JPH01242778A - 基板加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板加熱装置に係り、例えば分子線エピタキ
シャル結晶成長装置等における基板加熱用ヒータの寿命
を長くするのに好適な基板加熱装置に関するものである
。

〔従来の技術〕

分子線エピタキシャル結晶成長装置等に適用される基板
加熱装置の従来の一般的な構成を、第２図を参照して説
明する。

第２図は、従来の基板加熱装置の断面図である。

第２図において、１は基板、２は、基板１を保持する基
板ホルダ、３は基板おさえ、４は、基板加熱用のヒータ
、５は、このヒータ４を取付けるヒータベース、６は加
熱板、７は、温度計測用の熱電対、８は碍子、１０は熱
シールド板である。

これらにより構成される基板加熱装置は、超高真空の薄
膜成長室に装備されるものである。なお、加熱板６は、
基板の半径方向の温度分布を均一化するために配設さ九
るもので、必要に応じて着脱される。

第２図に示すように、基板加熱用のヒータ４は。

ヒータベース５上に取り付け、一般に基板１の裏面側に
而して配設される。この場合、ヒータ線は・被覆等され
ることなく、ヒータベース５に取り付けられる。

このような構成の基板加熱装置では１例えば超電導薄膜
等を分子線エピタキシャル法で成長させる場合、基板加
熱装置が位置する薄膜成長室に酸素が導入されると、ヒ
ータ　（主にタンタル製）４が加熱状態で酸化して劣化
し、数回の使用で使用不可能になることがあった。

なお、このような従来の基板加熱装置については、例え
ば特開昭６１−９３６１６号、あるいは特開昭６１−２
１０６１６号等の各公報記載の技術が知られている。

〔発明が解決しようとするｉ題〕

上記の従来技術は、一般には高真空環境以上で利用する
ことを前提としたもので、酸素等を導入して、ヒータが
酸化し劣化するような環境での利用については配慮され
ていなかった。

そのため、例えば、超電８薄膜等の成長に従来の装置を
活用する場合、ヒータのメンテナンスに長時間を要する
という問題があった。

本発明は、上記従来技術における課題を解決するために
なさりたもので、成長室内に酸素等のガスを導入しても
ヒータが酸化して劣化することがなく、ヒータのメンテ
ナンスを不要とし、成膜効率を著しく向上しうる基板加
熱装置を提供することを、その目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために１本発明に係る基板加熱装置
の構成は、基板を保持する基板ホルダと。

この基板ホルダに保持された基板を加熱するヒータ部と
からなる基板加熱装置において、前記ヒータ部のヒータ
およびヒータベースを真空容器内に装着したものである
。

なお付記すると、温度計測用の熱電対、ヒータへの電流
導入用のリード線も真空容器内に配設したものである。

〔作用〕

基板加熱装置が装備される薄膜成長室そのものも真空容
器であるが１例えば、超電導薄膜の成長など、目的によ
っては、少量ではあるが酸素等の・ガスを薄膜成長室内
に導入することがある。

本発明では、基板加熱用のヒータ部を薄膜成長室内の真
空容器内に装着し、薄膜成長室内とはガス絶縁する構造
とした。

これにより、ヒータ部が薄膜成長室内のガスの影響を受
けることはない。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。

第１図は、本発明の一実施例に係る基板加熱装置の断面
図である。図中、第２図と同一符号のものは、従来技術
と同等機能部品であるから、その説明を省略する。

第２図に示す実施例では、基板ホルダ２に保持された基
板１を加熱するヒータ部は真空容器９内に装着されてい
る。すなわち、ヒータ４．ヒータベース５は真空容器９
内に装着され、薄膜成長室（図示せず）環境とは完全に
ガス絶縁されている。

温度計測用の熱電対７の導入、ヒータ４加熱のだめの電
流導入用のリード線は、碍子８など真空用のフィードス
ルを介して真空容器９内に導かれる。

熱シールド板は、前記真空容器９の外側下部に配設され
る。

このような基板加熱装置とすることにより、例えば、超
電導薄膜などを分子線エピタキシャル法で成長させるよ
うな場合、薄膜成長室内に酸素等が導入されても、ヒー
タが劣化する恐れはない。

したがって、ヒータのメンテナンスが不要となり、成膜
効率を著しく成長させることができる。

なお、薄膜成長室内で、成膜後の低真空下での熱処理も
可能となる。

〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、成長室内に酸素等
のガスを導入してもヒータが酸化して劣化することがな
く、ヒータのメンテナンスを不要とし、成膜効率を著し
く向上しうる基板加熱装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る基板加熱装置の断面
図、第２図は、従来の基板加熱装置の断面図である。 ■・・・基板、２・・・基板ホルダ、４・・・ヒータ、
５・・・ヒータベース、７・・・熱電対、８・・・碍子
、９・・・真空容器、１０・・・熱シールド板。 第　１　目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板を保持する基板ホルダと、この基板ホルダに保
   持された基板を加熱するヒータ部とからなる基板加熱装
   置において、前記ヒータ部のヒータおよびヒータベース
   を真空容器内に装着したことを特徴とする基板加熱装置
   。 ２、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、ヒータ
   およびヒータベースを装着した真空容器の外側で部に熱
   シールド板を配設したことを特徴とする基板加熱装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、温度計
   測用の熱電対、ヒータへの電流導入用のリード線を、真
   空容器内に配設したことを特徴とする基板加熱装置。