一原稿位置のＲＧＢ信号が得られること
となる。し次がって、同図（ｅ） （Ｄ）に示すようｋ
て、外部メモリ１０２にｒｉ最小限、次式で表わされる
容ｉＭが必要である。
Ｍ ＝ （２ｎ＋２＋ｎ＋１ ）Ｘ （ライン
センサのビット数Ｎｍ）−（３ｎ＋３）Ｘ （ラインセ
ンサのビット数Ｎｍ）同様にして、２ライン七ンサの場
合は（ｎ＋１）×（ラインセンサのビット数Ｎｍ）、４
ラインセンサの場＠ｌ”ｔ （５ｎ＋５ ） Ｘ （ラ
インセンサのビット数Ｎｍ）のメモリ容量が必要となる
。
センサのビット数Ｎｍ）−（３ｎ＋３）Ｘ （ラインセ
ンサのビット数Ｎｍ）同様にして、２ライン七ンサの場
合は（ｎ＋１）×（ラインセンサのビット数Ｎｍ）、４
ラインセンサの場＠ｌ”ｔ （５ｎ＋５ ） Ｘ （ラ
インセンサのビット数Ｎｍ）のメモリ容量が必要となる
。
しかしながら、上記従来例では、外部メモＩＪ を上記
の容ｆＭ以下にすることができないために、メモリ全体
の利用効率の向上全図ることができず。
の容ｆＭ以下にすることができないために、メモリ全体
の利用効率の向上全図ることができず。
またコスト面でも不利となる。
本発明の目的は、外部メモＩＪ を節約でき、低コスト
化を達成しうる光電変換装置ｔを提供することにある。
化を達成しうる光電変換装置ｔを提供することにある。
本発明による光電変換装置は、受光部と遮光部とから成
る一ラインの光センサが前記受光部ｔ−隣接させて複数
ライン配置されたことを％徴とする。
る一ラインの光センサが前記受光部ｔ−隣接させて複数
ライン配置されたことを％徴とする。
上記受光部全隣接させて配置することで、同一の原稿位
置の各ラインセンサによる読取り信号を従来より大幅に
少ない容量で同時に出力する仁とができる。したがりて
、外部メモリの節約、ひｈては低コスト化を達成できる
。
置の各ラインセンサによる読取り信号を従来より大幅に
少ない容量で同時に出力する仁とができる。したがりて
、外部メモリの節約、ひｈては低コスト化を達成できる
。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら６た細に説
明する。
明する。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は１本発明にょる光電変換装置の
第１〜第３実施例を各々示すラインセンサの模式的配置
図である。
第１〜第３実施例を各々示すラインセンサの模式的配置
図である。
同図（Ａ）には、２ラインセンサを配置した例全示す。
各ラインセンサの受光部１２ｉ隣接させ、−方からＲＧ
倍信号他方からＢＢ倍信号読み出す方式である。
倍信号他方からＢＢ倍信号読み出す方式である。
同図（Ｂ）には、３ラインセンサ金配首した例を示す。
ＲＧ倍信号ｌみ出す２ラインセンサの受光部１２を隣接
させている。
させている。
同図（Ｃ）には、４ラインセンサの配置した例を示す。
Ｗ（白）Ｒ信号を読み出す２ラインセンサの受光部１２
とＧＢ倍信号読み出す２ラインセンナの受光部１２とが
各々隣接して配置されている。
とＧＢ倍信号読み出す２ラインセンナの受光部１２とが
各々隣接して配置されている。
以下、同図（Ｂ）に示す３ラインセンサの場合（第２実
施例）を−例として取り上げ説明する。
施例）を−例として取り上げ説明する。
第２図は、本実施例全用いた画像読取り系の概略的構成
図である。
図である。
同図に示すように、本実施例である光電変換装置１ｉ２
０１から得られるＲＧＢ信号は、各々Ｓ／）１回路で保
持され、ψ変換回路金倉して外部メモリ２０２に格納さ
れる。
０１から得られるＲＧＢ信号は、各々Ｓ／）１回路で保
持され、ψ変換回路金倉して外部メモリ２０２に格納さ
れる。
第３図囚〜（Ｄ）は、外部メモリ２０２にＲＧＢ信号が
格納されるステツブを示す説明図である。
格納されるステツブを示す説明図である。
まず、第１ステツグにおいて、 Ｒ１＋ Ｇ２ ＊ Ｂ
ｎ＋４信号がＳ／／Ｈ回路に保持される。Ｒ４信号が絖
み取られた原稿位置を基準として、Ｇ２信号は２ライン
目。
ｎ＋４信号がＳ／／Ｈ回路に保持される。Ｒ４信号が絖
み取られた原稿位置を基準として、Ｇ２信号は２ライン
目。
Ｂｎ＋３信号は（ｎ＋３）ライン目の位置の読取り信号
である。
である。
第２ステツプにおいて１次のラインの位置のＢ２ ’
ＧＳ ’ Ｂｎ＋４ 信号が貌取られ、Ｒ１” ２
’ Ｂｎ＋５信号はＡ／′Ｄ変換されて外部メモリ２０
２に格納される。以下同様の動作が繰り返され、第（ｎ
＋３）ステツブにおいて、第１ステツプでＢｎ＋！ｌ信
号が積み取られた原稿位置が今度はＲｎ＋５信号として
３だみ取られる。これによって、同一原稿位置のＲＧＢ
信号が読み取られ、同時に出力されうる。
ＧＳ ’ Ｂｎ＋４ 信号が貌取られ、Ｒ１” ２
’ Ｂｎ＋５信号はＡ／′Ｄ変換されて外部メモリ２０
２に格納される。以下同様の動作が繰り返され、第（ｎ
＋３）ステツブにおいて、第１ステツプでＢｎ＋！ｌ信
号が積み取られた原稿位置が今度はＲｎ＋５信号として
３だみ取られる。これによって、同一原稿位置のＲＧＢ
信号が読み取られ、同時に出力されうる。
したがって、同図（Ｃ） ＣＤ）に示すように、外部メ
モリ２０２に必要とされる最小限メモリＭ’ｆｌ、次式
％式％ Ｍ＝ （ｎ＋２＋１ ）Ｘ （ラインセンサのビット数
Ｎ５）＝ （ｎ＋３）Ｘ （ラインセンサのビット数Ｎ
ｍ）このように本実施例においては、ＲとＧのラインセ
ンサの受光部が隣接して配置されているために、Ｒｎ＋
３信号とＧｎ＋３信号との読出しは、１ステツプの差が
あるだけである。し比がって、従来に比べて２ｎＸ（ラ
インセンサのビット数Ｎｍ） だけメモリ容ｉｔｔ減少
させることができる。
モリ２０２に必要とされる最小限メモリＭ’ｆｌ、次式
％式％ Ｍ＝ （ｎ＋２＋１ ）Ｘ （ラインセンサのビット数
Ｎ５）＝ （ｎ＋３）Ｘ （ラインセンサのビット数Ｎ
ｍ）このように本実施例においては、ＲとＧのラインセ
ンサの受光部が隣接して配置されているために、Ｒｎ＋
３信号とＧｎ＋３信号との読出しは、１ステツプの差が
あるだけである。し比がって、従来に比べて２ｎＸ（ラ
インセンサのビット数Ｎｍ） だけメモリ容ｉｔｔ減少
させることができる。
２ラインセンサ、４ラインセンサの場合も同様である。
２ライン七ンサでは、従来Ｍ −（ｎ＋１ ）ＸＮ ｓ
であっ次のに対し、本発明ではＭ’−ＩＸＮｓとなり、
ｎＸＮ５だけメモリ容量が減少する。４ラインセンサで
は、従来Ｍ−（５ｎ＋５）ＸＮｍであっＬのに対し、本
発明ではＭ’−（３ｎ＋６）ｘＮ−となり、２ｎＸＮｓ
だけメモリ容量が減少する。
であっ次のに対し、本発明ではＭ’−ＩＸＮｓとなり、
ｎＸＮ５だけメモリ容量が減少する。４ラインセンサで
は、従来Ｍ−（５ｎ＋５）ＸＮｍであっＬのに対し、本
発明ではＭ’−（３ｎ＋６）ｘＮ−となり、２ｎＸＮｓ
だけメモリ容量が減少する。
本発明による光電変換装置は、光センサの種類には関係
なく、フォトダイオード、 ＭＯＳ型、 ＳＩＴ型、フ
ォ））ランジスタ等の任意の方式に適用することができ
る。
なく、フォトダイオード、 ＭＯＳ型、 ＳＩＴ型、フ
ォ））ランジスタ等の任意の方式に適用することができ
る。
次に１本実施例の一具体例として、ベース蓄積型の光セ
ンサ金剛いたもの金示す。
ンサ金剛いたもの金示す。
第４図（Ａ）は、受光部が隣接したラインセンナの一部
を示す概略的平面図、第４図（Ｂ）は、そのＩ−１線断
面図；第４図（Ｃ）は、−光センサセルの等価回路図で
ある。
を示す概略的平面図、第４図（Ｂ）は、そのＩ−１線断
面図；第４図（Ｃ）は、−光センサセルの等価回路図で
ある。
同図（Ａ） 、 （Ｂ）において、ｎ基板４０１上にエ
ピタキシャル成長により１層４０２を形成し、そこに素
子分離領域となるロ 領域４０３を挾んでｐペース領域
４０４及び４０５全拡散形成する。
ピタキシャル成長により１層４０２を形成し、そこに素
子分離領域となるロ 領域４０３を挾んでｐペース領域
４０４及び４０５全拡散形成する。
続いて、ｐベース領域４０４及び４０５内にｎ＋エミッ
タ領域４０６及び４０７を各々形成し、更にリセットト
ランジスタＱ ？形成する几めにｐ＋Ｓ 領域４０８及び４０９と、絶縁層を介してダート電極４
１０及び４１１とを形成する。そして、冠膜等の遮光膜
４１２及び４１３を形成して、受光部１２と遮光部１１
とに分ける。
タ領域４０６及び４０７を各々形成し、更にリセットト
ランジスタＱ ？形成する几めにｐ＋Ｓ 領域４０８及び４０９と、絶縁層を介してダート電極４
１０及び４１１とを形成する。そして、冠膜等の遮光膜
４１２及び４１３を形成して、受光部１２と遮光部１１
とに分ける。
この光センサセルでは、ｐペース領域４０４及び４０５
に光励起キャリアが蓄積すると、その蓄積電圧に対応し
たセンサ信号がエミッタ側へ読み出され、ベースに残留
したキャリアはリセットトランジスタＱｒ、 ｌ ＯＮ
にすることで除去される。したがって、ベースの蓄ａｌ
ｔ圧に関係なくベース電位全均一化でき、残像特性の改
善及びノイズの低減全達成できる。
に光励起キャリアが蓄積すると、その蓄積電圧に対応し
たセンサ信号がエミッタ側へ読み出され、ベースに残留
したキャリアはリセットトランジスタＱｒ、 ｌ ＯＮ
にすることで除去される。したがって、ベースの蓄ａｌ
ｔ圧に関係なくベース電位全均一化でき、残像特性の改
善及びノイズの低減全達成できる。
このような光センサセルが同図（Ａ）の紙面上下方向に
ライン状に配列されたラインセンサが圏−基板上に受光
部を隣接するように複数配置されている。
ライン状に配列されたラインセンサが圏−基板上に受光
部を隣接するように複数配置されている。
次に、本発明全適用し次画像読取装置の一例金示す。
第７図は、画像読取装置の一例の概略的構成図である。
同図において、原稿５０１は読取９部５０５に対して相
対的に矢印Ｘ方向に機械的に移動する。
対的に矢印Ｘ方向に機械的に移動する。
ま之、画像の読み取りは、イメージセンサ５０４によっ
て矢印Ｘ方向に走査することで行われる。
て矢印Ｘ方向に走査することで行われる。
壕ず、光源５０２からの光は原稿５０１で反射し、その
反射光が結像光学系５０３全通してイメージセンサ５０
４上に像を結像する。これによって、イメージセンサ５
０４には入射光の強さに対応し几キャリアが蓄積され、
光電変換されて画像１３号として出力する。
反射光が結像光学系５０３全通してイメージセンサ５０
４上に像を結像する。これによって、イメージセンサ５
０４には入射光の強さに対応し几キャリアが蓄積され、
光電変換されて画像１３号として出力する。
この画像信号は、ＡＤ変換器５０６によりデジタル変換
され、画像処理部５０７内のメモリに画像データとして
取り込まれる。そして、シェー・ディング補正、色補正
等の処理が行われ、ノ譬ンコン５０８又はプリンタ等へ
送信される。
され、画像処理部５０７内のメモリに画像データとして
取り込まれる。そして、シェー・ディング補正、色補正
等の処理が行われ、ノ譬ンコン５０８又はプリンタ等へ
送信される。
こうしてＸ方向の走査の画像信号転送が終了すると、原
稿５０１がＸ方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿５０１の前画像を電気信号に変換
し画像情報として宅り出すことができる。
稿５０１がＸ方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿５０１の前画像を電気信号に変換
し画像情報として宅り出すことができる。
以上詳細に説明したように、本発明による光電変換装置
ｉは受光部を隣接させて配置することで、同一の原稿位
置の各ラインセンサによる読取り信号を従来より大幅に
少ない容量で同時に出力することができる。し念がって
、外部メモリの節約、ひいては低コスト化全達成できる
。
ｉは受光部を隣接させて配置することで、同一の原稿位
置の各ラインセンサによる読取り信号を従来より大幅に
少ない容量で同時に出力することができる。し念がって
、外部メモリの節約、ひいては低コスト化全達成できる
。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は１本発明による光電変換装置の
第１〜第３実施例金各々示すラインセンサの模式第２図
は、第２実施例を用いた画像読取り糸の概略的構成図、 第３図（Ａ）〜（Ｄ） Ｆｉ、外部メモリ２０２にＲＧ
Ｂ信号が格納されるステツノを示す説明図。 第４図囚は、受光部が隣接し次ラインセン丈の一部金示
す概略的平面図、第４図（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ線断面図
、第４図（Ｃ）は、−光センサセルの等価回路図、 第５図は、従来の光電変換装置？用いた画像読取り系の
概略的構成図、 第６図（Ａ）〜（ＤＪは、外部メモリにＲＧＢ信号が格
納されるステップを示す説明図、 第７図は、画像読取装置の一例の概略的構成図である。 １１・・・遮光部、１２・・・受光部、２０１・・・光
電変換装置、２０２・・・外部メモリ。 代理人 弁理士 山 下 穣 子 弟１図 （Ａ） （８） （Ｃ）
第２図 第３図 （Ａ） （８） 第４図 （Ｂ） （Ｃ）
第１〜第３実施例金各々示すラインセンサの模式第２図
は、第２実施例を用いた画像読取り糸の概略的構成図、 第３図（Ａ）〜（Ｄ） Ｆｉ、外部メモリ２０２にＲＧ
Ｂ信号が格納されるステツノを示す説明図。 第４図囚は、受光部が隣接し次ラインセン丈の一部金示
す概略的平面図、第４図（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ線断面図
、第４図（Ｃ）は、−光センサセルの等価回路図、 第５図は、従来の光電変換装置？用いた画像読取り系の
概略的構成図、 第６図（Ａ）〜（ＤＪは、外部メモリにＲＧＢ信号が格
納されるステップを示す説明図、 第７図は、画像読取装置の一例の概略的構成図である。 １１・・・遮光部、１２・・・受光部、２０１・・・光
電変換装置、２０２・・・外部メモリ。 代理人 弁理士 山 下 穣 子 弟１図 （Ａ） （８） （Ｃ）
第２図 第３図 （Ａ） （８） 第４図 （Ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- （１）受光部と遮光部とから成る一ラインの光センサが
前記受光部を隣接させて複数ライン配置されたことを特
徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067812A JPH01241264A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067812A JPH01241264A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241264A true JPH01241264A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13355732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067812A Pending JPH01241264A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241264A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022169A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| KR100422046B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-03-11 | 삼성전기주식회사 | 편향요크의 미스컨버전스 보정장치의 개선 회로 |
| JP2007124144A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | デジタル撮像装置，画像読み取り装置および画像形成装置 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067812A patent/JPH01241264A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022169A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| KR100422046B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-03-11 | 삼성전기주식회사 | 편향요크의 미스컨버전스 보정장치의 개선 회로 |
| JP2007124144A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | デジタル撮像装置，画像読み取り装置および画像形成装置 |
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