JPH01243437A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01243437A JPH01243437A JP63070654A JP7065488A JPH01243437A JP H01243437 A JPH01243437 A JP H01243437A JP 63070654 A JP63070654 A JP 63070654A JP 7065488 A JP7065488 A JP 7065488A JP H01243437 A JPH01243437 A JP H01243437A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- electrode
- glass powder
- semiconductor element
- positive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面安定化のためにガラス粉末を電気泳動法
により付着させ、焼成することによってパフシベーシッ
ンを行う半導体素子の製造方法に関する。
により付着させ、焼成することによってパフシベーシッ
ンを行う半導体素子の製造方法に関する。
パンシベーシッン材料としてガラスを用いる場合、従来
は電気泳動法によりガラス微粉末を半導体素体表面に付
着させる方法が、その後の焼成で均一なガラス膜を形成
できるので採用されている。
は電気泳動法によりガラス微粉末を半導体素体表面に付
着させる方法が、その後の焼成で均一なガラス膜を形成
できるので採用されている。
第２図はそのための装置を示し、電着槽１の中にガラス
微粉末をイソプロピルアルコールあるいは酢酸エチルな
どの有ｍ溶媒に懸濁させた液２を収容し、この液中に半
導体ウェハ３を支持した陰極１４とそれに平行に対向す
る陽極板５を漫潰し、予め懸濁液にアンモニア水を加え
ておくか、そうでなければ図示のようにアンモニアガス
を導入管６より噴出させなが゛ら両電極間に電Ｂ７によ
り電極５の極性を正とする５０〜５００ｖの第３図に示
すような一定の直流電圧をかけることにより電気泳動法
を行う。
微粉末をイソプロピルアルコールあるいは酢酸エチルな
どの有ｍ溶媒に懸濁させた液２を収容し、この液中に半
導体ウェハ３を支持した陰極１４とそれに平行に対向す
る陽極板５を漫潰し、予め懸濁液にアンモニア水を加え
ておくか、そうでなければ図示のようにアンモニアガス
を導入管６より噴出させなが゛ら両電極間に電Ｂ７によ
り電極５の極性を正とする５０〜５００ｖの第３図に示
すような一定の直流電圧をかけることにより電気泳動法
を行う。
ところが、第２図のような装置で電気泳動法を行うと、
粒径の大きい、例えばＩｏｎを超える径のガラス粉末も
半導体ウェハ３に付着しやす（、焼成時に空隙の少ない
滑らかなパフシベーシラン膜が得られないことが多いた
め、特性の安定した素子が製造しにくいという欠点があ
った。しかもこの現象は、処理枚数が増加するほど顕著
になるため、処理枚数が制限され、装置の利用効率を高
めることができなかった。
粒径の大きい、例えばＩｏｎを超える径のガラス粉末も
半導体ウェハ３に付着しやす（、焼成時に空隙の少ない
滑らかなパフシベーシラン膜が得られないことが多いた
め、特性の安定した素子が製造しにくいという欠点があ
った。しかもこの現象は、処理枚数が増加するほど顕著
になるため、処理枚数が制限され、装置の利用効率を高
めることができなかった。
本発明の課題は、電気泳動法によるガラス付着時に、粗
いガラス粉末を除外して細かいガラス粉末のみを付着さ
せて得た緻密なパンシベーシッン膜を有する半導体素子
の製造方法に関する。
いガラス粉末を除外して細かいガラス粉末のみを付着さ
せて得た緻密なパンシベーシッン膜を有する半導体素子
の製造方法に関する。
上記の課題の解決のために、本発明は、ガラス粉末懸濁
液中に半導体素体と支持する電極とその電極の素体支持
面に対向する電極とを配置し両電極間に電圧を印加して
電気泳動法により半導体素体表面にガラス粉末を付着さ
せ、焼成することによりバンシベーシッン膜を形成する
半導体素子の製造方法において、印加される電圧が交流
電圧であり、平均電圧値は対向電極側が正であるものと
する。
液中に半導体素体と支持する電極とその電極の素体支持
面に対向する電極とを配置し両電極間に電圧を印加して
電気泳動法により半導体素体表面にガラス粉末を付着さ
せ、焼成することによりバンシベーシッン膜を形成する
半導体素子の製造方法において、印加される電圧が交流
電圧であり、平均電圧値は対向電極側が正であるものと
する。
対向１ｔ８ｉ側に正の電圧が印加されているときには、
電気泳動により細かいガラス粒子から徐々に粗いガラス
粒子へ付着していき、対向電極側に負の電圧が印加され
ているときには、反対に付着したガラス粒子の粗い方か
らひきはがされていく。
電気泳動により細かいガラス粒子から徐々に粗いガラス
粒子へ付着していき、対向電極側に負の電圧が印加され
ているときには、反対に付着したガラス粒子の粗い方か
らひきはがされていく。
そのため半導体素体には細かい粒子のみが付着する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例での電気泳動法
の電源電圧で、正負は第２図の半導体ウェハ３を支持す
る電極４に対する電極５の極性で示し、図（ａｌでは周
期が１〜２０秒の交流成分に一定の直流成分を加えたも
ので正側のピーク値は＋Ｖ＋５０〜５００Ｖ、負側のピ
ーク値−■！はｌＯ〜２５０ｖテあり、従って電圧値の
平均は正である０図（ｂｌでは周期はやはり１〜２０秒
の矩形波で、正側電圧＋■、が５０〜５００Ｖ、負側電
圧−■、が１０〜２５０■である。
の電源電圧で、正負は第２図の半導体ウェハ３を支持す
る電極４に対する電極５の極性で示し、図（ａｌでは周
期が１〜２０秒の交流成分に一定の直流成分を加えたも
ので正側のピーク値は＋Ｖ＋５０〜５００Ｖ、負側のピ
ーク値−■！はｌＯ〜２５０ｖテあり、従って電圧値の
平均は正である０図（ｂｌでは周期はやはり１〜２０秒
の矩形波で、正側電圧＋■、が５０〜５００Ｖ、負側電
圧−■、が１０〜２５０■である。
何れの場合も１０μを超える粗い粒子の付着は見られず
、焼成後のパッシベーション膜は緻密であった。
、焼成後のパッシベーション膜は緻密であった。
本発明によれば、電気泳動法に用いる電源電圧を単なる
直流電圧でなく平均値が半導体素体の支持電極への対向
電極側を正とする交流電圧とすることにより、−旦素体
に付着した粗いガラス粉末を逆極性の電圧印加時にひき
はがす作用が生じ、細かいガラス粉末のみを付着させる
ことができるので、処理枚数に制限なしに焼成によって
半導体素体のＰＮ接合露出面上に緻密なパッシベーショ
ン膜が形成され、外部からの水分の侵入、汚染などによ
る特性劣化の少ない安定した半導体素子を製造すること
ができる。
直流電圧でなく平均値が半導体素体の支持電極への対向
電極側を正とする交流電圧とすることにより、−旦素体
に付着した粗いガラス粉末を逆極性の電圧印加時にひき
はがす作用が生じ、細かいガラス粉末のみを付着させる
ことができるので、処理枚数に制限なしに焼成によって
半導体素体のＰＮ接合露出面上に緻密なパッシベーショ
ン膜が形成され、外部からの水分の侵入、汚染などによ
る特性劣化の少ない安定した半導体素子を製造すること
ができる。
第１図＋Ｍｌ、（ｂｌは本発明の二つの実施例における
電気泳動法の電源電圧図、第２図は本発明の実施に用い
られる電気泳動装置の一例の断面図、第３図は従来の電
源電圧図である。 １：電着槽、２＋！！！濁液、３：半導体ウェハ、４．
５：電極、７：電源。
電気泳動法の電源電圧図、第２図は本発明の実施に用い
られる電気泳動装置の一例の断面図、第３図は従来の電
源電圧図である。 １：電着槽、２＋！！！濁液、３：半導体ウェハ、４．
５：電極、７：電源。
Claims (1)
- （１）ガラス粉末懸濁液中に半導体素体を支持する電極
と該電極の素体支持面に対向する電極とを配置し両電極
間に電圧を印加して電気泳動法により半導体素体表面に
ガラス粉末を付着させ、焼成することによりパッシベー
ション膜を形成する半導体素子の製造方法において、印
加される電圧が交流電圧であり、平均電圧値は対向電極
側が正であることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070654A JPH01243437A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070654A JPH01243437A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243437A true JPH01243437A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13437856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070654A Pending JPH01243437A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243437A (ja) |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070654A patent/JPH01243437A/ja active Pending
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