JPH0245913A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0245913A JPH0245913A JP19676688A JP19676688A JPH0245913A JP H0245913 A JPH0245913 A JP H0245913A JP 19676688 A JP19676688 A JP 19676688A JP 19676688 A JP19676688 A JP 19676688A JP H0245913 A JPH0245913 A JP H0245913A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- heater
- temperature
- section
- door
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は加熱機構を有した半導体製造５Ａ＠に関する
。
。
第２図はこの種の従来の半導体製造装置である円筒チュ
ーブ型プラズマＣＶＤ装置の断面図である。図において
、１は円筒チューブ型の反応室、２は反応ガスを導入す
る側（以下ハンドル部という。）のドア、３は反応後の
ガスを排気する側（以下ソース部という。）のドアであ
る。ハンドル部ドア２及びソース部ドア３に使われてい
る材料はステンレスである。
ーブ型プラズマＣＶＤ装置の断面図である。図において
、１は円筒チューブ型の反応室、２は反応ガスを導入す
る側（以下ハンドル部という。）のドア、３は反応後の
ガスを排気する側（以下ソース部という。）のドアであ
る。ハンドル部ドア２及びソース部ドア３に使われてい
る材料はステンレスである。
４はハンドル部を加熱するためのハンドル部ヒータ、５
は反応室１のセンタ一部を加熱するためのセンタ一部ヒ
ータ、６はソース部を加熱するためのソース部ヒータで
ある。７はウェーハサセプタであり、ウェーハサセプタ
７上にはウェーハ８が設置されている。
は反応室１のセンタ一部を加熱するためのセンタ一部ヒ
ータ、６はソース部を加熱するためのソース部ヒータで
ある。７はウェーハサセプタであり、ウェーハサセプタ
７上にはウェーハ８が設置されている。
次に、反応室１を用いウェーハ８を処理する工程につい
て説明する。まず、ウェーハサセプタ７上にウェーハ８
を並べる。その後、ウェーハ８を並へたウェーハサセプ
タ７を、例えば、ハンドル部ドア２を開け、反応室１内
に入れる。そして、ハンドル部ドア２を閉じ、ハンドル
部ヒータ４゜センタ一部ヒータ５．ソース部ヒータ６に
よりハンドル部、センタ一部、ソース部を加熱し、つニ
ー八８の温度を２５０℃〜４００℃にする。そして、ハ
ンドル部よりガスを注入しソース部より排気を行ないな
がら反応室１内にプラズマを発生させＣＶＤ処理を行な
う。
て説明する。まず、ウェーハサセプタ７上にウェーハ８
を並べる。その後、ウェーハ８を並へたウェーハサセプ
タ７を、例えば、ハンドル部ドア２を開け、反応室１内
に入れる。そして、ハンドル部ドア２を閉じ、ハンドル
部ヒータ４゜センタ一部ヒータ５．ソース部ヒータ６に
よりハンドル部、センタ一部、ソース部を加熱し、つニ
ー八８の温度を２５０℃〜４００℃にする。そして、ハ
ンドル部よりガスを注入しソース部より排気を行ないな
がら反応室１内にプラズマを発生させＣＶＤ処理を行な
う。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されており、
ハンドル部ドア２及びソース部ドア３の材料であるステ
ンレスの熱伝導率（厚さ１ｃｌＲの板の両面に１℃の温
度差がある時、その板の１ｃＩｌｌを通して１秒間に流
れる熱量）が０．２４５Ｊ／ｃａ＋・ｓ−にと比較的大
きく、ハンドル部、センター部、ソース部を同じように
加熱しても、ハンドル部ドア２及びソース部ドア３から
の放熱が大きくセンタ一部の温度が先に上昇するという
ように、反応室１内での温度履歴が各部で異なり、また
反応室１内の温度を均一に保つことが困難となり、ウェ
ーハ８上に形成される絶縁膜の膜厚が均一にならないな
どウェーハ８の処理状態に影響を与えるという問題点が
あった。この問題はウェーハ８の口径の増大に伴い反応
室１の口径も増大しているという今日においては、さら
に深刻となる。
ハンドル部ドア２及びソース部ドア３の材料であるステ
ンレスの熱伝導率（厚さ１ｃｌＲの板の両面に１℃の温
度差がある時、その板の１ｃＩｌｌを通して１秒間に流
れる熱量）が０．２４５Ｊ／ｃａ＋・ｓ−にと比較的大
きく、ハンドル部、センター部、ソース部を同じように
加熱しても、ハンドル部ドア２及びソース部ドア３から
の放熱が大きくセンタ一部の温度が先に上昇するという
ように、反応室１内での温度履歴が各部で異なり、また
反応室１内の温度を均一に保つことが困難となり、ウェ
ーハ８上に形成される絶縁膜の膜厚が均一にならないな
どウェーハ８の処理状態に影響を与えるという問題点が
あった。この問題はウェーハ８の口径の増大に伴い反応
室１の口径も増大しているという今日においては、さら
に深刻となる。
また、２５０℃〜４００℃の低温領域で行なわれるプラ
ズマＣＶＤにあってはハンドル部ドア２及びソース部ド
ア３を介し外気の温度の影響を受けやすく、反応室１内
各部の温度を均一に保つことが一層困難であるという問
題点があった。
ズマＣＶＤにあってはハンドル部ドア２及びソース部ド
ア３を介し外気の温度の影響を受けやすく、反応室１内
各部の温度を均一に保つことが一層困難であるという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、反応室からの放熱を防ぎ、反応室内各部の温
度履歴を同一にするとともに、反応室内温度を容易に均
一にすることができる半導体製造装置を得ることを目的
とする。
たもので、反応室からの放熱を防ぎ、反応室内各部の温
度履歴を同一にするとともに、反応室内温度を容易に均
一にすることができる半導体製造装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体製造装置は、反応室と、反応室を
加熱するためのヒータとを有する半導体製造装置であっ
て、ヒータにより加熱されない反応室の内側表面に熱遮
断材を設けた構成としている。
加熱するためのヒータとを有する半導体製造装置であっ
て、ヒータにより加熱されない反応室の内側表面に熱遮
断材を設けた構成としている。
この発明における熱遮断材は、反応室からの放熱を防止
する。そのため反応室内各部の温度履歴を同一にするこ
とができるととらに、反応室内の温度を容易に均一にす
ることができる。
する。そのため反応室内各部の温度履歴を同一にするこ
とができるととらに、反応室内の温度を容易に均一にす
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。図に
おいて、第２図に示した従来例との相違点は、ハンドル
部ドア２及びソース部ドア３の内側表面をステンレスよ
りも熱伝導率の低い高温焼結セラミックス９でコーティ
ングしたことである。
おいて、第２図に示した従来例との相違点は、ハンドル
部ドア２及びソース部ドア３の内側表面をステンレスよ
りも熱伝導率の低い高温焼結セラミックス９でコーティ
ングしたことである。
その他の構成は従来例と同様である
反応室１を用いウェーハ８を処理する工程は従来と全く
同じである。この工程において、ハンドル部ヒータ４．
センタ一部ヒータ５．ソース部ヒータ６を用いウェーハ
８を加熱した場合、高温焼結セラミックス９でハンドル
部ドア２及びソース部ドア３の内側表面をコーティング
しＣいるので、従来よりも放熱が抑えられる。具体的な
数字で示すと、ステンレスの熱伝導率は０．２４５Ｊ／
ｃａ＋・ｓ−に、高温焼結セラミックス９の熱伝導率は
１０、５ｘ １０−３Ｊ／ｃｏ＋−ｓ −ｋであり、高
温焼結セラミックス９をコーティングすることにより放
熱は従来に比べて約１／２５に抑えられることになる。
同じである。この工程において、ハンドル部ヒータ４．
センタ一部ヒータ５．ソース部ヒータ６を用いウェーハ
８を加熱した場合、高温焼結セラミックス９でハンドル
部ドア２及びソース部ドア３の内側表面をコーティング
しＣいるので、従来よりも放熱が抑えられる。具体的な
数字で示すと、ステンレスの熱伝導率は０．２４５Ｊ／
ｃａ＋・ｓ−に、高温焼結セラミックス９の熱伝導率は
１０、５ｘ １０−３Ｊ／ｃｏ＋−ｓ −ｋであり、高
温焼結セラミックス９をコーティングすることにより放
熱は従来に比べて約１／２５に抑えられることになる。
このため、ウェーハ８の加熱時に従来のようにセンタ一
部の温度のみが先に上昇することがなく、反応室１内各
部の温度履歴が同一になるとともに、反応室１内の各部
の温度を容易に均一な温度に設定することができ、ウェ
ーハ８の処理状態に影響を与えることがない。特に、２
５０℃〜４００℃という低域温度で行われるプラズマＣ
ＶＤにおいては、従来のようにハンドル部ドア２及びソ
ース部ドア３を介し外気などの外乱による影響を受ける
ことがない。
部の温度のみが先に上昇することがなく、反応室１内各
部の温度履歴が同一になるとともに、反応室１内の各部
の温度を容易に均一な温度に設定することができ、ウェ
ーハ８の処理状態に影響を与えることがない。特に、２
５０℃〜４００℃という低域温度で行われるプラズマＣ
ＶＤにおいては、従来のようにハンドル部ドア２及びソ
ース部ドア３を介し外気などの外乱による影響を受ける
ことがない。
なお、上記実施例では熱遮断材として高温焼結セラミッ
クス９を用いたが、放熱を少なくすることができればい
かなる物質であってもよい。
クス９を用いたが、放熱を少なくすることができればい
かなる物質であってもよい。
また、上記実施例ではプラズマＣＶＤ装置について説明
したが、その伯の半導体製造装置についても適用するこ
とができる。
したが、その伯の半導体製造装置についても適用するこ
とができる。
〔発明の効果］
以上のように、この発明によれば、ヒータにより加熱さ
れない反応室の内側表面に熱遮断材を設けたので、反応
室からの放熱が少なくなり、反応室をヒータにより加熱
した場合、反応室内各部の温度履歴が同一となるととも
に、反応室内の各部の温度を均一に設定することが容易
になるという効果がある。特に、低温領域で行われるプ
ラズマＣＶＤにおいては外気などの外乱による影響を受
けないという効果がある。
れない反応室の内側表面に熱遮断材を設けたので、反応
室からの放熱が少なくなり、反応室をヒータにより加熱
した場合、反応室内各部の温度履歴が同一となるととも
に、反応室内の各部の温度を均一に設定することが容易
になるという効果がある。特に、低温領域で行われるプ
ラズマＣＶＤにおいては外気などの外乱による影響を受
けないという効果がある。
第１図はこの発明に係る一実施例を示す断面図、第２図
は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 図において、１は反応室、４はハンドル部ヒータ、５は
センタ一部ヒータ、６はソース部ヒータ、９は高温焼結
セラミックスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 図において、１は反応室、４はハンドル部ヒータ、５は
センタ一部ヒータ、６はソース部ヒータ、９は高温焼結
セラミックスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）反応室と、前記反応室を加熱するためのヒータと
を有する半導体製造装置であって、前記ヒータにより加
熱されない前記反応室の内側表面に熱遮断材を設けたこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19676688A JPH0245913A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19676688A JPH0245913A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245913A true JPH0245913A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16363267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19676688A Pending JPH0245913A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245913A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696628B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-02-24 | Yamaha Corporation | Musical instrument stand |
| KR100855839B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2008-09-01 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 산소 투과막, 산소 투과 시트, 및 이들을 포함한 전지 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19676688A patent/JPH0245913A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696628B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-02-24 | Yamaha Corporation | Musical instrument stand |
| KR100855839B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2008-09-01 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 산소 투과막, 산소 투과 시트, 및 이들을 포함한 전지 |
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