JPH01242733A - 希土類金属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体として用いられる希土類金属
−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土
類金属−遷移金属ターゲットの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、ガラスあるいは樹脂基板上にスパッタリング法を
用いて所望組成の希土類金属−遷移金属系の薄膜を形成
し、これを記録媒体として用いた置き換え可能で高密度
記録が可能な光磁気ディスクの開発が行なわれている。

このスパッタリングに用いられるターゲットの製造方法
としては、従来以下のようなものが提案されていた。

（１）所望組成の希土類金属−遷移金属合金を真空中ま
たは不活性ガス雰囲気中で溶解した後、同じく真空中あ
るいは不活性ガス中で所定の形状に鋳造してターゲット
を製造する方法（日経ニューマテリアル１９８６年１１
月２４日−号Ｐ６１）。

（２）所望組成の合金を真空中または、不活性ガス雰囲
気中で、溶解、鋳造してインゴットを作成し、このイン
ゴットを粉砕して得られた粉末を加圧焼結する方法（特
開昭６１−９１３３６号）。

（３）希土類金属粉末と遷移金属粉末を所望組成に混合
し、この混合粉末を液相発現温度未満の温度範囲で加圧
焼結する方法（特開昭６１−９９６４０号）。

（４）　　目標成分よりも遷移金属量が少ない遷移金属
−希土類金属粉末を溶解・粉砕法により製造し、前記合
金粉末と遷移金属粉末とを所望組成に混合した後、成形
し、焼結する方法（特開昭６０−２３０９０３号）。

しかしながら、前記（１）の製造方法でターゲットを作
成した場合。

（ａ）　　Ｕ造時に添加元素の偏析が生じやすく均質な
ターゲットを得にくい。

（ｂ）　　希土類金属−遷移金属系合金は非常に脆性な
金属間化合物を形成するため、鍛造などの組織均均質化
プロセスがとりにくい、このため、鋳造時に生じた巣な
どの欠陥を除ｆすること力゛不可能である。

（ｃ）　　材質的に脆いため、ターゲット形状に加工す
る際、チッピングや割れを生じやすく機械加工が非常に
困難である。またボンディング時およびスパッタ時の熱
応力でターゲットが割れてしまう。

（ｄ）　　本製造方法によるターゲットをスパッタして
作成した薄膜の組成は、ターゲット組成から７〜１０ａ
ｔ％近く遷移金属合金にずれを生じ、薄膜組成の制御が
難しい。

などの問題点がある。

前記（２）の製造方法でターゲットを作成した場合、均
質なターゲットは製造可能であるが粉末の構成粒子自体
が脆い金属間化合物より成るため前記（１）のプロセス
で製造したターゲットと同様の問題点がある。

前記（３）の製造方法で作成した場合、（ａ）　　希土
類金属は酸素との親和力が強いため、粉末作成時、粉体
の取扱い時および加圧焼結時に希土類金属が酸化し、低
酸素の成形体を得られない場合がある。このような成形
体をスパッタリング用ターゲットとして使用した場合、
ターゲット中の含有酸素が薄膜の内部にとり込まれて、
希土類金属を選択的に酸化するため薄膜の磁気特性、特
に保磁力Ｈｃが大きく変動する。

（ｂ）　　スパッタリングの初期において、遷移金属相
より希土類金属相の部分が優先的にスパッタされ、その
後に遷移金属相および希土類金属相のスパッタリング速
度が平衡に達するという挙動を示　　　　□す。このた
め薄膜の組成が安定するまでに長時間のプリスパッタを
行なう必要があり、ターゲットの使用効率が悪い。

という問題点がある。

前記（４）の製造方法、具体的には（４）の公開特許公
報で実施例として開示されている、遷移金属−希土類金
属系の合金粉末に１〜ＩＯ重量２程度の遷移金属を所望
組成になるよう混合し、前記混合粉末を圧粉成形し、次
いで焼結を行なった場合、（、、）　　薄膜組成が安定
するまでのブリスパッタに要する時間は前記（３）の製
造方法によるターゲットと比較して短時間となるが、タ
ーゲット組成と薄膜組成間のずれが大きく、また薄膜面
内で組成変化量も大きい。

（ｂ）　　混合粉を圧粉成形後、不活性ガス中または、
真空中で、焼結するだけでは、成形体の密度があがらず
、ターゲット中に空孔が残存した状態となり、これがス
パッタリング時の異常放電の原因となること。

（ｃ）　　機械加工の点から見ると、前記（１）、（２
）の製造方法によるターゲットと比較して改善されては
いるが、材料中に含有している希土類金属は全て遷移金
属との金属間化合物として存在するため、旋盤などで機
械加工する際、割れやチッピングを生じやすい。

などの問題点がある。

以上説明した従来技術の問題点を解決しようとしたター
ゲラ１−として特開昭６２−７０５５０号に、希土類金
属とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの一種以上（鉄族金属と記す）と
の金属間化合物と、鉄族金属単体とが焼結によって結合
した微細な混合組織を有するターゲットが開示されてい
る。

すなわち、希土類金属粉末と鉄族金Ｊ１Ｍ粉末とを所望
組成に混合し、次いで液相発現温度未満の温度で加圧焼
結し希土類金属と鉄族金属からなる成形体を形成し、そ
の後液相発現温度以上の温度で成形体を短時間加熱する
ことにより成形体中の希土類金属を金属間化合物に変換
し、上記組織のターゲットを得るものである。

このターゲットによると、金属間化合物に変換された希
土類金属は、単体の場合よりもスパッタリング速度が低
下して鉄族金属単体のスパッタリング速度に近づき、こ
の結果従来から提起されていた薄膜組成の不安定という
問題が解決され、かつターゲット中に存在している鉄族
金属によって。

加工性が十分に保証される強度をも具備することが可能
である。

しかるに本発明者の検討によると、特開昭６２−７０５
５０号に開示された技術においても以下の問題点を有し
、より一層の改善が望まれるところである。

すなわち、 （ａ）　　第１０回口本応用磁気学会誌学術講演概要集
（１，９８６，Ｉ）１２８〜Ｐ１２９）によれば、ター
ゲットと薄膜間の組成ずれは、希土類金属、遷移金属、
希土類金属−遷移金属金属間化合物の量比を適正に制御
することで改善可能なことが報告されている。

しかるに特開昭６２−７０５５０号のように熱処理によ
って組織制御する方法では、 ｌ）鉄族金属単体周辺の金属間化合物層が異常成長する
、 １ｉ）特開昭６２−７０５５０号公報の第６図のＣによ
ると鉄族金属単体相、金属間化合物相の他に、希土類金
属のα相と希土類金属−鉄族金属金属間化合物相とから
なる共晶合金相が存在しているが、この共晶合金相内の
希土類金属のα相と希土類金属−鉄族金属台Ｊバ間化合
物の晶出址および形状を制御することが非常に困難であ
る、 ｉｉｉ　）組織にムラを生じやすい、 などの欠点がある。したがって、上記のターゲットを用
いてスパッタリングを行なった場合、ｉ）スパッタ時間
が長時間になると膜組成や特性が変動する、 ５Ｘ）ターゲット組成が全く同じものでも、熱処理のロ
ットが異なれば膜組成、特性が異なる。いわゆるロット
間のばらつきが大きいという問題点がある。

（ｂ）　　機械的強度の面からすると、鉄族金属周辺に
存在する脆弱な希土類金属−鉄族金属金属間化合物を薄
くする必要があるが、前述のように異常成長により層厚
が厚くなり好ましくない。

（ｃ）、希土類金属粉末と鉄族金属粉末の混合物を焼結
したターゲットは、酸素含有量がもともと高くなりやす
い上、熱処理を行なうので最終製品は高酸素になり易く
、薄膜特性に悪影響を及ぼす。

（ｄ）　　熱処理温度から室温まで冷却する際、成形体
にそりや曲がりが発生し易い。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明者等は、以上の問題点を解決する手段として、ガ
スアトマイズ法等の急冷凝固処理によって得られた希土
類金属のα相と金属間化合物相とが均一かつ微細に晶出
した希土類金属−遷移金属合金粉末と遷移金属粉末との
混合物を液相発現温度未満で加圧焼結する手法を先に提
案している。

該手法により得られたターゲットは、希土類金属のα相
および該希土類金属と遷移金属との金属間化合物とが均
一微細に分散した共晶合金層と遷移金属単体相とが金属
間化合物を主体とする固相接合層により結合した組織を
有し、ターゲットと薄膜との組成ずれの低減、長時間ス
パッタにおける薄膜組成の安定化を達成した。

ところで、希土類金属−遷移金属ターゲットによりスパ
ッタリングして得られる薄膜を考慮した場合、ターゲッ
ト中に含まれる酸素量を低く抑える必要がある。

すなわち、光磁気記録媒体では垂直磁化膜であることが
必要条件となるが、ターゲット中に含まれる酸素量が多
い場合には安定した垂直磁化膜を得ることができず、い
わゆる面内磁化膜に近い挙動を示すことがある。

本発明は以上の事実に鑑み、低酸素含有量の希土類金属
−遷移金属ターゲット等の製造方法を提供せんとするも
のである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者等は種々検討した結果、希土類金属−遷移金属
系共晶合金を溶解原料の主体とし、次いでガスアトマイ
ズ法等の急冷凝固処理を施して得られた希土類金属のα
相と金属間化合物相とが均一かつ微細に晶出した希土類
金属−遷移金属合金粉末と遷移金属との混合物を真空ま
たは不活性ガス雰囲気下において前記混合物の液相発現
温度未満で加圧焼結することにより前記課題を解決する
に至った。

以下本発明を詳述する。

本発明の特徴は、急冷凝固処理に先立つ溶解用の原料と
して希土類金属−遷移金属共晶合金を主体とする点であ
る。

すなわち、溶解原料としては純希土類金属、純遷移金属
を所定量秤量して用いることも可能であるが１例えば市
販の高純度Ｔｂの含有酸素量が９００〜１２００ｐｐｍ
であること、原料が完全に溶解する温度が高く溶解時間
が長時間となることから、急冷凝固処理して得られた粉
末の酸素含有量を低く制限することが鑑しい。

これに対し、本発明のように希土類金属−遷移金属共晶
合金を溶解原料の主体とすれば。

■　たとえば溶融塩電解法によれば、酸素含有量１００
〜５００ｐｐｍという低酸素の希土類金属−遷移金属共
晶合金の製造が可能である。

■　原料が完全に溶解する温度が、純希土類金属、純遷
移金属を混合した場合に比べ低下するため、溶解時間の
短縮化が可能となり、酸素含有量の抑制に寄与する。

したがって、最終的にターゲットとした場合にも低酸素
化が可能となる。

なお１本発明においては溶解原料を希土類金属−遷移金
属共晶合金のみとする場合の他、上記の趣旨に反しない
範囲で若干量の純希土類金属又は［遷移金属を添加せし
めて良い。希土類金属−遷移金属共晶合金の組成を、所
望するターゲット組成に合致させるために添加が必要と
なる場合がある。

以上の原料を用い溶解した後急冷凝固処理が実施される
。この急冷凝固処理により粉末レベルで希土類金属のα
相と金属間化合物との均一、微細化を達成する。したが
って、組成面からみれば、希土類金属と遷移金属との組
成が共晶組織を発現する組成範囲内にある必要がある。

急冷凝固処理の手法としては、合金溶湯から製造する不
活性ガスアトマイズ法、真空アトマイズ法、回転ロール
法等、および合金溶湯から一旦電極を作製し、この電極
を用いる回転電極法等が適用できる。水冷ロール法、回
転電極法等においても合金の酸化防止のために雰囲気は
真空、あるいは不活性ガス雰囲気とする必要がある。

また希土類金属−遷移金属合金粉末は、純希土類金属粉
と比較して格段に耐酸化性に優れているため、ターゲッ
ト中の含有酸素量を希土類金属粉末と遷移金属粉末の混
合物を焼結したものと比較して５００〜１１０００ｐｐ
以上も減らすことが可能である。

原料粉末の平均粒径は１ｍｍ以下であることが望ましい
、これは、平均粒径が１ｒｒｎを越えると成形体中に不
均一を生じ、これをターゲットして用いた場合、得られ
る薄膜の組成が部分的に不均一となるからである。

以上の原料粉末を混合した後、真空または不活性ガス雰
囲気下において液相発現温度未満の温度で加圧焼結を行
なう。

加圧焼結の温度を液相発現温度未満とするのは、液相発
現温度以上の温度にすると、遷移金属相と希土類金属−
遷移金属共晶合金相との間の接合層が異常に成長し、成
形体の機械的強度が低下すること、および希土類金属−
遷移金属からなる共晶合金相に品出している希土類金属
のα相が遷移金属と反応し晶出してしまうことによる。

望ましくは液相発現温度未満の温度から（液相発現温度
′未満−１００℃）の範囲内、更に望ましくは液相発現
温度未満の温度から（液相発現温度未満−３０℃）の範
囲内である。なお液相発現温度の一例を上げると、Ｔｂ
−Ｆｅの場合８４０℃、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの場合、６９
５℃、Ｔｂ−Ｇｄ−Ｆｅの場合６３０℃である。

加圧焼結の手法としては、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）
、ホットプレス、熱間パック圧延、熱間パック鍛造等を
適用できる。具体的な条件としては熱間静水圧プレスの
場合、液相発現温度未満から（液相発現温度未満−３０
℃）の範囲内かつ不活性ガス圧１０００〜１５００気圧
で、２〜３時間保持すると、遷移金属単体相と希土類金
属−遷移金属共晶合金相との間の拡散接合層のＪりさを
、１０〜３０μｍ以内に抑えることが可能で、成形体の
密度も９７％以上に達する。

ホットプレスの場合、密度９５％以上の成形体を得よう
とする場合、加熱温度を液相発現温度未満から（液相発
現温度未満−３０℃）以内、成形圧力１５０ｋｇ／−以
上で２時間界度保持することが望ましい。

熱間パック圧延、熱間パック鍛造の場合は、加熱温度は
ＨＩＰと同様で良いが、１パスごとの圧下率を１−０％
以内にして加工する必要がある。

以上の製造方法によりターゲット中の酸素含有量を低く
規制することが可能となる。

なお、以下本発明により得られたターゲットの組織につ
いてＴｂ−Ｆｅ系を例として説明しておく。

本発明によるターゲットの組織の第１の特徴はにＴｂ−
Ｆｅ共晶合金相が、極めて均一かつ微細に分散したＦｅ
、Ｔｂ晶出相とα−Ｔｂ晶出相とから構成されているこ
とである。これは、アトマイズ法等の急冷凝固処理によ
って得られたα−Ｔｂ晶出相とＦｅ２Ｔｂ晶出相とが均
一微細に晶出した組織の粉末を原料として用い、この組
織を保持すべく液相発現温度未満で加圧焼結しているこ
とによる。

本発明ターゲットは１以上のような均一微細な組織を有
しているため、ターゲットとそれをスパッタリングした
薄膜間の組成ずれを極めて小さくし、さらにスパッタリ
ングに先立って行なわれるプリスパッタリングの時間を
短縮することができる。

第１０回日本応用磁気学会誌学術講演概要集（１９８６
、Ｐ１２ｇ）によれば、複合ターゲラ１−１すなわち希
土類金属単体と遷移金属単体より構成されるターゲット
をスパッタした場合、希土類金属より遷移金属が側方に
スパッタされ易く、その結果、薄膜組成は遷移金属貧に
なる。反対に金属間化合物より構成されるターゲットの
場合は、遷移金属より希土類金属が側方にスパッタされ
易いため、薄膜組成が遷移金属富になると報告されてい
る。これに対し本発明によれば、前述のように希土類金
属のα相と希土類金属−遷移金属金属間化合物からなる
共晶合金相、さらに固相接合用および遷移金属単体相が
均一、かつ微細に分散するため、希土類金属スパッタ粒
子と遷移金属スパッタ粒子の放出方向の異方性が緩和さ
れ、この結果組成ずれが小さくなるものと思われる。

ブリスパッタ時間が短縮される理由としては、（１）　
　特開昭６２−７０５５０号に述べられているような遷
移金属と希土類金属の間のスパッタリング速度の差と比
較して、遷移金属と希土類金属−遷移金属金属間化合物
の間のスパッタリング速度の差の方が小さい、 （２）急冷処理により希土類金属−遷移金属合金粉末を
作成するため、希土類金属のα相と金属間化合物相が均
一かつ微細に分散している、つまり希土類金属相は細か
く分断された形で晶出しているため、微視的に見ると希
土類金属のスパッタ速度は変わらないにもかかわらず、
希土類金属のα相のスパッタリング速度が金属間化合物
相のスパッタリング速度と等しくなるような効果が得ら
れる、 ことにあるものと考えられる。

本発明ターゲットの組織の第２の特徴は、希土類金属と
遷移金属との金属間化合物を主体とする拡散接合層が極
めて薄いことである。

これは、接合層が液相発現温度未満の加圧焼結による同
相拡散接合層によるものだからである。

このように拡散接合層が薄く、組織にむらを生ずること
がないために、スパッタ時間が長時間となっても安定し
た薄ＩＥ３特性を得ることができ、かつ機械的強度を劣
化させることがないのである。

このような組織を有し、かつ酸素含有量を低減せしめる
ことにより、ターゲットと薄膜との組成ずれの低減、長
時間スパッタにおける薄膜組成の安定化を達成し、更に
良好な垂直磁気異方性を示すスパッタ１漠が得られるよ
うになる。

本発明において、希土類金属には従来から公知のＴ’ｂ
、Ｇｄ、ＤＹ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｈａ、Ｔｍ等の１種または
２種以上を用いることができる。その含有量は１５ａｔ
％未満および４５ａ　ｔ％を越えると光磁気記録媒体と
しての機能を有する薄膜を得ることが困難になるので、
　１５〜４５ａｔ％とする必要がある。

一方、遷移金属についても従来から用いられているＦｅ
、ＧｏおよびＮｉの１種または２種以上を適用すること
ができる。

以上より本発明における金属間化合物とは、たとえばＦ
ｅ、Ｔｂのみならず、Ｆ　ｅ　Ｃｏ　Ｔ　ｂ等のように
異種の遷移金属と希土類金属との化合物を含む概念であ
ることは言うまでもない。

〔実施例〕

第１表に実施例に用いた希土類金属−遷移金属合金原料
および遷移金属の組成および含有酸素量と前記原料を用
いて作成したガスアトマイズ粉の組成と含有酸素量を示
す。次に本発明の粉末の製造方法について述べる１本発
明では、溶融塩電解法で製造した低酸素希土類金属−遷
移金属合金（酸素量１００〜３００ｐｐｍ）に対し、目
標組成になるよう希土類金属または遷移金属合金えて、
底部に溶湯噴射用ノズルの付いたルツボに装入した。そ
して、前記ルツボをガスアトマイズ装置内に設置した後
装置内を１０−２〜１０−’　ｔｏｒｒ台まで真空に引
き、高周波誘導で加熱を行なってルツボ内のアトマイズ
原料を溶解した。原料が完全に溶解した段階で、溶湯に
Ａ「ガスで圧力を印加すると同時に噴射用ノズルの弁を
開いてガスアトマイズを行なった。

上記の方法で作成した希土類金属−遷移金属合金粉末の
平均酸素量は、希土類金属単体、遷移金属単体を原料と
して用いた場合に比して１１０００ｐｐ以上も低下でき
ることが判明した。第１表に示した希土類金属−遷移金
属合金粉末を使用して製造したターゲツト材の含有酸宏
量を第２表に示す。

第１表 第２表 粉末の焼結には、熱間静水圧プレス（Ｉ−ＩＩＰ）を用
いた。焼結温度は液相出現温度より２０℃低く設定し、
圧力１２００気圧で加圧焼結した。

第２表より本発明の希土類金属−遷移全屈合金粉末を使
用して製造したターゲツト材の含有酸素量は１５００ｐ
ｐｍ以下と低酸素であるのに対し、比較例では２０００
ｐｐｍ以上と高酸素になることがわかる。

次に本発明および比較例の粉末を用いて製造した焼結体
をターゲットとじてスパッタリングを行ない、薄膜評価
を行なった。

評価では、いずれのターゲットも高周波電源を有するマ
グネトロンタイプのスパッタ装置を用いて、−０，１５
＋ｎｍの板厚を有するコーニング社製の７０５９ガラス
上に成膜を行なった。成膜条件は、高周波電力２．５４
Ｗ／ａ＆、　Ａｒガス圧５　Ｘ　１Ｏ−３ｔｏｒｒ、タ
ーゲットとガラス基板間の距離は７０ｆｆｎで、成膜時
にはガラス基板を回転せず、ターゲットとガラス基板を
対向させである。作成した簿膜は、トルクメーターで磁
気異方性定数Ｋｕ（Ｊ／ｒｎ’）を測定した後、ＥＰＭ
Ａで組成を分析した。第１図に第２表に示した試料４（
本発明）を用いて成膜した薄膜のＴｂ量および磁気異方
性定数Ｋｕとスパッタ時間の関係、第２図に試料１１（
比較例）を用いた場合の薄膜中のＴｂｉおよびＫｕとス
パッタ時間の関係を示す。

本発明、比較例の両試料とも薄膜中のＴｂ量は約２６ａ
ｔ％を示しており、スパッタリング時間が長時間になっ
ても安定していることがわかる。しかし、磁気異方性定
数Ｋｕの挙動は、本発明が積算スパッタ時間４１１ｒ以
降安定し、Ｋｕ＝１．２５Ｊ／ｒｎ’の良好な垂直磁気
異方性を示すのに対し、比較例では全く不安定であり、
Ｋｕが著しく低下して面内磁化膜に近い挙動を示すこと
がわかった。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によればターゲラ１−の酸
素含有量を低く規制することができ、その結果スパン、
り膜の磁気異方性が良好なものとなり、工業上非常に有
益である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明により得られたターゲットをスパッタ
リングした際の積算スパッタ時間と薄膜中のＴｂ量およ
び磁気異方性定数との関係を示すグラフ、第２図は比較
例により得られたターゲットをスパッタリングした際の
積算スパッタ時間と薄膜中のＴｂ量および磁気異方性定
数との関係を示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
   遷移金属とからなり急冷凝固処理された合金粉末と、タ
   ーゲット目標組成に対し不足分の遷移金属粉末との混合
   物を、真空または不活性ガス雰囲気下で該混合物の液相
   発現温度未満の温度域で加圧焼結する希土類金属−遷移
   金属ターゲットの製造方法において、急冷凝固処理に供
   される合金の溶解原料を酸素含有量５００ｐｐｍ以下の
   希土類金属−遷移金属共晶合金を主体とすることを特徴
   とする希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法。 ２　共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
   遷移金属とからなり急冷凝固処理された合金粉末と、タ
   ーゲット目標組成に対し不足分の遷移金属粉末との混合
   物を、真空または不活性ガス雰囲気下で該混合物の液相
   発現温度未満の温度域で加圧焼結する希土類金属−遷移
   金属ターゲットの製造方法において、急冷凝固処理に供
   される合金の溶解原料を溶融塩電解法により得られた希
   土類金属−遷移金属共晶合金を主体とすることを特徴と
   する希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法。 ３　共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
   遷移金属からなる合金溶湯を急冷凝固処理する希土類金
   属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法において
   、急冷凝固処理に供される合金の溶解原料を酸素含有量
   ５００ｐｐｍ以下の希土類金属−遷移金属共晶合金を本
   体とすることを特徴とする希土類金属−遷移金属ターゲ
   ット用合金粉末の製造方法。 ４　共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
   遷移金属からなる合金溶湯を急冷凝固処理する希土類金
   属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法において
   、急冷凝固処理に供される合金の溶解原料を溶融塩電解
   法により得られた希土類金属−遷移金属共晶合金を主体
   とすることを特徴とする希土類金属−遷移金属ターゲッ
   ト用合金粉末の製造方法。