JPH0790567A - 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法Info
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- JPH0790567A JPH0790567A JP6055248A JP5524894A JPH0790567A JP H0790567 A JPH0790567 A JP H0790567A JP 6055248 A JP6055248 A JP 6055248A JP 5524894 A JP5524894 A JP 5524894A JP H0790567 A JPH0790567 A JP H0790567A
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- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低透磁率であって、かつ均一な膜組成分布を
実現でき、特にマグネトロンスパッタリング法に適した
光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法を提
供する。 【構成】 希土類元素をＲＥと表記し、鉄族金属群から
選ばれる１種以上の元素をＴＭと表記するとき、化学式
ＴＭ2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが
多い組成を有するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と、化学式ＴＭ2
ＲＥで表される金属間化合物の組成と同じかそれ以下の
割合のＲＥを含む組成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）と、
あるいはさらにＴＭ相（Ｃ）が、焼結された組織を有す
ることを特徴する光磁気記録媒体用ターゲット材および
各相に対応する粉末を加圧焼結すること特徴とする製造
方法である。
実現でき、特にマグネトロンスパッタリング法に適した
光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法を提
供する。 【構成】 希土類元素をＲＥと表記し、鉄族金属群から
選ばれる１種以上の元素をＴＭと表記するとき、化学式
ＴＭ2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが
多い組成を有するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と、化学式ＴＭ2
ＲＥで表される金属間化合物の組成と同じかそれ以下の
割合のＲＥを含む組成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）と、
あるいはさらにＴＭ相（Ｃ）が、焼結された組織を有す
ることを特徴する光磁気記録媒体用ターゲット材および
各相に対応する粉末を加圧焼結すること特徴とする製造
方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特にマグネトロンスパッ
タリングに適した低透磁率の光磁気記録媒体用ターゲッ
ト材およびその製造方法に関する。
タリングに適した低透磁率の光磁気記録媒体用ターゲッ
ト材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能な大容
量記録媒体として、コンピュータの記憶装置、映像情報
のファインリング、あるいは音楽用あるいはデータ記録
用の『ミニディスク』と呼ばれる小型の記録媒体として
使用され始めてきた。これらの光磁気記録媒体は、通常
希土類元素と鉄属元素を主体とする非晶質薄膜の光磁気
特性を用いたものである。この光磁気記録媒体となる薄
膜は、ターゲットをスパッタリングリングして形成され
るのが一般的である。
量記録媒体として、コンピュータの記憶装置、映像情報
のファインリング、あるいは音楽用あるいはデータ記録
用の『ミニディスク』と呼ばれる小型の記録媒体として
使用され始めてきた。これらの光磁気記録媒体は、通常
希土類元素と鉄属元素を主体とする非晶質薄膜の光磁気
特性を用いたものである。この光磁気記録媒体となる薄
膜は、ターゲットをスパッタリングリングして形成され
るのが一般的である。
【０００３】スパッタリングする方法にも様々あり、希
土類元素単体と鉄族元素単体を別々なターゲットとし同
時にスパッタリングする方法や、あらかじめ薄膜として
得たい元素を合金化または複合化したターゲットをスパ
ッタリングする方法がある。このようなターゲットのう
ち、特開昭６２−７０５５０号あるいは特開平１−２５
９７７号に記載される希土類元素および／または希土類
金属元素と鉄族元素の金属間化合物または合金を主体と
する希土類含有相と、鉄族元素を主体とする金属相によ
って構成される光磁気記録媒体用複合型ターゲットは、
特開昭１−１４９９５９号に記載されるような完全合金
型のターゲットに比べ、組織制御により、膜中の組成分
布を均一化できるという利点があり広く使用されるよう
になってきている。
土類元素単体と鉄族元素単体を別々なターゲットとし同
時にスパッタリングする方法や、あらかじめ薄膜として
得たい元素を合金化または複合化したターゲットをスパ
ッタリングする方法がある。このようなターゲットのう
ち、特開昭６２−７０５５０号あるいは特開平１−２５
９７７号に記載される希土類元素および／または希土類
金属元素と鉄族元素の金属間化合物または合金を主体と
する希土類含有相と、鉄族元素を主体とする金属相によ
って構成される光磁気記録媒体用複合型ターゲットは、
特開昭１−１４９９５９号に記載されるような完全合金
型のターゲットに比べ、組織制御により、膜中の組成分
布を均一化できるという利点があり広く使用されるよう
になってきている。
【０００４】また、ターゲットに含有される希土類元素
は極めて活性であるため、薄膜の耐食性を向上させる目
的でしばしば添加元素が加えられる。例えば、特開平１
−２４７５７１には（Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ）の１種または２種以上の添加元素を
１５原子％以下含有するターゲット材を用い、薄膜の耐
食性を向上させる方法が報告されている。
は極めて活性であるため、薄膜の耐食性を向上させる目
的でしばしば添加元素が加えられる。例えば、特開平１
−２４７５７１には（Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ）の１種または２種以上の添加元素を
１５原子％以下含有するターゲット材を用い、薄膜の耐
食性を向上させる方法が報告されている。
【０００５】最近上述したスパッタリング法において
は、成膜速度を高め、成膜効率をあげるのに適したマグ
ネトロンスパッタリング法が主流となっていきている。
このマグネトロンスハッタリング法はターゲット材のス
パッタリング面に漏洩磁束を発生させターゲット材表面
近傍にプラズマを封じ込めるものである。しかし、上述
した特開平１−２５９７７号公報に記載されるターゲッ
トにはＦｅ、Ｃｏなどの強磁性体が含まれており、ター
ゲット材の磁化が大きく透磁率が高いため、ターゲット
材表面から発生する漏洩磁束が不足し、成膜効率の低
下、局所的な凹部の進行によるターゲット材の使用効率
の低下が問題となっている。したがって、透磁率の低い
光磁気記録媒体用ターゲット材が強く望まれているので
ある。
は、成膜速度を高め、成膜効率をあげるのに適したマグ
ネトロンスパッタリング法が主流となっていきている。
このマグネトロンスハッタリング法はターゲット材のス
パッタリング面に漏洩磁束を発生させターゲット材表面
近傍にプラズマを封じ込めるものである。しかし、上述
した特開平１−２５９７７号公報に記載されるターゲッ
トにはＦｅ、Ｃｏなどの強磁性体が含まれており、ター
ゲット材の磁化が大きく透磁率が高いため、ターゲット
材表面から発生する漏洩磁束が不足し、成膜効率の低
下、局所的な凹部の進行によるターゲット材の使用効率
の低下が問題となっている。したがって、透磁率の低い
光磁気記録媒体用ターゲット材が強く望まれているので
ある。
【０００６】最近、透磁率を低下することができ、マグ
ネトロンスパッタリング法に適した光磁気記録媒体用タ
ーゲットとして特開平４−３６５８６０号公報に希土類
金属と鉄属金属の金属間化合物（以下単に金属間化合物
と称する）からなる素地に、晶出鉄属金属が微細均一に
分散してなる複合相と、希土類金属相と、前記複合相と
希土類金属相の反応相からなる金属間化合物相とで構成
された組織を有するターゲットが提案されている。特開
平４−３６５８６０に記載のターゲットは、金属間化合
物に晶出鉄族金属が微細に分散してなる複合相によって
透磁率を下げるものである。
ネトロンスパッタリング法に適した光磁気記録媒体用タ
ーゲットとして特開平４−３６５８６０号公報に希土類
金属と鉄属金属の金属間化合物（以下単に金属間化合物
と称する）からなる素地に、晶出鉄属金属が微細均一に
分散してなる複合相と、希土類金属相と、前記複合相と
希土類金属相の反応相からなる金属間化合物相とで構成
された組織を有するターゲットが提案されている。特開
平４−３６５８６０に記載のターゲットは、金属間化合
物に晶出鉄族金属が微細に分散してなる複合相によって
透磁率を下げるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平４−３
６５８６０号公報に記載のターゲットは、透磁率を下げ
るという目的に対して有効であるが、希土類金属相が単
体で存在し、熱処理により形成される金属間化合物相を
有しているため、組織が粗くスパッタリングにおける希
土類金属と金属間化合物との放出角度の違いが成膜組成
分布に大きく影響してしまい生成膜中の組成の分布を均
一するのが容易でないという問題があった。また、組織
が粗いためにスパッタリング初期に膜組成が平衡に達す
るまでのプレスパッタリング時間が長いという問題もあ
る。
６５８６０号公報に記載のターゲットは、透磁率を下げ
るという目的に対して有効であるが、希土類金属相が単
体で存在し、熱処理により形成される金属間化合物相を
有しているため、組織が粗くスパッタリングにおける希
土類金属と金属間化合物との放出角度の違いが成膜組成
分布に大きく影響してしまい生成膜中の組成の分布を均
一するのが容易でないという問題があった。また、組織
が粗いためにスパッタリング初期に膜組成が平衡に達す
るまでのプレスパッタリング時間が長いという問題もあ
る。
【０００８】光磁気記録膜となる非晶質の希土類と鉄族
金属を主体とする垂直磁化膜の磁気特性は、膜組成に対
して非常に敏感であり、特に膜中の希土類金属の含有量
がわずかに変化しただけで保磁力、カー回転角は急激に
変化する。このため、安定した光磁気記録膜の磁気特性
を確保するためには、磁性層をスパッタ成膜する際に広
い成膜範囲において膜中の希土類分布の均一なターゲッ
ト材が求められている。本発明の目的は、低透磁率であ
って、かつ均一な膜組成分布を実現でき、特にマグネト
ロンスパッタリング法に適した光磁気記録媒体用ターゲ
ット材およびその製造方法を提供することである。
金属を主体とする垂直磁化膜の磁気特性は、膜組成に対
して非常に敏感であり、特に膜中の希土類金属の含有量
がわずかに変化しただけで保磁力、カー回転角は急激に
変化する。このため、安定した光磁気記録膜の磁気特性
を確保するためには、磁性層をスパッタ成膜する際に広
い成膜範囲において膜中の希土類分布の均一なターゲッ
ト材が求められている。本発明の目的は、低透磁率であ
って、かつ均一な膜組成分布を実現でき、特にマグネト
ロンスパッタリング法に適した光磁気記録媒体用ターゲ
ット材およびその製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、希土類金
属単体相と、金属間化合物相のスパッタリング時の放出
角度の差による成膜中の希土類元素の分布のばらつきを
低減し、かつ透磁率を低減するには、次の手段が有効で
あることを見出した。1.希土類元素を単体相として存在
させるのではなく、希土類元素と金属間化合物が分散し
て存在する分散相であるＲＥ−ＴＭ相の中に存在させる
こと。2.上記ＲＥ−ＴＭ相だけでは、光磁気記録膜とし
て用いられる組成範囲に対して不足する鉄族金属を、鉄
族金属単体ではなく、前記ＲＥ−ＴＭ相よりも鉄族金属
の多い組成を有する鉄族金属と希土類元素の金属間化合
物または合金として存在させること。
属単体相と、金属間化合物相のスパッタリング時の放出
角度の差による成膜中の希土類元素の分布のばらつきを
低減し、かつ透磁率を低減するには、次の手段が有効で
あることを見出した。1.希土類元素を単体相として存在
させるのではなく、希土類元素と金属間化合物が分散し
て存在する分散相であるＲＥ−ＴＭ相の中に存在させる
こと。2.上記ＲＥ−ＴＭ相だけでは、光磁気記録膜とし
て用いられる組成範囲に対して不足する鉄族金属を、鉄
族金属単体ではなく、前記ＲＥ−ＴＭ相よりも鉄族金属
の多い組成を有する鉄族金属と希土類元素の金属間化合
物または合金として存在させること。
【００１０】本発明は上述した知見に基づいてなされた
ものであって、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの
元素群から選ばれる１種以上の希土類元素をＲＥと表記
し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄族金属群から選ばれる１種以
上の元素をＴＭと表記するとき、化学式ＴＭ2ＲＥで表
される金属間化合物の組成よりもＲＥが多い組成を有
し、ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と、化学式ＴＭ2ＲＥで表され
る金属間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥを含む組
成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）とが、焼結された組織を
有することを特徴する光磁気記録媒体用ターゲット材で
ある。
ものであって、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの
元素群から選ばれる１種以上の希土類元素をＲＥと表記
し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄族金属群から選ばれる１種以
上の元素をＴＭと表記するとき、化学式ＴＭ2ＲＥで表
される金属間化合物の組成よりもＲＥが多い組成を有
し、ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と、化学式ＴＭ2ＲＥで表され
る金属間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥを含む組
成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）とが、焼結された組織を
有することを特徴する光磁気記録媒体用ターゲット材で
ある。
【００１１】本発明においては、上記組成に加えてＴＭ
相が存在しても良い。強磁性体であるＴＭ相はない方が
好ましいが、キュリー点を調整するためのＣｏの添加
や、少量の成分調整のためＴＭを単体で添加する場合が
あるためである。ＴＭ相としては、ターゲットのスパッ
タリング面に占める割合としては、好ましくは２０面積
％以下とする。このような組織のターゲット材とするこ
とにより、最大透磁率が１０以下あるいは飽和磁束密度
（Ｂｓ）が０．８（Ｔ）以下のターゲット材となりマグ
ネトロンスパッタリング法に好適なものとなる。
相が存在しても良い。強磁性体であるＴＭ相はない方が
好ましいが、キュリー点を調整するためのＣｏの添加
や、少量の成分調整のためＴＭを単体で添加する場合が
あるためである。ＴＭ相としては、ターゲットのスパッ
タリング面に占める割合としては、好ましくは２０面積
％以下とする。このような組織のターゲット材とするこ
とにより、最大透磁率が１０以下あるいは飽和磁束密度
（Ｂｓ）が０．８（Ｔ）以下のターゲット材となりマグ
ネトロンスパッタリング法に好適なものとなる。
【００１２】またＲＥ−ＴＭ相（Ａ）は鉄族金属のうち
Ｆｅを使う場合、予め製造されたＲＥ含有量が６６ｗｔ
％以上のＲＥとＦｅとの共晶合金相とすれば、極めて均
一に希土類元素の分散した分散相となり、成膜中の組成
の均一性をより高めることができる。また上述のＲＥ−
ＴＭ相（Ａ）で足りない鉄族金属量を補うＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）を化学式ＴＭ17ＲＥ2組成で表される金属間化合
物の組成よりもＲＥ量の少ない組成とすると、ＴＭ−Ｒ
Ｅ相（Ｂ）はα−ＴＭが分散した相となり、結果として
ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）はα−ＴＭと金属間化合物の均質、
微細な晶出組織となり、膜組成の均一性を高めるうえで
好ましいものとなる。
Ｆｅを使う場合、予め製造されたＲＥ含有量が６６ｗｔ
％以上のＲＥとＦｅとの共晶合金相とすれば、極めて均
一に希土類元素の分散した分散相となり、成膜中の組成
の均一性をより高めることができる。また上述のＲＥ−
ＴＭ相（Ａ）で足りない鉄族金属量を補うＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）を化学式ＴＭ17ＲＥ2組成で表される金属間化合
物の組成よりもＲＥ量の少ない組成とすると、ＴＭ−Ｒ
Ｅ相（Ｂ）はα−ＴＭが分散した相となり、結果として
ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）はα−ＴＭと金属間化合物の均質、
微細な晶出組織となり、膜組成の均一性を高めるうえで
好ましいものとなる。
【００１３】また耐食Ａｌ、Ｔｉ、Ｃu、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１種以上の金属元素Ｘ
は、特開平１−２４７５７１号に記載されるように、タ
ーゲット材の耐食性を改善するという点で同様の作用を
有する元素である。金属元素Ｘはターゲット中に１０ｗ
ｔ％以下存在させることにより、耐食性を向上すること
ができる。
Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１種以上の金属元素Ｘ
は、特開平１−２４７５７１号に記載されるように、タ
ーゲット材の耐食性を改善するという点で同様の作用を
有する元素である。金属元素Ｘはターゲット中に１０ｗ
ｔ％以下存在させることにより、耐食性を向上すること
ができる。
【００１４】また、ＴＭ相（Ｃ）としてＣｏを存在させ
る場合には、Ｃｏの単独相または鉄族金属同士の合金相
としてではなく、周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する
元素から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以下、
残部実質的にＣｏからなる相として存在させることが好
ましい。Ｃｏは、４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素、すな
わちＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗと合金化することにより、強擾乱効果により、磁化が
著しく低下し、結果として透磁率を低下させることがで
きる。
る場合には、Ｃｏの単独相または鉄族金属同士の合金相
としてではなく、周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに属する
元素から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以下、
残部実質的にＣｏからなる相として存在させることが好
ましい。Ｃｏは、４Ａ、５Ａ、６Ａに属する元素、すな
わちＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗと合金化することにより、強擾乱効果により、磁化が
著しく低下し、結果として透磁率を低下させることがで
きる。
【００１５】光磁気記録媒体用ターゲットには、Ｃｏの
他にＦｅを含有させる場合が多いが、Ｆｅに４Ａ、５
Ａ、６Ａに族する元素を添加してもＣｏほどターゲット
の飽和磁束密度および透磁率は低下する効果はない。ま
たＣｏとＦｅを合金化することは、ターゲットの飽和磁
束密度および透磁率を逆に高めることになり好ましくな
い。したがって、周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに族する
元素から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以下、
残部実質的にＣｏよりなる相を存在させることが、ター
ゲットの透磁率を下げる有効な手段の一つになるのであ
る。
他にＦｅを含有させる場合が多いが、Ｆｅに４Ａ、５
Ａ、６Ａに族する元素を添加してもＣｏほどターゲット
の飽和磁束密度および透磁率は低下する効果はない。ま
たＣｏとＦｅを合金化することは、ターゲットの飽和磁
束密度および透磁率を逆に高めることになり好ましくな
い。したがって、周期律表で４Ａ、５Ａ、６Ａに族する
元素から選ばれるの一種以上の元素を５０原子％以下、
残部実質的にＣｏよりなる相を存在させることが、ター
ゲットの透磁率を下げる有効な手段の一つになるのであ
る。
【００１６】特に、代表的な強擾乱系であるＣｏ−Ｃｒ
系、Ｃｏ−Ｖ系では、わずかなＣｒまたはＶの添加によ
り、磁化が急激に低下し、室温のおいてＣｒおよびＶを
約２５原子％含む組成で非磁性化することを確認した。
これに対して、Ｆｅ−Ｃｒ系では、非磁性化するのに約
９０原子％添加が必要である。本発明において、添加す
る元素量を５０原子％以下に限定したのは、磁化の低下
は原子％に依存し５０原子％を越えて添加してもさらな
る透磁率を低下する効果が少ないためである。
系、Ｃｏ−Ｖ系では、わずかなＣｒまたはＶの添加によ
り、磁化が急激に低下し、室温のおいてＣｒおよびＶを
約２５原子％含む組成で非磁性化することを確認した。
これに対して、Ｆｅ−Ｃｒ系では、非磁性化するのに約
９０原子％添加が必要である。本発明において、添加す
る元素量を５０原子％以下に限定したのは、磁化の低下
は原子％に依存し５０原子％を越えて添加してもさらな
る透磁率を低下する効果が少ないためである。
【００１７】上述した本発明のターゲットは、化学式Ｔ
Ｍ2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが多
い組成を有し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、ＲＥと
が分散した組織を有する粉末（ａ）と、化学式ＴＭ2Ｒ
Ｅで表される金属間化合物の組成と同じかそれ以下の組
成割合のＲＥを含む組成を有する粉末（ｂ）とを加圧焼
結することを特徴とする光磁気記録媒体用ターゲット材
の製造方法によって得ることができる。
Ｍ2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが多
い組成を有し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、ＲＥと
が分散した組織を有する粉末（ａ）と、化学式ＴＭ2Ｒ
Ｅで表される金属間化合物の組成と同じかそれ以下の組
成割合のＲＥを含む組成を有する粉末（ｂ）とを加圧焼
結することを特徴とする光磁気記録媒体用ターゲット材
の製造方法によって得ることができる。
【００１８】この時、上記粉末（ａ）および（ｂ）に加
えてＴＭ単体またはＴＭ同士の合金粉末（ｃ）を混合し
た後、加圧焼結しても良い。また粉末（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は急冷凝固法、インゴット粉砕法などにより得る
ことが好ましい。アトマイズ法などの急冷凝固法を使用
して製造すれば、粉末（ａ），（ｂ）に対しては原料粉
末中に分散する組織が微細となり、成膜中の組成分布の
ばらつきをなくす目的に対して有効である。またＡｌ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれ
る１種以上の金属元素Ｘを、単体粉、希土類あるいは鉄
属金属との合金粉のいずれかの形態で、１０ｗｔ％以下
添加してから焼結しても良い。
えてＴＭ単体またはＴＭ同士の合金粉末（ｃ）を混合し
た後、加圧焼結しても良い。また粉末（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は急冷凝固法、インゴット粉砕法などにより得る
ことが好ましい。アトマイズ法などの急冷凝固法を使用
して製造すれば、粉末（ａ），（ｂ）に対しては原料粉
末中に分散する組織が微細となり、成膜中の組成分布の
ばらつきをなくす目的に対して有効である。またＡｌ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれ
る１種以上の金属元素Ｘを、単体粉、希土類あるいは鉄
属金属との合金粉のいずれかの形態で、１０ｗｔ％以下
添加してから焼結しても良い。
【００１９】また、本発明において周期律表で４Ａ、５
Ａ、６Ａに属する元素から選ばれるの一種以上の元素を
５０原子％以下、残部実質的にＣｏからなる合金相を存
在させる場合には、この合金相の組成となる粉末を焼結
すれば良い。
Ａ、６Ａに属する元素から選ばれるの一種以上の元素を
５０原子％以下、残部実質的にＣｏからなる合金相を存
在させる場合には、この合金相の組成となる粉末を焼結
すれば良い。
【００２０】
【作用】以下本発明の規定理由をさらに詳しく説明す
る。本発明の最大の特徴の一つは上述したように化学式
ＴＭ2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが
多い組成を有し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、αＲ
Ｅとが分散した組織を有するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を焼結
により結合したことにある。ターゲットに希土類元素を
存在させるとき、希土類元素単体相ではなく、金属間化
合物を分散させた分散相とすることにより、希土類元素
と金属間化合物とのスパッタリング時の放出角度の差に
よる成膜組成のばらつきを低減できる。またＲＥ−ＴＭ
相（Ａ）ではターゲットに必要なＴＭをＴＭ単体ではな
く金属間化合物として分散存在させているため、ＴＭを
すべて単体で存在させる場合に比べて透磁率を低いもの
とすることができる。
る。本発明の最大の特徴の一つは上述したように化学式
ＴＭ2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが
多い組成を有し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、αＲ
Ｅとが分散した組織を有するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を焼結
により結合したことにある。ターゲットに希土類元素を
存在させるとき、希土類元素単体相ではなく、金属間化
合物を分散させた分散相とすることにより、希土類元素
と金属間化合物とのスパッタリング時の放出角度の差に
よる成膜組成のばらつきを低減できる。またＲＥ−ＴＭ
相（Ａ）ではターゲットに必要なＴＭをＴＭ単体ではな
く金属間化合物として分散存在させているため、ＴＭを
すべて単体で存在させる場合に比べて透磁率を低いもの
とすることができる。
【００２１】加えて純ＲＥに比べてＴＭを分散したＲＥ
−ＴＭ相（Ａ）は酸化されにくいため、焼結体の酸素含
有量を低減できる。さらに、本発明で規定するＲＥ−Ｔ
Ｍ相（Ａ）の組成範囲は融点が低く、後述するＴＭ−Ｒ
Ｅ相のバインダ的な作用を有し、ターゲットとして十分
な強度を保つ上でも必須の構成要素である。本発明では
これらの作用を得るためにターゲットの断面に占める面
積率で好ましくは３０〜７０％のＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を
存在させる。
−ＴＭ相（Ａ）は酸化されにくいため、焼結体の酸素含
有量を低減できる。さらに、本発明で規定するＲＥ−Ｔ
Ｍ相（Ａ）の組成範囲は融点が低く、後述するＴＭ−Ｒ
Ｅ相のバインダ的な作用を有し、ターゲットとして十分
な強度を保つ上でも必須の構成要素である。本発明では
これらの作用を得るためにターゲットの断面に占める面
積率で好ましくは３０〜７０％のＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を
存在させる。
【００２２】本発明において化学式ＴＭ2ＲＥで表され
る金属間化合物の組成よりもＲＥが多い組成（ＲＥ−Ｔ
Ｍ相（Ａ））というのは、例えば図７に示す光磁気記録
膜を構成する代表的な元素であるＴｂとＦｅの２元状態
図において、（Ａ）で示す範囲である。図７に示す範囲
（Ａ）は共晶組織を発現する組成範囲である。特にＦｅ
とＲＥの２元系においては、化学式Ｆｅ2ＲＥとＲＥの
α相が均一に分散した共晶組織となる。上述したＲＥ−
ＴＭ相（Ａ）となる原料粉末は、ガスアトマイズ法など
を用い、１０2℃／ｓｅｃ以上の急冷処理を施して、よ
り均一微細な共晶組織を有する粉末を使用するが好まし
い。
る金属間化合物の組成よりもＲＥが多い組成（ＲＥ−Ｔ
Ｍ相（Ａ））というのは、例えば図７に示す光磁気記録
膜を構成する代表的な元素であるＴｂとＦｅの２元状態
図において、（Ａ）で示す範囲である。図７に示す範囲
（Ａ）は共晶組織を発現する組成範囲である。特にＦｅ
とＲＥの２元系においては、化学式Ｆｅ2ＲＥとＲＥの
α相が均一に分散した共晶組織となる。上述したＲＥ−
ＴＭ相（Ａ）となる原料粉末は、ガスアトマイズ法など
を用い、１０2℃／ｓｅｃ以上の急冷処理を施して、よ
り均一微細な共晶組織を有する粉末を使用するが好まし
い。
【００２３】本発明におけるもう一つ大きな特徴は化学
式ＴＭ2ＲＥで表される金属間化合物の組成と同じかそ
れ以下のＲＥを含む組成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を
上述したＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と焼結により結合したこと
にある。光磁気記録膜として、垂直磁化膜となる組成領
域は、例えば光磁気ディスクハンドブック、株式会社サ
イエンスフォーラム発行 P.61-65に記載されるように通
常ＴＭ2ＲＥの組成よりもＲＥの少ない組成にあるた
め、ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）だけでターゲット材を構成する
ことはできず、不足分の鉄族金属を補う必要がある。上
述したようにＴＭは強磁性体であるため単体で存在させ
るとターゲット材の磁化が高くなり透磁率が高くなる要
因となる。本発明者がＴＭとＲＥの化合物について組織
と透磁率の関係を確認したところ、ＴＭとＲＥをそれぞ
れ単体で存在させる場合に比べて、化合物または合金と
して存在させれば、著しく透磁率を低下させることがで
きることを知見した。
式ＴＭ2ＲＥで表される金属間化合物の組成と同じかそ
れ以下のＲＥを含む組成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を
上述したＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と焼結により結合したこと
にある。光磁気記録膜として、垂直磁化膜となる組成領
域は、例えば光磁気ディスクハンドブック、株式会社サ
イエンスフォーラム発行 P.61-65に記載されるように通
常ＴＭ2ＲＥの組成よりもＲＥの少ない組成にあるた
め、ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）だけでターゲット材を構成する
ことはできず、不足分の鉄族金属を補う必要がある。上
述したようにＴＭは強磁性体であるため単体で存在させ
るとターゲット材の磁化が高くなり透磁率が高くなる要
因となる。本発明者がＴＭとＲＥの化合物について組織
と透磁率の関係を確認したところ、ＴＭとＲＥをそれぞ
れ単体で存在させる場合に比べて、化合物または合金と
して存在させれば、著しく透磁率を低下させることがで
きることを知見した。
【００２４】したがって、鉄族金属をＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）として補うことにより、上述したＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）を存在させることによる成膜中の組成分布の均一
性を保ちつつターゲット材としての透磁率をさらに下げ
ることができるものである。本発明においては、ＴＭ−
ＲＥ相（Ｂ）はターゲット材断面に占める面積率で３０
〜７０％とするのが好ましい。
（Ｂ）として補うことにより、上述したＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）を存在させることによる成膜中の組成分布の均一
性を保ちつつターゲット材としての透磁率をさらに下げ
ることができるものである。本発明においては、ＴＭ−
ＲＥ相（Ｂ）はターゲット材断面に占める面積率で３０
〜７０％とするのが好ましい。
【００２５】本発明において上述した化学式ＴＭ2ＲＥ
で表される金属間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥ
を含む組成というのは、例えばＦｅとＴｂの２元状態図
である図７に示す（ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ））で示す範囲で
ある。図７において（ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ））に示す範囲
の内、（Ｂ’）の組成範囲は、状態図においてはＦｅ17
ＲＥ2組成の金属間化合物とＦｅが分散した組織とな
る。この（Ｂ’）の範囲とすれば、ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）
は靭性が高くなり金属間化合物に特有の脆さを低減する
ことができる。このＴＭ−ＲＥ相の原料となる粉末は、
鋳造インゴットを粉砕する方法あるいはガスアトマイズ
法等の急冷凝固法を用いて製造することができる。
で表される金属間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥ
を含む組成というのは、例えばＦｅとＴｂの２元状態図
である図７に示す（ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ））で示す範囲で
ある。図７において（ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ））に示す範囲
の内、（Ｂ’）の組成範囲は、状態図においてはＦｅ17
ＲＥ2組成の金属間化合物とＦｅが分散した組織とな
る。この（Ｂ’）の範囲とすれば、ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）
は靭性が高くなり金属間化合物に特有の脆さを低減する
ことができる。このＴＭ−ＲＥ相の原料となる粉末は、
鋳造インゴットを粉砕する方法あるいはガスアトマイズ
法等の急冷凝固法を用いて製造することができる。
【００２６】本発明において、キュリー点調整用、カー
回転角の増大、あるいは組成の微調整などのために場合
によっては添加するＴＭ相とは、具体的には純Ｆｅ、純
Ｃｏ、純ＮｉあるいはＦｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金などである。上述したようにＴＭ相はターゲット
材の透磁率を高めるため、添加する場合はターゲット材
断面に占める面積率で２０％以下とすることが好まし
い。また耐食性を向上できるＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａから選ばれる１種以上の金属元素Ｘを１０ｗｔ％以
下存在させるには、単体相、希土類あるいは鉄属金属と
の合金相として添加することができる。
回転角の増大、あるいは組成の微調整などのために場合
によっては添加するＴＭ相とは、具体的には純Ｆｅ、純
Ｃｏ、純ＮｉあるいはＦｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金などである。上述したようにＴＭ相はターゲット
材の透磁率を高めるため、添加する場合はターゲット材
断面に占める面積率で２０％以下とすることが好まし
い。また耐食性を向上できるＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｔａから選ばれる１種以上の金属元素Ｘを１０ｗｔ％以
下存在させるには、単体相、希土類あるいは鉄属金属と
の合金相として添加することができる。
【００２７】また、上述したように、本発明において、
ターゲット中に存在するＣｏを、４Ａ、５Ａ、６Ａに属
する元素と合金化することにより、強擾乱作用により著
しく透磁率を低下させることができる。
ターゲット中に存在するＣｏを、４Ａ、５Ａ、６Ａに属
する元素と合金化することにより、強擾乱作用により著
しく透磁率を低下させることができる。
【００２８】本発明における４Ａ、５Ａ、６Ａに族する
元素は、ターゲットの飽和磁束密度および透磁率を下げ
る目的に対して有効であるが、膜としての光磁気特性を
劣化する元素であり、光磁気特性にとってはできるだけ
少ない方がよい。一方、これらの元素のうち、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｔｉは、先に述べたように膜に耐食性を付与
する元素としても使用できる。したがって、要求される
光磁気特性と耐食性に応じてターゲットとしての全体の
添加元素量を決定することが望ましい。その上で、でき
るだけＣｏと合金化を行うことが望ましく、ターゲット
中にＣｏが金属単相として存在しないようにすることが
望ましい。
元素は、ターゲットの飽和磁束密度および透磁率を下げ
る目的に対して有効であるが、膜としての光磁気特性を
劣化する元素であり、光磁気特性にとってはできるだけ
少ない方がよい。一方、これらの元素のうち、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｔｉは、先に述べたように膜に耐食性を付与
する元素としても使用できる。したがって、要求される
光磁気特性と耐食性に応じてターゲットとしての全体の
添加元素量を決定することが望ましい。その上で、でき
るだけＣｏと合金化を行うことが望ましく、ターゲット
中にＣｏが金属単相として存在しないようにすることが
望ましい。
【００２９】なお上述したように、Ｃｏと合金化する元
素としてＣｒまたはＶを選択した場合、Ｃｏに対して２
５原子％を大きく越えて添加した合金は、すでに非磁性
となるため意味がなく、これを大きく越えない範囲で出
来るだけＣｏとの合金化を行い、耐食性等の目的でさら
にこれらの元素を添加する必要があるときには、他の金
属相である例えばＦｅとの合金化によってＦｅ相の磁化
を希釈することが好ましい。
素としてＣｒまたはＶを選択した場合、Ｃｏに対して２
５原子％を大きく越えて添加した合金は、すでに非磁性
となるため意味がなく、これを大きく越えない範囲で出
来るだけＣｏとの合金化を行い、耐食性等の目的でさら
にこれらの元素を添加する必要があるときには、他の金
属相である例えばＦｅとの合金化によってＦｅ相の磁化
を希釈することが好ましい。
【００３０】上述した本発明のターゲット材は、各相に
対応する合金粉末を製造し、これを加圧焼結することに
よって得ることができる。加圧焼結の温度は、ＲＥ−Ｔ
Ｍ相（Ａ）、ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）がほぼ熱的に安定に存
在し得る範囲の温度に設定する必要がある。これはＲＥ
−ＴＭ相（Ａ）はＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）と反応すると金属
間化合物相を生成して、ＲＥ−ＴＭ相が実質的になくな
ってしまうためである。好ましくは、液相発現温度未満
の固相焼結域で焼結するものとする。
対応する合金粉末を製造し、これを加圧焼結することに
よって得ることができる。加圧焼結の温度は、ＲＥ−Ｔ
Ｍ相（Ａ）、ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）がほぼ熱的に安定に存
在し得る範囲の温度に設定する必要がある。これはＲＥ
−ＴＭ相（Ａ）はＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）と反応すると金属
間化合物相を生成して、ＲＥ−ＴＭ相が実質的になくな
ってしまうためである。好ましくは、液相発現温度未満
の固相焼結域で焼結するものとする。
【００３１】上述したように、本発明ではＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）とＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）が焼結されていることが最
も重要であって、別の相が他に存在してもかまわないも
のである。たとえば、組成調整用あるいは膜の組成分布
調整用として希土類元素を単体で存在させても良いもの
である。なお、希土類元素単体は、酸化しやすく、ター
ゲットの酸素量を増加し、光磁気特性に悪影響を及ぼす
恐れがあるため、好ましくはターゲットのスパッタリン
グ面に対する面積率で５％以下が好ましい。
（Ａ）とＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）が焼結されていることが最
も重要であって、別の相が他に存在してもかまわないも
のである。たとえば、組成調整用あるいは膜の組成分布
調整用として希土類元素を単体で存在させても良いもの
である。なお、希土類元素単体は、酸化しやすく、ター
ゲットの酸素量を増加し、光磁気特性に悪影響を及ぼす
恐れがあるため、好ましくはターゲットのスパッタリン
グ面に対する面積率で５％以下が好ましい。
【００３２】
（実施例１）まず、化学式ＴＭ2ＲＥで表される金属間
化合物の組成よりもＲＥが多い組成を有し、ＲＥとＴＭ
との金属間化合物と、ＲＥとが分散した組織を有するＲ
Ｅ−ＴＭ相（Ａ）を形成するための粉末（ａ）として、
ガスアトマイズ法により表１および表２の原料粉組成に
対応する種々の希土類元素と鉄との共晶組織を有する粉
末を製造した。また、化学式ＴＭ2ＲＥで表される金属
間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥを含む組成を有
するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を形成する粉末（ｂ）として、
同様のガスアトマイズ法により表１の原料粉組成に対応
する種々の粉末を製造した。
化合物の組成よりもＲＥが多い組成を有し、ＲＥとＴＭ
との金属間化合物と、ＲＥとが分散した組織を有するＲ
Ｅ−ＴＭ相（Ａ）を形成するための粉末（ａ）として、
ガスアトマイズ法により表１および表２の原料粉組成に
対応する種々の希土類元素と鉄との共晶組織を有する粉
末を製造した。また、化学式ＴＭ2ＲＥで表される金属
間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥを含む組成を有
するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を形成する粉末（ｂ）として、
同様のガスアトマイズ法により表１の原料粉組成に対応
する種々の粉末を製造した。
【００３３】また組成調整用のＴＭ粉末（ｃ）として、
同様のガスアトマイズ法により純Ｆｅ粉、純Ｃｏ粉、Ｆ
ｅ−Ｃｏ合金粉を作製した。これらの粉末をふるい（新
ＪＩＳ規格 １００メッシュ、目開き１５０μｍ）を用
いて分級し原料粉末とした。表１および表２に示したタ
ーゲット材組成となるように各原料粉を配合し、Ｖ型ブ
レンダーを用いてＡｒ雰囲気中で６時間の混合を行っ
た。各混合粉の重量は約０．８５（kg）である。次に、
得られた混合粉を各々軟鋼製カプセルに充填し、温度４
００℃、真空度 ０．０１Ｐａで４時間加熱して脱気処
理を行なった後、封止して熱間静水圧プレス（以下ＨＩ
Ｐと記す）で加圧・焼結した。ＨＩＰ処理条件は温度６
６５℃、圧力 ９８ＭＰａ、保持時間２時間である。Ｈ
ＩＰ処理を行なって得られた焼結体は、旋盤を用いてφ
１２５×５ｍｍの寸法を有するターゲット材に加工し
た。
同様のガスアトマイズ法により純Ｆｅ粉、純Ｃｏ粉、Ｆ
ｅ−Ｃｏ合金粉を作製した。これらの粉末をふるい（新
ＪＩＳ規格 １００メッシュ、目開き１５０μｍ）を用
いて分級し原料粉末とした。表１および表２に示したタ
ーゲット材組成となるように各原料粉を配合し、Ｖ型ブ
レンダーを用いてＡｒ雰囲気中で６時間の混合を行っ
た。各混合粉の重量は約０．８５（kg）である。次に、
得られた混合粉を各々軟鋼製カプセルに充填し、温度４
００℃、真空度 ０．０１Ｐａで４時間加熱して脱気処
理を行なった後、封止して熱間静水圧プレス（以下ＨＩ
Ｐと記す）で加圧・焼結した。ＨＩＰ処理条件は温度６
６５℃、圧力 ９８ＭＰａ、保持時間２時間である。Ｈ
ＩＰ処理を行なって得られた焼結体は、旋盤を用いてφ
１２５×５ｍｍの寸法を有するターゲット材に加工し
た。
【００３４】上記の焼結体を研磨し、ミクロ組織を光学
顕微鏡で観察して、ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）、ＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）、ＴＭ相（Ｃ）の面積比率を画像処理の手法を用
いて測定した。また上記の焼結体より磁性測定用試料と
して３０×１０×５ｍｍの角柱を切り出し、直流磁束計
を用いて最大印可磁場７．９６×１０5Ａ／ｍでＢ−Ｈ
曲線を測定し、飽和磁束密度（Ｂｓ）と最大透磁率（μ
max）を求めた。結果を表１および表２に示す。
顕微鏡で観察して、ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）、ＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）、ＴＭ相（Ｃ）の面積比率を画像処理の手法を用
いて測定した。また上記の焼結体より磁性測定用試料と
して３０×１０×５ｍｍの角柱を切り出し、直流磁束計
を用いて最大印可磁場７．９６×１０5Ａ／ｍでＢ−Ｈ
曲線を測定し、飽和磁束密度（Ｂｓ）と最大透磁率（μ
max）を求めた。結果を表１および表２に示す。
【００３５】表１および表２の本発明の光磁気記録媒体
用ターゲット材は、すべて０．８（Ｔ）以下、最大透磁
率は１０以下を満足するマグネトロンスパッタリング法
に適したものであることがわかる。
用ターゲット材は、すべて０．８（Ｔ）以下、最大透磁
率は１０以下を満足するマグネトロンスパッタリング法
に適したものであることがわかる。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】（比較例１）実施例１と同様に化学式ＴＭ
2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが多い
組成を有し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、ＲＥとが
分散した組織を有するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を形成するた
めの粉末（ａ）として、ガスアトマイズ法により表３の
原料粉組成に対応する種々の希土類元素と鉄との共晶組
織を有する粉末を製造した。またＴＭ相（Ｃ）を構成す
るＴＭ粉末（ｃ）として、同様のガスアトマイズ法によ
り純Ｆｅ粉、純Ｃｏ粉を作製した。（ａ）（ｃ）２種類
の粉末をふるい（新ＪＩＳ １００メッシュ、目開き１
５０μｍ）を用いて分級し原料粉末とした。表３に示し
たターゲット材組成となるように各原料粉を配合し、実
施例１のターゲット材を構成するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）が
存在しない試料Ｎｏ．１１ないし１３のターゲット材を
得た。
2ＲＥで表される金属間化合物の組成よりもＲＥが多い
組成を有し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、ＲＥとが
分散した組織を有するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を形成するた
めの粉末（ａ）として、ガスアトマイズ法により表３の
原料粉組成に対応する種々の希土類元素と鉄との共晶組
織を有する粉末を製造した。またＴＭ相（Ｃ）を構成す
るＴＭ粉末（ｃ）として、同様のガスアトマイズ法によ
り純Ｆｅ粉、純Ｃｏ粉を作製した。（ａ）（ｃ）２種類
の粉末をふるい（新ＪＩＳ １００メッシュ、目開き１
５０μｍ）を用いて分級し原料粉末とした。表３に示し
たターゲット材組成となるように各原料粉を配合し、実
施例１のターゲット材を構成するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）が
存在しない試料Ｎｏ．１１ないし１３のターゲット材を
得た。
【００３９】上記の焼結体を研磨し、実施例１と同様に
ミクロ組織を光学顕微鏡で観察して、ＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）、ＴＭ相（Ｃ）の面積比率を画像処理の手法を用
いて測定した。また上記の焼結体より、飽和磁束密度
（Ｂｓ）と最大透磁率（μmax）を求めた。結果を表３
に示す。表３に示すように、実施例１の表１に示す試料
Ｎｏ．１ないしＮｏ．３とターゲット材として同一の組
成を有する試料Ｎｏ．１１ないしＮｏ．１３は透磁率が
１０を越え、マグネトロンスパッタリング法には好まし
くないターゲット材であった。
ミクロ組織を光学顕微鏡で観察して、ＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）、ＴＭ相（Ｃ）の面積比率を画像処理の手法を用
いて測定した。また上記の焼結体より、飽和磁束密度
（Ｂｓ）と最大透磁率（μmax）を求めた。結果を表３
に示す。表３に示すように、実施例１の表１に示す試料
Ｎｏ．１ないしＮｏ．３とターゲット材として同一の組
成を有する試料Ｎｏ．１１ないしＮｏ．１３は透磁率が
１０を越え、マグネトロンスパッタリング法には好まし
くないターゲット材であった。
【００４０】
【表３】
【００４１】（実施例２）実施例１と同様のガスアトマ
イズ法により製造したＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を形成するた
めの粉末（ａ）およびＴＭ単体相（Ｃ）を形成するため
の粉末（ｃ）と、鋳造インゴットを粉砕して得られたＴ
Ｍ−ＲＥ相（Ｂ）を形成する粉末（ｂ）および耐食性向
上のための添加元素Ｘ（Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ）を混合して表４に示したターゲット材を作製した。
焼結体のミクロ組織を構成する各相の面積比率と飽和磁
束密度および最大透磁率を測定した結果を併せて表４に
示す。表４の結果より、添加元素Ｘが存在していても、
透磁率を１０以下、飽和磁束密度を０．８（Ｔ）以下と
することができることが確認できた。
イズ法により製造したＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を形成するた
めの粉末（ａ）およびＴＭ単体相（Ｃ）を形成するため
の粉末（ｃ）と、鋳造インゴットを粉砕して得られたＴ
Ｍ−ＲＥ相（Ｂ）を形成する粉末（ｂ）および耐食性向
上のための添加元素Ｘ（Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ）を混合して表４に示したターゲット材を作製した。
焼結体のミクロ組織を構成する各相の面積比率と飽和磁
束密度および最大透磁率を測定した結果を併せて表４に
示す。表４の結果より、添加元素Ｘが存在していても、
透磁率を１０以下、飽和磁束密度を０．８（Ｔ）以下と
することができることが確認できた。
【００４２】ターゲット試料Ｎｏ．２１の金属ミクロ組
織写真を図１に示す。また図１のスケッチを図２に示
す。
織写真を図１に示す。また図１のスケッチを図２に示
す。
【００４３】図１に示すように、本発明のターゲット試
料Ｎｏ．２１は原料粉末がその組織が破壊されることな
く焼結した組織を有するものであり、図中の黒色相が
Ｔｂ−Ｆｅ共晶合金粉末を起源とするＲＥ−ＴＭ相であ
り、実質的にαＴｂとＦｅ２Ｔｂが微細に分散した急冷
共晶組織を有している。また図中白色の粒は、Ｆｅ−１
０Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒのいずれかの相であり、この
組織写真のみからは特定されないが、微小部Ｘ線分析装
置により特定することができたものである。また鉄族金
属を主体とする相と共晶合金を主体とする相の界面に
は、焼結により極く薄い金属間化合物が生成しているこ
とが確認された。
料Ｎｏ．２１は原料粉末がその組織が破壊されることな
く焼結した組織を有するものであり、図中の黒色相が
Ｔｂ−Ｆｅ共晶合金粉末を起源とするＲＥ−ＴＭ相であ
り、実質的にαＴｂとＦｅ２Ｔｂが微細に分散した急冷
共晶組織を有している。また図中白色の粒は、Ｆｅ−１
０Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒのいずれかの相であり、この
組織写真のみからは特定されないが、微小部Ｘ線分析装
置により特定することができたものである。また鉄族金
属を主体とする相と共晶合金を主体とする相の界面に
は、焼結により極く薄い金属間化合物が生成しているこ
とが確認された。
【００４４】
【表４】
【００４５】（実施例３）実施例１と同様のガスアトマ
イズ法により製造したＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を形成するた
めの粉末（ａ）、ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を形成するための
粉末（ｂ）および４Ａ，５Ａ，６Ａ族の代表元素とし
て、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａを選び、これらの元素
とＣｏの合金相（Ｃ’）を形成するための粉末（ｃ’）
と、表５に示す粉末を混合して表５に示したターゲット
材を作製した。表５に示す試料Ｎｏ．２２はＣｒを目標
組成に要求されるＣｏにＣｏ−Ｃｒ系合金で磁性がなく
なるＣｒ２５％添加し、全体組成で余剰のＣｒをＦｅと
合金化したものである。また、試料Ｎｏ．２３は、Ｃｒ
をＦｅとの合金として存在させたものである。
イズ法により製造したＲＥ−ＴＭ相（Ａ）を形成するた
めの粉末（ａ）、ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を形成するための
粉末（ｂ）および４Ａ，５Ａ，６Ａ族の代表元素とし
て、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａを選び、これらの元素
とＣｏの合金相（Ｃ’）を形成するための粉末（ｃ’）
と、表５に示す粉末を混合して表５に示したターゲット
材を作製した。表５に示す試料Ｎｏ．２２はＣｒを目標
組成に要求されるＣｏにＣｏ−Ｃｒ系合金で磁性がなく
なるＣｒ２５％添加し、全体組成で余剰のＣｒをＦｅと
合金化したものである。また、試料Ｎｏ．２３は、Ｃｒ
をＦｅとの合金として存在させたものである。
【００４６】上記ＣｒをＣｏと積極的に合金化した本発
明の試料Ｎｏ．２２はＣｒをＦｅとの合金として存在さ
せた試料Ｎｏ．２３に比較して最大透磁率および飽和磁
束密度ともに低くすることができたことがわかる。な
お、表５に示すＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、ＴａをそれぞれＣｏと
の合金として存在させたものについてはＶについてもＣ
ｏとの合金化による透磁率の低下の効果が認められた。
明の試料Ｎｏ．２２はＣｒをＦｅとの合金として存在さ
せた試料Ｎｏ．２３に比較して最大透磁率および飽和磁
束密度ともに低くすることができたことがわかる。な
お、表５に示すＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、ＴａをそれぞれＣｏと
の合金として存在させたものについてはＶについてもＣ
ｏとの合金化による透磁率の低下の効果が認められた。
【００４７】ターゲット試料Ｎｏ．２２の金属ミクロ組
織写真を図３に示す。また図４に図１のスケッチ図を示
す。図３に示すように、本発明のターゲット試料Ｎｏ．
２２は上述した実施例２の本発明のターゲット試料Ｎ
ｏ．２１と同様に原料粉末がその組織が破壊されること
なく焼結した組織を有するものであり、図中の黒色相が
Ｔｂ−Ｆｅ共晶合金粉末を起源とするＲＥ−ＴＭ相であ
り、実質的にαＴｂとＦｅ２Ｔｂが微細に分散した急冷
共晶組織を有している。また図中白色の粒は、Ｆｅ−１
０Ｔｂ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒのいずれかの相であ
り、この組織写真のみからは特定されないが、微小部Ｘ
線分析装置により特定することができたものである。
織写真を図３に示す。また図４に図１のスケッチ図を示
す。図３に示すように、本発明のターゲット試料Ｎｏ．
２２は上述した実施例２の本発明のターゲット試料Ｎ
ｏ．２１と同様に原料粉末がその組織が破壊されること
なく焼結した組織を有するものであり、図中の黒色相が
Ｔｂ−Ｆｅ共晶合金粉末を起源とするＲＥ−ＴＭ相であ
り、実質的にαＴｂとＦｅ２Ｔｂが微細に分散した急冷
共晶組織を有している。また図中白色の粒は、Ｆｅ−１
０Ｔｂ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒのいずれかの相であ
り、この組織写真のみからは特定されないが、微小部Ｘ
線分析装置により特定することができたものである。
【００４８】
【表５】
【００４９】（実施例４）実施例１で製造した試料Ｎ
ｏ．１からＮｏ．３の本発明のターゲット材を用いて、
４×１０マイナス４乗Ｐａまで排気した後に、アルゴン
圧７×１０マイナス１乗Ｐａ、高周波電力２００Ｗで成
膜し膜組成の分布を調査した。この時ターゲットとガラ
ス基板の間隔は７０ｍｍとし、静止対向の配置でφ１２
５ｍｍ×３ｍｍのターゲット中心から半径方向に外側に
向けて２０ｍｍ間隔でガラス基板上の組成をＥＰＭＡを
用いて測定した。結果を図５に示す。
ｏ．１からＮｏ．３の本発明のターゲット材を用いて、
４×１０マイナス４乗Ｐａまで排気した後に、アルゴン
圧７×１０マイナス１乗Ｐａ、高周波電力２００Ｗで成
膜し膜組成の分布を調査した。この時ターゲットとガラ
ス基板の間隔は７０ｍｍとし、静止対向の配置でφ１２
５ｍｍ×３ｍｍのターゲット中心から半径方向に外側に
向けて２０ｍｍ間隔でガラス基板上の組成をＥＰＭＡを
用いて測定した。結果を図５に示す。
【００５０】図５に示すように本発明のターゲット材に
よって得られる膜は、ターゲット中心直下の位置から１
００ｍｍまでという広い範囲で２ｗｔ％以下の変動量を
保つことができることが分かる。これは、共晶組織を有
するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）によって希土類元素と金属間化
合物のスパッタリング時の放出角度の差が緩和されてい
ることによると考えられる。
よって得られる膜は、ターゲット中心直下の位置から１
００ｍｍまでという広い範囲で２ｗｔ％以下の変動量を
保つことができることが分かる。これは、共晶組織を有
するＲＥ−ＴＭ相（Ａ）によって希土類元素と金属間化
合物のスパッタリング時の放出角度の差が緩和されてい
ることによると考えられる。
【００５１】（比較例２）比較例として特開平４−３６
５８６０号に記載のターゲット材を想定したターゲット
を製造した。まず実施例１で製造した試料Ｎｏ．１から
Ｎｏ．３と同じターゲット組成となるように、表６に示
す原料粉末を実施例１と同様のガスアトマイズ法を用い
て製造し、表６に示す組成になるように配合してから、
温度６００℃、圧力１１．８Ｍｐａで、１時間保持した
焼結体を、４×１０マイナス４乗Ｐａ、６６０℃、４時
間保持してターゲット材を得た。比較例のターゲット材
の磁気特性を実施例１と同様に測定した。これらの結果
を表５に示す。表６と表１の同じ組成を有するターゲッ
ト材、例えば表１の試料Ｎｏ．１と表５の試料Ｎｏ．２
８を比較すると透磁率を見るとほぼ同等であるが、後述
するように膜の組成分布が悪い。
５８６０号に記載のターゲット材を想定したターゲット
を製造した。まず実施例１で製造した試料Ｎｏ．１から
Ｎｏ．３と同じターゲット組成となるように、表６に示
す原料粉末を実施例１と同様のガスアトマイズ法を用い
て製造し、表６に示す組成になるように配合してから、
温度６００℃、圧力１１．８Ｍｐａで、１時間保持した
焼結体を、４×１０マイナス４乗Ｐａ、６６０℃、４時
間保持してターゲット材を得た。比較例のターゲット材
の磁気特性を実施例１と同様に測定した。これらの結果
を表５に示す。表６と表１の同じ組成を有するターゲッ
ト材、例えば表１の試料Ｎｏ．１と表５の試料Ｎｏ．２
８を比較すると透磁率を見るとほぼ同等であるが、後述
するように膜の組成分布が悪い。
【００５２】
【表６】
【００５３】次に実施例３と同様に成膜した時の組成分
布を図６に示す。図６に示すように、比較例のターゲッ
ト材よって成膜した膜はターゲットの中心直下の位置か
ら６０ｍｍの付近から希土類元素の量が著しく増加する
傾向を示している。このような組成分布は、比較例の組
織では反応相が実質的に金属間化合物であるため組織が
粗く、組成分布の変動量が大きくなったものと考えられ
る。
布を図６に示す。図６に示すように、比較例のターゲッ
ト材よって成膜した膜はターゲットの中心直下の位置か
ら６０ｍｍの付近から希土類元素の量が著しく増加する
傾向を示している。このような組成分布は、比較例の組
織では反応相が実質的に金属間化合物であるため組織が
粗く、組成分布の変動量が大きくなったものと考えられ
る。
【００５４】
【発明の効果】本発明のターゲット材によれば、透磁率
が低いためにマグネトロンスパッタリングに好適であ
り、高価な希土類元素を含むターゲットの使用効率を極
めて高いものとすることができ、光磁気記録媒体の製造
コスト削減に対して極めて好ましいものとなる。また本
発明では成膜中の組成分布が均一であるため、希土類元
素量の変動によって極めて敏感に磁気特性が変化する光
磁気記録膜の製造時の信頼性を確保する上で極めて有効
である。
が低いためにマグネトロンスパッタリングに好適であ
り、高価な希土類元素を含むターゲットの使用効率を極
めて高いものとすることができ、光磁気記録媒体の製造
コスト削減に対して極めて好ましいものとなる。また本
発明では成膜中の組成分布が均一であるため、希土類元
素量の変動によって極めて敏感に磁気特性が変化する光
磁気記録膜の製造時の信頼性を確保する上で極めて有効
である。
【００５５】また、本発明ではＲＥ−ＴＭ相（Ａ）とＴ
Ｍ−ＲＥ相（Ｂ）とを焼結しているため、ＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）を存在させる時に問題となる脆さを低減できる。
本発明のターゲット材にさらにＣｒ系の耐食性元素Ｘを
添加すれば、さらに成膜中の耐食性を向上できるもので
ある。Ｃｏと４Ａ、５Ａ、６Ａ族元素の合金化した相と
存在させれば、一段と透磁率を低下でき好ましいものと
なる。また、本発明では、希土類元素とＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）あるいはＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を有する粉末を取扱
うため、活性な純ＲＥ粉をそのまま使う場合に比べて、
ターゲット材中の酸素量を少なくできるという利点もあ
る。
Ｍ−ＲＥ相（Ｂ）とを焼結しているため、ＴＭ−ＲＥ相
（Ｂ）を存在させる時に問題となる脆さを低減できる。
本発明のターゲット材にさらにＣｒ系の耐食性元素Ｘを
添加すれば、さらに成膜中の耐食性を向上できるもので
ある。Ｃｏと４Ａ、５Ａ、６Ａ族元素の合金化した相と
存在させれば、一段と透磁率を低下でき好ましいものと
なる。また、本発明では、希土類元素とＲＥ−ＴＭ相
（Ａ）あるいはＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）を有する粉末を取扱
うため、活性な純ＲＥ粉をそのまま使う場合に比べて、
ターゲット材中の酸素量を少なくできるという利点もあ
る。
【図１】本発明のターゲット材組織の一例を示す金属ミ
クロ組織写真である。
クロ組織写真である。
【図２】本発明のターゲット材組織の一例を示すスケッ
チ図である。
チ図である。
【図３】本発明のターゲット材組織の別の例を示す金属
ミクロ組織写真である。
ミクロ組織写真である。
【図４】本発明のターゲット材組織の別の例を示すスケ
ッチ図である
ッチ図である
【図５】本発明のターゲット材を用いて成膜したときの
組成分布の一例を示す図である。
組成分布の一例を示す図である。
【図６】比較例のターゲット材を用いて成膜したときの
組成分布の一例を示す図である。
組成分布の一例を示す図である。
【図７】ＴｂとＦｅの２元系の状態図である。
Claims (13)
- 【請求項１】 Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの
元素群から選ばれる１種以上の希土類元素をＲＥと表記
し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄族金属群から選ばれる１種以
上の元素をＴＭと表記するとき、化学式ＴＭ2ＲＥで表
される金属間化合物の組成よりもＲＥが多い組成を有す
るＲＥ−ＴＭ相（Ａ）と、化学式ＴＭ2ＲＥで表される
金属間化合物の組成と同じかそれ以下の割合のＲＥを含
む組成を有するＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）とが、焼結された組
織を有することを特徴する光磁気記録媒体用ターゲット
材。 - 【請求項２】 上記ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）およびＴＭ−Ｒ
Ｅ相（Ｂ）に加えて、ＴＭ単体またはＴＭ同士の合金で
なるＴＭ相（Ｃ）が焼結された組織を有することを特徴
とする請求項１に記載の光磁気記録媒体用ターゲット
材。 - 【請求項３】 ＲＥ−ＴＭ相（Ａ）はＲＥ含有量が６６
ｗｔ％以上のＲＥとＦｅとの共晶合金相であることを特
徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体用タ
ーゲット材。 - 【請求項４】 ＴＭ−ＲＥ相（Ｂ）が化学式ＴＭ17ＲＥ
2組成で表される金属間化合物の組成よりもＲＥ量の少
ない組成とすることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の光磁気記録媒体用ターゲット材。 - 【請求項５】 Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１種以上の金属元素Ｘを１０ｗ
ｔ％以下存在させたことを特徴とする請求項１ないし４
のいずれかに記載の光磁気記録媒体用ターゲット材。 - 【請求項６】 ４Ａ，５Ａ，６Ａ属の元素を５０原子％
以下、残部実質的にＣｏからなるＣｏ合金相をＴＭ相
（Ｃ）の１部または全部として存在させることを特徴と
する請求項２ないし５のいずれかに記載の光磁気記録媒
体用ターゲット。 - 【請求項７】 ＣｒもしくはＶを３０原子％以下、残部
実質的にＣｏからなるＣｏ合金相をＴＭ相（Ｃ）の１部
または全部として存在させることを特徴とする請求項２
ないし６のいずれかに記載の光磁気記録媒体用ターゲッ
ト。 - 【請求項８】 最大透磁率が１０以下であることを特徴
とする請求項１ないし７のいずれかに記載の光磁気記録
媒体用ターゲット材。 - 【請求項９】 飽和磁束密度（Ｂｓ）が０．８（Ｔ）以
下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか
に記載の光磁気記録媒体用ターゲット材。 - 【請求項１０】 Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
の元素群から選ばれる１種以上の希土類元素をＲＥと表
記し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄族金属群から選ばれる１種
以上の元素をＴＭと表記するとき、化学式ＴＭ2ＲＥで
表される金属間化合物の組成よりもＲＥが多い組成を有
し、ＲＥとＴＭとの金属間化合物と、ＲＥとが分散した
組織を有する粉末（ａ）と、化学式ＴＭ2ＲＥで表され
る金属間化合物の組成と同じかそれ以下のＲＥを含む組
成を有する粉末（ｂ）とを加圧焼結することを特徴とす
る光磁気記録媒体用ターゲット材の製造方法。 - 【請求項１１】 上記粉末（ａ）および粉末（ｂ）に加
えて、ＴＭ単体またはＴＭ同士の合金粉末（ｃ）を混合
した後、加圧焼結することを特徴とする光磁気記録媒体
用ターゲット材の製造方法。 - 【請求項１２】 Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる１種以上の金属元素Ｘを、
単体粉、希土類および／または鉄属金属との合金粉のい
ずれかの形態で、１０ｗｔ％以下添加することを特徴と
する請求項１０ないし１１に記載の光磁気記録媒体用タ
ーゲット材の製造方法。 - 【請求項１３】 ４Ａ，５Ａ，６Ａ属の元素を５０％以
下、残部実質的にＣｏからなるＣｏ合金粉末をＴＭ単体
粉末（ｃ）の一部または全部に置換して使用することを
特徴とする請求項１１ないし１２のいずれかに記載の光
磁気記録媒体用ターゲット材の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055248A JPH0790567A (ja) | 1993-07-30 | 1994-03-01 | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
| DE69432002T DE69432002T2 (de) | 1993-07-30 | 1994-05-17 | Target für ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP94107634A EP0640964B1 (en) | 1993-07-30 | 1994-05-17 | Target for magneto-optical recording medium and process for production therefof |
| US08/246,825 US5607780A (en) | 1993-07-30 | 1994-05-20 | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
| KR1019940015388A KR950004146A (ko) | 1993-07-30 | 1994-06-30 | 광자기 기록매체용 표적물질 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20850793 | 1993-07-30 | ||
| JP5-208507 | 1993-07-30 | ||
| JP6055248A JPH0790567A (ja) | 1993-07-30 | 1994-03-01 | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790567A true JPH0790567A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=26396129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6055248A Pending JPH0790567A (ja) | 1993-07-30 | 1994-03-01 | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5607780A (ja) |
| EP (1) | EP0640964B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0790567A (ja) |
| KR (1) | KR950004146A (ja) |
| DE (1) | DE69432002T2 (ja) |
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| JP2007131941A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-05-31 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 |
| JP2010095794A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-30 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2011208168A (ja) * | 2010-03-28 | 2011-10-20 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
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| US6592724B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-07-15 | Delphi Technologies, Inc. | Method for producing NiTiHf alloy films by sputtering |
| US6596132B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-07-22 | Delphi Technologies, Inc. | Production of ternary shape-memory alloy films by sputtering using a hot pressed target |
| US6454913B1 (en) | 2001-07-12 | 2002-09-24 | Delphi Technologies, Inc. | Process for deposition of sputtered shape memory alloy films |
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| US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
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| JPH0768611B2 (ja) * | 1986-08-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JPS63143255A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 合金タ−ゲツト材 |
| JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
| JPS63274763A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| JPS648367A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | Maruyama Mfg Co | Reciprocating pump device |
| JPS648243A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Mitsui Shipbuilding Eng | Rare earth metal-transition metal alloy and its production |
| JP2633572B2 (ja) * | 1987-08-08 | 1997-07-23 | 三井石油化学工業株式会社 | 光磁気記録体 |
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| US4824481A (en) * | 1988-01-11 | 1989-04-25 | Eaastman Kodak Company | Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making |
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| JPH0784658B2 (ja) * | 1988-10-26 | 1995-09-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット |
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- 1994-05-17 DE DE69432002T patent/DE69432002T2/de not_active Expired - Fee Related
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