JPH01242945A - 螢光ｘ線分析装置 - Google Patents
螢光ｘ線分析装置Info
- Publication number
- JPH01242945A JPH01242945A JP6932688A JP6932688A JPH01242945A JP H01242945 A JPH01242945 A JP H01242945A JP 6932688 A JP6932688 A JP 6932688A JP 6932688 A JP6932688 A JP 6932688A JP H01242945 A JPH01242945 A JP H01242945A
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- JP
- Japan
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- ray
- excitation
- lock
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は螢光Ｘ線分析装置に関し、ざらに詳しくは半導
体中の極微量不純物分析や鉄鋼中の不純物定量分析、ざ
らにはガラス、セラミックなど絶縁体も含めた不純物の
￥量分析に用いられている螢光Ｘ線分析において、検出
感度の向上した螢光Ｘ線分析装置に関する。
体中の極微量不純物分析や鉄鋼中の不純物定量分析、ざ
らにはガラス、セラミックなど絶縁体も含めた不純物の
￥量分析に用いられている螢光Ｘ線分析において、検出
感度の向上した螢光Ｘ線分析装置に関する。
［従来の技術とその課題］
螢光Ｘ線分析装置は、その発生信号の発生領域、母体に
よる再吸収などが正確に把握されているため、定量分析
における補正計算が確立されている。
よる再吸収などが正確に把握されているため、定量分析
における補正計算が確立されている。
従って物理分析のなかでも定量性が必要とされる場合は
螢光Ｘ線法がよく利用される。さらに螢光Ｘ線分析は電
荷をもたないＸ線フォトンを励起源とするため、試料漏
電現象が起りにくく、絶縁体の分析にも広く用いられて
いる。
螢光Ｘ線法がよく利用される。さらに螢光Ｘ線分析は電
荷をもたないＸ線フォトンを励起源とするため、試料漏
電現象が起りにくく、絶縁体の分析にも広く用いられて
いる。
しかし従来の螢光Ｘ線分析装置は光源にＸ線管球を用い
ているため励起強度が弱く、かつＸ線の集束化には限度
があるのでｐｐｍオーダーの不純物分析は通常不可能で
あるのが現状である。
ているため励起強度が弱く、かつＸ線の集束化には限度
があるのでｐｐｍオーダーの不純物分析は通常不可能で
あるのが現状である。
本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされた
もので、極微量の不純物について高精度な螢光Ｘ線分析
の可能な螢光Ｘ線分析装置を提供することを目的とする
。
もので、極微量の不純物について高精度な螢光Ｘ線分析
の可能な螢光Ｘ線分析装置を提供することを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、励起Ｘ線を試料に照射し、発生した特性Ｘ線
を検出してなる螢光Ｘ線分析装置において、励起光源と
してシンクロトロン放射光を用い、かつ検出系の電気的
信号増幅回路に入射シンクロトロン１ＩｌｔｊＪ光の周
期性に合わせたロックイン信号増幅系を用いて入射光に
相関のない雑音を除去したことを特徴とする螢光Ｘ線分
析装置である。
を検出してなる螢光Ｘ線分析装置において、励起光源と
してシンクロトロン放射光を用い、かつ検出系の電気的
信号増幅回路に入射シンクロトロン１ＩｌｔｊＪ光の周
期性に合わせたロックイン信号増幅系を用いて入射光に
相関のない雑音を除去したことを特徴とする螢光Ｘ線分
析装置である。
本発明による分析装置の特徴は、励起光源としてシンク
ロトロン放射光を用い、シンクロトロン放射光特有のパ
ルス光励起を利用してロックイン方式の検出系を採用す
ることにより、シグナル／バックグラウンド比を向上さ
せた点にある。
ロトロン放射光を用い、シンクロトロン放射光特有のパ
ルス光励起を利用してロックイン方式の検出系を採用す
ることにより、シグナル／バックグラウンド比を向上さ
せた点にある。
［作用］
本発明の励起光源として利用されるシンクロトロン放射
（ＳＲ）光は、光とほぼ同じ速度で走る高エネルギー電
子が磁場で軌道を曲げられた時に発する光であり、■赤
外線からＸ線に及ぶ連続スペクトル光源であること、■
極めて強い光源であり、Ｘ線領域で従来のＸ線管の約１
０３倍に至る強度を有すること、ざらに■走行電子が高
周波加速を受けるため一定周期のパルス光を発生するこ
と等の特徴を有する。従ってＳＲを螢光Ｘ線（ＸＲＦ）
の光源として用いれば、螢光Ｘ線分析特有の定量性の良
さ、耐漏電性の特徴を確保しつつ、分析感度を向上させ
ることができる。本発明では第３の特徴である励起光の
周期性を生かして励起パルス光に同期したロックイン増
幅系により励起光の周期性に相関しない雑音、すなわち
実験室内外の雑音Ｘ線、検知器のランダムノイズ、増幅
系における誘導ノイズなどのバックグラウンドを完全に
除外することができる。
（ＳＲ）光は、光とほぼ同じ速度で走る高エネルギー電
子が磁場で軌道を曲げられた時に発する光であり、■赤
外線からＸ線に及ぶ連続スペクトル光源であること、■
極めて強い光源であり、Ｘ線領域で従来のＸ線管の約１
０３倍に至る強度を有すること、ざらに■走行電子が高
周波加速を受けるため一定周期のパルス光を発生するこ
と等の特徴を有する。従ってＳＲを螢光Ｘ線（ＸＲＦ）
の光源として用いれば、螢光Ｘ線分析特有の定量性の良
さ、耐漏電性の特徴を確保しつつ、分析感度を向上させ
ることができる。本発明では第３の特徴である励起光の
周期性を生かして励起パルス光に同期したロックイン増
幅系により励起光の周期性に相関しない雑音、すなわち
実験室内外の雑音Ｘ線、検知器のランダムノイズ、増幅
系における誘導ノイズなどのバックグラウンドを完全に
除外することができる。
［実施例］
次に本発明の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す構成図である
。シンクロトロン放射光源１から発射された励起Ｘ線２
はスリット３で数百珈の径に絞られた後、試料４に照射
される。試料４から発生した特性Ｘ線５はエネルギー分
散型半導体検知器６で検知され、ロックイン信号増幅系
７に導かれる。
。シンクロトロン放射光源１から発射された励起Ｘ線２
はスリット３で数百珈の径に絞られた後、試料４に照射
される。試料４から発生した特性Ｘ線５はエネルギー分
散型半導体検知器６で検知され、ロックイン信号増幅系
７に導かれる。
同期すべき参照信号はスリット３の外枠をモニターとし
て、スリット３の外枠に設置された光電導素子８からの
信＠９を用いる。ロックイン信号増幅系７を経た信号は
、実験室内外の雑音Ｘ線、検出器ノイズ、電磁誘導ノイ
ズ等の励起光に関連しない雑音がすべて除去され、試料
から発生する特性Ｘ線のみからなる信号となり、この信
号は記録表示系１０に表示される。
て、スリット３の外枠に設置された光電導素子８からの
信＠９を用いる。ロックイン信号増幅系７を経た信号は
、実験室内外の雑音Ｘ線、検出器ノイズ、電磁誘導ノイ
ズ等の励起光に関連しない雑音がすべて除去され、試料
から発生する特性Ｘ線のみからなる信号となり、この信
号は記録表示系１０に表示される。
以上のようにして高精度の微量不純物分析を行うことが
できる。
できる。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によるシンクロトロン放射
光を利用した螢光Ｘ線分析装＠ （ＳＲ−ＸＲＦ）は、
励起光に相関しない雑音、即ち実験室内外の雑音Ｘ線、
検出器ノイズ、電磁誘導ノイズ等を除外し、微量不純物
分析の検出限界を大幅に改善する機能をもつものである
。
光を利用した螢光Ｘ線分析装＠ （ＳＲ−ＸＲＦ）は、
励起光に相関しない雑音、即ち実験室内外の雑音Ｘ線、
検出器ノイズ、電磁誘導ノイズ等を除外し、微量不純物
分析の検出限界を大幅に改善する機能をもつものである
。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す構成図である
。 １・・・シンクロトロン放射光源 ２・・・励起Ｘ線 ３・・・スリット４・・・
試料 ５・・・特性Ｘ線６・・・半導体検
知器 ７・・・ロックイン信号増幅系 ８・・・光電導素子 ９・・・（参照）信号１０
・・・記録表示系
。 １・・・シンクロトロン放射光源 ２・・・励起Ｘ線 ３・・・スリット４・・・
試料 ５・・・特性Ｘ線６・・・半導体検
知器 ７・・・ロックイン信号増幅系 ８・・・光電導素子 ９・・・（参照）信号１０
・・・記録表示系
Claims (1)
- （１）励起Ｘ線を試料に照射し、発生した特性Ｘ線を検
出してなる螢光Ｘ線分析装置において、励起光源として
シンクロトロン放射光を用い、かつ検出系の電気的信号
増幅回路に入射シンクロトロン放射光の周期性に合わせ
たロックイン信号増幅系を用いて入射光に相関のない雑
音を除去したことを特徴とする螢光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6932688A JPH01242945A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 螢光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6932688A JPH01242945A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 螢光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242945A true JPH01242945A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13399315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6932688A Pending JPH01242945A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 螢光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242945A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121382A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 高計数率測定用半導体型けい光ｘ線計数装置 |
| JPS62294948A (ja) * | 1987-05-14 | 1987-12-22 | Nec Corp | オ−ジェ電子分光スペクトルの測定方法 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP6932688A patent/JPH01242945A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121382A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 高計数率測定用半導体型けい光ｘ線計数装置 |
| JPS62294948A (ja) * | 1987-05-14 | 1987-12-22 | Nec Corp | オ−ジェ電子分光スペクトルの測定方法 |
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