JPH01238384A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH01238384A JPH01238384A JP63065294A JP6529488A JPH01238384A JP H01238384 A JPH01238384 A JP H01238384A JP 63065294 A JP63065294 A JP 63065294A JP 6529488 A JP6529488 A JP 6529488A JP H01238384 A JPH01238384 A JP H01238384A
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- JP
- Japan
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- transistor
- image
- sensor
- light
- solid
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- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、複数のラインセンサを平行に配列した固体撮
像装置に関する。
像装置に関する。
[従来の技術]
第4図は、従来の固体撮像装置の受光部および遮光部の
構成を示す概略的平面図である。
構成を示す概略的平面図である。
ここでは3行のラインセンサ101〜103が隣接して
設けられており、センサ部分のみに受光部が形成され、
それ以外の領域は遮光されている。
設けられており、センサ部分のみに受光部が形成され、
それ以外の領域は遮光されている。
各ラインセンサは駆動部104によって駆動され、読み
出された各センサ信号は出力アンプ105を通して順次
出力される。
出された各センサ信号は出力アンプ105を通して順次
出力される。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来例では、ラインセンサ101−
103が隣接して設けられているために1次のような問
題点を有していた。
103が隣接して設けられているために1次のような問
題点を有していた。
まず、ラインセンサ間の信号漏れを防ぎにくいために、
いわゆるクロストークが生じやすい。
いわゆるクロストークが生じやすい。
また、ラインセンサ間に回路系を設けることができない
ために、設計に制約が生じ、複数行のラインセンサの完
全独立制御が困難となる。
ために、設計に制約が生じ、複数行のラインセンサの完
全独立制御が困難となる。
[課題を解決するための手段]
上記[1的を達成するために、本発明による固体撮像装
置は、 複数のラインセンサを平行に配列した固体撮像装置にお
いて、 11;j記うインセンサ間に遮光領域を設け、前記ライ
ンセンサの配列方向における前記遮光領域の長さが前記
ラインセンザ受光部の長さの整数倍又は’+=整数イ8
であることを特徴とする。
置は、 複数のラインセンサを平行に配列した固体撮像装置にお
いて、 11;j記うインセンサ間に遮光領域を設け、前記ライ
ンセンサの配列方向における前記遮光領域の長さが前記
ラインセンザ受光部の長さの整数倍又は’+=整数イ8
であることを特徴とする。
[作用]
このように構成することで、クロストークを防止でき、
また回路設計の制約が緩和される。したがって、高SN
比のセンサ信号を得ることができ、また遮光領域に回路
系を設けることができるために撮像装置としての動作モ
ードの種類を広げることができる。
また回路設計の制約が緩和される。したがって、高SN
比のセンサ信号を得ることができ、また遮光領域に回路
系を設けることができるために撮像装置としての動作モ
ードの種類を広げることができる。
さらに、ラインセンサ間隔がセンサ受光部の長さの整数
倍又は半整数イごとなっているために、ラインセンサの
配列ピッチで走査させるイメージスキャリーーに適用す
ることが可能となる。
倍又は半整数イごとなっているために、ラインセンサの
配列ピッチで走査させるイメージスキャリーーに適用す
ることが可能となる。
[実施例]
以ド、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
第1図は、本発明による固体撮像装置の第1実施例の受
光部および遮光部の構成を示す概略的平面図である。
光部および遮光部の構成を示す概略的平面図である。
同図において、ラインセンサ1〜3は同一・形態のもの
であり、その配列方向(以下、「縦方向」という。)の
幅をLとする。
であり、その配列方向(以下、「縦方向」という。)の
幅をLとする。
ラインセンサ1〜:3には受光部が設けられ、それ以外
の領域4〜6は遮光膜により遮光されている。そのうち
、ラインセンサlおよび2の間の遮光領域5の縦方向の
幅をDl、ラインセンサ2および3の間の遮光領域6の
縦方向の幅をD2とする。本実施例では、Dl =2L
、D2 =Lに設51されている。
の領域4〜6は遮光膜により遮光されている。そのうち
、ラインセンサlおよび2の間の遮光領域5の縦方向の
幅をDl、ラインセンサ2および3の間の遮光領域6の
縦方向の幅をD2とする。本実施例では、Dl =2L
、D2 =Lに設51されている。
また、遮光領域4にはラインセンサlの駆動回路系が形
成され、そのセンサ(it号が出力アンプ7を通して端
子10から出力する。同様に、遮光領域5にはラインセ
ンサ2の駆動回路系が、遮光領域6にはラインセンサ3
の駆動回路系が各々形成され、出力アンプ8および9か
ら各々センサ信号が出力する。
成され、そのセンサ(it号が出力アンプ7を通して端
子10から出力する。同様に、遮光領域5にはラインセ
ンサ2の駆動回路系が、遮光領域6にはラインセンサ3
の駆動回路系が各々形成され、出力アンプ8および9か
ら各々センサ信号が出力する。
第2図(^)は、本実施例における一つのラインセンサ
のセンサセルおよびその駆動系の一単位を示す部分的回
路図、第2図(Blは、その動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。
のセンサセルおよびその駆動系の一単位を示す部分的回
路図、第2図(Blは、その動作を説明するためのタイ
ミングチャートである。
本実施例では、−・例としてベース蓄積型のセンサを用
いている。すなわち、同図(A)において、バイポーラ
トランジスタB Trのベース領域に光励起によるキャ
リアを蓄積し、その蓄積電圧をトランジスタB Trの
エミッタから読み出す方式である。
いている。すなわち、同図(A)において、バイポーラ
トランジスタB Trのベース領域に光励起によるキャ
リアを蓄積し、その蓄積電圧をトランジスタB Trの
エミッタから読み出す方式である。
トランジスタBTrのベース領域はリセットトランジス
タQrhを介してリセット電圧Vaが印加される。トラ
ンジスタQrhのゲート電極にはリセットパルスφr
hが人力する。
タQrhを介してリセット電圧Vaが印加される。トラ
ンジスタQrhのゲート電極にはリセットパルスφr
hが人力する。
トランジスタB’rrのエミッタ電極はトランジスタQ
rを介して一定電圧vbが印加され、トランジスタQr
のゲート電極にはパルスφ「が人力する。更に、エミッ
タ電極は転送トランジスタQLを介して蓄積用のコンデ
ンサCしおよびトランジスタQのベースに接続される。
rを介して一定電圧vbが印加され、トランジスタQr
のゲート電極にはパルスφ「が人力する。更に、エミッ
タ電極は転送トランジスタQLを介して蓄積用のコンデ
ンサCしおよびトランジスタQのベースに接続される。
トランジスタQしのゲート電極には転送パルスφLが入
力する。
力する。
トランジスタQのエミッタはトランジスタQsを介して
出力ライン22に接続され、出力ライン22はリセット
トランジスタQcを介して接地されると共に、出力アン
プ7の入力端r−に接続されている。
出力ライン22に接続され、出力ライン22はリセット
トランジスタQcを介して接地されると共に、出力アン
プ7の入力端r−に接続されている。
トランジスタQsのゲート電極にはシフトレジスタ21
から走査パルスが人力し、リセットトランジスタQcの
ゲート電極にはリセットパルスφCが人力する。
から走査パルスが人力し、リセットトランジスタQcの
ゲート電極にはリセットパルスφCが人力する。
次に、を記構成を有する回路系の動作を同図(II)を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
まず、光励起によってキャリアがトランジスタ[3Tr
のベース領域に蓄積され、その蓄積電圧がセンサ信号と
してエミッタ側へ読み出されているものとする。
のベース領域に蓄積され、その蓄積電圧がセンサ信号と
してエミッタ側へ読み出されているものとする。
この状態で転送パルスφしを立上がらせて転送トランジ
スタQしをONにすると、センサ信号がコンデンサCt
に蓄積される(読出し)。
スタQしをONにすると、センサ信号がコンデンサCt
に蓄積される(読出し)。
この状態でシフトレジスタ21から走査パルスが順次出
力され水平走査が行われる。すなわち、走査パルスがト
ランジスタQsのゲート電極に人力すると、トランジス
タQsがONとなり、トランジスタQのエミッタから増
幅されたセンサ信号が出力ライン22に読み出され、出
力アンプ7を通して端子10から外部へ送出される(水
(ト走台)。
力され水平走査が行われる。すなわち、走査パルスがト
ランジスタQsのゲート電極に人力すると、トランジス
タQsがONとなり、トランジスタQのエミッタから増
幅されたセンサ信号が出力ライン22に読み出され、出
力アンプ7を通して端子10から外部へ送出される(水
(ト走台)。
続いて、リセットパルスφrhが)γ下がり、トランジ
スタQrhがONとなる。これによって、トランジスタ
BT「のベースにlI積されていたギヤリアが消滅し、
蓄積電圧の高低に関係なくベースは一定電(■−V a
にIt)設定される(ベースリセット)。
スタQrhがONとなる。これによって、トランジスタ
BT「のベースにlI積されていたギヤリアが消滅し、
蓄積電圧の高低に関係なくベースは一定電(■−V a
にIt)設定される(ベースリセット)。
続いて、パルスφtおよびφrが立]〕がり、トランジ
スタQ l、およびQrがONとなって、コンデンサC
しがクリアされ、またトランジスタ13T「のベースが
トランジスタ動作によってリフレッシュされる(リフレ
ッシュ)。
スタQ l、およびQrがONとなって、コンデンサC
しがクリアされ、またトランジスタ13T「のベースが
トランジスタ動作によってリフレッシュされる(リフレ
ッシュ)。
リフレシュが終−rすると、トランジスタB Trは占
積動作を開始する。
積動作を開始する。
なお、電圧■bはトランジスタQしのベース・エミッタ
間のビルトイン・ボデンシャル分をシ′慮して約1■と
し、同様に電圧Vaは約2V程度にしておくのが適当で
ある。
間のビルトイン・ボデンシャル分をシ′慮して約1■と
し、同様に電圧Vaは約2V程度にしておくのが適当で
ある。
また、この回路図において、受光部はトランジスタn’
rr、特にそのベースおよびベース・コレクタ接合部だ
けとし、その他の回路系は遮光領域とする。
rr、特にそのベースおよびベース・コレクタ接合部だ
けとし、その他の回路系は遮光領域とする。
次に、本実施例をイメージスキャナーとして使用する時
の動作を第1図に従って説明する。
の動作を第1図に従って説明する。
イメージスキャナーでは、図示されていない光学系によ
って被写体の結像がラインセンサ而に形成され、その結
像は図示されていない駆動機構によってラインセンサの
幅りのビッヂで順次移動する。ここでは、結像の相対的
移動方向を図面のト方自とし、1スデツプの移動ごとに
ラインセンサl〜3のセンサ信号が端子10〜12から
各々出力する。また、Dl =2L、D2 =Lに設計
されている。
って被写体の結像がラインセンサ而に形成され、その結
像は図示されていない駆動機構によってラインセンサの
幅りのビッヂで順次移動する。ここでは、結像の相対的
移動方向を図面のト方自とし、1スデツプの移動ごとに
ラインセンサl〜3のセンサ信号が端子10〜12から
各々出力する。また、Dl =2L、D2 =Lに設計
されている。
まず、被写体の結像のうちラインセンサlJ:の部分(
以下、結像S1とする。)がラインセンサlによって読
み取られたとする。この同じ結像S1は、3ステツプ移
動してラインセンサ2によって読み取られ、更に2スデ
ツプ移動してラインセンサ3によって読み取られる。
以下、結像S1とする。)がラインセンサlによって読
み取られたとする。この同じ結像S1は、3ステツプ移
動してラインセンサ2によって読み取られ、更に2スデ
ツプ移動してラインセンサ3によって読み取られる。
したがって1例えば、ラインセンサ1〜:Sに各々赤1
(、緑Gおよび1′? Bのフィルタを設け、史に端7
−10に5打分の出力信号のメモリを、端r11に2行
分の出力信号のメモリを各々接続しておけば、結像S!
のIt G +3力ラー信号を得ることができる。すな
わち、被写体の結像をセンサ幅1−のピッチで順次移動
させることによって、被写体全体の像のカラー信号を得
ることができる。
(、緑Gおよび1′? Bのフィルタを設け、史に端7
−10に5打分の出力信号のメモリを、端r11に2行
分の出力信号のメモリを各々接続しておけば、結像S!
のIt G +3力ラー信号を得ることができる。すな
わち、被写体の結像をセンサ幅1−のピッチで順次移動
させることによって、被写体全体の像のカラー信号を得
ることができる。
第3図は、本発明の第2実施例の受光部および遮光部の
構成を示す概略的平面図である。
構成を示す概略的平面図である。
本実施例では、ラインセンサlおよび2間の遮光部5の
幅D3と、ラインセンサ2および3間の遮光部6の幅1
) 4とがLの整数倍又は半整数倍に設定され、こコテ
はI)3 = 1.51−、 D4 =2 Lである。
幅D3と、ラインセンサ2および3間の遮光部6の幅1
) 4とがLの整数倍又は半整数倍に設定され、こコテ
はI)3 = 1.51−、 D4 =2 Lである。
本実施例のイメージスキャナーとしての動作は、被写体
結像の移動ビッヂが14/2である点を除けば、第1実
施例の場合と基本的に同じである。移動ピッチがL/2
であるために、縦方向の解像度が第1実施例に比べて2
倍となる。
結像の移動ビッヂが14/2である点を除けば、第1実
施例の場合と基本的に同じである。移動ピッチがL/2
であるために、縦方向の解像度が第1実施例に比べて2
倍となる。
次に、本発明を適用した画像読取装置の一例を示す。
第5図は、画像読取装置の一例の概略的構成図である。
同図において、原稿501は読取り部505に対して相
対的に矢印Y方向に機械的に移動する。
対的に矢印Y方向に機械的に移動する。
また1画像の読み取りは、イメージセンサ504によっ
て矢印X方向に走査することで行われる。
て矢印X方向に走査することで行われる。
まず、光源502からの光は原稿501で反射し、その
反射光が結像光学系503を通してイメージセンサ50
4ヒに像を結像する。これによって、イメージセンサ5
04には入射光の強さに対応したキャリアが蓄積され、
光電変換されて画像43号として出力する。
反射光が結像光学系503を通してイメージセンサ50
4ヒに像を結像する。これによって、イメージセンサ5
04には入射光の強さに対応したキャリアが蓄積され、
光電変換されて画像43号として出力する。
この画像43号は、A I)変換器506によりデジタ
ル変換され、画像処理部507内のメモリに画像データ
として取り込まれる。そして、シェーディング補11色
補市等の処理が行われ、パソコン508又はプリンタ等
へ送信される。
ル変換され、画像処理部507内のメモリに画像データ
として取り込まれる。そして、シェーディング補11色
補市等の処理が行われ、パソコン508又はプリンタ等
へ送信される。
こうしてX方向の走査の画像信号転送が終了すると、原
稿501がY方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿501の前画像を電気53号に変
換し画像情報として取り出すことができる。
稿501がY方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿501の前画像を電気53号に変
換し画像情報として取り出すことができる。
[発明の効果]
本発明は上述の如く構成されているために、以下に記載
する効果を奏する。
する効果を奏する。
ラインセンサ間に遮光領域が形成されているためにクロ
ストークを防止でき、また回路設計の制約が緩和される
。したがって、高SN比のセンサ信号を得ることができ
、また遮光領域に回路系を設けることができるために撮
像装置としての動作モードの種類を広げることができる
。
ストークを防止でき、また回路設計の制約が緩和される
。したがって、高SN比のセンサ信号を得ることができ
、また遮光領域に回路系を設けることができるために撮
像装置としての動作モードの種類を広げることができる
。
さらに、ラインセンサ間隔がセンサ受光部の長さの整数
倍又は半整数倍となっているために、ラインセンサの配
列ピッチで走査させるイメージスキャナーに適用するこ
とが可能となる。
倍又は半整数倍となっているために、ラインセンサの配
列ピッチで走査させるイメージスキャナーに適用するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明による固体撮像装置の第1実施例の受
光部および遮光部の構成を示す概略的平面図。 第2図(A)は、本実施例における一つのラインセンサ
のセンサセルおよびその駆動系の一単位を示す部分的回
路図、第2図+8)は、その動作を説明するためのタイ
ミングチャート。 第3図は、本発明の第2実施例の受光部および遮光部の
構成を示す概略的平面図。 第4図は、従来の固体撮像装置の受光部および遮光部の
構成を示す概略的平面図。 第5図は1画像読取装置の一例の概略的構成図である。 1.2%3・・・ラインセンサ 4.5.6・・・遮光領域 第1図 第2図 (A)
光部および遮光部の構成を示す概略的平面図。 第2図(A)は、本実施例における一つのラインセンサ
のセンサセルおよびその駆動系の一単位を示す部分的回
路図、第2図+8)は、その動作を説明するためのタイ
ミングチャート。 第3図は、本発明の第2実施例の受光部および遮光部の
構成を示す概略的平面図。 第4図は、従来の固体撮像装置の受光部および遮光部の
構成を示す概略的平面図。 第5図は1画像読取装置の一例の概略的構成図である。 1.2%3・・・ラインセンサ 4.5.6・・・遮光領域 第1図 第2図 (A)
Claims (2)
- (1)複数のラインセンサを平行に配列した固体撮像装
置において、 前記ラインセンサ間に遮光領域を設け、 前記ラインセンサの配列方向における前記遮光領域の長
さが前記ラインセンサ受光部の長さの半整数倍であるこ
とを特徴とする固体撮像装置。 - (2)上記ラインセンサの配列方向における上記遮光領
域の長さが前記ラインセンサ受光部の長さの整数倍であ
ることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065294A JPH01238384A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065294A JPH01238384A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238384A true JPH01238384A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13282764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63065294A Pending JPH01238384A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041913A (en) * | 1989-02-14 | 1991-08-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor crosstalk cancelling method |
| US5206717A (en) * | 1988-08-08 | 1993-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus having horizontal shielding masks |
| JP2015041679A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社リコー | 撮像素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
| WO2021240998A1 (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63065294A patent/JPH01238384A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206717A (en) * | 1988-08-08 | 1993-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus having horizontal shielding masks |
| US5041913A (en) * | 1989-02-14 | 1991-08-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor crosstalk cancelling method |
| JP2015041679A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社リコー | 撮像素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
| WO2021240998A1 (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
| US12604544B2 (en) | 2020-05-26 | 2026-04-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element |
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