JPH01241840A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH01241840A JPH01241840A JP63068202A JP6820288A JPH01241840A JP H01241840 A JPH01241840 A JP H01241840A JP 63068202 A JP63068202 A JP 63068202A JP 6820288 A JP6820288 A JP 6820288A JP H01241840 A JPH01241840 A JP H01241840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- section
- substrate
- hand
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
- H10P72/0458—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3306—Horizontal transfer of a single workpiece
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ウェハ等の基板を処理する基板処理装置に関
し、例えば半導体製造工程においてフォトリソグラフィ
用のレジスト膜を塗布により生成する装置、露光後の現
像を行なう装置、ウェハへの不純物をドーピングさせる
膜を塗布により生成する装置、またはウェハ上の素子の
層間絶縁膜もしくはバシヘーション膜を塗布により生成
する装置等に関するものである。
し、例えば半導体製造工程においてフォトリソグラフィ
用のレジスト膜を塗布により生成する装置、露光後の現
像を行なう装置、ウェハへの不純物をドーピングさせる
膜を塗布により生成する装置、またはウェハ上の素子の
層間絶縁膜もしくはバシヘーション膜を塗布により生成
する装置等に関するものである。
［従来技術］
第８図は、塗布部、オープン部、現像部あるいはウェハ
カセット載置部か平面配置された従来の半導体製造装置
の平面配置図である。同図において、ＳＥｌ、ＳＥ２は
ウェハ送出側のウェハカセット載置部、ＰＥＢは露光後
のレジスト膜を強固にするオープン部、ＤＢは塗布前に
ウェハ上の水分を除去するためのオープン部、ＤＥＶは
現像部、ＣＴはレジスト塗布部、ＤＰＢは現像後のレジ
ストを引き締めるためのオープン部、ＣＰＢは塗布後の
レジスト乾燥オープン部、ＲＥＩ。
カセット載置部か平面配置された従来の半導体製造装置
の平面配置図である。同図において、ＳＥｌ、ＳＥ２は
ウェハ送出側のウェハカセット載置部、ＰＥＢは露光後
のレジスト膜を強固にするオープン部、ＤＢは塗布前に
ウェハ上の水分を除去するためのオープン部、ＤＥＶは
現像部、ＣＴはレジスト塗布部、ＤＰＢは現像後のレジ
ストを引き締めるためのオープン部、ＣＰＢは塗布後の
レジスト乾燥オープン部、ＲＥＩ。
ＲＥ２はウェハ収納側のウェハカセット載置部、ＯＰは
操作パネルを示す。
操作パネルを示す。
［発明か解決しようとする課題］
このように従来のこの種の基板処理装置では、装置の各
構成部は平面配置されており、半導体製造工場の高価な
りリーンルームでの床占有面積か大きくなる欠点があっ
た。また、処理手順に従って各部が一列に配置されてい
るため、各部か専有化され共通化による装置の低価格化
や形状寸法の縮小化が計れないという欠点があった。さ
らに、処理手順に依存した構成となるため、複数の処理
工程に対する融通性に欠けるという問題点かあった。
構成部は平面配置されており、半導体製造工場の高価な
りリーンルームでの床占有面積か大きくなる欠点があっ
た。また、処理手順に従って各部が一列に配置されてい
るため、各部か専有化され共通化による装置の低価格化
や形状寸法の縮小化が計れないという欠点があった。さ
らに、処理手順に依存した構成となるため、複数の処理
工程に対する融通性に欠けるという問題点かあった。
本発明は、上述の従来例の問題点に鑑み、床占有面積を
より少なくし、装置全体として低価格化や形状寸法の縮
小化を計ることかでき、また種々の処理工程に対応でき
るような融通性を有する基板処理装置を提供することを
目的とする。
より少なくし、装置全体として低価格化や形状寸法の縮
小化を計ることかでき、また種々の処理工程に対応でき
るような融通性を有する基板処理装置を提供することを
目的とする。
同時に、基板処理装置を装置の各構成部へ清浄な空気ま
たは温調された清浄な空気を送れる構造とし、クリーン
ルーム内の他の装置と基板受は渡しをする部分のみクリ
ーンルームに開口し、さらに装置全体はクリーンルーム
外へ設置することも可能となるようにして、クリーンル
ーム内の占有面積の著しい縮小を計ることを目的とする
。
たは温調された清浄な空気を送れる構造とし、クリーン
ルーム内の他の装置と基板受は渡しをする部分のみクリ
ーンルームに開口し、さらに装置全体はクリーンルーム
外へ設置することも可能となるようにして、クリーンル
ーム内の占有面積の著しい縮小を計ることを目的とする
。
［課題を解決するための手段および作用コ上記の目的を
達成するため、本発明に係る基板処理装置は、膜塗布部
、現像部、オープン部、洗浄部、遠紫外光照射部、膜厚
測定部、現像結果測定部、基板識別記号読取り部、また
は基板カセット載置部等の装置構成部を垂直方向に配置
することとしている。
達成するため、本発明に係る基板処理装置は、膜塗布部
、現像部、オープン部、洗浄部、遠紫外光照射部、膜厚
測定部、現像結果測定部、基板識別記号読取り部、また
は基板カセット載置部等の装置構成部を垂直方向に配置
することとしている。
これにより、床占有面積が縮小される。
各構成部へのウェハ等の基板の搬入あるいは各構成部か
らの基板搬出はウェハハンド等で行なうとよい。また、
各部の基板搬出入の順序を、一連の組み合せられる処理
手順により任意に設定できるようにし、あるいは一連の
処理手順を複数設定して同時または切替えて動作させら
れるようにすれば便宜である。
らの基板搬出はウェハハンド等で行なうとよい。また、
各部の基板搬出入の順序を、一連の組み合せられる処理
手順により任意に設定できるようにし、あるいは一連の
処理手順を複数設定して同時または切替えて動作させら
れるようにすれば便宜である。
さらに、各構成部に対してクリーンフィルタを通した清
浄な空気を送れるようにするとよい。
浄な空気を送れるようにするとよい。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略
構成を示す斜視図である。これは本発明の基板処理装置
を半導体製造装置に適用した例である。同図において、
ＡＤは清浄空気または温調空気を送り込むダクト、ＡＦ
は送られた空気をさらに清浄化するフィルタ、ＲＤは清
浄空気の回収または排気ダクト、ＨＤは配線配管ダクト
、ＣＡはキャリア、ＩＤＸはウェハカセット載置部であ
る。なお、キャリアＣＡはステージか回転する機構を有
する。また、ウェハカセット載置部ＩＤＸはカセットエ
レヘータになっていてもよい。あるいは、後述するハン
ド部ＷＨＵのハンドＷＨによってウェハカセット載置部
ＩＤＸの各段のキャリアに収納されたウェハを直接取り
出してもよい。
構成を示す斜視図である。これは本発明の基板処理装置
を半導体製造装置に適用した例である。同図において、
ＡＤは清浄空気または温調空気を送り込むダクト、ＡＦ
は送られた空気をさらに清浄化するフィルタ、ＲＤは清
浄空気の回収または排気ダクト、ＨＤは配線配管ダクト
、ＣＡはキャリア、ＩＤＸはウェハカセット載置部であ
る。なお、キャリアＣＡはステージか回転する機構を有
する。また、ウェハカセット載置部ＩＤＸはカセットエ
レヘータになっていてもよい。あるいは、後述するハン
ド部ＷＨＵのハンドＷＨによってウェハカセット載置部
ＩＤＸの各段のキャリアに収納されたウェハを直接取り
出してもよい。
ＳＣはウェハ洗浄ユニット、ＣＴＩ、ＣＴ２は塗布装置
、ＯＶＩ、ＯＶ２はオープン部である。
、ＯＶＩ、ＯＶ２はオープン部である。
本実施例においては、オープン部ＯＶＩ、ＯＶ２に独立
したホットプレートが４枚設けられている。なお、この
中の一つを強制ウェハ冷却プレートとして使用すること
もできる。ＤＥＶＩ、ＤＥＶ２は現像装置、ＷＷ、ＷＷ
１〜４は各構成部へのウェハ搬出入口、ＣＷはキャリア
搬出入口である。
したホットプレートが４枚設けられている。なお、この
中の一つを強制ウェハ冷却プレートとして使用すること
もできる。ＤＥＶＩ、ＤＥＶ２は現像装置、ＷＷ、ＷＷ
１〜４は各構成部へのウェハ搬出入口、ＣＷはキャリア
搬出入口である。
以上の各構成部は半導体製造装置を設置する床面から垂
直方向に配置されている。
直方向に配置されている。
次に、ＷＨＵはウェハを各構成部間で移動するハンド部
全体を示す。このハンド部ＷＨＵは、−点鎖線て示され
ているように上記の垂直配置各部に面して配置される。
全体を示す。このハンド部ＷＨＵは、−点鎖線て示され
ているように上記の垂直配置各部に面して配置される。
ＷＨはウェハを構成部へ出し入れするハンドで矢印Ａ、
Ｂ、Ｃのように前後、左右、上下に動く。なお、ハンド
ＷＨか複数個設けられる場合には、ハンドの機構干渉が
ない構造となっている。
Ｂ、Ｃのように前後、左右、上下に動く。なお、ハンド
ＷＨか複数個設けられる場合には、ハンドの機構干渉が
ない構造となっている。
ハンドＷＨの前後方向く矢印Ａの方向）への動作はハン
ド機構ＷＨＢにより行なわれ、このハンド機構ＷＨＢは
さらにウェハを収納てきるボックスになっている。ＷＨ
ＤＩはハンドＷＨを左右方向（矢印Ｂの方向）へ動作さ
せるハンド駆動機構である。ハンド駆動機構ＷＨＤＩは
スライドＳＲに沿ってハンドＷＨを駆動ボールネジＤＳ
により動作させる。ＷＨＤ２はハンドＷＨをスライドＳ
Ｒおよび駆動ポールネジＤＳとともに上下方向（矢印Ｃ
の方向）へ動作させる垂直駆動機構である。
ド機構ＷＨＢにより行なわれ、このハンド機構ＷＨＢは
さらにウェハを収納てきるボックスになっている。ＷＨ
ＤＩはハンドＷＨを左右方向（矢印Ｂの方向）へ動作さ
せるハンド駆動機構である。ハンド駆動機構ＷＨＤＩは
スライドＳＲに沿ってハンドＷＨを駆動ボールネジＤＳ
により動作させる。ＷＨＤ２はハンドＷＨをスライドＳ
Ｒおよび駆動ポールネジＤＳとともに上下方向（矢印Ｃ
の方向）へ動作させる垂直駆動機構である。
なお、各ユニットのウェハ取り出し口は、ハンド方向の
一方向を向いている。ただし、左端・右端ツユニットに
ついては、さらに左・右の側に何らかのウェハ搬送機が
ある場合、取り出し口はそこにも持たせることが可能で
ある。
一方向を向いている。ただし、左端・右端ツユニットに
ついては、さらに左・右の側に何らかのウェハ搬送機が
ある場合、取り出し口はそこにも持たせることが可能で
ある。
また、各構成部はダクトＡＤ、フィルタＡＦおよび排気
ダクトＲＤにより、常に確実な清浄度を得ることができ
る。
ダクトＲＤにより、常に確実な清浄度を得ることができ
る。
第２図は、第１図の装置のダクトＡＤ、フィルタＡＦお
よび排気ダクトＲＤ等の部分の断面図である。空気（温
調された空気ても良い）は、タクトＡＤからエアフィル
タＡＦを介して矢印のようにユニット内に送られる。こ
のとき、図のようにエアフィルタＡＦの上にファンモー
タＤＭを有していても良い。空気は、ユニット内を層流
状態で通過するように配慮されている。また、空気は排
気ダクトＲＤに回収されるようになっている。さらに、
配線配管ダクトはタクトＡＤ−ＲＤとは隔離されてダク
トＡＤ −ＲＤの後部に用意されており、この部分は送
風排気は特に実施されていない。
よび排気ダクトＲＤ等の部分の断面図である。空気（温
調された空気ても良い）は、タクトＡＤからエアフィル
タＡＦを介して矢印のようにユニット内に送られる。こ
のとき、図のようにエアフィルタＡＦの上にファンモー
タＤＭを有していても良い。空気は、ユニット内を層流
状態で通過するように配慮されている。また、空気は排
気ダクトＲＤに回収されるようになっている。さらに、
配線配管ダクトはタクトＡＤ−ＲＤとは隔離されてダク
トＡＤ −ＲＤの後部に用意されており、この部分は送
風排気は特に実施されていない。
さらに、オープン部０■１．○Ｖ２ては各オープン（ヒ
ーター）の温度設定が自由であり、２つのヒーターをブ
リベータ用、他の２つをボストベーク用として使用する
ことも可能である。
ーター）の温度設定が自由であり、２つのヒーターをブ
リベータ用、他の２つをボストベーク用として使用する
ことも可能である。
以下、本実施例に係る装置による塗布処理と現像処理の
手順を説明する。
手順を説明する。
先ず、ウェハの塗布処理において、ウェハはウェハカセ
ット載置部ＩＤＸに置かれたキャリアＣＡからハンドＷ
Ｈにより取出される。そして、ウェハ洗浄が必要な場合
には、ウェハ洗浄ユニットＳＣに運ばれ洗浄される。そ
の後、ウェハ洗浄ユニットＳＣからハンドＷＨにより取
出され、オープンＯＶ２に運ばれ乾燥される。このよう
にしてハンド部ＷＨＵのハンドＷＨにより次々と各処理
ユニットに運ばれていき、乾燥以後は順次、塗布装置Ｃ
ＴＩにて塗膜され、オープンＯ■１にて焼成され、さら
に塗布が必要であれば塗布装置ＣＴ２にて塗膜され、再
度オープンＯＶ１にて焼成され、キャリアＣＡに戻され
る。
ット載置部ＩＤＸに置かれたキャリアＣＡからハンドＷ
Ｈにより取出される。そして、ウェハ洗浄が必要な場合
には、ウェハ洗浄ユニットＳＣに運ばれ洗浄される。そ
の後、ウェハ洗浄ユニットＳＣからハンドＷＨにより取
出され、オープンＯＶ２に運ばれ乾燥される。このよう
にしてハンド部ＷＨＵのハンドＷＨにより次々と各処理
ユニットに運ばれていき、乾燥以後は順次、塗布装置Ｃ
ＴＩにて塗膜され、オープンＯ■１にて焼成され、さら
に塗布が必要であれば塗布装置ＣＴ２にて塗膜され、再
度オープンＯＶ１にて焼成され、キャリアＣＡに戻され
る。
その後、キャリアＣＡからウェハが取出され、本装置外
の露光ユニットにて露光され再びキャリアＣＡに戻され
る。
の露光ユニットにて露光され再びキャリアＣＡに戻され
る。
次に現像処理のため、露光済のウェハは再度ハンドＷＨ
により取出され現像ユニットＤＥＶＩまたはＤＥＶ２に
運ばれ現像される。現像後は再ひハンドＷＨによりウェ
ハをオープンＯＶＩまたはＯＶ２に運び入れて焼成し、
その後最終キャリアＣＡに戻し、全工程を終了する。
により取出され現像ユニットＤＥＶＩまたはＤＥＶ２に
運ばれ現像される。現像後は再ひハンドＷＨによりウェ
ハをオープンＯＶＩまたはＯＶ２に運び入れて焼成し、
その後最終キャリアＣＡに戻し、全工程を終了する。
なお、本実施例はフォトリングラフィにおけるスピン式
装置およびヘーキング装置等のユニ・ントレイアウトに
よる例として示したか、これ以外にも適用可能であり、
例えばエツチングやＣＶＤ等のユニットレイアウトに対
しても同様の構成を成立たせることが可能である。
装置およびヘーキング装置等のユニ・ントレイアウトに
よる例として示したか、これ以外にも適用可能であり、
例えばエツチングやＣＶＤ等のユニットレイアウトに対
しても同様の構成を成立たせることが可能である。
なお、第１図の装置では、洗浄部ＳＣ，塗布部ＣＴ、オ
ープン部ＯＶＩ、ＯＶ２および現像部ＤＥＶ１．ＤＥＶ
２を組み込んで記載したが、例えば第３図のように構成
することもてきる。同図の構成においては、まずキャリ
アＣＡＩから第１枚目のウェハを取り出し、基板識別記
号読み取り部ＲＥＡＤＩに入れる。そして第１枚目のウ
ェハの識別記号の内容を読み取り、テスト用のウェハで
あることを認識し、塗布部ＣＴＩからオープン部ＯＶＩ
を経由して膜厚測定部ｓｐｔへと入る。これにより膜厚
を測定し、膜厚か基準値内にある場合は、そのまま第２
枚目のウニへの処理へと移っても良いので、第２枚目か
らの処理へと移る。テスト用ウェハの膜厚が基準値内に
ない場合は、塗布部ＣＴＩの回転数を自動的に変更して
第２枚目のウェハからの処理へと穆る。また、この第２
枚目のウェハからの処理に穆るときも、基板識別記号読
み取り部ＲＥＡＤＩにおける読み取りにより、ウェハが
ＣＴ１→ＯＶＩ→ＣＴ２→ＯＶ２と経由するか、それと
もＣＴｌ−０ＶＩまたはＣＴ２→ＯＶ２と経由するかを
認識し、これによりウェハの処理をしていく。
ープン部ＯＶＩ、ＯＶ２および現像部ＤＥＶ１．ＤＥＶ
２を組み込んで記載したが、例えば第３図のように構成
することもてきる。同図の構成においては、まずキャリ
アＣＡＩから第１枚目のウェハを取り出し、基板識別記
号読み取り部ＲＥＡＤＩに入れる。そして第１枚目のウ
ェハの識別記号の内容を読み取り、テスト用のウェハで
あることを認識し、塗布部ＣＴＩからオープン部ＯＶＩ
を経由して膜厚測定部ｓｐｔへと入る。これにより膜厚
を測定し、膜厚か基準値内にある場合は、そのまま第２
枚目のウニへの処理へと移っても良いので、第２枚目か
らの処理へと移る。テスト用ウェハの膜厚が基準値内に
ない場合は、塗布部ＣＴＩの回転数を自動的に変更して
第２枚目のウェハからの処理へと穆る。また、この第２
枚目のウェハからの処理に穆るときも、基板識別記号読
み取り部ＲＥＡＤＩにおける読み取りにより、ウェハが
ＣＴ１→ＯＶＩ→ＣＴ２→ＯＶ２と経由するか、それと
もＣＴｌ−０ＶＩまたはＣＴ２→ＯＶ２と経由するかを
認識し、これによりウェハの処理をしていく。
さらに、第４図のように構成した場合、まずキャリアＣ
ＡＩから第１枚目のウェハを取り出し、基板識別記号読
み取り部ＲＥＡＤＩに入れる。そして、第１枚目のウェ
ハの識別記号の内容を読み取り、ウェハが、ＤＥＶＩま
たはＤＥＶ２→０■１またはＯＶ２→ＤＵＶＩまたはＤ
ｔＪＶ２と経由して処理をするか、ＤＥＶＩまたはＤＥ
Ｖ２→ＯＶ１またはＯＶ２のみの処理をするかを判断し
、処理を進めていく。なお、ここでＤＵＶＩ、ＤＩ■２
は現像処理後のパターンの耐熱性を向上させるための遠
紫外線照射部である。また、この現像部ＤＥＶＩ、ＤＥ
Ｖ２は、現像結果測定部（現像終点検出部）を内蔵して
おり、毎ウニへの現像か適切になるように光学的に検出
てきる部分を有している。
ＡＩから第１枚目のウェハを取り出し、基板識別記号読
み取り部ＲＥＡＤＩに入れる。そして、第１枚目のウェ
ハの識別記号の内容を読み取り、ウェハが、ＤＥＶＩま
たはＤＥＶ２→０■１またはＯＶ２→ＤＵＶＩまたはＤ
ｔＪＶ２と経由して処理をするか、ＤＥＶＩまたはＤＥ
Ｖ２→ＯＶ１またはＯＶ２のみの処理をするかを判断し
、処理を進めていく。なお、ここでＤＵＶＩ、ＤＩ■２
は現像処理後のパターンの耐熱性を向上させるための遠
紫外線照射部である。また、この現像部ＤＥＶＩ、ＤＥ
Ｖ２は、現像結果測定部（現像終点検出部）を内蔵して
おり、毎ウニへの現像か適切になるように光学的に検出
てきる部分を有している。
本実施例の装置では、オペレータが操作することによっ
て一連の組み合わせられる処理手順か任意に設定できる
。この処理手順に従いホストコンピュータは、ウェハの
搬出入の順序を制御する。
て一連の組み合わせられる処理手順か任意に設定できる
。この処理手順に従いホストコンピュータは、ウェハの
搬出入の順序を制御する。
例えは、オペレータか指定可能な処理手順には以下のよ
うなものかある。
うなものかある。
■インデクサＩＤＸに置かれたキャリアＣＡ中のウェハ
を次のように移動し処理する。
を次のように移動し処理する。
キャリアＣＡ→塗布部ＣＴＩ→オープン部ＯＶ１→キャ
リアＣＡ これは塗布後ヘーキングするのみの処理を指定したもの
である。
リアＣＡ これは塗布後ヘーキングするのみの処理を指定したもの
である。
■インデクサＩＤＸに置かれたキャリアＣＡ中のウェハ
を次のように移動し処理する。
を次のように移動し処理する。
キャリアＣＡ→塗布部ＣＴＩ→オープン部ＯＶＩ→塗布
部ＣＴ２→オープン部ＯＶ２→キャリアＣＡ ■インデクサＩＤＸに置かれたキャリアＣＡ中のウェハ
を次のように移動し処理する。
部ＣＴ２→オープン部ＯＶ２→キャリアＣＡ ■インデクサＩＤＸに置かれたキャリアＣＡ中のウェハ
を次のように移動し処理する。
キャリアＣＡ−洗浄部ｓｃ−オープン部ＯＶ２→塗布部
ＣＴＩ→オープン部ＯＶＩ→キャリアＣＡ ■インデクサＩＤＸに置かれたキャリアＣＡ中のウェハ
を次のように移動し処理する。
ＣＴＩ→オープン部ＯＶＩ→キャリアＣＡ ■インデクサＩＤＸに置かれたキャリアＣＡ中のウェハ
を次のように移動し処理する。
キャリアＣＡ→現像部ＤＥＶＩまたはＤＥＶ２→オープ
ン部ＯＶＩまたはＯＶ２→キャリアＣＡ 以上のようにオペレータの操作によってウェハのプロセ
ス順序を指定し、ホストコンピュータはその指定された
プロセスに従ってウェハを処理していく。
ン部ＯＶＩまたはＯＶ２→キャリアＣＡ 以上のようにオペレータの操作によってウェハのプロセ
ス順序を指定し、ホストコンピュータはその指定された
プロセスに従ってウェハを処理していく。
さらに、本実施例の装置では、一連の処理手順を複数設
定し同時あるいは切替えて動作させることもてきる。例
えば、キャリアが複数個設置されていた場合に、Ａキャ
リアのウェハは塗布部ＣＴ１からオープン部ＯＶＩを経
由した処理へ、Ｂキャリアのウェハは現像部ＤＥＶＩま
たはＤＥＶ２からオープン部ＯＶ２を経由した処理へ、
というように設定すれは、各ユニットのレディまたはヒ
ジー状態をホストコンピュータが判断しながらハンドＷ
Ｈか各キャリアのウェハを自動的に移動しつつ処理を進
めていくことかできる。
定し同時あるいは切替えて動作させることもてきる。例
えば、キャリアが複数個設置されていた場合に、Ａキャ
リアのウェハは塗布部ＣＴ１からオープン部ＯＶＩを経
由した処理へ、Ｂキャリアのウェハは現像部ＤＥＶＩま
たはＤＥＶ２からオープン部ＯＶ２を経由した処理へ、
というように設定すれは、各ユニットのレディまたはヒ
ジー状態をホストコンピュータが判断しながらハンドＷ
Ｈか各キャリアのウェハを自動的に移動しつつ処理を進
めていくことかできる。
また、第５図に示すように、本実施例の装置の各部を集
中的に制御する集中コントロールモニタＨＣを、ホスト
ＣＰＵと接続した状態で制御室（装置の入っている場所
とは違う室）にもっていき制御監視用として用いること
もてきる。
中的に制御する集中コントロールモニタＨＣを、ホスト
ＣＰＵと接続した状態で制御室（装置の入っている場所
とは違う室）にもっていき制御監視用として用いること
もてきる。
また、各構成部にはサブハンドをもたせることができる
。第６図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は、第１図に
示す装置の塗布装置ＣＴｌ内にサブハンドをもたせた様
子を示す要部の斜視図および断面図である。
。第６図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は、第１図に
示す装置の塗布装置ＣＴｌ内にサブハンドをもたせた様
子を示す要部の斜視図および断面図である。
同図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）においで、ＨＤは
ハンド、ＣＨはチャック、ＣＰはカップ、ＣＢＨはサブ
ハンド、ＳＲはスライドレール、ＲＧはラックギヤ、Ｐ
Ｇはピニオンギヤ、ＣＹＩ〜３はシリンダ、Ｗｌ、Ｗ２
はウェハを示す。シリンダＣＹ２は第３図（ｃ）に示す
ようにベースに固定されており、シリンダＣＹＩとシリ
ンダＣＹ２はリンク固定されている。
ハンド、ＣＨはチャック、ＣＰはカップ、ＣＢＨはサブ
ハンド、ＳＲはスライドレール、ＲＧはラックギヤ、Ｐ
Ｇはピニオンギヤ、ＣＹＩ〜３はシリンダ、Ｗｌ、Ｗ２
はウェハを示す。シリンダＣＹ２は第３図（ｃ）に示す
ようにベースに固定されており、シリンダＣＹＩとシリ
ンダＣＹ２はリンク固定されている。
本サブハンドは、ウェハセンタリング機能前クエハハッ
ファ機能を有する。すなわち、第６図（ｂ）に示すよう
にサブハンドＣＢＨの上部はバッファ域になり処理済の
ウェハＷ２を保持することができ、また処理前のウェハ
Ｗ１をチャックＣＨ上に載置する際にそのセンタリング
を行なうことができる。
ファ機能を有する。すなわち、第６図（ｂ）に示すよう
にサブハンドＣＢＨの上部はバッファ域になり処理済の
ウェハＷ２を保持することができ、また処理前のウェハ
Ｗ１をチャックＣＨ上に載置する際にそのセンタリング
を行なうことができる。
この動作を説明する。先ず、チャックＣＨ上に載置され
ている処理済ウェハＷ２をチャックＣＨにより紙面の上
方に突ぎ上げる。その後、シリンダＣＹＩを縮め、ラッ
クギヤＲＧおよびピニオンギヤＰＧの働きによりサブハ
ンドＣＢＨの２つのアームの幅を狭める。そして、チャ
ックＣＨを下げることによりサブハンドＣＢＨ上にウェ
ハｗ２を載せる。これが終わるとシリンダＣＹ３により
サブハンドＣＢＨを紙面の上方に上昇させる。これによ
りウェハＷ２かバッファリングされる。
ている処理済ウェハＷ２をチャックＣＨにより紙面の上
方に突ぎ上げる。その後、シリンダＣＹＩを縮め、ラッ
クギヤＲＧおよびピニオンギヤＰＧの働きによりサブハ
ンドＣＢＨの２つのアームの幅を狭める。そして、チャ
ックＣＨを下げることによりサブハンドＣＢＨ上にウェ
ハｗ２を載せる。これが終わるとシリンダＣＹ３により
サブハンドＣＢＨを紙面の上方に上昇させる。これによ
りウェハＷ２かバッファリングされる。
次に、処理前ウェハＷ１をハンドＨＤによりカップＣＰ
上に運び入れる。そして、再びチャックＣＨを上昇させ
ウェハＷ１をチャックＣＨ上に受は取る。ハンドＨＤは
カップＣＰ上から一度逃げる。この時シリンダＣＹ２か
縮むことにより、わずかにハンドＣＢＨのアームが挟ま
り、ウェハＷ１のセンタとチャックセンタが完全に合致
する。
上に運び入れる。そして、再びチャックＣＨを上昇させ
ウェハＷ１をチャックＣＨ上に受は取る。ハンドＨＤは
カップＣＰ上から一度逃げる。この時シリンダＣＹ２か
縮むことにより、わずかにハンドＣＢＨのアームが挟ま
り、ウェハＷ１のセンタとチャックセンタが完全に合致
する。
第６図（ｂ）はこのときの状態を示している。次に、チ
ャックＣ）（は真空によりウェハＷ１を吸着する。そし
て、再びシリンダＣＹ２か動作しわずかにサブハンドＣ
ＢＨか開き、チャックＣＨはウェハＷ１を吸着したまま
下降する。再ひハンドＨＤがカップＣＰ上に差し入れら
れ、その後シリンダＣＹ３によりサブハンドＣＢＨが下
降しハンドＨＤ上にウェハＷ２を受は渡し、ハンドＨＤ
は再び縮み次の処理へ移行する。なお、これと同時にシ
リンダＣＹＩが開きサブハンドＣＢＨはカップＣＰ上か
ら逃げ、ウェハＷ１の処理を始める状態となる。
ャックＣ）（は真空によりウェハＷ１を吸着する。そし
て、再びシリンダＣＹ２か動作しわずかにサブハンドＣ
ＢＨか開き、チャックＣＨはウェハＷ１を吸着したまま
下降する。再ひハンドＨＤがカップＣＰ上に差し入れら
れ、その後シリンダＣＹ３によりサブハンドＣＢＨが下
降しハンドＨＤ上にウェハＷ２を受は渡し、ハンドＨＤ
は再び縮み次の処理へ移行する。なお、これと同時にシ
リンダＣＹＩが開きサブハンドＣＢＨはカップＣＰ上か
ら逃げ、ウェハＷ１の処理を始める状態となる。
第７図は、第１図の装置のオープン部例えばＯ■１０１
つのユニットを示す。これはオープン内にサブハンドを
設け、ウェハがオーバーベークされないようにホットプ
レートを設けた加熱室から一定時間の後にサブハンドに
てウェハを取り出すようにした例である。
つのユニットを示す。これはオープン内にサブハンドを
設け、ウェハがオーバーベークされないようにホットプ
レートを設けた加熱室から一定時間の後にサブハンドに
てウェハを取り出すようにした例である。
同図において、ハンドＨＤからオープンチャックＣＨＯ
にウェハを受は取ると、シリンダＣＹ４が駆動してユニ
ット全体をアップしサブハンドＳＢＨ上にウェハを受は
取る。サブハンドＳＢＨはモータＭ１の駆動により左に
動作し、オープン０■上にウェハを搬入しシリンダＣＹ
４によるユニット全体のダウンでウェハをオープン０■
上に置く。そして、サブハンドＳＢＨは再びモータＭ１
の駆動により元の位置へ戻る。オープンＯ■でのベーキ
ングがある一定時間たつと、サブハンドＳＢＨは前記の
逆動作によりウェハをオープンチャックＣＨＤ上に戻す
ことかてぎる。
にウェハを受は取ると、シリンダＣＹ４が駆動してユニ
ット全体をアップしサブハンドＳＢＨ上にウェハを受は
取る。サブハンドＳＢＨはモータＭ１の駆動により左に
動作し、オープン０■上にウェハを搬入しシリンダＣＹ
４によるユニット全体のダウンでウェハをオープン０■
上に置く。そして、サブハンドＳＢＨは再びモータＭ１
の駆動により元の位置へ戻る。オープンＯ■でのベーキ
ングがある一定時間たつと、サブハンドＳＢＨは前記の
逆動作によりウェハをオープンチャックＣＨＤ上に戻す
ことかてぎる。
スピン式処理装置による塗布のプロセスおよびベータ等
のプロセスが重複する場合、横列配置のものでは第８図
に示すように非常に膨大な装置専有面積をとる必要があ
る。しかし、上記実施例に示すような装置によれは、装
置を縦に延ばすため、ある限られた小面積に配置するこ
とができ、装置占有面積が小さくなる。
のプロセスが重複する場合、横列配置のものでは第８図
に示すように非常に膨大な装置専有面積をとる必要があ
る。しかし、上記実施例に示すような装置によれは、装
置を縦に延ばすため、ある限られた小面積に配置するこ
とができ、装置占有面積が小さくなる。
また、従来は横列配置てあったため、例えは第９図の平
面配置図に示すような装置配列で、ＳＯＧ ＣＴ （５
ＰＩＮ ＯＮ ＧＬＡＳＳコーター）のみ使用したい場
合には、Ｂ３．Ｂ、をセンダ、Ｂ５．Ｂ６をレシーバと
して使わなければならないというような制約があった。
面配置図に示すような装置配列で、ＳＯＧ ＣＴ （５
ＰＩＮ ＯＮ ＧＬＡＳＳコーター）のみ使用したい場
合には、Ｂ３．Ｂ、をセンダ、Ｂ５．Ｂ６をレシーバと
して使わなければならないというような制約があった。
しかし、上記実施例に示すような装置によれは、このよ
うな制約はなく、途中でプロセスを変更したい場合ても
同一キャリアステーションからウェハの取り出しが可能
である。
うな制約はなく、途中でプロセスを変更したい場合ても
同一キャリアステーションからウェハの取り出しが可能
である。
本実施例の装置によれは、無駄なバッファステーション
（第９図の８１〜Ｂ６）がなくなり、各ユニット間（例
えば第９図のＳからＣ７間）にハンドを必要としないた
め、低価格化か図れる。また、装置自体か清浄度を上げ
ることかできるため、ユーザクリーンルームの価格を下
げることかできる。
（第９図の８１〜Ｂ６）がなくなり、各ユニット間（例
えば第９図のＳからＣ７間）にハンドを必要としないた
め、低価格化か図れる。また、装置自体か清浄度を上げ
ることかできるため、ユーザクリーンルームの価格を下
げることかできる。
さらに、各ユニットにおいてクリーンネス、温調の必要
な部分を局所的にコントロールすることができるため、
常にコンスタントの条件を実現できる。また、ハンドリ
ング中のウェハは常に収納ケース内に納って搬送される
ため、ウェハ上へ異物が乗る心配もない。
な部分を局所的にコントロールすることができるため、
常にコンスタントの条件を実現できる。また、ハンドリ
ング中のウェハは常に収納ケース内に納って搬送される
ため、ウェハ上へ異物が乗る心配もない。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、基板処理装置の
各構成部を垂直方向に配置しているので、床占有面積が
縮小でき、装置全体として低価格化や形状寸法の縮小化
を計ることができる。
各構成部を垂直方向に配置しているので、床占有面積が
縮小でき、装置全体として低価格化や形状寸法の縮小化
を計ることができる。
また、比較的清浄度の低いクリーンルーム内でも、本発
明による装置内は清浄度を高く保つことができ、ウェハ
に対する汚染を少なくすることが可能となる。
明による装置内は清浄度を高く保つことができ、ウェハ
に対する汚染を少なくすることが可能となる。
さらに、処理工程に関して非常に融通性が向上し、半導
体の試作や研究を行なうような研究所、工場、あるいは
多品種少量生産の工場ての多目的使用等が可能となる。
体の試作や研究を行なうような研究所、工場、あるいは
多品種少量生産の工場ての多目的使用等が可能となる。
第１図は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略
構成を示す斜視図、 第２図は、第１図に示す装置のダクトＡＤ、フィルタＡ
Ｆおよび排気タクトＲＤ等の部分の断面図、 第３図および第４図は、本発明の他の実施例に係る基板
処理装置の概略構成を示す正面図、第５図は、集中コン
トロールモニタＨＣを制御室に配置する例を示すブロッ
ク図、 第６図は、第１図に示す装置の塗布装置内にサブハンド
をもたせた様子を示す要部の斜視図および断面図、 第７図は、第１図の装置のオープン部の１つのユニット
を示す斜視図、 第８図および第９図は、各構成部が平面配置された従来
の半導体製造装置の平面配置図である。 ＡＤ、ＲＤ・ダクト、 ＡＦ：フィルタ、ＨＤ
配線配管ダクト、 ＣＡ・キャリア、ＩＤＸ：ウニへカ
セット載置部、 ＳＣ＋ウェハ洗浄ユニット、 ＣＴ１．ＣＴ２：塗布装置、 ＯＶｌ、ＯＶ２・オープン部、 ＤＥＶｌ、ＤＥＶ２：現像装置、 ＷＷ、ＷＷＩ〜ＷＷ４：ウェハ搬出入口、ＣＷ：キャリ
ア搬出入口、 ＷＨＵ：ハンド部全体、 ＷＨ；ハンド上Ｃ：集中コン
トロールモニタ ＨＤ：ハンド、 ＣＨ，チャック、ｃｐ・カップ
、 ＣＢＨ：サブハンド、ＳＲニスライドレール
、ＲＧニラツクギヤ、ＰＧ ピニオンギヤ、 ＣＹ
１〜４ニジリンダ、Ｗｌ、Ｗ：ｌウェハ、 ＣＨＯ：オープンチャック、 ＳＢＨサブハンド、 ＯＶ、オープン、Ｍｌ・駆動モ
ータ。 ５ＰＩｌ 凶 第３図 Ｑｐ 第４図 （ｂ） （Ｃ） 第６図
構成を示す斜視図、 第２図は、第１図に示す装置のダクトＡＤ、フィルタＡ
Ｆおよび排気タクトＲＤ等の部分の断面図、 第３図および第４図は、本発明の他の実施例に係る基板
処理装置の概略構成を示す正面図、第５図は、集中コン
トロールモニタＨＣを制御室に配置する例を示すブロッ
ク図、 第６図は、第１図に示す装置の塗布装置内にサブハンド
をもたせた様子を示す要部の斜視図および断面図、 第７図は、第１図の装置のオープン部の１つのユニット
を示す斜視図、 第８図および第９図は、各構成部が平面配置された従来
の半導体製造装置の平面配置図である。 ＡＤ、ＲＤ・ダクト、 ＡＦ：フィルタ、ＨＤ
配線配管ダクト、 ＣＡ・キャリア、ＩＤＸ：ウニへカ
セット載置部、 ＳＣ＋ウェハ洗浄ユニット、 ＣＴ１．ＣＴ２：塗布装置、 ＯＶｌ、ＯＶ２・オープン部、 ＤＥＶｌ、ＤＥＶ２：現像装置、 ＷＷ、ＷＷＩ〜ＷＷ４：ウェハ搬出入口、ＣＷ：キャリ
ア搬出入口、 ＷＨＵ：ハンド部全体、 ＷＨ；ハンド上Ｃ：集中コン
トロールモニタ ＨＤ：ハンド、 ＣＨ，チャック、ｃｐ・カップ
、 ＣＢＨ：サブハンド、ＳＲニスライドレール
、ＲＧニラツクギヤ、ＰＧ ピニオンギヤ、 ＣＹ
１〜４ニジリンダ、Ｗｌ、Ｗ：ｌウェハ、 ＣＨＯ：オープンチャック、 ＳＢＨサブハンド、 ＯＶ、オープン、Ｍｌ・駆動モ
ータ。 ５ＰＩｌ 凶 第３図 Ｑｐ 第４図 （ｂ） （Ｃ） 第６図
Claims (5)
- （１）膜塗布部、現像部、オープン部、洗浄部、遠紫外
光照射部、膜厚測定部、現像結果測定部、基板識別記号
読取り部、または基板カセット載置部等の各装置構成部
を垂直方向に配置したことを特徴とする基板処理装置。 - （２）前記各構成部への基板搬入あるいは各構成部から
の基板搬出を基板ハンドで行なう特許請求の範囲第１項
に記載の基板処理装置。 - （３）前記各構成部の基板搬出入の順序を、一連の組み
合せられる処理手順により任意に設定できる特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の基板処理装置。 - （４）一連の処理手順を複数設定し、同時あるいは切替
えて動作させられる特許請求の範囲第１項ないし第３項
のいずれか１つに記載の基板処理装置。 - （５）前記各構成部に対しクリーンフィルタを通した清
浄な空気を送る手段を具備する特許請求の範囲第１項な
いし第４項のいずれか１つに記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6820288A JP2559617B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 基板処理装置 |
| GB8906751A GB2217107B (en) | 1988-03-24 | 1989-03-23 | Workpiece processing apparatus |
| DE3909669A DE3909669A1 (de) | 1988-03-24 | 1989-03-23 | Vorrichtung zur bearbeitung von werkstuecken |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6820288A JP2559617B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241840A true JPH01241840A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2559617B2 JP2559617B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13366973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6820288A Expired - Lifetime JP2559617B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559617B2 (ja) |
| DE (1) | DE3909669A1 (ja) |
| GB (1) | GB2217107B (ja) |
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| DE3909669C2 (ja) | 1992-06-04 |
| GB2217107B (en) | 1992-09-23 |
| GB8906751D0 (en) | 1989-05-10 |
| DE3909669A1 (de) | 1989-10-05 |
| GB2217107A (en) | 1989-10-18 |
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