JPS583635A - プラズマ中化学気相成長装置 - Google Patents
プラズマ中化学気相成長装置Info
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- JPS583635A JPS583635A JP10112181A JP10112181A JPS583635A JP S583635 A JPS583635 A JP S583635A JP 10112181 A JP10112181 A JP 10112181A JP 10112181 A JP10112181 A JP 10112181A JP S583635 A JPS583635 A JP S583635A
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- JP
- Japan
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- electrode
- plasma
- reference potential
- film
- chemical vapor
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板を載置する電極とこれに対向する電極との
間にプラズマを集中させて上記基板上Ｋに関する。
間にプラズマを集中させて上記基板上Ｋに関する。
従来のこの種装置においては、第１図に示すように、反
応チャンバー１内に上下に対向してグラズ！発生用電極
２．３が配置され、その上部電極２ｔｊチヤンバー１内
に露出しており、また下部電極はその下側に加熱ヒータ
４が配置されている。
応チャンバー１内に上下に対向してグラズ！発生用電極
２．３が配置され、その上部電極２ｔｊチヤンバー１内
に露出しており、また下部電極はその下側に加熱ヒータ
４が配置されている。
そして、下部電極３は反応チキンパー１と共にアースさ
れ、このアースされた下部電極３と上部電極２との間に
高周波電ｇ１５が接続されている。化学気相成長される
基板６は下部電極３上に載置され、導入ロアからチャン
バー１内へ導入され皮反応ガス中で放電させることによ
りプラズマ音生じさせ、そのガス中の成膜成分を基板６
上に化学気相成長させている。なお、８は図示しない排
気Ｉングヘ連通された排気口である。
れ、このアースされた下部電極３と上部電極２との間に
高周波電ｇ１５が接続されている。化学気相成長される
基板６は下部電極３上に載置され、導入ロアからチャン
バー１内へ導入され皮反応ガス中で放電させることによ
りプラズマ音生じさせ、そのガス中の成膜成分を基板６
上に化学気相成長させている。なお、８は図示しない排
気Ｉングヘ連通された排気口である。
このような装置の構造上、陰極となる上部電極と下部電
極との間に形成されるプラズマはチキン、？−１壁の方
へ広がる性向を有する。このため、基板上に成長する膜
の成膜速度は遅い、ｔた、広がったプラズマによりチャ
ンバー壁に一旦付着した粒子がチャンバー壁から分離し
て基板に成長しつつある膜上に落ちて来るととがあり、
このような粒子は成長しつつある膜にピンホールを生成
させる原因となり、その結果として成長し友膜の膜質を
悪化させている。
極との間に形成されるプラズマはチキン、？−１壁の方
へ広がる性向を有する。このため、基板上に成長する膜
の成膜速度は遅い、ｔた、広がったプラズマによりチャ
ンバー壁に一旦付着した粒子がチャンバー壁から分離し
て基板に成長しつつある膜上に落ちて来るととがあり、
このような粒子は成長しつつある膜にピンホールを生成
させる原因となり、その結果として成長し友膜の膜質を
悪化させている。
本発明は上述したような従来装置の有する欠点に鑑みて
創案され九もので、その目的は膜を成長させる基板の附
近にプラズマを集中させることにより、成膜速度を遮め
、膜質の向上を図り九グッズマ中化学気相成長装置を提
供することにある。
創案され九もので、その目的は膜を成長させる基板の附
近にプラズマを集中させることにより、成膜速度を遮め
、膜質の向上を図り九グッズマ中化学気相成長装置を提
供することにある。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例を説明する
。
。
第２図は本発―装置を示す、１０は反応チャンバーであ
る。この反応チャンバー１０内に第１及び第２のプラズ
マ発生用電極１１．１２を離隔して対向設置してあゐ、
これらの電極は例えば、平板電極であり、チャンバー１
０内に上下に設けられている。上部電極１１は、チャン
バー１０と電気的に絶縁された懸吊体でありかつ導電体
でもある軸１３により懸吊されてチャンバー１ｏ内に露
出されている。下部電極１２ｔｊ図示しない支持体によ
りチャンバー１０内に支持されてチャンバーと共に基準
電位例えばアース電位に接続されている・下部電極１２
と軸１３との間ＫＦｉ、両電極１１゜１２関にプラズマ
を発生しうる高周波電圧を供給するための高周波電源１
４が接続されている。
る。この反応チャンバー１０内に第１及び第２のプラズ
マ発生用電極１１．１２を離隔して対向設置してあゐ、
これらの電極は例えば、平板電極であり、チャンバー１
０内に上下に設けられている。上部電極１１は、チャン
バー１０と電気的に絶縁された懸吊体でありかつ導電体
でもある軸１３により懸吊されてチャンバー１ｏ内に露
出されている。下部電極１２ｔｊ図示しない支持体によ
りチャンバー１０内に支持されてチャンバーと共に基準
電位例えばアース電位に接続されている・下部電極１２
と軸１３との間ＫＦｉ、両電極１１゜１２関にプラズマ
を発生しうる高周波電圧を供給するための高周波電源１
４が接続されている。
そして、下部電極１２の下側Ｋｌ−Ｊｌ−上−タ（加熱
手段）１５が設けられ、その上側Ｋｔｊ絶縁物１６を挾
んで基板載置用の第３の電極１７が設けられている。こ
の第３の電極１７には基準電位に対し接続的に又は平均
的に負となる電圧を供給するためのバイアス電源１８が
第３の電極１７と基準電位との間に接続されている。１
９は図示しない反応ガス供給装置へ連通された反応ガス
導入口で、２０は図示しない排気ポンプへ連通された排
気口である。
手段）１５が設けられ、その上側Ｋｔｊ絶縁物１６を挾
んで基板載置用の第３の電極１７が設けられている。こ
の第３の電極１７には基準電位に対し接続的に又は平均
的に負となる電圧を供給するためのバイアス電源１８が
第３の電極１７と基準電位との間に接続されている。１
９は図示しない反応ガス供給装置へ連通された反応ガス
導入口で、２０は図示しない排気ポンプへ連通された排
気口である。
次に１上述のように構成される本発明装置の動作を説明
すゐ。
すゐ。
反応チキンパー１０内の基板載置用の第３の電極１丁上
に基板２１を載置し穴後、反応ガス導入口１９から反応
チャンバー１０内へ反応ガスを導入し、上部電極１１と
下部電極１２との間に反応ガス雰囲気を形成する。
に基板２１を載置し穴後、反応ガス導入口１９から反応
チャンバー１０内へ反応ガスを導入し、上部電極１１と
下部電極１２との間に反応ガス雰囲気を形成する。
この反応ガス雰囲気を間に挾む上部電極１１と下部電極
１２との間にプラズマを発生させ得る高周波電圧を高周
波電＄１１４から供給印加すると共に、１１１３０電極
１７にバイアス電＠１８から基準電位に対し接続的に又
は平均的に負になる電圧、即ち直流電圧又は負にシフト
した交流電圧を供給する。
１２との間にプラズマを発生させ得る高周波電圧を高周
波電＄１１４から供給印加すると共に、１１１３０電極
１７にバイアス電＠１８から基準電位に対し接続的に又
は平均的に負になる電圧、即ち直流電圧又は負にシフト
した交流電圧を供給する。
これらの電圧によって発生される電界によって両電極間
に放電させられ、その雰囲気にプラズマを生じさせられ
る。このプラズマは第３の電極１７が下部電極１２に対
し負に／４イアスされ、第３の電極１７から下部電極１
２へ向う電界の作用を受けるので、電極１１．１２間に
生じているプラズマは第３の電極に載置されている基板
２１附近に集中させられつつ、そのプラズマ中の成膜成
分を引き寄せ、基板２１上Ｋ１１Ｉを形成する。
に放電させられ、その雰囲気にプラズマを生じさせられ
る。このプラズマは第３の電極１７が下部電極１２に対
し負に／４イアスされ、第３の電極１７から下部電極１
２へ向う電界の作用を受けるので、電極１１．１２間に
生じているプラズマは第３の電極に載置されている基板
２１附近に集中させられつつ、そのプラズマ中の成膜成
分を引き寄せ、基板２１上Ｋ１１Ｉを形成する。
その成膜速度は上述の如くプラズマがバイアス電圧によ
り基板附近に集中させられているので第１図に示す従来
装置よりも速くなる。
り基板附近に集中させられているので第１図に示す従来
装置よりも速くなる。
ｔた、プラズマの基板２１附近への集中により、従来装
置の如く基１［２１上に成長される粒子の一部がチャン
バー壁に一旦付着した後そこから分−して基板２１上の
結晶成長に加わる粒子は極〈微量となり、ピンホールの
発生等が殆んどなくなる。
置の如く基１［２１上に成長される粒子の一部がチャン
バー壁に一旦付着した後そこから分−して基板２１上の
結晶成長に加わる粒子は極〈微量となり、ピンホールの
発生等が殆んどなくなる。
従って、成長膜の膜質が一段と向上する。
以上要す、ｉ＋に、本発明によれば、次のような効果が
得られる。
得られる。
■基板附近Ｋｆ２ズｉを集中させ得る。
■従って、成膜速度を向上させ得る。
■また、その膜質が向上する等である。
第１図は従来のプラズマ中化学気相成長装置を示す図、
第２図は本発明のグラズマ中化学気相成長装置を示す図
である。 図中、１０は反応チャンバー、１ｉＦｉ嬉１の電極、１
２は第２の電極、１４Ｉｆｉ高周波電源、１８はバイア
ス電源である。 第１図 第２図
第２図は本発明のグラズマ中化学気相成長装置を示す図
である。 図中、１０は反応チャンバー、１ｉＦｉ嬉１の電極、１
２は第２の電極、１４Ｉｆｉ高周波電源、１８はバイア
ス電源である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）反応チャンｌ譬−内に＠隔してａｌｌ及び第２の電
極を対向設置し、これら電極の内の基準電位に＠続され
、かつ加熱手ＲＫより加熱される電極と電気的に＠縁さ
れたＭ板装置用の第３の電極を設け、上記第１の電極と
第２の電極との間にプラズマを発生させうる高周波電圧
を印加するとともに、上記！１１１３の電極に上記基準
電位に対し負となる電圧を印加するように構成し九こと
を特徴とする！フスマ中化学気相成長装置。 ２）上記基準電位に対し負となる電圧を直流とし次こと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ中化
学気相成長装置。 ３）上記基準電位に対し負となる電圧を員にシフトし友
交流としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のプラズマ中化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112181A JPS583635A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | プラズマ中化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112181A JPS583635A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | プラズマ中化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583635A true JPS583635A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS6323826B2 JPS6323826B2 (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=14292237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10112181A Granted JPS583635A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | プラズマ中化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583635A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156333A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-05 | 横河メディカルシステム株式会社 | 超音波診断装置 |
| JPS6255562U (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-06 | ||
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10112181A patent/JPS583635A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156333A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-05 | 横河メディカルシステム株式会社 | 超音波診断装置 |
| JPS6255562U (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-06 | ||
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6323826B2 (ja) | 1988-05-18 |
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